一种介质波导滤波器的制作方法

本申请涉及滤波器技术领域，尤其涉及一种介质波导滤波器。

背景技术：

随着现代通信技术的不断发展，对滤波器的性能指标要求也越来越高。介质波导滤波器因其尺寸小、q值高、成本低等特性在小型化集成度高的通信系统中获得了很好的应用。但随着多频系统的不断发展，对滤波器的频率选择特性和带外抑制特性的要求也越来越也高。

然而，现有的滤波器在提高滤波器频率选择以及带外抑制特性方面存在实现方式复杂、调试困难等问题。

技术实现要素：

本申请的目的在于提供一种介质波导滤波器，旨在解决现有的滤波器在提高滤波器频率选择以及带外抑制特性方面存在的实现方式复杂、调试困难等问题。

本申请实施例提供了一种介质波导滤波器，所述介质波导滤波器表面覆盖有金属镀层，所述介质波导滤波器包括至少三个谐振单元，所述至少三个谐振单元包括至少一个位于交叉耦合极点的第一谐振单元和多个非位于交叉耦合极点的第二谐振单元，所述第一谐振单元内设有频率盲孔和通孔，所述通孔处沿其圆周方向设有至少一个露出于所述金属镀层的隔离圈。

可选的，所述隔离圈位于所述通孔的内壁或者开口周沿区域。

可选的，所述通孔为多级阶梯结构。

可选的，所述隔离圈位于所述多级阶梯结构的至少一级阶梯的阶梯面。

可选的，所述隔离圈位于至少一个相邻的阶梯面之间的连接面。

可选的，所述多级阶梯结构中相邻阶梯的形状相同。

可选的，所述通孔的形状为圆柱形或者棱柱形。

可选的，所述金属镀层的材料为金属银或者金属铜。

可选的，所述介质波导滤波器中介质本体的材料为陶瓷材料。

本申请实施例还提供了另一种介质波导滤波器，所述介质波导滤波器表面覆盖有金属镀层，所述介质波导滤波器包括两个谐振单元，其中一个所述谐振单元包括频率盲孔和通孔，所述通孔处沿其圆周方向设有至少一个露出于所述金属镀层的隔离圈。

本申请提供的介质波导滤波器中，所述介质波导滤波器表面覆盖有金属镀层，所述介质波导滤波器包括至少三个谐振单元，所述至少三个谐振单元包括至少一个位于交叉耦合极点的第一谐振单元和多个非位于交叉耦合极点的第二谐振单元，所述第一谐振单元内设有频率盲孔和通孔，所述通孔处设有隔离圈，所述通孔处沿其圆周方向设有至少一个露出于所述金属镀层的隔离圈，从而使其工作模式与相邻谐振单元的工作模式相反，实现谐振单元之间的容性耦合，解决了现有的滤波器在提高滤波器频率选择以及带外抑制特性方面存在的实现方式复杂、调试困难等问题。

附图说明

图1为本申请的第一实施例提供的介质波导滤波器的俯视示意图；

图2为本申请的第二实施例提供的介质波导滤波器的俯视示意图；

图3为本申请的第三实施例提供的介质波导滤波器的立体示意图；

图4为本申请的第四实施例提供的介质波导滤波器的立体示意图；

图5为本申请的第五实施例提供的介质波导滤波器的立体示意图；

图6为本申请的第六实施例提供的介质波导滤波器的立体示意图；

图7为本申请的第七实施例提供的介质波导滤波器的立体示意图；

图8为本申请的第八实施例提供的介质波导滤波器的立体示意图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。

本申请实施例提供了一种介质波导滤波器，所述介质波导滤波器表面覆盖有金属镀层，所述介质波导滤波器包括两个谐振单元，其中一个所述谐振单元包括频率盲孔和通孔，所述通孔处沿其圆周方向设有至少一个露出于所述金属镀层的隔离圈。

在本实施例中，介质波导滤波器包括两个谐振单元，通过在其中任一谐振单元内设置频率盲孔和通孔，所述通孔处沿其圆周方向设有至少一个露出于所述金属镀层的隔离圈，使该谐振单元的工作模式为te102模式，此时，另一谐振单元的工作模式为te101模式，从而实现两个谐振单元之间的容性耦合，通过该结构可以在不引入金属耦合探针的情况下实现容性耦合，具有实现方式简单、调试简便的特点。

例如，图1为本申请实施例提供的一种介质波导滤波器的示意图，参见图1所示，本实施例中的介质波导滤波器包括谐振单元11和谐振单元12，介质本体10上开设有耦合开窗101，谐振单元11与谐振单元12通过耦合开窗101连通，谐振单元11包括频率盲孔111，谐振单元12包括频率盲孔121和通孔122，其中，通孔122处沿其圆周方向设有至少一个露出于所述金属镀层的隔离圈123，该隔离圈123沿通孔122的内壁或者开口周沿区域形成一闭环缝隙，使得谐振单元11与谐振单元12的工作模式相反，其中，谐振单元12的工作模式处于te102模式，谐振单元11的工作模式处于te101模式，实现了谐振单元11与谐振单元12之间的容性耦合。

本申请实施例还提供了另一种介质波导滤波器，所述介质波导滤波器表面覆盖有金属镀层，所述介质波导滤波器包括至少三个谐振单元，所述至少三个谐振单元包括至少一个位于交叉耦合极点的第一谐振单元和多个非位于交叉耦合极点的第二谐振单元，所述第一谐振单元内设有频率盲孔和通孔，所述通孔处沿其圆周方向设有至少一个露出于所述金属镀层的隔离圈。

在本实施例中，介质波导滤波器包括至少三个谐振单元，通过在位于交叉耦合极点的第一谐振单元内设置频率盲孔和通孔，使该第一谐振单元的工作模式与非位于交叉耦合极点的第二谐振单元的工作模式相反，例如，第一谐振单元的工作模式为te102模式，多个非位于交叉耦合极点的第二谐振单元的工作模式为te101模式，实现了第一谐振单元与第二谐振单元之间的容性耦合，具有实现方式简单、调试简便的特点。

图2为本申请实施例提供的另一种介质波导滤波器的示意图，参见图2所示，本实施例中的介质本体20覆盖有金属镀层，介质本体20上开设耦合窗口201，通过耦合窗口201形成六个谐振单元，六个谐振单元包括谐振单元21、谐振单元22、谐振单元23、谐振单元24、谐振单元25以及谐振单元26，其中，谐振单元21、谐振单元22、谐振单元23、谐振单元24、谐振单元25以及谐振单元26均包括一频率盲孔，例如，谐振单元21包括频率盲孔211，谐振单元22包括频率盲孔221，谐振单元23包括频率盲孔231，谐振单元24包括频率盲孔241，谐振单元25包括频率盲孔251，谐振单元26包括频率盲孔261，其中，谐振单元23位于交叉耦合极点，通过在谐振单元23内设置通孔231，并在通孔231处沿其圆周方向设有至少一个露出于所述金属镀层的隔离圈232，该隔离圈232未电镀金属镀层，从而裸露出介质本体20，，使得谐振单元23的工作模式处于te102模式，谐振单元22和谐振单元26的工作模式均处于te101模式，从而实现谐振单元23与谐振单元26之间的容性耦合。

进一步的，参见图2所示，本实施例中的耦合开窗201可以包括三个子耦合开窗，三个子耦合开窗分别呈“十”字型、“l”型以及圆型，从而将介质本体20划分为六个谐振单元。

进一步的，耦合开窗201的形状也可以为椭圆形的通孔槽、正方形以及其他任意形式的窗口形状。

在一个实施例中，所述隔离圈232位于所述通孔231的内壁或者开口周沿区域。

在一个实施例中，参见图3所示，隔离圈232可以位于通孔231的内壁，且围绕通孔231的内圈排布形成一闭环缝隙，通过在该闭环缝隙区域内不电镀金属镀层形成隔离圈232，位于交叉耦合极点的谐振单元23的工作模式位于te102模式，使其与前后腔的工作模式相反，实现谐振单元23与谐振单元26之间的容性耦合。

进一步的，参见图3所示，在本实施例中，还可以通过在谐振单元24和谐振单元25中的频率盲孔内设置端口盲孔的方式对其谐振腔的谐振频率进行调节。例如，在谐振单元24中的调谐盲孔241内设置端口盲孔242，在谐振单元25中的调谐盲孔252内设置端口盲孔252，并通过调节端口盲孔的大小及深度对其谐振频率进行调节。

进一步的，该隔离圈232的面积大小以及形状可以由耦合量的大小确定，隔离圈232的面积越大，即不电镀金属镀层的面积越大，耦合量越大，不电镀区域或者位置越多，耦合量就越大。

进一步的，隔离圈232的形状可以为圆形，也可以为棱形或者其他任意形状。

在一个实施例中，参见图4所示，隔离圈232也可以位于介质本体20的上表面，且围绕通孔231排布，通过在该开口周沿区域不电镀金属镀层形成露出于金属镀层的隔离圈232，并裸露出介质本体20，从而使位于交叉耦合极点的谐振单元23的工作模式与非位于交叉耦合极点的谐振单元26的工作模式相反，谐振单元23位于te102模式，使其与前后腔的工作模式相反，实现谐振单元23与谐振单元26之间的容性耦合。

在一个实施例中，参见图5所示，隔离圈232位于通孔231处的开口周沿区域，该开口周沿位于介质本体20的下表面，且围绕通孔231排布，通过在该通孔231位于介质本体20下表面的开口周沿区域不电镀金属镀层形成露出于金属镀层的隔离圈232，并裸露出介质本体20，从而使谐振单元23的工作模式位于te102模式，使其与前后腔的工作模式相反，实现谐振单元23与谐振单元26之间的容性耦合。

在一个实施例中，隔离圈232的位置可以为图3、图4以及图5中至少两个示意位置的组合，例如，参见图6所示，通孔231处设有两个隔离圈232，其中一个隔离圈232位于通孔231内壁，另一隔离圈232位于通孔231在介质本体20上表面的开口周沿区域内的闭环区域，通过该方式同样使谐振单元23的工作模式位于te102模式，使其与前后腔的工作模式相反，实现谐振单元23与谐振单元26之间的容性耦合。

在一个实施例中，所述通孔231可以为多级阶梯结构。在本实施例中，将通孔231设置为多级阶梯结构可以形成一阶梯通孔，其中，该多级阶梯结构包括内径不同的多级阶梯，每级阶梯由沿通孔圆周方向的阶梯面形成，每级阶梯的阶梯面沿通孔深度方向形成一闭合曲面，相邻阶梯面之间还设有连接面，每级阶梯的阶梯面以及相邻阶梯面之间的连接面形成了通孔231的内壁，例如，参见图7所示，该多级阶梯结构为两级阶梯结构时，上阶梯的内径大于下阶梯的内径，上阶梯和下阶梯均为圆柱形，此时，隔离圈232可以位于上阶梯或者下阶梯的阶梯面，进一步的，隔离圈232还可以同时位于上阶梯和下阶梯的阶梯面，此时，通孔231的内壁可以设置多个互不接触的隔离圈232，多个互不接触的232可以按照任意数量设置于每级阶梯的阶梯面以及相邻阶梯面之间的连接面。

在一个实施例中，所述隔离圈232位于所述多级阶梯结构的至少一级阶梯的阶梯面。该阶梯的阶梯面形成一沿通孔231圆周方向的封闭曲面，若通孔231为多级阶梯结构，通过在该多级阶梯结构中至少一个阶梯的阶梯面形成隔离圈232，同样可以使谐振单元23的工作模式位于te102模式，使其与前后腔的工作模式相反，实现谐振单元23与谐振单元26之间的容性耦合。

在一个实施例中，所述隔离圈232位于所述多级阶梯结构的至少一个相邻的阶梯面之间的连接面。本实施例中相邻的阶梯面之间的连接面为多级阶梯结构中相邻阶梯面之间连通的区域，例如，参见图7所示，上阶梯与下阶梯之间设有阶梯连接面连通，该相邻阶梯的连接面形成一中心设有孔洞的闭环面，进一步的，在一个实施例中，该连接面与通孔231的深度方向垂直，通过在该连接面形成隔离圈232，同样可以使谐振单元23的工作模式位于te102模式，使其与前后腔的工作模式相反，实现谐振单元23与谐振单元26之间的容性耦合。

进一步的，在一个实施例中，本实施例中的隔离圈232可以为图3、图4以及图7中至少两个示意位置的组合，或者任意数量的组合，例如，参见图8所示，通孔231处设有两个隔离圈232，其中一个隔离圈232位于通孔231中上阶梯内壁的闭环区域，另一隔离圈232位于阶梯连接面的闭环区域，通过该方式同样可以使谐振单元23的工作模式位于te102模式，使其与前后腔的工作模式相反，实现谐振单元23与谐振单元26之间的容性耦合。

进一步的，在一个实施例中，该多级阶梯结构中也可以包括多个形状不同的阶梯，例如，所述多级阶梯结构的相邻阶梯的形状互不相同，上阶梯为圆柱形，下阶梯为棱柱形。

在一个实施例中，所述通孔231的形状为圆柱形或者棱柱形。进一步的，该通孔231的形状也可以为其他任意形状，例如通孔231的形状还可以为椭圆槽等形状。

在一个实施例中，所述金属镀层的材料为金属银或者金属铜。

在一个实施例中，所述介质本体20的材料为陶瓷材料。

本申请提供的介质波导滤波器中，所述介质波导滤波器表面覆盖有金属镀层，所述介质波导滤波器包括至少三个谐振单元，所述至少三个谐振单元包括至少一个位于交叉耦合极点的第一谐振单元和多个非位于交叉耦合极点的第二谐振单元，所述第一谐振单元内设有频率盲孔和通孔，所述通孔处设有隔离圈，所述通孔处沿其圆周方向设有至少一个露出于所述金属镀层的隔离圈，从而使其工作模式与相邻谐振单元的工作模式相反，实现谐振单元之间的容性耦合，解决了现有的滤波器在提高滤波器频率选择以及带外抑制特性方面存在的实现方式复杂、调试困难等问题。

以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。