本发明涉及半导体微腔激光器领域,具体涉及一种双三角回音壁光谐振模式的半导体六边形微米碟激光器。
背景技术:
半导体材料在微纳发光器件与光电集成领域具有广阔的应用价值从而受到了科学家们的广泛关注。特别对于具有高折射率,直接带隙的半导体,如gan,zno,gaas,inp,钙钛矿等,可以直接作为增益物质与谐振腔来制作微腔激光器。此外,gainn,algan,gainas等化合物制作的探测器与发光器件还可以覆盖紫外,可见光,以及近红外的宽波段。回音壁模式(whispering-gallerymode)微腔激光器由于使用光在介质表面全反射形成周期性谐振的原理,相较于法布里-珀罗模式(fabry–pérotmode)具有体积小,品质因子高,阈值低,易集成等优点而被广泛研究。基于半导体材料的回音壁模式微腔激光器,可用于光通信,光存储,化学生物探测等领域。
目前报道的半导体回音壁模式微腔激光器方面的研究主要使用微米碟结构,其中六边形微米碟被广泛研究,这是由于多数宽禁带,直接带隙的半导体多为纤锌矿结构,导致外延生长获得的微米碟为六棱柱的几何形态。同时在六边形谐振腔光学模式研究中,报道的多为六边形和三角形回音壁模式,例如:六边形回音壁模式方案(参见[ruichenandboling,”roomtemperatureexcitonicwhisperinggallerymodelasingfromhigh-qualityhexagonalznomicrodisks”,advancedmaterials,vol.23,no.19.pp.2199+,2011])以及三角形回音壁模式方案(参见[kounot,”lasingactiononwhisperinggallerymodeofself-organizedganhexagonalmicrodiskcrystalfabricatedbyrf-plasma-assistedmolecularbeamepitaxy”,ieeejournalofquantumelectronics,vol.47,no.12,pp.1565-1570,2011])。通过wiersig,j.(参见[“hexagonaldielectricresonatorsandmicrocrystallasers”,physicalreviewa,vol.67,no.2,pp.12,2003])的理论研究显示六边形回音壁模式光路径位于谐振腔边缘,由于光学衍射原理使得光可以从角落出射,但是其品质因子相较于三角形回音壁模式要低很多。另一方面三角形回音壁模式中光的反射区域位于六边形每个边的中心,使得内部循环的光很难出射从而降低了激光器的出光效率。因此这两个问题降低了半导体六边形微米碟激光器的性能。
技术实现要素:
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种双三角回音壁光谐振模式的半导体六边形微米碟激光器,以解决已有方案受限于六边形回音壁模式低品质因子与三角形回音壁模式难出射的缺点,具有兼顾高品质因子与易出射的优点。
为达到上述目的,本发明提供了一种双三角回音壁光谐振模式的半导体六边形微米碟激光器,包括:反射衬底,半导体六边形微米碟,激光器;其中:所述半导体六边形微米碟设置在反射衬底上;激光器的出射光垂直于半导体六边形微米碟表面,且照射在半导体六边形微米碟的六个边角之中任意一个边角处;双三角回音壁光谐振模式的激光从半导体六边形微米碟六个侧壁之中一个侧壁水平出射。
更优的方案:所述激光器为单模高功率激光器,出射激光波长小于所用半导体材料的禁带发光波长,所述半导体六边形微米碟为规则的六边形表面,其侧面垂直于表面且光滑,所述反射衬底表面为光滑平面。使得光学谐振强光损耗降低,增强出射激光光谱的稳定性。
进一步的,通过调节所述激光器的出射功率,可以改变微米碟激光器出射光的强度与线宽。
进一步的,激光器照射于半导体六边形微米碟边角处的激励区域尺寸小于半导体六边形微米碟表面尺寸。
进一步的,通过调节所述激光器的照射光斑尺寸,可以调节双三角回音壁模式激光的稳定性。
由于采用上述技术方案,本发明的有益效果为:本发明提出的一种双三角回音壁光谐振模式的半导体六边形微米碟激光器,和已有的六边形回音壁模式激光器和三角形回音壁模式激光器方案相比,同时具有高品质因子和易出射的优点。
附图说明
图1为本发明提供的半导体六边形微米碟激光器示意图;
图2为氮化镓微米碟扫描电镜图;
图3为氮化镓激光器输出光谱;
图4为双三角回音壁模式仿真光场图;
图5为双三角回音壁模式反射次数与品质因子函数图;
图6a为激励面积与谐振腔面积比为5%仿真光场图;
图6b为激励面积与谐振腔面积比为15%仿真光场图;
图6c为激励面积与谐振腔面积比为20%仿真光场图;
图6d为激励面积与谐振腔面积比为30%仿真光场图;
其中,图1中:1、反射衬底,2、半导体六边形微米碟,3、激光器。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本发明进一步详细说明。
实施例一
一种双三角回音壁光谐振模式的半导体六边形微米碟激光器,如图1所示,包括:反射衬底1,半导体六边形微米碟2,激光器3;其中:所述半导体六边形微米碟设置在反射衬底上;激光器的出射光垂直于半导体六边形微米碟表面,且照射在半导体六边形微米碟的六个边角之中任意一个边角处;双三角回音壁光谐振模式的激光从半导体六边形微米碟六个侧壁之中一个侧壁水平出射。
本发明所涉及的双三角回音壁光谐振模式的半导体六边形微米碟激光器的具体工作原理如下:
本发明主要是对半导体微米碟的局部进行光激励从而控制激光模式的输出。以往报道的激光激励方式是激光光斑全覆盖微米碟,这种条件下只能激励出六边形回音壁模式和三角形回音壁模式,而本发明所述半导体微米碟具有较大的直径,使得常规激光器泵浦源的光斑只能覆盖微米碟的一部分。由于受激辐射特性具有空间性,即在所激励的工作物质区域内才会发生粒子数反转且只对该区域的光路径进行增强。所以当激励光斑只位于六边形微米碟角落时,只有光路径位于光斑下的光学模式才会发生谐振,这种双三角回音壁模式的光路径位于六边形微米碟角落,所以该光学模式可以得到有效的受激辐射放大。
再通过公式
实施例二
一种双三角回音壁光谐振模式的半导体六边形微米碟激光器,所述的反射衬底、半导体六边形微米碟、激光器单依次配置为单晶硅反射衬底、氮化镓六边形微米碟、紫外脉冲激光器,紫外脉冲激光器波长为325nm,线宽100fs,频率1khz,光斑直径为10μm;氮化镓六边形微米碟直径为25μm;照射在氮化镓六边形微米碟的六个边角之中任意一个边角处的激励区域为正方形。激励区域为本领域专用术语,本实施例中紫外脉冲激光器照射在氮化镓六边形微米碟上,激励区域为紫外脉冲激光对氮化镓产生激励作用的区域。
通过使用comsolmultiphysics仿真软件寻求最适宜双三角回音壁模式光出射的条件。构建六边形谐振腔模型,外围设置为空气,边缘区域设置为完美匹配层,在六边形谐振腔角落设置电场激励,激励区域为正方形。
通过改变激励区域正方形的面积,即调整激励面积与六边形面积的比值。可以从光场仿真结果图中观察到光场分布的变化,即六边形谐振腔内部的光学模式发生了变化。
为了验证本发明技术方案的效果,进行了实验验证。实验中紫外脉冲激光器波长为325nm,线宽100fs,频率1khz,光斑直径为10μm。图2为氮化镓微米碟扫描电镜图,可得实验中氮化镓六边形微米碟直径为25μm。图3为氮化镓激光器输出光谱,通过公式δλ=λ2/[l(n-λdn/dλ)],其中λ为微米碟激光器出射波长,图3所示可知λ为375nm左右,l是光路径循环一周的总长度,可以得到双三角回音壁模式间隔为0.35nm,这与实验结果0.36nm十分接近,证实得到的结果是双三角回音壁模式激光出射。同时通过公式q=λ/δλ计算品质因子,可得q值高达3049。图4为双三角回音壁模式仿真光场图,同样证实激光模式为双三角回音壁模式。图5为双三角回音壁模式反射次数与品质因子函数图,其中标注了三种回音壁模式在相同谐振腔内品质因子所对应的数值。可看到双三角回音壁模式(d3-wgm)对应的品质因子相较六边形回音壁模式(6-wgm)要高。图6a至图6d分别为激励面积与谐振腔面积比为5%、15%、20%和30%时仿真光场图依次对应;从仿真结果中得到最适合双三角回音壁模式激光稳定高效输出的激励面积与六边形谐振腔面积的比是20%,这是由于进一步增加面积比时可见图6d双三角回音壁模式逐渐被破坏,所以在保证最大激励面积比和双三角回音壁模式的稳定性时可以得到最优的方案。
在实验中还发现半导体六边形微米碟材料选用gan、aln、gaas、inas、zno、inp、cds、钙钛矿中的一种或多种组合,使用本解决方案均可实现双三角回音壁光谐振模式激光输出,品质因子均得到较大提高。所列出的材料均具有高折射率的特性,利用其高折射率增益材料的受激辐射物理特性,通过反射衬底提供底面的光反射来降低微腔激光器垂直方向光学损耗,半导体六边形微米碟作为光学谐振腔与激光增益物质,激光器作为光学泵浦源提供光学增益,当泵浦源功率超过微腔激光器阈值后产生激光出射;通过控制泵浦源激光光斑位于六边形微米碟角落,在受激辐射后产生双三角回音壁光学谐振模式的激光出射。本发明相比较常规六边形和三角形回音壁光谐振模式的激光器同时具有高的品质因子和易于激光出射的优点。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。