1.双三角回音壁光谐振模式的半导体六边形微米碟激光器，包括：反射衬底，半导体六边形微米碟，激光器；所述半导体六边形微米碟设置在所述反射衬底上；其特征在于：激光器的出射光垂直于半导体六边形微米碟表面，且照射在半导体六边形微米碟的六个边角之中任意一个边角处；双三角回音壁光谐振模式的激光从半导体六边形微米碟六个侧壁之中一个侧壁水平出射。
2.根据权利要求1所述的双三角回音壁光谐振模式的半导体六边形微米碟激光器，其特征在于：所述激光器为高功率激光器，出射激光波长小于所用半导体六边形微米碟材料的禁带发光波长，所述半导体六边形微米碟为规则的正六边形表面。
3.根据权利要求2所述的双三角回音壁光谐振模式的半导体六边形微米碟激光器，其特征在于：六边形微米碟激光器出射光的强度与线宽通过所述激光器的出射功率控制。
4.根据权利要求1所述的双三角回音壁光谐振模式的氮化物六边形微米碟激光器，其特征在于：激光器照射于半导体六边形微米碟边角处的激励区域尺寸小于半导体六边形微米碟表面尺寸。
5.根据权利要求1所述的双三角回音壁光谐振模式的半导体六边形微米碟激光器，其特征在于：双三角回音壁模式激光的稳定性通过所述激光器的照射光斑尺寸控制。
6.根据权利要求1所述的双三角回音壁光谐振模式的半导体六边形微米碟激光器，其特征在于：所述的反射衬底、半导体六边形微米碟、激光器依次配置为单晶硅反射衬底、氮化镓六边形微米碟、紫外脉冲激光器；紫外脉冲激光器波长为325nm，线宽100fs，频率1khz，光斑直径为10μm；氮化镓六边形微米碟直径为25μm。
7.根据权利要求1所述的双三角回音壁光谐振模式的半导体六边形微米碟激光器，其特征在于：所述半导体六边形微米碟材料选用gan、aln、gaas、inas、zno、inp、cds中的一种或多种组合。