显示装置的制作方法

本申请要求于2018年11月20日提交的第10-2018-0143736号韩国专利申请的优先权和权益，出于所有目的，该韩国专利申请通过引用被包含于此，如在此充分阐述的一样。

发明的示例性实施方式总体上涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种具有发光元件的显示装置和一种制造显示装置的方法。

背景技术：

显示装置可以包括电连接到电极并根据施加到电极的电压而发光的发光元件。发光元件可以直接形成在电极上。可选地，发光元件和电极可以通过不同的工艺来形成，在这种情况下，还应执行附加的步骤以使发光元件对准电极。如果发光元件没有正确地对准电极，则发光元件不会发光。

本背景技术部分中公开的上面的信息仅用于理解发明构思的背景技术，因此，其可以包含不构成现有技术的信息。

技术实现要素：

根据发明的原理和示例性实施方式构造的显示装置和根据发明的原理制造该显示装置的方法能够通过控制发光元件在电极上的布置和对准来提供具有高制造良率的可靠的显示装置。例如，在根据发明的一些实施方式的显示装置中，可以通过显示装置的其电阻因区域而变化的第一电极和第二电极来控制发光元件的布置位置。因此，可以能够改善显示装置的制造良率和可靠性。

发明构思的另外的特征将在下面的描述中进行阐述，且部分地通过该描述将是清楚的，或者可以通过对发明构思的实践来获知。

根据发明的一个方面，显示装置包括：多条扫描线和多条数据线；以及多个像素，与扫描线和数据线连接；其中，多个像素中的至少一个像素包括：像素电路，具有至少一个晶体管；绝缘层，覆盖像素电路；第一电极，设置在绝缘层上并电连接到像素电路，第一电极包括至少一个第一区域和多个第二区域，第一区域具有第一电阻，第二区域具有比第一电阻高的第二电阻；第二电极，设置在绝缘层上并与第一电极分隔开，第二电极包括至少一个第三区域和多个第四区域，第三区域具有第三电阻，第四区域具有比第三电阻高的第四电阻；以及发光元件，在第一区域中的一个第一区域处电连接到第一电极并在第三区域中的一个第三区域处电连接到第二电极。

多个第二区域布置为沿着第一方向彼此间隔开，并且多个第四区域布置为沿着第一方向彼此间隔开。

第一区域可以包括第一电极中心区域和多个第一电极外区域，第一电极中心区域沿着第一方向延伸，第一电极外区域沿着与第一方向交叉的第二方向从第一电极中心区域突出。第三区域可以包括第二电极中心区域和多个第二电极外区域，第二电极中心区域沿着第一方向延伸，第二电极外区域沿着第二方向从第二电极中心区域突出。

多个第一电极外区域和多个第二区域可以沿着第一方向交替地布置。多个第二电极外区域和多个第四区域可以沿着第一方向交替地布置。

多个第一电极外区域可以包括第一外区域和第二外区域，并且第一电极中心区域可以设置在第一外区域与第二外区域之间。

发光元件可以设置在第二区域中的一个和第四区域中的一个的上方或下方。

发光元件可以包括具有连接到第一区域中的一个的第一端部和连接到第三区域中的一个的第二端部的多个发光元件，使得竖直相邻的发光元件以交替方式彼此分隔开，并且第二区域和第四区域设置在多个发光元件的上方和下方。

第二区域和第四区域可以包括非晶区域和离子化区域中的一个。

离子化区域可以包括氧离子。第二区域中包含的氧离子的量可以比第一区域中包含的氧离子的量大，并且第四区域中包含的氧离子的量可以比第三区域中包含的氧离子的量大。

第一区域和第三区域可以包括氧化铟锡，并且第二区域和第四区域可以包括掺杂有氧离子的氧化铟锡。

第一区域和第三区域可以包括铝，并且第二区域和第四区域可以包括氧化铝。

附图说明

附图被包括以提供对发明的进一步理解，并且被包含在本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了发明的示例性实施例，并且与描述一起用于解释发明构思。

图1是根据发明的原理构造的显示装置的示例性实施例的透视图。

图2是根据发明的原理构造的显示装置的示例性实施例的框图。

图3是图2的显示装置的代表性像素的等效电路图。

图4a是图3的发光元件的第一示例性实施例的放大剖视图。

图4b是图3的发光元件的第二示例性实施例的放大剖视图。

图4c是图3的发光元件的第三示例性实施例的放大剖视图。

图4d是图3的发光元件的第四示例性实施例的放大剖视图。

图5是根据发明的原理构造的显示面板的示例性实施例的剖视图。

图6a是根据发明的原理构造的显示面板的一些元件的示例性实施例的平面图。

图6b是根据发明的原理构造的显示面板的一些元件的另一示例性实施例的平面图。

图7a是示出根据发明的原理形成第一电极的第一区域和第二区域的第一步骤的示例性实施例的图。

图7b是示出形成第一电极的第一区域和第二区域的第二步骤的示例性实施例的图。

图7c是示出形成第一电极的第一区域和第二区域的第三步骤的示例性实施例的图。

图8是示出设置根据发明的原理构造的发光元件的步骤的示例性实施例的剖视图。

具体实施方式

在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节，以提供对发明的各种示例性实施例或实施方式的彻底理解。如在这里使用的，“实施例”或“实施方式”是可互换的词，并且是采用在这里公开的发明构思中的一个或更多个的装置或方法的非限制示例。然而，清楚的是，可以在没有这些具体细节或具有一个或更多个等同布置的情况下实施各种示例性实施例。在其他情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免使各种示例性实施例不必要地模糊。此外，各种示例性实施例可以是不同的，但不必是排他的。例如，在不脱离发明构思的情况下，一个示例性实施例的具体形状、构造和特性可以在另一示例性实施例中使用或实施。

除非另有说明，否则示出的示例性实施例将被理解为提供可以在实践中实施发明构思的一些方式的变化的细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离发明构思的情况下，可以对各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中，单独地或共同地称为“元件”)进行另外组合、分离、互换和/或重新布置。

通常在附图中提供使用交叉阴影线和/或阴影，以使相邻元件之间的边界清晰。如此，除非说明，否则交叉阴影线或阴影的存在与否都不表达或表示对具体材料、材料性质、尺寸、比例、示出元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实施示例性实施例时，可以不同于所描述的顺序来执行具体的工艺顺序。例如，可以基本同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外，同样的附图标记表示同样的元件。

当元件或层被称为“在”另一元件或另一层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或另一层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或另一层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或另一层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或另一层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或另一层时，不存在中间元件或中间层。为了这个目的，术语“连接”可以指存在或不存在中间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，d1轴、d2轴和d3轴不限于诸如x轴、y轴和z轴的直角坐标系的三个轴，而是可以以更宽的含义进行解释。例如，d1轴、d2轴和d3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“x、y和z中的至少一个(种/者)”和“从由x、y和z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可以理解为仅x、仅y、仅z或者x、y和z中的两个(种/者)或更多个(种/者)的任何组合，诸如，以xyz、xyy、yz和zz为例。如在这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何和全部组合。

尽管术语“第一”、“第二”等在这里可以用来描述各种类型的元件，但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语用来将一个元件与另一元件区分开来。因此，在不脱离公开的教导的情况下，以下讨论的第一元件可以被称为第二元件。

为了描述性目的，在此可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高的”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，由此来描述如附图中示出的一个元件与另一(另一些)元件的关系。空间相对术语意图包括除了附图中描绘的方位之外的设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定向为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外定向(例如，旋转90度或者在其他方位处)，如此，相应地解释在此使用的空间相对描述语。

在此使用的术语是出于描述具体实施例的目的，而不意图成为限制。如在此所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”和/或它们的变型时，这些术语说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还要注意的是，如在此使用的，术语“基本上”、“大约”和其他类似的术语被用作近似的术语而不用作程度的术语，如此，它们被用来解释将由本领域普通技术人员认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。

在此参照作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图来描述各种示例性实施例。这样，将预料到例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，这里公开的示例性实施例应不必被解释为局限于区域的具体示出的形状，而是将包括由例如制造引起的形状的偏差。以这种方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，如此，不必意图成为限制。

除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与相关领域的背景下它们的含义一致的含义，而不应以理想化的或过于形式化的含义来解释他们，除非这里明确如此定义。

图1是根据发明的原理构造的显示装置的示例性实施例的透视图。

参照图1，显示装置dd可以通过显示区域da显示图像。图1示出其中显示区域da被设置为基本平行于第一方向dr1和与第一方向dr1交叉的第二方向dr2的示例。然而，在示例性实施例中，显示装置dd的显示区域da可以设置在弯曲的表面上。

显示装置dd的厚度方向将被称为第三方向dr3。然而，由第一方向至第三方向dr1、dr2和dr3指示的方向可以是相对概念，并且在示例性实施例中，它们可以改变为指示其他方向。在示出的示例性实施例中，表述“当在平面图中观看时”可以用于描述在第三方向dr3上观看的物体的形状。此外，厚度方向可以意味着第三方向dr3。

图1示出了其中显示装置dd是电视机的示例。然而，显示装置dd可以用于大型电子装置(例如，监视器和户外广告牌)，或者小型或中型电子装置(例如，个人计算机、笔记本电脑、个人数字助理、汽车导航系统、游戏机、智能电话、平板电脑和相机)。然而，应理解的是，这些仅是示例性实施例，并且在与这里公开的发明构思一致的情况下，其他电子装置可以用于实现其他示例性实施例。

图2是根据发明的原理构造的显示装置的示例性实施例的框图。

参照图2，显示装置dd可以包括显示面板dp、信号控制单元或时序控制器tc、数据驱动器ddv和扫描驱动器gdv。信号控制单元tc、数据驱动器ddv和扫描驱动器gdv中的每个可以包括电路。

显示面板dp可以是包括微发光元件的显示面板。例如，显示面板dp可以是微led显示面板。

显示面板dp可以包括多条扫描线sl1-sln、多条数据线dl1-dlm和多个像素px。

扫描线sl1-sln可以沿着第一方向dr1延伸并且可以沿着与第一方向dr1交叉的第二方向dr2布置。数据线dl1-dlm可以沿着第二方向dr2延伸并且可以沿着第一方向dr1布置。

像素px中的每个可以包括发光元件和电连接到发光元件的像素电路。像素电路可以包括多个晶体管。可以将第一电力电压elvdd和第二电力电压elvss提供到像素px中的每个。

像素px可以以有规律的方式或利用具体的布置规则布置在显示面板dp的表面上。像素px中的每个可以显示原色中的一种或混合颜色中的一种。原色可以包括红色、绿色和蓝色，混合颜色可以包括诸如黄色、青色、品红色和白色的各种颜色。然而，能够通过像素px来显示的颜色不限于上面的颜色。

信号控制单元tc可以接收从外部提供的图像数据rgb。信号控制单元tc可以将图像数据rgb转换为适合于显示面板dp的操作的图像数据r'g'b'，并随后可以将转换的图像数据r'g'b'输出至数据驱动器ddv。

信号控制单元tc可以接收从外部提供的控制信号cs。控制信号cs可以包括垂直同步信号、水平同步信号、主时钟信号和数据使能信号等。信号控制单元tc可以将第一控制信号cont1提供至数据驱动器ddv，并且可以将第二控制信号cont2提供至扫描驱动器gdv。第一控制信号cont1可以是用于控制数据驱动器ddv的信号，第二控制信号cont2可以是用于控制扫描驱动器gdv的信号。

数据驱动器ddv可以响应于来自信号控制单元tc的第一控制信号cont1而将电信号提供至数据线dl1-dlm。数据驱动器ddv可以被实施为单独的集成电路，并且可以电连接到显示面板dp的侧部区域。在示例性实施例中，数据驱动器ddv可以直接安装在显示面板dp上。数据驱动器ddv可以设置为单个芯片的形式或者可以包括多个芯片。

扫描驱动器gdv可以响应于从信号控制单元tc接收的第二控制信号cont2而将电信号提供至扫描线sl1-sln。扫描驱动器gdv可以集成在显示面板dp的特定区域中。例如，扫描驱动器gdv可以包括通过与用于像素的驱动电路的工艺相同的工艺(例如，通过低温多晶硅(ltps)工艺或低温多晶氧化物(ltpo)工艺)形成的多个薄膜晶体管。在示例性实施例中，扫描驱动器gdv可以被实施为单独的集成电路芯片，并且可以电连接到显示面板dp的一部分。

在扫描线sl1-sln中的一条被施加有栅极导通电压时，与其连接的一行像素px中的每个像素px的开关晶体管可以导通。这里，数据驱动器ddv可以将数据驱动信号提供至数据线dl1-dlm。提供至数据线dl1-dlm的数据驱动信号可以通过导通的开关晶体管分别施加到对应的像素px。数据驱动信号可以是与图像数据的灰度级对应的模拟电压。

图3是图2的显示装置的代表性像素的等效电路图。图3示出了对于图2中示出的多个像素px中的一个的等效电路图。

参照图3，像素px可以电连接到多条信号线。在示出的示例性实施例中，示例性地示出了信号线中的一些(例如，扫描线sl、数据线dl、第一电力线pl1和第二电力线pl2)。然而，示例性实施例不限于这种示出的示例性实施例，在示例性实施例中，像素px还可以连接到各种其他的信号线。

像素px可以包括发光元件ed、第一电极e1、第二电极e2和像素电路pxc。像素电路pxc可以包括第一薄膜晶体管tr1、电容器cap和第二薄膜晶体管tr2。然而，这仅是示例，构成像素电路pxc的薄膜晶体管和电容器的数量不限于图3中示出的薄膜晶体管和电容器的数量。例如，在示例性实施例中，像素电路pxc可以包括七个薄膜晶体管和一个电容器。

第一薄膜晶体管tr1可以是被构造为控制像素px的导通/截止操作的开关晶体管。第一薄膜晶体管tr1可以响应于将要通过扫描线sl传输的扫描信号而传输或阻挡通过数据线dl传输的数据信号。

电容器cap可以连接到第一薄膜晶体管tr1和第一电力线pl1。电容器cap可以用于存储电荷，并且可以通过从第一薄膜晶体管tr1传输的数据信号与施加到第一电力线pl1的第一电力电压elvdd之间的电压差来确定存储在电容器cap中的电荷的量。

第二薄膜晶体管tr2可以连接到第一薄膜晶体管tr1、电容器cap和发光元件ed。第二薄膜晶体管tr2可以根据存储在电容器cap中的电荷的量来控制流过发光元件ed的驱动电流。可以基于存储在电容器cap中的电荷的量来确定第二薄膜晶体管tr2的导通时间。

第一薄膜晶体管tr1和第二薄膜晶体管tr2可以是n型薄膜晶体管或p型薄膜晶体管。在示例性实施例中，第一薄膜晶体管tr1和第二薄膜晶体管tr2中的至少一个可以是n型薄膜晶体管，并且另一个可以是p型薄膜晶体管。

发光元件ed可以连接到第二薄膜晶体管tr2和第二电力线pl2。例如，发光元件ed可以连接到第一电极e1和第二电极e2，第一电极e1电连接到第二薄膜晶体管tr2，第二电极e2电连接到第二电力线pl2。第一电极e1可以电连接到像素电路pxc，并且第二电极e2可以通过第二电力线pl2接收电力电压(例如，第二电力电压elvss)。

发光元件ed可以发光，这里，可以由通过第二薄膜晶体管tr2传输的信号与通过第二电力线pl2接收的第二电力电压elvss之间的电压差来确定发射的光的强度。

发光元件ed可以是微led元件。微led元件可以是其长度在从几纳米到几百微米的范围内的led元件。然而，微led元件的长度不限于上面的示例或特定的范围。

图3中示出了其中发光元件ed单独地连接在第二薄膜晶体管tr2与第二电力线pl2之间的示例，但是，在示例性实施例中，可以设置多个发光元件ed。多个发光元件ed可以彼此并联连接。

图4a至图4d是示出图3的发光元件ed的示例性实施例的放大剖视图，并且图5是示出根据发明的原理构造的显示面板的示例性实施例的剖视图。

图4a是图3的发光元件ed的第一示例性实施例的放大剖视图。

发光元件ed可以具有包括圆形柱型的形状或多边形柱型的形状的各种形状。图4a示出了发光元件ed的剖面。

参照图4a，发光元件ed可以包括n型半导体层scn、p型半导体层scp和活性层al。活性层al可以设置在n型半导体层scn与p型半导体层scp之间。

可以通过利用n型掺杂剂掺杂半导体层来设置n型半导体层scn，并且可以通过利用p型掺杂剂掺杂半导体层来设置p型半导体层scp。半导体层可以包括半导体材料，半导体材料可以是例如gan、aln、algan、ingan、inn、inalgan和alinn中的至少一种，然而，示例性实施例不限于这样的示例。n型掺杂剂可以是硅(si)、锗(ge)、锡(sn)、硒(se)和碲(te)中的至少一种，但示例性实施例不限于这样的示例。p型掺杂剂可以是镁(mg)、锌(zn)、钙(ga)、锶(sr)和钡(ba)中的至少一种，但示例性实施例不限于这样的示例。

活性层al可以形成为具有单量子阱结构、多量子阱结构、量子棒结构和量子点结构中的至少一种。活性层al可以是其中通过n型半导体层scn注入的电子与通过p型半导体层scp注入的空穴复合的区域。活性层al可以是发光的层，光的能量通过材料的能带来确定。可以根据二极管的类型各种地改变活性层al的位置。

n型半导体层scn可以结合到第一电极e1和第二电极e2中的一个(例如，见图5)，并且p型半导体层scp可以结合到第一电极e1和第二电极e2中的另一个。

发光元件ed的长度lt可以在从几纳米到几百微米的范围内。例如，发光元件ed的长度lt可以在从1微米到100微米的范围内。

图4b是图3的发光元件ed的第二示例性实施例的放大剖视图。

参照图4b，当相较于图4a的发光元件ed时，发光元件eda还可以包括第一电极层ecl1和第二电极层ecl2。

第一电极层ecl1可以与n型半导体层scn相邻，并且第二电极层ecl2可以与p型半导体层scp相邻。在示例性实施例中，第一电极层ecl1、n型半导体层scn、活性层al、p型半导体层scp和第二电极层ecl2可以顺序地堆叠。

第一电极层ecl1和第二电极层ecl2中的每个可以由金属材料和金属合金中的至少一种形成，或者可以包括金属材料和金属合金中的至少一种。例如，第一电极层ecl1和第二电极层ecl2中的每个可以由从钼(mo)、铬(cr)、镍(ni)、金(au)、铝(al)、钛(ti)、铂(pt)、钒(v)、钨(w)、铅(pd)、铜(cu)、铑(rh)和铱(ir)中选择的金属材料形成，或者可以由包含所述金属元素中的至少一种的合金形成。第一电极层ecl1和第二电极层ecl2可以包括相同的材料，但在示例性实施例中，第一电极层ecl1和第二电极层ecl2可以包括彼此不同的材料。

图4c是图3的发光元件ed的第三示例性实施例的放大剖视图。

参照图4c，当与图4a的发光元件ed相比较时，发光元件edb还可以包括绝缘层il。例如，发光元件edb可以具有核-壳结构。

绝缘层il可以覆盖n型半导体层scn、p型半导体层scp和活性层al，并且可以保护n型半导体层scn、p型半导体层scp和活性层al的外表面。在示例性实施例中，绝缘层il可以局部地设置为覆盖活性层al，但可以不覆盖n型半导体层scn和p型半导体层scp。

图4d是图3的发光元件ed的第四示例性实施例的放大剖视图。

参照图4d，当与图4b的发光元件eda相比较时，发光元件edc还可以包括绝缘层ila。

绝缘层ila可以覆盖n型半导体层scn、p型半导体层scp和活性层al，但可以不覆盖第一电极层ecl1和第二电极层ecl2。在示例性实施例中，绝缘层ila可以覆盖第一电极层ecl1和第二电极层ecl2的至少一部分，或者可以覆盖第一电极层ecl1和第二电极层ecl2两者。

图5是根据发明的原理构造的显示面板的示例性实施例的剖视图。为了便于示出，图5示出了对应于单个像素的区域，并且图5中省略了一些元件。

参照图5，第一基体层bl1和第二基体层bl2可以设置为彼此面对。第一基体层bl1和第二基体层bl2中的每个可以是硅基底、塑料基底、玻璃基底、绝缘膜或包括多个绝缘层的堆叠件。

电路层ccl可以设置在第一基体层bl1上。电路层ccl可以包括堆叠结构，该堆叠结构包括多个绝缘层、多个晶体管和多个电极。例如，电路层ccl可以包括缓冲层bfl、第一绝缘层l1、第一薄膜晶体管tr1、第二薄膜晶体管tr2、第二绝缘层l2、第三绝缘层l3、第四绝缘层l4、连接电极cne和第五绝缘层l5。

缓冲层bfl可以设置在第一基体层bl1上。第一薄膜晶体管tr1和第二薄膜晶体管tr2可以设置缓冲层bfl上。

第一薄膜晶体管tr1可以包括第一控制电极ce1、第一输入电极ie1、第一输出电极oe1和第一半导体图案sp1。第二薄膜晶体管tr2可以包括第二控制电极ce2、第二输入电极ie2、第二输出电极oe2和第二半导体图案sp2。

第一半导体图案sp1和第二半导体图案sp2可以设置在缓冲层bfl上。缓冲层bfl可以向第一半导体图案sp1和第二半导体图案sp2提供改善的表面。在这种情况下，相较于第一半导体图案sp1和第二半导体图案sp2直接形成在第一基体层bl1上的情况，第一半导体图案sp1和第二半导体图案sp2可以具有与缓冲层bfl的增大的粘合强度。在实施例中，缓冲层bfl可以是保护第一半导体图案sp1和第二半导体图案sp2中的每个的底表面的阻挡层。在这种情况下，缓冲层bfl可以防止从第一基体层bl1或穿过第一基体层bl1供应的污染物质或湿气进入第一半导体图案sp1和第二半导体图案sp2。

第一绝缘层l1可以设置在缓冲层bfl上，以覆盖第一半导体图案sp1和第二半导体图案sp2。第一绝缘层l1可以包括无机材料。无机材料可以是例如氮化硅、氧氮化硅、氧化硅、氧化钛或氧化铝，但示例性实施例不限于这样的示例。

第一控制电极ce1和第二控制电极ce2可以设置在第一绝缘层l1上。第二绝缘层l2可以设置在第一绝缘层l1上，以覆盖第一控制电极ce1和第二控制电极ce2。第二绝缘层l2可以包括无机材料。

电容器cap(例如，见图3)可以包括第一覆盖电极和第二覆盖电极cpa。例如，第一覆盖电极可以是从第二控制电极ce2划分出来的一部分，并且第二覆盖电极cpa可以设置在第二绝缘层l2上。

第三绝缘层l3可以设置在第二绝缘层l2上，以覆盖第二覆盖电极cpa。第一输入电极ie1、第一输出电极oe1、第二输入电极ie2和第二输出电极oe2可以设置在第三绝缘层l3上。第一输入电极ie1和第一输出电极oe1可以通过穿透第一绝缘层至第三绝缘层l1、l2和l3的穿透孔连接到第一半导体图案sp1。第二输入电极ie2和第二输出电极oe2可以通过穿透第一绝缘层至第三绝缘层l1、l2和l3的穿透孔连接到第二半导体图案sp2。不但第一输入电极ie1、第一输出电极oe1、第二输入电极ie2和第二输出电极oe2可以设置在第三绝缘层l3上，而且信号线(例如，扫描线或数据线)中的每条的至少一部分也可以设置在第三绝缘层l3上。

第四绝缘层l4可以设置在第三绝缘层l3上以覆盖第一输入电极ie1、第一输出电极oe1、第二输入电极ie2和第二输出电极oe2。第四绝缘层l4可以具有单层结构或多层结构，并且第四绝缘层l4可以由有机材料和/或无机材料形成，或者可以包括有机材料和/或无机材料。

连接电极cne可以设置在第四绝缘层l4上。不但连接电极cne可以设置在第四绝缘层l4上，而且信号线(例如，扫描线或数据线)中的每条的至少一部分也可以设置在第四绝缘层l4上。连接电极cne可以连接到第二输出电极oe2。

第五绝缘层l5可以设置在第四绝缘层l4上，以覆盖连接电极cne。第五绝缘层l5可以包括有机材料。第五绝缘层l5可以覆盖设置在其下方的像素电路pxc(例如，见图3)，并且可以提供基本平坦的表面。

第一分隔壁br1和第二分隔壁br2可以设置在第五绝缘层l5上。第一分隔壁br1和第二分隔壁br2中的每个可以沿着第一方向dr1延伸。第二分隔壁br2可以沿着第二方向dr2与第一分隔壁br1间隔开。第一分隔壁br1和第二分隔壁br2可以由相同的材料形成，或者可以包括相同的材料。例如，第一分隔壁br1和第二分隔壁br2可以由有机材料形成，或者可以包括有机材料。

第一电极e1可以设置在第一分隔壁br1上，并且第二电极e2可以设置在第二分隔壁br2上。第一电极e1可以沿着第一方向dr1延伸并可以覆盖第一分隔壁br1，并且第二电极e2可以沿着第一方向dr1延伸并可以覆盖第二分隔壁br2。换言之，第一分隔壁br1可以设置在第一电极e1和第五绝缘层l5之间，并且第二分隔壁br2可以设置在第二电极e2与第五绝缘层l5之间。

在第五绝缘层l5中，可以设置暴露连接电极cne的穿透孔。第一电极e1可以电连接到暴露的连接电极cne。第二电极e2可以电连接到第二电力线pl2(例如，见图3)。换言之，第二电力电压elvss(例如，见图3)可以被提供到第二电极e2。

第一电极e1和第二电极e2中的每个可以具有单层结构或包括多个层的堆叠结构。例如，第一电极e1和第二电极e2中的每个可以包括反射电极和设置在反射电极上的覆盖电极。反射电极可以具有单层结构或包括多个层的堆叠结构。例如，反射电极可以具有其中顺序地堆叠有氧化铟锡(ito)层、银(ag)层和氧化铟锡(ito)层的堆叠结构。然而，示例性实施例不限于这样的示例。覆盖电极可以封装反射电极。覆盖电极可以包括氧化铟锌(izo)、氧化铟锡(ito)、氧化铟镓(igo)、氧化铟锌镓(igzo)、它们的混合物和它们的复合物中的至少一种。

发光元件ed可以设置在第五绝缘层l5上。在示例性实施例中，可以设置多个发光元件ed，并且多个发光元件ed可以并联连接。还可以在第五绝缘层l5与发光元件ed之间设置绝缘图案。发光元件ed可以电连接到第一电极e1和第二电极e2。

第六绝缘层l6或绝缘图案可以设置在发光元件ed上。第六绝缘层l6可以覆盖发光元件ed的顶表面的至少一部分。

发光元件ed可以经由第一连接电极cne1电连接到第一电极e1，并且发光元件ed可以经由第二连接电极cne2电连接到第二电极e2。

第二连接电极cne2可以设置在发光元件ed和第二电极e2上。例如，如图5中所示，第二连接电极cne2可以与发光元件ed和第二电极e2的一些部分叠置。第七绝缘层l7可以设置在第二连接电极cne2上。第一连接电极cne1可以设置在发光元件ed和第一电极e1上。例如，如图5中所示，第一连接电极cne1可以与发光元件ed和第一电极e1的一些部分叠置。即使当发光元件ed的长度比几百微米短时，第二连接电极cne2和第一连接电极cne1由于第七绝缘层l7也不会彼此直接接触。然而，示例性实施例不限于这样的示例，在示例性实施例中，可以通过同一工艺来同时形成第一连接电极cne1和第二连接电极cne2。在这种情况下，可以省略第七绝缘层l7。

第一连接电极cne1和第二连接电极cne2中的每个可以包括导电材料。例如，导电材料可以包括氧化铟锌(izo)、氧化铟锡(ito)、氧化铟镓(igo)、氧化铟锌镓(igzo)、它们的混合物和它们的复合物中的至少一种。然而，示例性实施例不限于这样的示例。例如，导电材料可以是包括例如钼(mo)、银(ag)、钛(ti)、铜(cu)、铝(al)或它们的合金的金属材料。

第八绝缘层l8可以设置在第一连接电极cne1和第七绝缘层l7上。第八绝缘层l8可以是封装层。

光阻挡层bm可以设置在第二基体层bl2的面对第一基体层bl1的表面上。开口可以设置在光阻挡层bm中，并且波长转换部cl可以覆盖开口。通过开口暴露的区域可以对应于像素发光区域pxa。

波长转换部cl可以包括树脂br和光发射件qd。树脂br可以是其中分散有光发射件qd的媒介材料，并且可以由通常称为“粘合剂”的各种树脂复合物中的至少一种制成。然而，示例性实施例不限于这样的示例，并且在示出的示例性实施例中，如果光发射件qd能够分散在媒介材料中，则这样的媒介材料可以被称为基体树脂，而与其名称、附加功能或组成无关。基体树脂可以是聚合物树脂。例如，基体树脂可以是丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、硅树脂和/或环氧树脂。基体树脂可以是透明的。

光发射件qd可以吸收从发光元件ed提供的第一光，并且可以发射其颜色或波长被转换为与第一光的颜色或波长不同的第二颜色光。光发射件qd可以是例如量子点。第一光可以是蓝光，并且第二颜色光可以是绿光或红光。

量子点中的每个可以具有包含成百上千个原子的纳米级晶体材料，并且由于其小的尺寸，所以量子点可以表现出由于量子限域效应而引起的带隙的增大。在入射到量子点的光的能量大于量子点中的每个的带隙的情况下，量子点中的每个可以吸收光以变成激发态，随后，可以发射特定波长的光，同时回到其基态。可以通过带隙来确定发射的光的波长。也就是说，通过调节量子点的尺寸或组分，可以能够控制光发射件qd的发光特性和量子限域效应。

量子点可以是包括核和包围核的壳的核-壳结构。在示例性实施例中，量子点可以具有其中一个量子点被另一量子点包围的核/壳结构。在核与壳之间的界面处，包含在壳中的元素可以具有沿着中心方向梯度减小的浓度。

量子点中的每个可以是纳米级颗粒。量子点中的每个可以具有其半峰全宽(fwhm)小于大约45nm(具体地，小于大约40nm，或者更具体地，小于大约30nm)的发光波长谱，在这种情况下，可以能够实现改善的颜色纯度或颜色重现特性。此外，量子点可以允许光径向发射，因此，可以能够改善视角性质。

在示例性实施例中，量子点可以是球状纳米颗粒、角锥状纳米颗粒、多臂纳米颗粒或立方体纳米颗粒。在另一示例性实施例中，量子点可以是纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米板状颗粒，但示例性实施例不限于这些示例。

在示例性实施例中，可以利用滤色器来替代波长转换部cl。滤色器可以吸收特定波长的光以实现期望的颜色。在示例性实施例中，可以省略波长转换部cl。在这种情况下，发光元件ed可以发射蓝光、绿光或红光。在示例性实施例中，显示装置dd还可以包括设置在波长转换部cl与第二基体层bl2之间滤色器层。

第九绝缘层l9可以设置在波长转换部cl与第八绝缘层l8之间。例如，第九绝缘层l9可以用于将其中设置有像素电路pxc(例如，见图3)和发光元件ed的第一基体层bl1组合到或粘合到其中设置有波长转换部cl和光阻挡层bm的第二基体层bl2。例如，第九绝缘层l9可以是填料、光学透明粘合膜、光学透明树脂或压敏粘合膜。然而，示例性实施例不限于这样的示例，在示例性实施例中，可以省略第九绝缘层l9。在这种情况下，可以在波长转换件cl与第八绝缘层l8之间设置单元间隙。

图6a和图6b是根据发明的原理构造的显示面板的一些元件的示例性实施例的平面图。在图6a和图6b的描述中，可以通过相同的附图标记来指示之前参照图1至图5描述的元件，而不用重复它们的冗余描述。在图6a和图6b中，示出了对应于一个像素的区域并且省略了一些元件。

参照图6a和图6b，多个第一电极e1和多个第二电极e2可以设置在一个像素区域中。图6a和图6b示出了其中设置有一对第一电极e1和一对第二电极e2的示例。例如，如图6a和图6b中所示，第一电极e1可以包括自第一连接线cl1起的两个向下延伸的突出，并且第二电极e2也可以包括自第二连接线cl2起的两个向上延伸的突出，使得向下延伸的突出和向上延伸的突出以交错的方式交替。然而，示例性实施例不限于这样的示例。例如，在示例性实施例中，一个第一电极e1和一个第二电极e2可以设置在每个像素区域中，并且在另一示例性实施例中，三个或更多个第一电极e1和三个或更多个第二电极e2可以设置在每个像素区域中。

第一电极e1可以连接到第一连接线cl1，并且第二电极e2可以连接到第二连接线cl2。第一连接线cl1和第一电极e1可以构成单个构件，并且第二连接线cl2和第二电极e2可以构成单个构件。

第一连接线cl1可以将第一电极e1与连接电极cne(例如，见图5)电连接，并且第二连接线cl2可以将第二电极e2与第二电力线pl2(例如，见图3)电连接。

第一电极e1可以包括第一区域e11和第二区域e12。第一区域e11可以具有第一电阻。第二区域e12可以具有比第一电阻高的第二电阻。第一区域e11可以包括沿着第一方向dr1延伸的第一电极中心区域ec1以及沿着第二方向dr2从第一电极中心区域ec1突出的第一电极突出区域eb1-1和eb1-2。例如，第一电极中心区域ec1可以设置在第一分隔壁br1(例如，见图5)上。第一电极突出区域eb1-1和eb1-2中的每个可以包括第一突出区域eb1-1和第二突出区域eb1-2。当在平面图中观看时，第一电极中心区域ec1可以设置在第一突出区域eb1-1与第二突出区域eb1-2之间。例如，参照图6a的示例性实施例，第一突出区域eb1-1可以位于第一电极中心区域ec1的左侧，并且第二突出区域eb1-2可以位于第一电极中心区域ec1的右侧。

多个第二区域e12可以布置为沿着第一方向dr1彼此间隔开。例如，第一区域e11的第一电极突出区域eb1-1和eb1-2与多个第二区域e12可以沿着第一方向dr1交替地布置。第二区域e12中的每个可以被处理以形成电阻与周围的未处理部分不同的区域。例如，第二区域e12中的每个可以是离子注入区域或非晶区域。

第二区域e12可以是其中注入有氧离子(o⁺)的区域。然而，示例性实施例不限于这样的示例，在示例性实施例中，可以将不同于氧离子的离子注入到第二区域e12中。包含在第二区域e12中的氧离子(o⁺)的量可以大于包含在第一区域e11中的氧离子(o⁺)的量。例如，第一区域e11可以包括氧化铟锡(ito)，并且第二区域e12可以包括掺杂有氧离子的氧化铟锡(ito)。然而，示例性实施例不限于这样的示例。例如，第一区域e11可以包括铝(al)，并且第二区域e12可以包括氧化铝(alxoy)。因为第二区域e12掺杂有氧离子，所以第二区域e12的电阻可以比第一区域e11的电阻高。

第二区域e12中的每个可以是由离子、原子、等离子体等物理处理过非晶区域。例如，第二区域e12可以包括由非晶氧化铟锡(ito)制成的部分。然而，示例性实施例不限于这样的示例。例如，第二区域e12可以包括由非晶铝(al)制成的部分。在第二区域e12具有非晶结构的情况下，第二区域e12的电阻可以比第一区域e11的电阻高。

第二电极e2可以包括第三区域e21和第四区域e22。第三区域e21可以具有第三电阻。第四区域e22可以具有比第三电阻高的第四电阻。第三区域e21可以包括沿着第一方向dr1延伸的第二电极中心区域ec2以及自第二电极中心区域ec2起沿着第二方向dr2突出的第二电极突出区域eb2-1和eb2-2。例如，第二电极中心区域ec2可以设置在第二分隔壁br2(例如，见图5)上。第二电极突出区域eb2-1和eb2-2可以包括第三突出区域eb2-1和第四突出区域eb2-2。当在平面图中观看时，第二电极中心区域ec2可以设置在第三突出区域eb2-1和第四突出区域eb2-2之间。例如，参照图6a的示例性实施例，第三突出区域eb2-1可以位于第二电极中心区域ec2的左侧，并且第四突出区域eb2-2可以位于第二电极中心区域ec2的右侧。

多个第四区域e22可以布置为沿着第一方向dr1彼此分隔开。例如，第三区域e21的第二电极突出区域eb2-1和eb2-2与多个第四区域e22可以沿着第一方向dr1交替地布置。

第二电极e2的第三区域e21和第四区域e22可以分别与第一电极e1的第一区域e11和第二区域e12具有相同的结构。因此，将省略它们的详细描述，以避免冗余。

第一电极e1和第二电极e2可以彼此间隔开。例如，第一电极e1和第二电极e2可以沿着第二方向dr2交替地布置。

图6b是示出第一电极e1、第二电极e2以及电连接到第一电极e1和第二电极e2的发光元件ed的平面图。当在平面图中观看时，发光元件ed可以与第一电极e1的第一区域e11和第二电极e2的第三区域e21叠置。例如，发光元件ed可以与第一电极e1的第二突出区域eb1-2和第二电极e2的第三突出区域eb2-1叠置。然而，示例性实施例不限于这样的示例。根据示例性实施例，可以通过其电阻因区域而不同的第一电极e1和第二电极e2来控制发光元件ed的布置位置。因此，可以能够改善显示装置dd(例如，见图1)的制造良率和可靠性。具体地，如图6a中示出的第二区域e12与第四区域e22之间的电场的强度会比如图6a中示出的第一区域e11与第三区域e21之间的电场的强度弱。因此，当在平面图中观看时，由于不同的电场，所以发光元件ed在第一电极e1的第一区域e11和第二电极e2的第三区域e21中自动地对准。

图7a至图7c中的每幅是示出根据发明的原理形成第一电极的第一区域和第二区域的第一步骤至第三步骤的示例性实施例的图。可以通过相同的附图标记来指示之前参照图1至图6b描述的元件，而不用重复它们的冗余描述。

参照图7a，可以在第一基体层bl1上形成电路层ccl。电路层ccl可以包括堆叠结构，该堆叠结构包括多个绝缘层、多个晶体管和多个电极。例如，参照图5，电路层ccl可以包括缓冲层bfl、第一绝缘层l1、第一薄膜晶体管tr1、第二薄膜晶体管tr2、第二绝缘层l2、第三绝缘层l3、第四绝缘层l4、连接电极cne和第五绝缘层l5。可以在电路层ccl上形成第一初始电极pe1和第二初始电极。在制造工艺期间，可以将第一基体层bl1设置在工作基底上。当制造显示面板的工艺完成时，可以去除工作基底。

可以在第一初始电极pe1上形成光致抗蚀剂层pr。光致抗蚀剂层pr可以包括有机材料。在形成光致抗蚀剂层pr之后，可以在光致抗蚀剂层pr上设置掩模mk。掩模mk可以是包括光透射部分tp和光阻挡部分bp的二元掩模。

光致抗蚀剂层pr可以是正性光致抗蚀剂层或负性光致抗蚀剂层。在下文中，将把其中光致抗蚀剂层pr是正性光致抗蚀剂层的情况作为示例来描述。

当在平面图中观看时，光透射部分tp可以与其上将形成第一电极e1(例如，见图6a)的第二区域e12的区域叠置。在平面图中，光阻挡部分bp可以与第一电极e1的除了第二区域e12以外的区域叠置。可以将掩模mk设置在光致抗蚀剂层pr上，并且可以将光照射到光致抗蚀剂层pr上。

参照图7b，可以对光致抗蚀剂层pr进行图案化，以形成光致抗蚀剂图案pr1。例如，图案化光致抗蚀剂层pr的步骤可以包括曝光工艺和显影工艺。在形成光致抗蚀剂图案pr1之后，可以执行对第一初始电极pe1的区域造成损坏的电阻处理工艺，以形成第一电极e1(例如，见图6a)。电阻处理工艺可以包括将离子io提供到第一初始电极pe1中的离子注入步骤。例如，离子io可以是例如氧离子(o⁺)。然而，示例性实施例不限于这样的示例，并且可以使用各种其他离子来替代离子io。

电阻处理工艺可以包括将原子或等离子体提供到第一初始电极pe1。原子可以是例如氩原子或氮原子。

参照图7c，可以通过光致抗蚀剂层离工艺来去除光致抗蚀剂图案pr1(例如，见图7b)。第二区域e12可以是由离子、原子或等离子体处理过的非晶区域。例如，第二区域e12可以包括非晶氧化铟锡(ito)。然而，示例性实施例不限于这样的示例。例如，第二区域e12可以包括非晶铝(al)。在第二区域e12具有非晶结构的情况下，第二区域e12的电阻可以比第一区域e11的电阻高。

包含在第二区域e12中的氧离子(o⁺)的量可以比包含在第一区域e11中的氧离子(o⁺)的量大。例如，第一区域e11可以包括氧化铟锡(ito)，并且第二区域e12可以包括掺杂有氧离子的氧化铟锡(ito)。然而，示例性实施例不限于这样的示例。例如，第一区域e11可以包括铝(al)，并且第二区域e12可以包括氧化铝(alxoy)。掺杂有氧离子(o⁺)的第二区域e12的电阻可以比第一区域e11的电阻高。第二区域e12的电阻可以比第一区域e11的电阻高。

可以通过与用于第一电极e1的第一区域e11和第二区域e12的工艺相同的工艺来形成图6a中示出的第二电极e2的第三区域e21和第四区域e22。因此，省略了第二初始电极和第二电极e2的详细描述以避免冗余。

图8是示出设置根据发明的原理构造的发光元件的步骤的示例性实施例的剖视图。可以通过相同的附图标记来指示之前参照图1至图7c描述的元件，而不用重复它们的冗余描述。

参照图8，可以将其中包含有发光元件ed和溶剂的溶液提供到第一电极e1和第二电极e2。溶剂可以是能够在室温下或通过加热而蒸发的材料。溶液可以是包含发光元件ed的墨水或包含发光元件ed的糊料。可以通过将电力施加到第一电极e1和第二电极e2来在第一电极e1与第二电极e2之间产生电场。电场可以在发光元件ed中诱导偶极矩，在这种情况下，可以通过介电泳力使发光元件ed在第一电极e1与第二电极e2之间对准。设置发光元件ed的步骤还可以包括在发光元件ed对准之后蒸发溶剂。

根据示例性实施例，由于电阻上的差异，所以第二区域e12与第四区域e22(例如，见图6a和图6b)之间的电场的强度可以比第一区域e11与第三区域e21(例如，见图6a和图6b)之间的电场的强度弱。因此，当在平面图中观看时，发光元件ed可以在第一电极e1的第一区域e11和第二电极e2的第三区域e21中自动地且容易地对准。因此，对准的发光元件ed可以与第一电极e1的第二突出区域eb1-2(例如，见图6a和图6b)叠置并且可以与第二电极e2的第三突出区域eb2-1(例如，见图6a和图6b)叠置。根据示例性实施例，可以通过利用电极的电阻的空间变化来控制发光元件ed的布置位置。因此，可以能够改善显示装置dd(例如，见图1)的制造良率和可靠性。

根据示例性实施例，第一电极可以包括分别具有第一电阻和第二电阻的第一区域和第二区域，并且第二电极可以包括分别具有第三电阻和第四电阻的第三区域和第四区域。这里，第二电阻和第四电阻可以分别比第一电阻和第三电阻高，并且可以利用这样的电阻差来控制发光元件的布置位置。因此，可以能够改善显示装置的制造良率和可靠性。

尽管在这里已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但是其他的实施例和修改通过本描述将是清楚的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是限于所附权利要求以及如对于本领域普通技术人员而言将是清楚的各种明显的修改和等同布置的更宽范围。