发光元件及包括其的发光模块的制作方法

文档序号:20913944发布日期:2020-05-29 13:17阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种发光模块,包括:

安装基板;

多个发光芯片,安装于所述安装基板上;以及

多个接垫,配置在所述发光芯片与所述安装基板之间,且

所述发光芯片中的每一者包括:

第一基板;

第一发光部,配置在所述第一基板的一面;

第二基板,与所述第一基板隔开配置;以及

第二发光部,配置在所述第二基板的一面,且

所述第一基板的一侧面包括第一改质面,与所述第一基板的所述一侧面相对的第二基板的一侧面包括第二改质面,

所述第一改质面包括沿所述第一基板的厚度方向延长的改质区及配置在所述改质区之间的断裂区,

所述第二改质面包括沿所述第二基板的厚度方向延长的改质区及配置在所述改质区之间的断裂区,

所述第一改质面的断裂区中的每一者的宽度与所述第二改质面的断裂区中的每一者的宽度相同。

2.根据权利要求1所述的发光模块,其中

所述改质区中的每一者通过激光照射而改质。

3.根据权利要求1所述的发光模块,其中

所述断裂区中的每一者的宽度大于所述改质区中的每一者的宽度。

4.根据权利要求1所述的发光模块,其中

与所述第一基板的所述一侧面相邻的另一侧面包括第三改质面,

所述第三改质面包括沿所述第一基板的所述厚度方向延长的改质区及配置在所述改质区之间的断裂区。

5.根据权利要求4所述的发光模块,其中

所述第一改质面的所述断裂区中的每一者的宽度小于所述第三改质面的所述断裂区中的每一者的宽度。

6.根据权利要求5所述的发光模块,其中

在所述第一基板包含蓝宝石的情况下,

所述第一基板的所述一侧面包括m面及相对于m面倾斜的面,

所述第一基板的另一侧面包括a面及相对于a面倾斜的面。

7.根据权利要求4所述的发光模块,其中

所述第三改质面的所述断裂区具有第一宽度,

所述第三改质面还包括切断区,所述切断区位在所述一侧面与所述另一侧面相遇的隅角与距所述隅角最近的改质区之间且具有小于所述第一宽度的第二宽度。

8.根据权利要求1所述的发光模块,其中

所述第一基板的所述一侧面与所述第一基板和所述第一发光部之间的界面具有88.5度至91.5度的倾斜度。

9.根据权利要求1所述的发光模块,其中

所述第二基板的所述一侧面与所述第二基板和所述第二发光部之间的界面具有88.5度至91.5度的倾斜度。

10.根据权利要求1所述的发光模块,其中

所述第一改质面的所述断裂区具有第一宽度,

所述第一改质面还包括切断区,所述切断区位在所述一侧面与和所述一侧面相邻的另一侧面相遇的隅角与距所述隅角最近的改质区之间且具有小于所述第一宽度的第二宽度。

11.根据权利要求1所述的发光模块,其中

所述第一发光部包括:

第一导电型半导体层,配置在所述第一基板的所述一面;

有源层,配置在所述第一导电型半导体层上并使所述第一导电型半导体层的一部分暴露出;

第二导电型半导体层,配置在所述有源层上并使所述第一导电型半导体层的一部分暴露出;

第一反射膜,覆盖所述第一基板、所述第一导电型半导体层、所述有源层、及所述第二导电型半导体层,且具有使所述第一导电型半导体层及所述第二导电型半导体层暴露出的第一孔及第二孔;

第一接垫,配置在所述第一反射膜上,通过所述第一孔而与所述第一导电型半导体层电连接;以及

第二接垫,配置在所述第一反射膜上,通过所述第二孔而与所述第二导电型半导体层电连接。

12.根据权利要求11所述的发光模块,其中

所述第一反射膜暴露出所述第一基板的所述一面的边缘。

13.根据权利要求11所述的发光模块,还包括:

第二反射膜,配置在与配置有所述第一发光部的所述第一基板的所述一面对向的另一面。

14.根据权利要求13所述的发光模块,其中

所述第一反射膜反射具有彼此不同的两个波长的光,

所述第二反射膜反射一个波长的光。

15.根据权利要求13所述的发光模块,其中

所述第一反射膜的厚度大于所述第二反射膜的厚度。

16.根据权利要求13所述的发光模块,其中

所述第二反射膜暴露出所述第一基板的所述另一面的边缘。

17.一种发光元件,包括:

基板;以及

发光部,配置在所述基板的一面,

所述基板的一侧面包括沿所述基板的厚度方向延长并具有第一宽度的改质区、及配置在所述改质区之间并具有第二宽度的断裂区,

所述一侧面包括切断区,所述切断区配置在所述一侧面与和所述一侧面相邻的另一侧面相遇的隅角与距所述隅角最近的改质区之间且具有小于所述第二宽度的第三宽度。

18.根据权利要求17所述的发光元件,其中

所述改质区中的每一者通过激光照射而改质。

19.根据权利要求17所述的发光元件,其中

所述基板的所述一侧面与所述基板和所述发光部之间的界面具有88.5度至91.5度的倾斜度。

20.根据权利要求17所述的发光元件,其中

与所述一侧面相邻的另一侧面包括沿所述基板的厚度方向连续地延长的改质区及配置在所述改质区之间的断裂区,

所述另一侧面的断裂区中的每一者的宽度小于所述第一宽度。

21.根据权利要求20所述的发光元件,其中

所述一侧面包括a面及相对于a面倾斜的面,

所述另一侧面包括m面及相对于m面倾斜的面。

22.根据权利要求17所述的发光元件,其中

所述发光部包括:

第一导电型半导体层,配置在所述基板上;

有源层,配置在所述第一导电型半导体层上并使所述第一导电型半导体层的一部分暴露出;

第二导电型半导体层,配置在所述有源层上并使所述第一导电型半导体层的一部分暴露出;

第一反射膜,覆盖所述基板、所述第一导电型半导体层、所述有源层、及所述第二导电型半导体层,且具有使所述第一导电型半导体层及所述第二导电型半导体层暴露出的第一孔及第二孔;

第一接垫,配置在所述第一反射膜上,通过所述第一孔而与所述第一导电型半导体层电连接;以及

第二接垫,配置在所述第一反射膜上,通过所述第二孔而与所述第二导电型半导体层电连接。

23.根据权利要求22所述的发光元件,其中

所述第一反射膜暴露出所述基板的所述一面的边缘。

24.根据权利要求22所述的发光元件,还包括:

第二反射膜,配置在与所述基板的所述一面对向的另一面。

25.根据权利要求24所述的发光元件,其中

所述第一反射膜反射具有彼此不同的两个波长的光,

所述第二反射膜反射一个波长的光。

26.根据权利要求24所述的发光元件,其中

所述第一反射膜的厚度大于所述第二反射膜的厚度。

27.根据权利要求24所述的发光元件,其中

所述第二反射膜暴露出所述基板的所述另一面的边缘。

28.根据权利要求17所述的发光元件,其中

所述第一宽度小于所述第三宽度。


技术总结
本发明提供一种发光元件及包括其的发光模块。发光模块包括安装基板、多个发光芯片、及多个导电性接着部,发光芯片中的每一者包括第一基板、第一发光部、与第一基板隔开配置的第二基板、第二发光部,且第一基板的一侧面包括第一改质面,与第一基板的一侧面相对的第二基板的一侧面包括第二改质面,第一改质面包括沿所述第一基板的厚度方向延长的改质区及配置在改质区之间的断裂区,第二改质面包括沿第二基板的厚度方向延长的改质区及配置在所述改质区之间的断裂区,第一改质面的断裂区中的每一者的宽度与第二改质面的断裂区中的每一者的宽度相同。

技术研发人员:李珍雄;金京完
受保护的技术使用者:首尔伟傲世有限公司
技术研发日:2019.11.20
技术公布日:2020.05.29
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