用于制造半导体装置的方法和系统与流程

本技术大体上涉及半导体装置，且更确切地说，涉及用于制造半导体装置的方法和系统。

背景技术：

包含存储器芯片、微处理器芯片和成像器芯片的封装半导体裸片通常包含安装在衬底上且包覆于保护性覆盖物中的半导体裸片。半导体裸片包含功能特征，例如存储器单元、处理器电路及成像器装置，以及电连接到所述功能特征的接合垫。接合垫可电连接到保护性覆盖物外部的端子，以允许半导体裸片连接到更高层级电路。在一些封装内，半导体裸片可堆叠在邻近半导体裸片上且通过邻近半导体裸片之间的个别互连件彼此电连接。在这类封装中，每一互连件可包含导电材料(例如，焊料)及在邻近半导体裸片的相对表面上的一对接点。举例来说，金属焊料可放置在接点之间且经回焊以形成导电接头。然而，常规工艺可能导致焊料连接故障。

技术实现要素：

在一个方面中，本申请提供一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：将止挡壁定位在晶片衬底上在半导体接合设备的第一平台与所述半导体接合设备的第二平台之间，所述第一平台具有第一按压表面，且所述第二平台具有面向所述第一平台的所述第一按压表面的第二按压表面，其中所述止挡壁及所述晶片衬底具有在垂直于所述第一按压表面的方向上从所述第二按压表面测量的组合高度，其中所述止挡壁至少部分地包围半导体裸片的堆叠，其中所述半导体裸片定位于所述晶片衬底与所述半导体接合设备的所述第一平台之间，且其中半导体裸片的所述堆叠具有在垂直于所述第一按压表面的方向上从所述第二按压表面测量的未按压堆叠高度；和将所述半导体接合设备的所述第一平台及所述第二平台中的一者或两者朝向彼此移动直到所述第一按压表面接触所述止挡壁为止，由此在垂直于所述第一按压表面的方向上压缩半导体裸片的所述堆叠；其中半导体裸片的所述堆叠的所述未按压堆叠高度大于所述止挡壁及所述晶片衬底的所述组合高度；且其中在所述半导体接合设备的所述第一平台及所述第二平台中的一者或两者朝向彼此移动直到所述第一按压表面接触所述止挡壁为止之后，半导体裸片的所述堆叠具有按压堆叠高度，所述按压堆叠高度小于或等于所述止挡壁及所述晶片衬底的所述组合高度。

在另一方面中，本申请提供一种用于制造半导体装置的热压接合(tcb)设备，所述tcb设备包括：具有在第一方向上测量的高度的壁，所述壁经配置以定位于晶片上在半导体接合设备的第一按压表面与第二按压表面之间；和至少部分地由所述壁包围的空腔，所述空腔经设定大小以接纳定位于所述晶片与所述第一按压表面之间的半导体裸片的堆叠，半导体裸片的所述堆叠具有如在所述第一方向上从所述晶片测量的未按压堆叠高度；其中所述未按压堆叠高度大于所述壁的所述高度，且其中所述壁经配置以由所述第一按压表面接触从而在半导体接合工艺期间限制所述第一按压表面朝向所述第二按压表面的运动。

在另一方面中，本申请提供一种半导体制造系统，其包括：第一按压平台，其具有第一按压表面；第二按压平台，其具有面向所述第一按压表面的第二按压表面；晶片，其定位于所述第一按压平台与所述第二按压平台之间；止挡件，其定位于所述晶片上在所述第一按压平台与所述第二按压平台之间，所述止挡件包括至少一个内腔；连接到所述晶片的半导体裸片的第一堆叠，半导体裸片的所述第一堆叠至少部分地定位在所述止挡件的所述至少一个内腔内在所述半导体衬底与所述第一按压平台之间；其中所述止挡件经配置以限制所述第一按压表面及所述第二按压表面朝向彼此的运动，从而将对所述半导体的所述第一堆叠的压缩限制为所要厚度。

附图说明

参照以下图式可以更好地理解本技术的许多方面。图式中的组件不一定按比例。实际上，重点是清楚地说明本技术的原理。

图1是半导体接合设备的实施例的侧视横截面图。

图2是定位于半导体接合设备的两个平台之间的半导体裸片组合件的实施例的侧视横截面图。

图3是图2的半导体裸片组合件及半导体接合设备的侧视横截面图，其中所述裸片堆叠压缩于半导体接合设备的两个平台之间。

图4是没有止挡件的半导体裸片组合件的tsv及焊料连接的侧视横截面特写图。

图5是具有止挡件的半导体裸片组合件的tsv及焊料连接的侧视横截面特写图。

图6到10是半导体裸片组合件的各种实施例的俯视平面图。

图11是定位于半导体接合设备的两个平台之间的半导体裸片组合件的另一实施例的侧视横截面图。

图12是图11的半导体裸片组合件及半导体接合设备的侧视横截面图，其中所述裸片堆叠压缩于半导体接合设备的两个平台之间。

图13是半导体裸片组合件的实施例的俯视平面图。

图14是定位于半导体接合设备的两个平台之间的半导体裸片组合件的另一实施例的侧视横截面图。

图15是图14的半导体裸片组合件及半导体接合设备的侧视横截面图，其中所述裸片堆叠压缩于半导体接合设备的两个平台之间。

图16是定位于半导体接合设备的两个平台之间的半导体裸片组合件的另一实施例的侧视横截面图。

图17是图16的半导体裸片组合件及半导体接合设备的侧视横截面图，其中所述裸片堆叠压缩于半导体接合设备的两个平台之间。

图18是包含根据本技术的实施例配置的半导体装置的系统的示意图。

具体实施方式

常规半导体封装的一个难题在于在制造期间控制裸片堆叠的压缩。通常，裸片堆叠的全部或一部分在制造期间过压。裸片堆叠的过压可能导致各种问题，包含一对接点之间的焊料的耗尽、来自堆叠周边的非导电膜的泄漏，及经由来自邻近接点对的泄漏焊料的非所需电短路。

下文描述具有间隔件结构(例如，挡止件)的半导体装置或用于在热压接合(thermocompressionbonding；tcb)操作或其它裸片堆叠操作期间限制焊料或其它接合材料的压缩的其它tcb设备的若干实施例的具体细节及相关联系统及方法。本文中所公开的结构及方法还可适用于除tcb以外的其它压缩接合方法。本领域的技术人员将认识到，本文中所描述的方法的合适阶段可在晶片级或在裸片级执行。因此，取决于其使用上下文，术语“衬底”可以指晶片级衬底或经单分的裸片级衬底。此外，除非上下文另有指示，否则可使用常规的半导体制造技术来形成本文中所公开的结构。举例来说，材料可使用化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积、旋涂及/或其它合适的技术沉积。类似地，举例来说，可使用等离子蚀刻、湿式蚀刻、化学-机械平坦化或其它合适的技术去除材料。相关领域的技术人员还将理解，本技术可具有额外实施例，并且所述技术可在没有下文参考图1到18描述的实施例的细节中的若干个的情况下实践。

在下文描述的实施例中的若干个中，半导体制造系统包含：具有第一按压表面的第一按压平台，具有面向第一按压表面的第二按压表面的第二按压平台，及定位于第一按压平台与第二按压平台之间的止挡件(例如，tcb设备)。止挡件可包含至少一个内腔。如本文中的各种实施例中所示出，半导体衬底可定位于第一按压平台与第二按压平台之间，且半导体裸片的第一堆叠可连接到半导体衬底。半导体裸片的第一堆叠可至少部分地定位于止挡件的内腔内在半导体衬底与第一按压平台之间。

在一些实施例中，止挡件经配置以限制第一及第二按压表面朝向彼此的运动，由此控制半导体的第一堆叠到所要厚度的压缩。限制半导体裸片的堆叠到所要厚度的压缩可降低从焊接点挤压多余焊料或其它接合材料的可能性。限制压缩还可减小堆叠中的个别裸片之间的非导电膜(non-conductivefilm；ncf)或其它材料的嵌缝。使用止挡件的这些和其它优点可通过提高在单个平台中制造数百或甚至数千个裸片封装的速度及可靠性而增加tcb工艺的良率。

如本文中所使用，术语“竖直”、“橫向”、“上部”及“下部”可以鉴于图中示出的定向而指代半导体装置中的特征的相对方向或位置。举例来说，“上部”或“最上部”可以指比另一特征更接近页面的顶部定位的特征。然而，这些术语应广泛地理解为包含具有其它定向的半导体装置，所述定向例如倒置或倾斜定向，其中顶部/底部、上面/下面、上方/下方、向上/向下，和左侧/右侧可取决于定向而互换。本文中提供的标题仅是为了方便起见且不应被理解为限制所公开的主题。

图1说明半导体制造系统100的实施例。如所说明，制造系统100可包含上部(例如，第一)按压平台102及下部(例如，第二)按压平台104。上部按压平台102可包含面向第二按压平台104的第一按压表面106。类似地，下部按压平台104可包含面向上部按压平台102的第二按压表面108。在一些实施例中，第一按压平台102及第二按压平台104中的至少一者定位于接合设备的空腔内。在一些实施例中，第一按压平台102及第二按压平台104具有如平行于第一按压表面106所测量的基本上相等的横截面积。

系统100可包含在两个按压平台102、104之间的止挡件110。止挡件110可包含第一侧112及与第一侧112相对的第二侧114。在所说明实施例中，止挡件110的第一侧112接触第二按压平台104(例如，第二按压平台104的第二按压表面108)。还可采用相反布置，其中第二表面114接触第二按压平台104。

止挡件110的第一侧112和第二侧114中的至少一者可以是平面的。在一些实施例中，第一侧112和第二侧114中的至少一者包含一或多个凹口、孔、起伏、肋状物、凹缝、突起和/或其它表面特征。优选地，当平面刚性结构设置在止挡件110上且止挡件110设置在水平表面上时，第一侧112和第二侧114经设定大小及塑形以使得平面刚性结构将静置在水平面中。

当止挡件110位于第二按压表面108上时，止挡件110可具有如从第二按压表面108测量且垂直于所述第二按压表面的高度(例如，最大高度)h1。如所说明，止挡件110包含至少一个内腔116。内腔116可延伸穿过止挡件110的高度h1。在一些实施例中，如下所述，止挡件110包含多个空腔116。

在一些实施例中，止挡件110可由刚性、半刚性和/或弹性的材料建构。优选地，止挡件110由经配置以耐受高温梯度的通常在tcb操作中使用的材料建构。此类材料可以是硅。举例来说，硅晶片可切割成所要高度及宽度，其中一或多个所要空腔穿透所述晶片。其它材料，包含金属、陶瓷、聚合物、半导体和/或其它材料或材料的组合，可用于建构止挡件110。

如图2中所说明，半导体组合件120可定位于止挡件110的空腔116内。半导体组合件120包含衬底122。优选地，当衬底122定位于空腔116内时，空腔116经设定大小及塑形以使得抑制或防止衬底122在垂直于止挡件110的高度h1的方向上移动。举例来说，当在垂直于止挡件110的高度h1的平面中测量时，空腔116可具有与衬底122基本上相同的横截面积。在一些实施例中，空腔116具有与待同时定位于空腔116内的多个衬底122基本上相同的横截面。抑制或预防衬底122横向地(例如，垂直于止挡件110的高度h1)移动可增加制造工艺的可靠性且减少因半导体组合件120的未对准或运动而导致的制造错误的可能性。

衬底122可具有第一表面124及与表面122相对的第二表面126。优选地，衬底122的第一表面124和第二表面126中的至少一者是平面的。在所说明实施例中，衬底122的第一表面124和第二表面126中的每一者的所有或部分彼此平行。

一或多个裸片堆叠可定位于上衬底122上。在所说明的实例中，第一裸片堆叠130a、第二裸片堆叠130b及第三裸片堆叠130c(统称为“裸片堆叠130”)各自定位于衬底122的第一表面124上。每一裸片堆叠130可包含彼此堆叠且通过粘着剂133(图4)附接到一起的裸片132。粘着剂133位于个别裸片132及最低裸片132及衬底122之间。举例来说，粘着剂133可以是未固化或部分固化的底部填充材料。当衬底122定位于第二按压表面108上时，裸片堆叠130可具有如从第二按压表面108测量且垂直于所述第二按压表面的初始(例如，按压前)高度h2。在一些实施例中，每一个别裸片堆叠130的初始高度h2可发生变化。裸片堆叠130的初始高度h2大体上高于止挡件110的高度h1。但在一些实施例中，裸片堆叠130中的一些可具有等于或小于高度h1的高度h2。

图3说明tcb操作之后的制造系统100及半导体组合件120。如所说明，第一按压平台102朝向第二按压平台104移动，直到第一按压表面106接触止挡件110为止。使第一按压平台102移动到与止挡件110接触会相对于使裸片132及衬底122紧固地固定在一起的第二按压表面108将裸片堆叠130压缩到所要(例如，经压缩)高度h3。如所说明，裸片堆叠130的压缩高度h3基本上等于止挡件110的高度。

预期止挡件110提供裸片堆叠130的受控制压缩，其中如受控制的压缩高度h3所反映，压缩的层级限于减少或消除裸片堆叠130的过度压缩。避免裸片堆叠130的过度压缩可引起对整体半导体制造工艺的改进，这是因为可减少或消除一些已知的制造缺陷。另外，预期止挡件实现更快的压缩时间，且由此增加制造封装半导体装置的吞吐量。

图4说明可能在不存在止挡件的情况下出现的此类制造缺陷。更具体地说，图4说明已在无止挡件的情况下经由tcb操作压缩的裸片堆叠130的一部分。所说明裸片堆叠130包含第一半导体裸片132a、邻近于第一半导体裸片102a(例如，堆叠于其上)的第二半导体裸片132b，及邻近于第二半导体裸片132b(例如，堆叠于其上)的第三半导体裸片132c。半导体裸片(统称为半导体裸片132)各自包含第一(例如，上部)表面134及与第一表面134相对的第二(例如，下部)表面136。裸片堆叠130还包含在第一半导体裸片132a的第一表面134与第二半导体裸片132b的第二表面136之间竖直延伸的个别互连件140的阵列。个别互连件中的一或多者可包含在端部上的第一导电特征(例如，导电衬垫142)及在第二端部上的第二导电特征(例如，导电柱144)。在所示出的实施例中，互连件140各自包含在第一半导体裸片132a的第一表面134上的导电衬垫142、在第二半导体裸片132b的第二表面136上的导电柱144、延伸穿过晶片132的半导体材料的在导电衬垫142与导电柱144之间的硅穿孔(throughsiliconvia；tsv)145，及将导电柱144接合到导电衬垫142的接合材料(例如，焊料、锡银，或其它接合材料)146。在一些实施例中，裸片堆叠130可包含比图4中示出的更小或更大数目个互连件140。举例来说，裸片堆叠130可包含排列在半导体裸片132之间的数十、数百、数千个或更多互连件140。

在一些实施例中，互连件140具有在约20到35μm之间和/或5到50μm之间的总高度或厚度。在某些实施例中，导电柱144具有在约4到45μm之间和/或在约10到30μm(例如，约18μm)之间的厚度，且导电衬垫142具有在约1到5μm(例如，约4μm)之间的厚度。

在图4中所说明的配置中，个别半导体裸片132a、132b、132c通过大体上由粘着剂133填充的间隙g1、g2彼此间隔开。在一些实施例中，半导体裸片132之间的间隙g1、g2并不均匀。举例来说，第一半导体裸片132a与第二半导体裸片132b之间的间隙g2可大于或小于第二半导体裸片132a与第三半导体裸片132b之间的间隙g1。粘着剂133，其可为不导电膜(nonconductivefilm；ncf)150，可分布在间隙g1、g2中。在一些实施例中，ncf150用于将半导体裸片132中的一或多者预先粘着到衬底122且将剩余半导体裸片132彼此粘着。

如图4中所说明，tcb处理可在无止挡件110的情况下导致互连件140之间的接合材料146的过度压缩。接合材料146的这类过度压缩可导致从导电柱144与对应导电垫142之间挤压过多的接合材料146(例如，被称为“挤出”)。一个互连件中的挤出材料146可扩散为与另一邻近互连件中的挤出材料146接触。这类接触可导致裸片堆叠130内的非所需电连接，诸如短路。然而，挤出材料可能不需要彼此物理接触以削弱性能，这是因为在一些实施例中，仅彼此过于接近就可能产生削弱装置的电性操作的干扰。在一些应用中，裸片堆叠130的过度压缩还可导致来自个别裸片132之间和/或来自裸片堆叠130与衬底122之间的ncf150的非所需嵌缝。ncf150的嵌缝可增加衬底122上的裸片堆叠130的占据面积且减少可制造于给定衬底122上的裸片堆叠130的数目。

图5说明根据本技术的由tcb操作形成的与止挡件一起使用的半导体裸片堆叠130。如所说明，当止挡件在tcb操作期间使用时，接合材料146并未过度压缩。相反地，接合材料146的足够的部分以极少或无挤出保持在对应导电柱144与导电衬垫142之间。如平行于间隙g3、g4所测量的接合材料146的高度可维持在至少1μm、至少2μm、至少3μm、至少4μm、至少6μm和/或至少8μm的最低值(或1μm到8μm，或2μm到6μm，或3μm到5μm之间的任何值)。图5的第一半导体裸片132a与第二半导体裸片132b之间的间隙g3大于图4的半导体裸片132a、132b之间的间隙g1、g2中的任一者。在一些实施例中，图5的第二半导体裸片132b与第三半导体裸片132c之间的间隙g4也大于图4中的半导体裸片132a、132b之间的间隙g1、g2中的任一者。在一些实施例中，止挡件110的高度h1(图2)经选择以维持给定半导体裸片堆叠130中的半导体裸片132之间的所要平均间隙。举例来说，止挡件110的高度h1可大致等于以下的总和：(a)止挡件122的高度；(b)个别半导体裸片132的累积高度；以及(c)所要间隙大小乘以间隙的数目(例如，比半导体裸片的数目小一)。在一些应用中，当使用止挡件110时，接合材料146和/或ncf150的天然抗压缩性可能有助于维持半导体裸片132之间的间隙的相对均匀性。维持半导体裸片132之间的所要间隙宽度及半导体裸片132的互连件之间的接合材料146的所要厚度实现更少的与接合材料挤出和/或半导体裸片132之间的未对准/倾斜相关联的制造缺陷。过度压缩的缺乏还可引起更少的裸片堆叠130中的个别裸片132之间的未对准(例如，倾斜)。

图6到10说明半导体裸片组合件及半导体制造组合件的各种实施例。如所说明，各种半导体裸片组合件形状及大小可与各种挡止件一起使用。举例来说，如图6中所说明，止挡件210可包含两个或更多个空腔216a、216b。空腔216a、216b的大小和/或形状可相同。在一些实施例中，第一空腔216a具有比第二空腔216b更大或更小的横截面积(例如，图6中的平面图中示出的面积)。空腔216a、216b可经设定大小以分别接纳第一衬底222a及第二衬底222b。衬底222a、222b可各自经设定大小和塑形成具有基本上等同于空腔216a、216b的横截面的横截面。

在一些实施例中，如所说明，两个或更多个衬底可定位于单个空腔内。举例来说，实际上，第二衬底222b可为两个单独衬底(例如，产生由虚线识别的第三衬底222c)。定位于第二空腔216b中的两个或更多个衬底的组合横截面形状可基本上等同于空腔216b的横截面形状。在一些实施例中，如上文所解释，衬底222的横截面形状(例如，或组合横截面形状)可经选择以抑制或防止衬底222在空腔216内旋转，即使衬底及空腔的相应横截面形状彼此不相同或基本上相同。止挡件210的整体外部形状可以是圆形(图6到9)、多边形(图10)、椭圆形，和/或其某一组合。

衬底222中的每一者可经配置以容纳一或多个半导体裸片堆叠230。堆叠230可在衬底222中的每一者上成行和/或成列布置。在一些实施例中，衬底222中的每一者可经配置以容纳相同数目个裸片堆叠230。在一些实施例中，与一或多个其它衬底222相比，衬底222中的至少一者经配置以容纳不同数目个堆叠230。

图7说明具有比图6的止挡件210更多的空腔的止挡件310的实施例(例如，四个空腔316a、316b、316c、316d)。止挡件310的空腔316可小于止挡件210的空腔216。在一些实施例中，止挡件310的空腔316经配置以容纳比止挡件210中使用的衬底222更小的衬底322a、322b、322c、322d。在一些实施例中，止挡件310的空腔316的累积横截面积大致等于止挡件210的空腔216的累积横截面积。在一些实施例中，止挡件310的空腔316的累积横截面积大于或小于止挡件210的空腔216的累积横截面积。在一些实施例中，经配置以定位于图7中的衬底322上的半导体裸片堆叠330的整体数目等于经配置以定位于图6中的衬底222上的半导体裸片堆叠230的整体数目。在一些实施例中，经配置以定位于图7中的衬底322上的半导体裸片堆叠330的整体数目大于或小于经配置以定位于图6中的衬底222上的半导体裸片堆叠230的整体数目。

图8说明具有单个空腔416的止挡件410的实施例。单个空腔416可大于上文所描述的空腔216、316。在一些实施例中，空腔416的横截面积与止挡件310的空腔316的累积横截面积大致相同。在一些实施例中，空腔416的横截面积大于或小于止挡件310的空腔316的累积横截面积。止挡件410的单个空腔416可经配置以接纳其上具有至少一个半导体裸片堆叠430的单个较大衬底422。在一些实施例中，多个衬底定位于空腔416内。

图9说明包含改变大小及形状的空腔的止挡件510的实施例。举例来说，止挡件510的第一空腔516a可具有比第二空腔516b更低的高宽比，如从上方观测到。在一些实施例中，第一空腔516a及第二空腔516b中的一者或两者小于第三空腔516c。

图10说明具有非圆形外部周边(例如，整体形状)的止挡件610的实施例。在所说明的实例中，止挡件610具有矩形外部周边。可使用其它外部周边形状，包含多边形、椭圆形、圆形，或其某一组合。如所说明，止挡件610的空腔616a、616b、616c可与止挡件510的空腔516类似或相同。在一些实施例中，止挡件610的空腔616与止挡件510的空腔516大小和/或形状不同。

图11到13说明类似于上文描述的制造系统100的半导体制造系统700的实施例。除非另外描述，否则相似参考标号(例如，共享相同的最后两个数字的标号)对应于系统100与700之间的在结构和/或功能上相同或类似的结构(例如，上部按压平台702与上部按压平台102)。

如所说明，半导体制造系统700的止挡件710位于衬底722上。更具体地说，止挡件710位于衬底722的第一表面724上，与第二按压平台704相对。止挡件710可以使用与上文所描述的止挡件110相同或类似的材料以相同或类似的方式建构。止挡件710的高度可经选择使得止挡件710及衬底722的累积高度h4限制第一按压平台702能够朝向第二按压平台704移动的范围，且由此限制在tcb操作期间施加到裸片堆叠730的压缩量。举例来说，止挡件710限制裸片堆叠730及衬底722的压缩高度h6(图12)以减少或消除上文描述的挤出问题。如所说明，裸片堆叠730的未压缩高度h5大于止挡件710及衬底722的累积高度h4，而裸片堆叠的压缩高度h6等于高度h4。

通过将止挡件710定位在衬底722上，现有制造系统700可容易地改装以使用止挡件系统。举例来说，由于止挡件710位于衬底722上，受限于接纳衬底722的占据面积的按压平台702、704仍可使用而不改变按压平台702、704的大小。

在一些实施例中，止挡件710以图11到13中所说明的方式配置以将止挡件710与晶片衬底722一起使用。晶片衬底722可由硅或其它材料建构。止挡件710在启动tcb操作之前及在晶片的其它处理之前可定位在晶片衬底722上。举例来说，使用止挡件710的tcb操作可以在晶片分割或其它晶片处理之前执行。

在一些实施例中，在一或多个衬底722上使用一或多个挡止件710可促进对定位于挡止件710的空腔716内部及空腔716外部的裸片堆叠730的压缩的控制(例如，对按压平台702、704朝向彼此的运动的控制)。更具体地说，通过止挡件710提供的压缩控制可限制按压平台702、704朝向彼此的整体运动，由此限制位于止挡件710的空腔716内部及止挡件的空腔716外部的裸片堆叠的压缩。在一些实施例中，止挡件710可用于同时限制至少十个裸片堆叠、至少二十个裸片堆叠、至少四十个裸片堆叠、至少七十五个裸片堆叠和/或至少一百五十个裸片堆叠在单个tcb或其它压缩操作中的压缩。图13提供利用定位于衬底722上的止挡件710的半导体制造系统的俯视图。

图14到15说明类似于上文描述的制造系统100的半导体制造系统800的实施例。除非另外描述，否则相似参考标号(例如，共享相同的最后两个数字的标号)对应于系统100与800之间的在结构和/或功能上相同或类似的结构(例如，上部按压平台102与上部按压平台802)。如所说明，止挡件810的空腔816可大于衬底822，由此在衬底822的外边缘(例如，如平行于衬底822的第一表面824所测量)与空腔816的内边缘(例如，如平行于止挡件810的第一表面812所测量)之间设置间隙870。在一些实施例中，止挡件810与衬底822(例如，晶片)组合使用，所述衬底的外部周边小于止挡件810的内部周边。举例来说，止挡件810可与尚未切割成精确形状或大小的晶片一起使用。

类似于上述实施例，裸片堆叠830具有大于止挡件810的高度h7的初始高度h8及大致等于止挡件810的高度h7的压缩高度h9。

在一些实施例中，如图16到17中所说明，止挡件可与第一和/或第二按压平台一体地形成。在一些此类实施例中，止挡件(例如，边缘、脊状物或其它结构)形成于第一及第二按压平台两者上。在所说明的实施例中，空腔916形成于第二(例如，下部)按压平台904中。空腔916可具有与上文所描述的止挡件中的空腔类似的大小及形状。空腔916可包含衬底922经配置以静置于其上的底板或表面960。空腔916可由壁(例如，止挡件)910包围。在一些实施例中，壁910为环形和/或围绕空腔916的周边连续。

如所说明，如从底板960测量且垂直于所述底板的裸片堆叠930的初始或未压缩高度h11大于如从底板960测量的壁910的高度h10。压缩高度h12(例如，在tcb操作结束时的高度)等于或大致等于壁910的高度h10。

具有上文(例如参看图1到17)所描述的特征的半导体装置中的任一者可并入到大量更大和/或更复杂的系统中的任一者中，所述系统的代表性实例是在图18中示意性地展示的系统1000。系统1000可包含处理器1002、存储器1004(例如，sram、dram、闪存和/或其它存储器装置)、输入/输出装置1005和/或其它子系统或组件1008。上文所描述的半导体裸片和半导体裸片组合件可包含于图18中所展示的元件中的任一者中。所得系统1000可经配置以执行多种多样的合适的计算、处理、存储、感测、成像和/或其它功能中的任一者。因此，系统1000的代表性实例包含但不限于：计算机和/或其它数据处理器，例如台式计算机、手提式计算机、网络家电、手持式装置(例如掌上型计算机、可穿戴式计算机、蜂窝或移动电话、个人数字助理、音乐播放器等)、平板计算机、多处理器系统、基于处理器的或可编程的消费型电子装置、网络计算机及微型计算机。系统1000的额外代表性实例包含灯、相机、车辆等。关于这些和其它实例，系统1000可容纳在单个单元中或例如通过通信网络分布在多个互连单元上方。因此，系统1000的组件可包含本地和/或远程存储器存储装置和多种多样的合适的计算机可读媒体中的任一者。

本技术的实施例的以上详细描述并不意图是穷尽性的或将本技术限制于上文所公开的确切形式。如相关领域的技术人员将认识到，尽管上文出于说明性目的描述了本技术的具体实施例和实例，但是可在本技术的范围内进行各种等效的修改。举例来说，尽管步骤以给定次序呈现，但替代性实施例可以不同次序执行步骤。此外，也可组合本文中所描述的各种实施例以提供另外实施例。本文中对“一个实施例”、“实施例”或类似表述的引用意指结合实施例描述的特定特征、结构、操作或特性可包含在本技术的至少一个实施例中。因此，此类短语或表述在本文中的出现未必都指同一实施例。

本技术的某些方面可呈计算机可执行指令形式，所述计算机可执行指令包含由控制器或其它数据处理器执行的常式。在一些实施例中，控制器或其它数据处理器经专门编程、配置和/或建构以执行这些计算机可执行指令中的一或多个。此外，本技术的一些方面可呈存储或分布在计算机可读媒体上的数据(例如非暂时性数据)形式，所述计算机可读媒体包含磁性或光学可读和/或可装卸计算机光盘以及电子地分布在网络上方的媒体。因此，特定于本技术的方面的数据结构和数据的传输包涵在本技术的范围内。本技术还涵盖对计算机可读媒体进行编程以执行特定步骤和执行所述步骤两者的方法。

此外，除非词语“或”明确地限制成仅意指对参看两个或更多个项目的列表的其它项目排他的单个项目，否则此列表中的“或”的使用可以理解为包含(a)列表中的任何单个项目、(b)列表中的所有项目或(c)列表中的项目的任何组合。在上下文准许的情况下，单数或复数术语还可分别包含复数或单数术语。另外，术语“包括”贯穿全文用以意指至少包含一或多个所叙述特征，使得不排除任何更大数目个相同特征和/或额外类型的其它特征。本文中可使用如“上部”、“下部”、“正面”、“背面”、“竖直”以及“水平”的方向术语来表达和阐明各种元件之间的关系。应理解，这类术语不表示绝对取向。另外，虽然已经在那些实施例的上下文中描述了与本技术的某些实施例相关联的优点，但其它实施例也可以呈现这类优点，且并非所有的实施例都必需呈现这类优点以落入本技术的范围内。因此，本公开及相关联的技术可涵盖未明确地在本文中展示或描述的其它实施例。