基板处理装置和基板处理方法与流程

本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。

背景技术：

专利文献1的磨削装置具有用于保持板状工件的保持单元、对被保持单元保持的板状工件进行粗磨的第一磨削单元以及对由保持单元保持的板状工件进行精磨的第二磨削单元。第一磨削单元利用磨石一边按压板状工件的上表面一边进行粗磨，直至达到期望的厚度。同样地，第二磨削单元利用磨石一边按压板状工件的上表面一边进行粗磨，直至达到理想的厚度。

粗磨中的板状工件的厚度通过接触式的测厚仪来测定。测厚仪包括用于测定保持单元的保持面的高度位置的第一测定仪和用于测定被保持单元保持的板状工件的上表面的高度的第二测定仪。测厚仪求出第一测定仪的测定值与第二测定仪的测定值之差来作为板状工件的厚度。

精磨中的板状工件的厚度通过非接触式的传感器来测定。非接触式的传感器向板状工件照射光，并接收由板状工件的上表面反射的第一反射光和透过板状工件后由在板状工件的下表面反射的第二反射光。非接触式的传感器基于接收到第一反射光的定时与接收到第二反射光的定时之差，来测定板状工件的厚度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-172131号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

本公开的一个方式提供一种能够在带芯片组的基板的芯片组减薄的过程中测定芯片组的厚度的技术。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式所涉及的基板处理装置具有：保持部，其保持带芯片组的基板，该带芯片组的基板具有基板和包括多个芯片的芯片组，多个所述芯片以彼此隔开间隔的方式分别与所述基板的接合面接合；加工部，其将被所述保持部经由所述基板保持着的所述芯片组减薄；测定部，在所述芯片组的减薄过程中，所述测定部向所述基板的所述接合面的露出部分照射光并接收由所述露出部分反射的光，并且向被实施将所述芯片组减薄的加工的加工面照射光并接收由所述芯片组的所述加工面反射的光，由此测定所述芯片组的厚度；以及控制部，其基于所述测定部的结果来控制所述加工部。

发明的效果

根据本公开的一个方式，能够在带芯片组的基板的芯片组减薄的过程中测定芯片组的厚度。

附图说明

图1是示出一个实施方式所涉及的基板处理装置的俯视图。

图2是示出一个实施方式所涉及的加工部的侧视图。

图3是示出一个实施方式所涉及的带芯片组的基板与磨石的轨道之间的关系的俯视图。

图4是示出一个实施方式所涉及的带芯片组的基板和测定部的侧视图。

图5是示出用于测定一个实施方式所涉及的芯片组的厚度的测定点的俯视图。

图6是示出一个实施方式所涉及的一级加工中的第一距离l1和第二距离l2的随时间的变化的图。

图7是将图6的区域vii放大表示的图。

图8是示出一个实施方式所涉及的基板处理方法的流程图。

图9是示出一个实施方式所涉及的一级加工的控制的流程图。

图10是示出变形例所涉及的一级加工中的第一距离l1和第二距离l2的随时间的变化的图。

图11是示出变形例所涉及的一级加工的控制的流程图。

具体实施方式

下面，参照附图来说明本公开的实施方式。此外，在各附图中，有时对相同或对应的结构标注相同或对应的附图标记并省略说明。在本说明书中，x轴方向、y轴方向、z轴方向为互相垂直的方向。x轴方向和y轴方向为水平方向，z轴方向为铅垂方向。

图1是示出一个实施方式所涉及的基板处理装置的俯视图。基板处理装置10将带芯片组的基板100减薄。带芯片组的基板100是所谓的晶圆上芯片(cow：chiponwafer)。

如图4所示，带芯片组的基板100具有基板110和芯片组120。芯片组120具有多个芯片121。多个芯片121以彼此隔开间隔的方式分别与基板110的接合面115接合。基板110的接合面115具有被芯片121覆盖的覆盖部分116和不被芯片121覆盖的露出部分117。

基板处理装置10不将带芯片组的基板100的基板110减薄，将带芯片组的基板100的芯片组120减薄。芯片组120具有加工面125，将芯片组120减薄的工具4与该加工面125接触。在该加工面125形成有槽127。槽127形成于多个芯片121之间。多个芯片121例如呈矩阵状配置于基板110的接合面115。

例如如图1所示，基板处理装置10具备旋转台20、四个基板卡盘30a、30b、30c、30d以及三个加工部40a、40b、40c。此外，加工部40的数量为一个以上即可，不限定为三个。另外，基板卡盘30的数量比加工部40的数量多即可，不限定为四个。

旋转台20以旋转中心线20z为中心进行旋转。旋转台20的旋转中心线20z例如铅垂地配置。四个基板卡盘30a、30b、30c、30d等间隔地配置于旋转台20的旋转中心线20z的周围。四个基板卡盘30a、30b、30c、30d的各个基板卡盘与旋转台20一起旋转，按顺序移动至搬入搬出位置a0、第一加工位置a1、第二加工位置a2、第三加工位置a3以及搬入搬出位置a0。

搬入搬出位置a0兼作为进行带芯片组的基板100的搬入的搬入位置和进行带芯片组的基板100的搬出的搬出位置。带芯片组的基板100的搬入和带芯片组的基板100的搬出由搬送机器人3执行。此外，在本实施方式中，搬入位置与搬出位置为相同的位置，但搬入位置与搬出位置也可以是不同的位置。

搬送机器人3例如以使芯片组120的加工面125朝上的方式将带芯片组的基板100载置于基板卡盘30。基板卡盘30经由基板110来保持芯片组120。

第一加工位置a1是对芯片组120进行减薄的加工位置。芯片组120在第一加工位置a1通过第一加工部40a而被减薄。该减薄为一级加工。一级加工例如为磨削。

第二加工位置a2是对在第一加工位置a1被减薄的芯片组120进一步进行减薄的加工位置。芯片组120在第二加工位置a2通过第二加工部40b而被减薄。该减薄为二级加工。二级加工例如为磨削。在二级加工中使用的磨石的粒径比在一级加工中使用的磨石的粒径小。

第三加工位置a3是对在第二加工位置a2减薄的芯片组120进一步进行减薄的加工位置。芯片组120在第三加工位置a3通过第三加工部40c而被减薄。该减薄为三级加工。三级加工可以是磨削、研磨中的任意一方。在三级加工中使用的磨石的粒径比在二级加工中使用的磨石的粒径小。

四个基板卡盘30a、30b、30c、30d通过以各自的旋转中心线30z(参照图2)为中心自由旋转的方式安装于旋转台20。

图2是示出一个实施方式所涉及的加工部的侧视图。加工部40对芯片组120进行减薄。加工部40具备可动部41和移动驱动部50，工具4以可更换的方式安装于该可动部41，该移动驱动部50使可动部41沿与旋转台20的旋转中心线20z平行的方向(例如z轴方向)移动。

工具4与芯片组120接触来将芯片组120减薄。例如，工具4包括圆盘状的轮5和固定于轮5的与基板卡盘30相向的面(例如轮5的下表面)的磨石6。在轮5的下表面的外周部呈环状排列有多个磨石6。

图3是示出一个实施方式所涉及的带芯片组的基板与磨石的轨道之间的关系的俯视图。如图3所示，呈环状排列的多个磨石6的轨道7以从芯片组120的加工面125的中心126通过的方式设定。另外，带芯片组的基板100以芯片组120的加工面125的中心126从基板卡盘30的旋转中心线30z通过的方式被吸附于基板卡盘30。带芯片组的基板100与基板卡盘30一起以基板卡盘30的旋转中心线30z为中心进行旋转，由此通过磨石6对芯片组120的整个加工面125进行加工。

此外，在本实施方式中，在轮5的下表面的外周部呈环状排列有多个磨石6，但本公开的技术不限定于此。也可以是在轮5的整个下表面都固定有磨石6。

例如如图2所示，可动部41具有：凸缘42，工具4以可更换的方式安装于该凸缘42；主轴43，凸缘42设置于该主轴43的端部；轴承45，其将主轴43以旋转自如的方式支承；以及主轴马达46，其使主轴43旋转。主轴马达46通过使主轴43旋转来使凸缘42和工具4旋转。主轴43的旋转中心线43z与旋转台20的旋转中心线20z平行，例如铅垂地配置。

移动驱动部50使可动部41沿与旋转台20的旋转中心线20z平行的方向(例如z轴方向)移动。移动驱动部50具有：引导件51，其沿z轴方向延伸；滑动件52，其沿引导件51移动；以及马达53，其使滑动件52移动。可动部41固定于滑动件52。马达53既可以是进行旋转运动的马达，也可以是进行直线运动的马达。在马达53进行旋转运动的情况下，移动驱动部50具有将马达53的旋转运动转换为滑动件52的直线运动的滚珠丝杠。

移动驱动部50通过使可动部41下降来使安装于可动部41的工具4下降。工具4一边旋转一边下降。在工具4一边旋转一边下降的期间，基板卡盘30旋转，带芯片组的基板100与基板卡盘30一起旋转。工具4一边旋转一边下降，与芯片组120接触来将芯片组120减薄。当芯片组120的厚度达到设定值时，移动驱动部50停止使可动部41下降，从而停止使工具4下降。此时，工具4的旋转继续，不停止。之后，移动驱动部50通过使可动部41上升来使工具4与芯片组120分离。

图4是示出一个实施方式所涉及的带芯片组的基板和测定部的侧视图。基板处理装置10具有用于测定芯片组120的厚度的测定部60。测定部60例如是共焦点方式的激光位移计。共焦点方式的激光位移计向测定点p照射具有多个波长成分的白色光。白色光的焦点位置根据波长而不同。白色光中的焦点位置与测定点p一致的波长成分相比于其它波长成分而言在测定点p处被更强烈地反射。共焦点方式的激光位移计通过接收在测定点p处反射的反射光，来测定距测定点p的距离。

此外，在本实施方式中，测定部60为共焦点方式的激光位移计，但本公开的技术不限定于此。激光位移计的测定方式例如可以是共焦点方式、三角测距方式、飞行时间(timeofflight)方式、干涉方式中的任意一种方式。无论激光位移计是那种测定方式，激光位移计都是通过向测定点p照射激光光线并接收在测定点p处反射的光来测定距测定点p的距离。

芯片组120包括多个芯片121。芯片组120包括一个芯片121a和另一个芯片121b。一个芯片121a与另一个芯片121b以彼此隔开间隔的方式分别与基板110的接合面115接合。一个芯片121a与另一个芯片121b具有不同的层叠构造。

一个芯片121a具有硅晶圆等基板122a和形成于基板122a的膜123a。膜123a具有绝缘膜、导电膜以及半导体膜中的至少一方。膜123a既可以是单层构造也可以是多层构造。膜123a不被减薄，基板122a被减薄。膜123a与基板110以膜123a配置于基板122a与基板110之间的方式接合。在接合前对它们的接合面实施例如等离子体处理等表面活性化处理以及亲水化处理。此外，芯片121a可以在膜123a与基板110之间具有凸块，可以使凸块与基板110接合。

另一个芯片121b具有硅晶圆等基板122b和形成于基板122b的膜123b。膜123b具有绝缘膜、导电膜以及半导体膜中的至少一方。膜123b既可以是单层构造也可以是多层构造。膜123b不被减薄，基板122b被减薄。膜123b与基板110以膜123b配置于基板122b与基板110之间的方式接合。在接合前对它们的接合面实施例如等离子体处理等表面活性化处理以及亲水化处理。此外，芯片121b可以在膜123b与基板110之间具有凸块，可以使凸块与基板110接合。

一个芯片121a与另一个芯片121b具有不同的层叠构造。例如，一个膜123a的厚度t1与另一个膜123b的厚度t2不同。另外，减薄后的一个基板122a的厚度t3与减薄后的另一个基板122b的厚度t4不同。此外，减薄后的一个芯片121a的厚度(t1+t3)与减薄后的另一个芯片121b的厚度(t2+t4)相同。

另外，在芯片组120减薄的过程中，在通过上述专利文献1中记载的非接触式的传感器来测定作为减薄的对象的基板122a、122b的厚度t3、t4时，无法测定芯片组120的厚度。这是因为，由于上述的厚度t3、t4不同，因此即使测定上述的厚度t3、t4也无法明确芯片组120的厚度。

另外，在芯片组120减薄的过程中，难以通过上述专利文献1中记载的接触式的测定仪来测定芯片组120的厚度。这是因为，由于接触式的测定仪被按压于芯片组120的加工面125，因此会嵌入至该加工面125的槽127中。

因此，在芯片组120减薄的过程中，测定部60通过向基板110的接合面115的露出部分117照射光并接收由露出部分117反射的光，来测定从测定部60到基板110的接合面115的第一距离l1。第一距离l1不会因减薄而发生变动。

另外，在芯片组120减薄的过程中，测定部60通过向芯片组120的加工面125照射光并接收由芯片组120的加工面125反射的光，来测定从测定部60到芯片组120的加工面125的第二距离l2。第二距离l2比第一距离l1小，因减薄而逐渐变大。

测定部60求出第一距离l1与第二距离l2之差δl(δl＝l1-l2)，来作为芯片组120的厚度。在芯片组120的加工面125由于与工具4之间的接触压力而向下方移位时，基板110的接合面115被向芯片组120按压而向下方移位。第一距离l1与第二距离l2这两方均因工具4与芯片组120之间的接触压力而发生相同程度的变动。因而，与仅将第二距离l2作为表示芯片组120的厚度的参数进行管理的情况相比，能够减小芯片组120的厚度的测定误差。

如以上说明的那样，测定部60向基板110的接合面115的露出部分117照射光并接收其反射光，另外，向芯片组120的加工面125照射光并接收其反射光，因此能够测定芯片组120的厚度。另外，测定部60是不与芯片组120的加工面125接触的非接触式，因此能够避免嵌入至加工面125的槽127中。

图5是示出用于测定一个实施方式所涉及的芯片组的厚度的测定点的俯视图。此外，图5所示的多个芯片121具有相同的外形尺寸和相同的外形形状，但也可以具有不同的外形尺寸，也可以具有不同的外形形状。一个芯片121a与其它的芯片121b具有不同的层叠构造即可。关于各个芯片121的外形形状，俯视观察时可以不为矩形，例如俯视观察时可以为圆形。另外，图5所示的多个芯片121等间隔地配置，但也可以不是等间隔地配置。

测定部60在芯片组120减薄的过程中测定芯片组120的厚度。在芯片组120减薄的过程中，芯片组120与基板卡盘30一起旋转。如图3所示，测定部60以与基板卡盘30的旋转中心线30z相距固定的距离的方式配置。

如图5所示，用于测定芯片组120的厚度的测定点p在以基板卡盘30的旋转中心线30z为中心的同一个圆上隔开间隔地配置有多个。测定点p的位置是根据基板卡盘30的旋转速度、多个芯片121的配置等决定的。例如，测定点p的位置被决定为以下位置：在基板卡盘30旋转一圈的期间使第一距离l1和第二距离l2分别被测定一次以上的位置。

此外，在图5中，测定点p的个数为24个，但不限定为24个。另外，在图5中，测定点p的间距为等间距，但也可以是不等间距。另外，在图5中，每当基板卡盘30旋转360°时，测定点p的位置回到相同的位置，但每当基板卡盘30旋转360°时，测定点p的位置可以回到相同的位置，也可以回到不同的位置。

另外，在本实施方式中，测定部60的数量为一个，但也可以是多个。在测定部60的数量为多个的情况下，可以是一个测定部60仅测定第一距离l1，另一个测定部60仅测定第二距离l2。另外，在测定部60的数量为多个的情况下，一个测定部60与另一个测定部60可以配置在与基板卡盘30的旋转中心线30z相距相同的距离的位置处，也可以配置在与基板卡盘30的旋转中心线30z相距不同的距离的位置处。

并且，在本实施方式中，测定部60的位置被固定在与基板卡盘30的旋转中心线30z相距固定的距离的位置，但测定部60的位置也可以移动，以使距基板卡盘30的旋转中心线30z的距离发生变化。能够在距基板卡盘30的旋转中心线30z的距离不同的多个测定点p处测定芯片组120的厚度，从而能够测定与基板卡盘30的旋转中心线30z正交的方向上的芯片组120的厚度的分布。为了测定该分布，一个测定部60与另一个测定部60可以配置在距基板卡盘30的旋转中心线30z的距离不同的位置处。

图6是示出一个实施方式所涉及的一级加工中的第一距离l1和第二距离l2的随时间的变化的图。在图6中，t0为可动部41的下降开始时刻，t1为工具4与芯片组120的接触开始时刻，t2为可动部41的下降结束时刻。图7是将图6的区域vii放大表示的图。此外，二级加工中的第一距离l1和第二距离l2的随时间的变化、以及三级加工中的第一距离l1和第二距离l2的随时间的变化与图6所示的一级加工中的第一距离l1和第二距离l2的随时间的变化相同，因此省略图示。

移动驱动部50在时刻t0开始使可动部41下降，从而开始使安装于可动部41的工具4下降。工具4一边旋转一边下降。在工具4一边旋转一边下降的期间，基板卡盘30旋转，从而带芯片组的基板100与基板卡盘30一起旋转。由于工具4与芯片组120接触之前芯片组120不被减薄，因此第一距离l1和第二距离l2(l2＜l1)是固定的。由于工具4与芯片组120接触之前芯片组120不被减薄，因此芯片组120的厚度δl(δl＝l1-l2)也是固定的。

工具4一边旋转一边下降，在时刻t1与芯片组120接触。接下来，工具4一边旋转一边下降来将芯片组120减薄。在芯片组120减薄的过程中，由于芯片组120与工具4之间的接触压力的变动或机械振动等的影响，第一距离l1会稍微变动。测定部60一边监视第一距离l1的变动，一边求出第一距离l1与第二距离l2之差δl(δl＝l1-l2)来作为芯片组120的厚度，因此能够准确地测定芯片组120的厚度。

在芯片组120减薄的过程中，第一距离l1稍微变动，与此相对地，第二距离l2逐渐变大。芯片组120的厚度δl(δl＝l1-l2)逐渐变小。在时刻t2，芯片组120的厚度δl达到设定值δl0。在时刻t2，移动驱动部50停止使可动部41下降，从而停止使工具4下降。此外，在时刻t2，工具4的旋转不停止。之后，移动驱动部50通过使可动部41上升来使工具4与芯片组120分离。

如图1所示，基板处理装置10具备控制部90。控制部90例如由计算机构成，具备cpu(centralprocessingunit：中央处理器)91和存储器等存储介质92。在存储介质92中保存用于控制在基板处理装置10中执行的各种处理的程序。控制部90通过使cpu91执行存储介质92中存储的程序，来控制基板处理装置10的动作。另外，控制部90具备输入接口93和输出接口94。控制部90通过输入接口93接收来自外部的信号，通过输出接口94向外部发送信号。

该程序是存储于可由计算机读取的存储介质中且从该存储介质被安装至控制部90的存储介质92中的程序。作为可由计算机读取的存储介质，例如可以列举出硬盘(hd)、软盘(fd)、光盘(cd)、磁光盘(mo)、存储卡等。此外，程序可以经由网络被下载至服务器，并安装至控制部90的存储介质92。

控制部90基于测定部60的测定结果来控制加工部40。针对每个加工部40设置测定部60。第一测定部60a在第一加工位置a1测定厚度δl。第二测定部60b在第二加工位置a2测定厚度δl。第三测定部60c在第三加工位置a3测定厚度δl。

控制部90基于第一测定部60a的测定结果来控制第一加工部40a。另外，控制部90基于第二测定部60b的测定结果来控制第二加工部40b。并且，控制部90基于第三测定部60c的测定结果来控制第三加工部40c。

此外，在本实施方式中，针对每个加工部40设置测定部60，但本公开的技术不限定于此。例如，也可以针对多个加工部40设置共用的测定部60。也可以设置使测定部60在多个加工部40之间移动的移动机构。

图8是示出一个实施方式所涉及的基板处理方法的流程图。图8所示的工序是被一个基板卡盘30a保持的带芯片组的基板100的处理工序。被其它的基板卡盘30b、30c、30d保持的带芯片组的基板100的处理工序与图8所示的工序相同，因此省略图示。在控制部90的控制下，更换带芯片组的基板100并重复实施图8所示的工序s101～s105。被一个基板卡盘30a保持的带芯片组的基板100的处理工序与被其它的基板卡盘30b、30c、30d保持的带芯片组的基板100的处理工序被并行地实施。

基板处理方法包括将带芯片组的基板100搬入至基板卡盘30a的工序s101。基板卡盘30a在搬入搬出位置a0从搬送机器人3接收带芯片组的基板100，并吸附带芯片组的基板100。之后，基板卡盘30a通过与旋转台20一起旋转来从搬入搬出位置a0移动至第一加工位置a1。

基板处理方法包括对芯片组120进行一级加工的工序s102。在第一加工位置a1通过第一加工部40a来进行芯片组120的一级加工。在第一加工位置a1，对芯片组120进行减薄直至芯片组120的厚度δl达到第一设定值δl01为止。之后，基板卡盘30a通过与旋转台20一起旋转来从第一加工位置a1移动至第二加工位置a2。

基板处理方法包括对芯片组120进行二级加工的工序s103。在第二加工位置a2通过第二加工部40b来进行芯片组120的二级加工。在第二加工位置a2，对芯片组120进行减薄直至芯片组120的厚度δl达到第二设定值δl02为止。第二设定值δl02比第一设定值δl01小。之后，基板卡盘30a通过与旋转台20一起旋转来从第二加工位置a2移动至第三加工位置a3。

基板处理方法包括对芯片组120进行三级加工的工序s104。在第三加工位置a3通过第三加工部40c来进行芯片组120的三级加工。在第三加工位置a3，对芯片组120进行减薄直至芯片组120的厚度δl达到第三设定值δl03为止。第三设定值δl03比第二设定值δl02小。之后，基板卡盘30a通过与旋转台20一起旋转来从第三加工位置a3移动至搬入搬出位置a0。

基板处理方法包括将带芯片组的基板100从基板卡盘30a搬出的工序s105。基板卡盘30a在搬入搬出位置a0解除带芯片组的基板100的吸附，之后将带芯片组的基板100交接至搬送机器人3。搬送机器人3将接收到的带芯片组的基板100搬出。

图9是示出一个实施方式所涉及的一级加工的控制的流程图。在控制部90的控制下，更换带芯片组的基板100并重复实施图9所示的工序s201～s203。此外，二级加工的控制以及三级加工的控制与图9所示的一级加工的控制相同，因此省略图示。

一级加工方法例如包括工序s201，在工序s201中，通过加工部40使工具4一边旋转一边下降，直至由测定部60测定的芯片组120的厚度δl达到设定值δl0为止。工具4一边旋转一边下降，由此与芯片组120接触来将芯片组120减薄。

在此，求出第一距离l1与第二距离l2之差δl(δl＝l1-l2)来作为芯片组120的厚度δl。例如，关于基板110的接合面115的露出部分117求出在多个测定点p处进行测定得到的测定值的移动平均值，来作为第一距离l1。同样地，关于芯片组120的加工面125求出在多个测定点p处进行测定得到的测定值的移动平均值，来作为第二距离l2。

移动平均值为预先设定的长度的时间段的平均值。移动平均值可以是单纯移动平均值、加权移动平均值、指数移动平均值等中的任意一方。通过采用移动平均值，与采用各个值的情况相比能够抑制由于l1、l2的测定误差等导致的δl的变动。

一级加工方法包括工序s202，在该工序s202中，在δl达到δl01的时间点停止使工具4下降。在该工序s202中，停止使工具4下降，并且使工具4的旋转继续，不停止。这是因为，当在与芯片组120接触的状态下停止使工具4旋转时，芯片组120可能会发生破损。

一级加工方法包括使工具4上升的工序s203。根据本实施方式，通过加工部40使工具4一边旋转一边下降，直至由测定部60测定的芯片组120的厚度δl达到设定值δl0为止，因此能够将芯片组120的厚度δl减薄至设定值δl0。

图10是示出变形例所涉及的一级加工中的第一距离l1和第二距离l2的随时间的变化的图。图10所示的时间段是从工具4与芯片组120的接触开始时刻t1到可动部41的下降结束时刻t2的时间段的一部分。图11是示出变形例所涉及的一级加工的控制的流程图。在控制部90的控制下，在从工具4与芯片组120的接触开始时刻t1到可动部41的下降结束时刻t2的期间，重复实施图11所示的工序s301～s302。此外，二级加工的控制以及三级加工的控制与图11所示的一级加工的控制相同，因此省略图示。

一级加工方法例如包括通过测定部60来测定芯片组120的加工面125的位移的工序s301。求出第二距离l2的随时间的变化，来作为芯片组120的加工面125的位移。随着将芯片组120进行减薄，芯片组120的加工面125离开测定部60，因此第二距离l2变大。

一级加工方法包括基于芯片组120的加工面125的位移来判断芯片组120有无破损的工序s302。当芯片组120由于与工具4接触而发生破损时，芯片组120的加工面125离开测定部60，因此第二距离l2瞬间变大。

芯片组120有无破损例如是基于第二距离l2变大的速度是否大于阈值来判断的。基于工具4的下降速度等来设定阈值。例如，在图10所示的时刻t3，第二距离l2变大的速度大于工具4的下降速度，从而大于阈值。

当控制部90判断为芯片组120无破损时，继续进行一级加工。另一方面，当控制部90判断为芯片组120有破损时，中止进行一级加工，使工具4上升。

此外，也可以是，当控制部90判断为芯片组120有破损时，不中止进行一级加工，继续进行一级加工。也可以是，即使一部分芯片121有破损，只要大部分芯片121无破损，控制部90就继续进行一级加工。在这种情况下，一部分芯片121有破损的意思被存储于存储介质92。

以上对本公开所涉及的基板处理装置和基板处理方法的实施方式进行了说明，但本公开不限定于上述实施方式等。能够在权利要求书所记载的范围内进行各种变更、修正、置换、追加、删除以及组合。这些当然也属于本公开的技术范围。

基板110和基板122不限定为硅晶圆等半导体基板，也可以是玻璃基板等。

芯片组120的减薄通过磨石6来实现，但也可以通过激光光线的照射来实现。激光光线在构成芯片组120的基板122的内部形成变质层。变质层以与芯片组120的加工面125平行的方式隔开间隔地形成有多个。能够通过沿多个变质层将基板122分割来将芯片组120减薄。