技术总结
本实用新型公开一种片式电阻电容，包括上保护层、介质膜、电阻电极、基板、电容电极和下保护层，所述介质膜、电阻电极、基板、电容电极设置于所述上保护层与下保护层之间，所述介质膜、电阻电极、电容电极设置于所述基板上，所述介质膜上设置有所述电容电极，所述电阻电极设置于所述介质膜的一侧并与所述电容电极搭接，所述电容电极的电容值与所述电容电极的面积、介质膜的介电常数、介质膜的厚度成正比，所述电阻电极的电阻值与电阻电极的面积、电阻电极浆料方阻、介质膜的厚度成正比。本实用新型通过合理的结构设置，提高了电路元器件的安装密度，节省了空间，为元器件的体积减小提供了可能性；该片式电阻电容结构简单，易于推广使用。
技术研发人员：马镇鸿;许潇玲
受保护的技术使用者：深圳市高微科电子有限公司
技术研发日：2019.01.10
技术公布日：2019.07.26