改善带外抑制的陶瓷电介质滤波器和双工器的制作方法

本实用新型涉及无线移动通信基站、直放站等设备上使用的陶瓷电介质双工器，尤其涉及涉及一种能够改善带外抑制的陶瓷电介质滤波器和双工器。

背景技术：

随着无线移动通信技术的迅猛发展，对通信基站、直放站等设备的性能要求越来越高，其中，滤波器和双工器作为选频器件在带宽内应具有良好的通带(包括带内波动、带内损耗等)，在带宽外应具有很好的抑制能力(带外抑制)。

如图1～2所示，目前现有技术中，连体式陶瓷电介质滤波器和双工器具有由陶瓷材料成型的一体式介质块，在该介质块上同方向开设有多个贯通孔，每个贯通孔构成一个谐振腔。在该介质块的上、下、左、右四个平整的外表面上通过镀银形成外导体层，在每个贯通孔的内表面上通过镀银形成内导体层。在该介质块的后端外表面上镀银形成短路面，短路面使贯通孔内的内导体层与介质块上的外导体层电连接，介质块的前端外表面作为开放面，该开放面上对应每个贯通孔设有电路局部导体层。对于滤波器来说，在介质块的开放面上设有两个端子局部导体层，两个端子局部导体层分别靠近位于两端边缘的两个贯通孔的电路局部导体层设置，在该介质的下表面上通过两个条状结构的绝缘区域隔断形成信号输入端子和信号输出端子，该信号输入端子和信号输出端子分别与开放面上的两个端子局部导体层导电连接。对于双工器来说，在介质块的开放面上设有三个端子局部导体层，其中一个端子局部导体层靠近位于中间位置贯通孔的电路局部导体层设置，另外两个端子局部导体层分别靠近位于两端边缘的两个贯通孔的电路局部导体层设置；在该介质的下表面上通过三个条状结构的绝缘区域隔断形成发射端子、天线端子和接收端子，该天线端子、发射端子和接收端子分别与开放面上位于中间位置的端子局部导体层、位于两端的两个端子局部导体层导电连接；其中天线端子用于连接天线，发射端子用于连接发射电路，接收端子用于连接接收电路。

然而对于上述连体式陶瓷电介质滤波器和双工器，对于带外抑制有较高要求时不容易满足。以往为了提高带外抑制性能，通常需要在介质块外侧局部加装金属屏蔽罩来改善带外抑制性能，在一些特殊要求中，即使采用这种外接屏蔽措施，特定频点的带外抑制改善效果仍不理想。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是提供一种陶瓷电介质滤波器和双工器，能够提高陶瓷电介质滤波器和双工器的带外抑制效果，满足滤波器和双工器在特定频点的较高带外抑制要求。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种改善带外抑制的陶瓷电介质滤波器，包括由陶瓷材料成型的一体式介质块，所述介质块上开设有一排贯通孔，所述一排贯通孔的轴线平行、并列；每个所述贯通孔的内表面均设有金属镀层形成内导体层，在平行于贯通孔轴线的介质块外表面设有金属镀层形成外导体层；所述贯通孔其中一端所在的介质块外表面设有金属镀层形成短路面，所述内导体层和外导体层通过短路面导电连接；所述贯通孔另一端所在的介质块外表面形成开放面，所述开放面上对应每个贯通孔均设有电路局部导体层，所述电路局部导体层与内导体层导电连接；所述开放面上还设有两个端子局部导体层，分别为端子局部导体层一和端子局部导体层二；所述介质块上形成外导体层的其中一个外表面上设有两个绝缘部，所述两个绝缘部将其所在外表面的外导体层隔断形成信号输入端子和信号输出端子，所述信号输入端子和信号输出端子分别与端子局部导体层一和端子局部导体层二导电连接，所述端子局部导体层一或/和端子局部导体层二设置在相邻两电路局部导体层之间；所述开放面上还设有端子延伸导体层，所述端子延伸导体层与端子局部导体层一或/和端子局部导体层二导电连接。

本实用新型一个较佳实施例中，进一步包括所述介质块为横卧放置的长方体结构，所述一排贯通孔水平横向设置在长方体结构的介质块上。

本实用新型一个较佳实施例中，进一步包括所述电路局部导体层为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属导体层；所述端子局部导体层一和端子局部导体层二均为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属导体层；所述端子延伸导体层为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属导体层。

为了解决上述技术问题，本实用新型还提供了一种改善带外抑制的陶瓷电介质双工器，包括由陶瓷材料成型的一体式介质块，所述介质块上开设有一排贯通孔，所述一排贯通孔的轴线平行、并列；每个所述贯通孔的内表面均设有金属镀层形成内导体层，在平行于贯通孔轴线的介质块外表面设有金属镀层形成外导体层；所述贯通孔其中一端所在的介质块外表面设有金属镀层形成短路面，所述内导体层和外导体层通过短路面导电连接；所述贯通孔另一端所在的介质块外表面形成开放面，所述开放面上对应每个贯通孔均设有电路局部导体层，所述电路局部导体层与内导体层导电连接；所述开放面上还设有三个端子局部导体层；分别为端子局部导体层一、端子局部导体层二和端子局部导体层三，所述介质块上形成外导体层的其中一个外表面上设有三个绝缘部，所述三个绝缘部将其所在外表面的外导体层隔断形成发射端子、接收端子和天线端子，所述发射端子、接收端子和天线端子分别与端子局部导体层一、端子局部导体层二和端子局部导体层三导电连接，所述端子局部导体层一或/和端子局部导体层二设置在相邻两电路局部导体层之间；所述开放面上还设有端子延伸导体层，所述端子延伸导体层与端子局部导体层一或/和端子局部导体层二导电连接。

本实用新型一个较佳实施例中，进一步包括所述介质块为横卧放置的长方体结构，所述一排贯通孔水平横向设置在长方体结构的介质块上。

本实用新型一个较佳实施例中，进一步包括所述电路局部导体层为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属导体层；所述端子局部导体层一、端子局部导体层二和端子局部导体层三均为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属导体层；所述端子延伸导体层为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属导体层。

本实用新型的有益效果：本实用新型的陶瓷电介质滤波器和双工器，能够提高陶瓷电介质滤波器和双工器的带外抑制效果，满足滤波器和双工器在特定频点的较高带外抑制要求。

附图说明

图1是现有技术中陶瓷电介质滤波器的结构示意图；

图2是图1所示陶瓷电介质滤波器绝缘部所在介质块外表面的结构示意图；

图3是图1所示陶瓷电介质滤波器的幅频特性图；

图4是本实用新型优选实施例中陶瓷电介质滤波器的结构示意图；

图5是图4所示陶瓷电介质滤波器绝缘部所在介质块外表面的结构示意图；

图6是图4所示陶瓷电介质滤波器的幅频特性图；

图7是本实用新型优选实施例中陶瓷电介质双工器第一视角的结构示意图；

图8是本实用新型优选实施例中陶瓷电介质双工器第二视角的结构示意图。

图中标号说明：图中标号说明：2-介质块，4-贯通孔，6-内导体层，8-外导体层，10-短路面，12-开放面，14-电路局部导体层，15-端子局部导体层一，16-端子局部导体层二，17-端子局部导体层三，18-绝缘部，20-信号输入端子，22-信号输出端子，24-端子延伸导体部，26-发射端子，28-天线端子，30-接收端子。

另，图2和图6的幅频特性曲线中，横坐标为频率(MHz)，纵坐标为衰减(dB)。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本实用新型并能予以实施，但所举实施例不作为对本实用新型的限定。

实施例一

参照图4～5所示，本实施例公开一种改善带外抑制的陶瓷电介质滤波器，包括由陶瓷材料成型的一体式介质块2，介质块2为横卧放置的长方体结构，该长方体结构的介质块2上开设有一排贯通孔4，一排贯通孔4水平横向设置在长方体结构的介质块2上，上述一排贯通孔的轴线平行、并列；每个上述贯通孔4的内表面均设有金属镀层形成内导体层6，在平行于贯通孔4轴线的介质块外表面设有金属镀层形成外导体层8；上述贯通孔4其中一端所在的介质块外表面设有金属镀层形成短路面10，上述内导体层6和外导体层8通过短路面10导电连接；上述贯通孔4另一端所在的介质块外表面形成开放面12，上述开放面12上对应每个贯通孔4均设有电路局部导体层14，上述电路局部导体层14与内导体层6导电连接；上述开放面12上还设有两个端子局部导体层，分别为端子局部导体层一15和端子局部导体层二16；上述介质块上形成外导体层的其中一个外表面上设有两个绝缘部18，上述两个绝缘部将其所在外表面的外导体层隔断形成信号输入端子20和信号输出端子22，上述信号输入端子20和信号输出端子22分别与端子局部导体层一15和端子局部导体层二16导电连接，上述端子局部导体层一15或/和端子局部导体层二16设置在相邻两电路局部导体层14之间；上述开放面12上还设有端子延伸导体层24，上述端子延伸导体层24与端子局部导体层一15或/和端子局部导体层二16导电连接。

上述滤波器技术方案中的有关内容解释如下：

(1)端子局部导体层一15、端子局部导体层二16以及端子延伸导体层24的设置方式：

A：端子局部导体层一15设置在相邻两电路局部导体层14之间时，部分的端子局部导体层一15设置在位于边缘的两个相邻贯通孔4之间，部分的端子局部导体层一15靠近该两个贯通孔4其中一个所对应的电路局部导体层设置。

B：端子局部导体层二16设置在相邻两电路局部导体层14之间时，部分的端子局部导体层一16设置在位于边缘的两个相邻贯通孔4之间，部分的端子局部导体层一15靠近该两个贯通孔4其中一个所对应的电路局部导体层设置。

C：端子局部导体层一15和端子局部导体层二16设置在相邻两电路局部导体层14之间时，部分的端子局部导体层一15设置在位于其中一个边缘的两个相邻贯通孔4之间，部分的端子局部导体层一15靠近该两个贯通孔4其中一个所对应的电路局部导体层设置；部分的端子局部导体层一16设置在位于另一个边缘的两个相邻贯通孔4之间，部分的端子局部导体层一15靠近该两个贯通孔4其中一个所对应的电路局部导体层设置。

D：端子局部导体层一15设置在相邻两电路局部导体层之间形成如图6所示的陷波点A；端子局部导体层二16设置在相邻两电路局部导体层形成如图6所示的陷波点C；端子局部导体层一15和端子延伸导体层24导电连接形成如图6所示的陷波点B。理论上端子延伸导体层24设置得越多，产生的陷波点越多，特定频点处改善带外抑制的性能越好。

对比图3和图6，本申请的陶瓷电介质滤波器，陷波点A、B、C对应频点的带外抑制性能相较于现有技术中相同频点的带外抑制性能较大提升。同时滤波器位于BD段、EC段所对应频率段内的带外抑制性能也有较大提升。

(2)各个电路局部导体层14之间；电路局部导体层14和端子局部导体层一15、端子局部导体层二16之间；电路局部导体层14与外导体层8之间，以及端子局部导体层一15、端子局部导体层二16与外导体层8之间都具有绝缘间隙。

(3)上述电路局部导体层14为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属导体层；上述端子局部导体层一15和端子局部导体层二16均为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属导体层；上述端子延伸导体层24为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属导体层。

(4)上述金属镀层可以镀银、镀金、镀铜或镀铝，其中，镀银和镀铜更容易实施，而且制成的滤波器的性能更好。

实施例二

参照图7所示，本实施例公开一种改善带外抑制的陶瓷电介质双工器，包括由陶瓷材料成型的一体式介质块2，上述介质块2为横卧放置的长方体结构，该长方体结构的介质块2上开设有一排贯通孔4，一排贯通孔4水平横向设置在长方体结构的介质块2上，上述一排贯通孔的轴线平行、并列；每个上述贯通孔4的内表面均设有金属镀层形成内导体层6，在平行于贯通孔4轴线的介质块外表面设有金属镀层形成外导体层8；上述贯通孔4其中一端所在的介质块外表面设有金属镀层形成短路面10，上述内导体层6和外导体层8通过短路面10导电连接；上述贯通孔4另一端所在的介质块外表面形成开放面12，上述开放面12上对应每个贯通孔4均设有电路局部导体层14，上述电路局部导体层14与内导体层6导电连接；上述开放面12上还设有三个端子局部导体层；分别为端子局部导体层一15、端子局部导体层二16和端子局部导体层三17，上述介质块2上形成外导体层的其中一个外表面上设有三个绝缘部18，上述三个绝缘部将其所在外表面的外导体层隔断形成发射端子26、接收端子30和天线端子28，上述发射端子26、接收端子30和天线端子28分别与端子局部导体层一15、端子局部导体层二16和端子局部导体层三17导电连接，上述端子局部导体层一15或/和端子局部导体层二16设置在相邻两电路局部导体层14之间；上述开放面12上还设有端子延伸导体层24，上述端子延伸导体层24与端子局部导体层一15或/和端子局部导体层二16导电连接。

上述双工器技术方案中的有关内容解释如下：

(1)各个电路局部导体层14之间、电路局部导体层14和端子局部导体层16之间、电路局部导体层14与外导体层8之间，以及端子局部导体层16与外导体层8之间都具有绝缘间隙。

(2)上述电路局部导体层14为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属导体层；上述端子局部导体层一15、端子局部导体层二16和端子局部导体层三17均为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属导体层；上述端子延伸导体层24为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属导体层。

(3)上述金属镀层可以镀银、镀金、镀铜或镀铝，其中，镀银和镀铜更容易实施，而且制成的滤波器的性能更好。

(4)上述双工器具有三个端子，即发射端子26、接收端子30和天线端子28，其中天线端子28用于连接天线，发射端子26用于连接发送电路，接收端子30用于连接接收电路，在天线端子28与发射端子26之间构成发射端滤波器，在天线端子28与接收端子30之间沟通接收端滤波器。

(5)上述双工器的发射端滤波器和接收端滤波器的性能同实施例一种的滤波器，其带外抑制性能的改善同实施例一中的描述，此处不再赘述。

以上所述实施例仅是为充分说明本实用新型而所举的较佳的实施例，本实用新型的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本实用新型基础上所作的等同替代或变换，均在本实用新型的保护范围之内。本实用新型的保护范围以权利要求书为准。