一种引线框架蚀刻模具的制作方法

本实用新型涉及半导体芯片引线框架制造领域，具体涉及一种引线框架蚀刻模具。

背景技术：

引线框架是半导体封装的基础材料，其作为集成电路的芯片载体，借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，起到和外部导线连接的桥梁作用。其主要功能就是为电路连接、散热、机械支撑等作用。目前集成电路的主要发展趋势是高密度、高脚位、薄型化、小型化，封装方式从最初的DIP封装方式逐步向SOP、QFP、BGA、CSP、QFN等封装方式发展。

蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻和干蚀刻两类。最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版，也广泛地被使用于减轻重量(Weight Reduction)仪器镶板，铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工；经过不断改良和工艺设备发展，亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工，特别在半导体制程上，蚀刻更是不可或缺的技术。

目前在开发封装框架新产品的过程中，最常见最重要的设计是直角处补偿形状的画法。框架里面直角处的设计一般都延续以前的做法，做角形状设计。然而角形状的间隙从角尾至角尖线线之间间隙越来越小，设置0.5MIL线宽后线线间隙会更小，已超出显影的制程能力范围，由于显影不均匀导致出现蚀刻不均匀、定柱偏肥的问题很普遍，内引脚处尤为突出。而且这种角形画法比较复杂。在制作0.4PITCH的框架时，会出现定柱波动大和形状偏肥的现象，对产品质量造成很大的影响。

技术实现要素：

本实用新型提供了一种引线框架蚀刻模具，将第二引脚的第二内引脚设计为为线性直线状，并设置为1.4Mil线宽，可以加大间隙使得显影均匀，获得定柱尺寸可以有效控制的0.4PITCH蚀刻框架，且作图时方便高效，产品良率明显提高，连脚比例降低。

本实用新型采用的技术方案如下：

一种引线框架蚀刻模具，所述模具包括若干组模具组件，所述模具组件包括第一引脚、位于第一引脚之间的第二引脚；所述第一引脚和第二引脚之间通过连接筋固定连接在同一直线上；所述第二引脚的末端均设为角型端，所述角型端依次包括第一内引脚、第二内引脚，所述第二内引脚为线性直线状。

本技术方案的工作原理和过程如下：

本实用新型中的所述引线框架蚀刻模具是引线框架制造工艺中蚀刻步骤中所需的蚀刻模具，蚀刻模具用于制造出与蚀刻模具一致的凹凸图文或间隙于引线框架内；所述蚀刻模具上的第一引脚、第二引脚、连接筋、角型端与制造出的引线框架内的第一引脚、第二引脚、连接筋、角型端是一模一样的，所以设计出精良的引线框架蚀刻模具就等于将被制造的引线框架的引脚定型固定。所以，第二引脚的第二内引脚为线性直线状，相较于现有技术中的触角状的设计，线性直线状的设计加大间隙使得显影均匀，获得定柱尺寸可以有效控制的0.4PITCH蚀刻框架。在制作引线框架QFN(0404-0.40)028-0001蚀刻模具时，用新的这种设计技术制作的玻璃模生产该款引线框架，并与之前现有技术设计的模具生产的该款引线框架进行统计对比，从我司制造三部生产报表里统计出旧设计和新设计的良率分别为：61％和87％，其中连脚比例分别为：9.88％和2.1％，明显良率提高，连脚比例降低。

进一步地，线性直线状的所述第二内引脚的线宽为1.4Mil。触角状第二内引脚从角尾至角尖线线之间间隙越来越小，设置第二内引脚0.5MIL线宽后线线间隙会更小，已超出显影的制程能力范围，由于显影不均匀导致出现蚀刻不均匀、定柱偏肥的问题很普遍，内引脚处尤为突出。而且这种角形画法比较复杂。在制作0.4PITCH的框架时，会出现定柱波动大和形状偏肥的现象，对产品质量造成很大的影响。但是线性直线状的第二内引脚，设置为1.4Mil线宽。如此可以加大间隙使得显影均匀，获得定柱尺寸可以有效控制的0.4PITCH蚀刻框架，避免了定柱波动和形状偏肥的现象。

进一步地，所述模具组件共四组，所述角型端朝外、所述连接筋朝内，四组所述模具组件围成四方形。四组模具组件共同构成引线框架的引脚部分，为后续实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接。

进一步地，所述第二引脚为六组，均布于模具组件两端的第一引脚之间。

进一步地，相邻第一引脚和第二引脚以及相邻第一引脚之间设有圆形模块。圆形模块对应引线框架的圆形间隙，为后续电气连接提供连接点。

进一步地，四组所述模具组件构成的四方形的四角处均设有星型模块。星型模模块对应引线框架的星型间隙，为后续电气连接提供连接点。

综上所述，本实用新型相较于现有技术的有益效果是：

(1)本实用新型中创新性地将第二引脚的第二内引脚为线性直线状，且设计为1.4Mil线宽，替代了以前复杂的触角形，可以获得均匀的显影尺寸，并能够解决0.4PITCH框架定柱偏肥和定柱波动大的问题；

(2)本实用新型中蚀刻模具采用这种新的设计能提高良率，提高产品质量；在制作引线框架QFN(0404-0.40)028-0001蚀刻模具时，用新的这种设计技术制作的玻璃模生产该款引线框架，并与之前触角形技术设计的模具生产的该款引线框架进行统计对比，从我司制造三部生产报表里统计出旧设计和新设计的良率分别为：61％和87％，其中连脚比例分别为：9.88％和2.1％，明显良率提高，连脚比例降低。

附图说明

图1是现有技术中引线框架蚀刻模具的结构示意图

图2是现有技术中引线框架蚀刻模具的局部放大图

图3是本实用新型中引线框架蚀刻模具的结构示意图

图4是本实用新型中引线框架蚀刻模具的局部放大图

图中标记为：1-模具组件，2-第一引脚，3-第二引脚，4-连接筋，5-角型端，6-第一内引脚，7-第二内引脚，8-圆形模块，9-星型模块。

具体实施方式

本说明书中公开的所有特征，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。

为了使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合图1-4和具体的实施例对本实用新型作进一步的详细说明。

实施例1

一种引线框架蚀刻模具，所述模具包括若干组模具组件1，所述模具组件1包括第一引脚2、位于第一引脚2之间的第二引脚3；所述第一引脚2和第二引脚3之间通过连接筋4固定连接在同一直线上；所述第二引脚3的末端均设为角型端5，所述角型端5依次包括第一内引脚6、第二内引脚7，所述第二内引脚7为线性直线状。

本实用新型中的所述引线框架蚀刻模具是引线框架制造工艺中蚀刻步骤中所需的蚀刻模具，蚀刻模具用于制造出与蚀刻模具一致的凹凸图文或间隙于引线框架内；所述蚀刻模具上的第一引脚2、第二引脚3、连接筋4、角型端5与制造出的引线框架内的第一引脚2、第二引脚3、连接筋4、角型端5是一模一样的，所以设计出精良的引线框架蚀刻模具就等于将被制造的引线框架的引脚定型固定。所以，第二引脚3的第二内引脚7为线性直线状，相较于现有技术中的触角状的设计，线性直线状的设计加大间隙使得显影均匀，获得定柱尺寸可以有效控制的0.4PITCH蚀刻框架。在制作引线框架QFN(0404-0.40)028-0001蚀刻模具时，用新的这种设计技术制作的玻璃模生产该款引线框架，并与之前现有技术设计的模具生产的该款引线框架进行统计对比，从我司制造三部生产报表里统计出旧设计和新设计的良率分别为：61％和87％，其中连脚比例分别为：9.88％和2.1％，明显良率提高，连脚比例降低。

实施例2

基于实施例1，线性直线状的所述第二内引脚7的线宽为1.4Mil。触角状第二内引脚7从角尾至角尖线线之间间隙越来越小，设置第二内引脚70.5MIL线宽后线线间隙会更小，已超出显影的制程能力范围，由于显影不均匀导致出现蚀刻不均匀、定柱偏肥的问题很普遍，内引脚处尤为突出。而且这种角形画法比较复杂。在制作0.4PITCH的框架时，会出现定柱波动大和形状偏肥的现象，对产品质量造成很大的影响。但是线性直线状的第二内引脚7，设置为1.4Mil线宽。如此可以加大间隙使得显影均匀，获得定柱尺寸可以有效控制的0.4PITCH蚀刻框架，避免了定柱波动和形状偏肥的现象。

实施例3

基于实施例1，所述模具组件1共四组，所述角型端5朝外、所述连接筋4朝内，四组所述模具组件1围成四方形。四组模具组件1共同构成引线框架的引脚部分，为后续实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接。

实施例4

基于实施例1，所述第二引脚3为六组，均布于模具组件1两端的第一引脚2之间。

实施例5

基于实施例1，相邻第一引脚2和第二引脚3以及相邻第一引脚2之间设有圆形模块8。圆形模块8对应引线框架的圆形间隙，为后续电气连接提供连接点。

实施例6

基于实施例1，四组所述模具组件1构成的四方形的四角处均设有星型模块9。星型模模块对应引线框架的星型间隙，为后续电气连接提供连接点。

以上所述实施例仅表达了本申请的具体实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请保护范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请技术方案构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。