半导体激光器光谱合束倍频装置的制作方法

本实用新型涉及激光设备领域，具体地说，涉及一种半导体激光器光谱合束倍频装置。

背景技术：

半导体激光器有着成本低，寿命长，体积小，可靠性高等优点，在工业加工，泵浦，医疗，通信等方面都有广泛的应用前景。能否进一步提高半导体激光器的亮度是制约半导体激光器未来发展的一个重要因素。激光光束的亮度由输出功率的大小和光束质量决定，功率越大，光束质量越好，亮度就越高，半导体激光器的应用领域也更加广泛。另外，对于一些特定波长的半导体激光器，其输出功率有限且价格十分高昂；且由于目前半导体技术的局限性，例如波长532nm或一些紫外短波长的半导体激光器还未能实现。因此，利用激光二极管合束提高功率及功率密度，再对合束激光进行倍频而获得倍频激光是一种理想选择。

合束技术是当前实现高亮度半导体激光器的常用手段，常规合束技术包括偏振合束、波长合束和光纤合束等。偏振合束通过偏振相关器件将两个偏振方向的光合为一束，亮度只能提高到两倍，一般配合其他合束技术使用；波长合束受到镀膜技术的限制，合束单元数一般不超过5个，对功率和亮度的提高也有限；光纤合束对激光的NA存在限制，多束激光合束会降低效率且光纤耦合过程中存在一定损耗。

对于激光倍频，倍频光的输出功率与基频光的功率、光束质量相关。对于半导体激光器的倍频，如何提高半导体激光功率与其光束质量成为获得更高倍频效率的关键因素。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型提供一种半导体激光器光谱合束倍频装置，将光谱合束技术与倍频技术结合，获得高功率和高效率的激光倍频输出。

根据本实用新型的一个方面，提供一种半导体激光器光谱合束倍频装置，包括沿光束传播方向依次排列的用于发出多路平行光束的半导体激光器、用于聚焦各路光束的变换透镜、用于耦合各路光束的衍射光栅，所述半导体激光器位于所述变换透镜的前焦面，所述衍射光栅的中心与所述变换透镜的后焦点重合；以及用于倍频光束的倍频晶体和用于输出光束的输出耦合镜，所述倍频晶体位于所述衍射光栅的输出光路上，所述输出耦合镜位于所述倍频晶体的输出光路上，所述输出耦合镜镀有反射基频光并增透倍频光的膜。

优选地，上述的半导体激光器光谱合束倍频装置中，沿光束传播方向，所述输出耦合镜的前表面镀有基频光反射膜和倍频光增透膜，后表面镀有倍频光增透膜；所述基频光反射膜的反射率为5％～30％，所述倍频光增透膜的透射率大于99％。

优选地，上述的半导体激光器光谱合束倍频装置还包括：第一透镜，位于所述衍射光栅与所述倍频晶体之间，所述第一透镜用于将所述衍射光栅输出的合束光聚焦至所述倍频晶体；和/或第二透镜，位于所述倍频晶体与所述输出耦合镜之间，所述第二透镜用于准直所述倍频晶体输出的倍频光和基频光，及将所述输出耦合镜反射的基频光聚焦至所述倍频晶体。

优选地，上述的半导体激光器光谱合束倍频装置中，所述第一透镜为非球面透镜、球面透镜或渐变折射率透镜；所述第二透镜为非球面透镜、球面透镜或渐变折射率透镜。

优选地，上述的半导体激光器光谱合束倍频装置中，沿光束传播方向，所述倍频晶体的前表面镀有基频光增透膜和倍频光高反膜，后表面镀有基频光增透膜和倍频光增透膜；所述基频光增透膜的透射率大于99％，所述倍频光高反膜的反射率大于99％，所述倍频光增透膜的透射率大于99％。

优选地，上述的半导体激光器光谱合束倍频装置中，所述倍频晶体是KTP非线性晶体、LBO非线性晶体或BBO非线性晶体；或者所述倍频晶体是PPLN周期性晶体、或PPKTP周期性晶体。

优选地，上述的半导体激光器光谱合束倍频装置中，所述衍射光栅为透射式光栅或反射式光栅，且所述衍射光栅在1级或-1级次的衍射效率大于90％。

优选地，上述的半导体激光器光谱合束倍频装置中，所述变换透镜的作用方向为慢轴，所述变换透镜选自：单个球面柱透镜、多个球面柱透镜组成的透镜组、单个非球面柱透镜、或多个非球面柱透镜组成的透镜组。

优选地，上述的半导体激光器光谱合束倍频装置还包括：光束整形元件，位于所述半导体激光器与所述变换透镜之间，所述光束整形元件用于准直所述半导体激光器发出的多路平行光束；所述光束整形元件选自：快轴准直镜、快轴准直镜和慢轴准直镜的组合、或快轴准直镜和45°斜柱透镜阵列的组合。

优选地，上述的半导体激光器光谱合束倍频装置中，所述半导体激光器的前端面反射率小于1％，后腔面反射率大于95％；所述半导体激光器选自：沿水平方向排列的多个半导体激光器单管、沿水平方向排列的多个发光单元形成的半导体激光器阵列、沿水平方向排列的多个半导体激光器阵列、沿竖直方向排列的多个半导体激光器单管、沿竖直方向排列的多个发光单元形成的半导体激光器阵列、或沿竖直方向排列的多个半导体激光器阵列。

本实用新型与现有技术相比的有益效果在于：

通过衍射光栅实现对半导体激光器输出的多路光束的光谱合束，提高半导体激光器的输出功率和亮度，及进入倍频晶体内激光的功率密度；

通过输出耦合镜反射基频光并增透倍频光，使大部分基频光获得倍频，提高倍频晶体的转换效率，从而获得高功率和高效率的激光倍频输出。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本实用新型。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本实用新型的实施例，并与说明书一起用于解释本实用新型的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出本实用新型实施例中第一种半导体激光器光谱合束倍频装置的示意图；

图2示出本实用新型实施例中第二种半导体激光器光谱合束倍频装置的示意图；

图3示出本实用新型实施例中第三种半导体激光器光谱合束倍频装置的示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本实用新型将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。

图1至图3示出实施例中三种半导体激光器光谱合束倍频装置的示意图。结合图1至图3所示，在本实用新型的一些实施例中，半导体激光器光谱合束倍频装置包括：

沿光束传播方向依次排列的用于发出多路平行光束的半导体激光器1、用于聚焦各路光束的变换透镜3、用于耦合各路光束的衍射光栅4，半导体激光器1位于变换透镜3的前焦面，衍射光栅4的中心与变换透镜3的后焦点重合；以及用于倍频光束的倍频晶体6和用于输出光束的输出耦合镜8，倍频晶体6位于衍射光栅4的输出光路上，输出耦合镜8位于倍频晶体6的输出光路上，输出耦合镜8镀有反射基频光并增透倍频光的膜。

本实用新型的半导体激光器光谱合束倍频装置工作时，半导体激光器1发出的多路平行光束经变换透镜3聚焦至衍射光栅4，并经衍射光栅4耦合为合束光，合束光经倍频晶体6倍频并经输出耦合镜8输出。通过衍射光栅4压缩光谱，使谱宽控制在半导体增益介质的增益范围和衍射光栅4的高效率衍射范围内，实现对半导体激光器1输出的多路光束的光谱合束，提高激光输出功率和亮度；得益于衍射光栅4的衍射合束作用，能够在一定的增益带宽内加入更多的合束单元，提高光谱合束功率和亮度，且合束后为单模激光，使倍频晶体6获得高功率的合束光，从而产生高功率的倍频激光。通过输出耦合镜8反射基频光、并增透倍频光，使大部分基频光返回倍频晶体6获得倍频，提高基频光的转换效率，从而获得高功率和高效率的激光倍频输出。

其中，光谱合束是一种新颖的半导体激光合束技术，通过外腔反馈作用和衍射光栅4的色散作用将半导体激光器1的各个发光单元锁定在不同的波长，从而获得相同的衍射角实现合束。光谱合束的优点在于：其一，将半导体激光器1的各路输出光合束，实现功率的叠加，同时光束质量能保持为单个发光单元的高光束质量，极大地提高了半导体激光器1的亮度；其二，多个发光单元可以共用合束元件，不限制合束单元数量，能够大幅降低成本，在大功率半导体激光器领域应用时有更大的优势。

进一步的，在优选的实施例中，沿光束传播方向，输出耦合镜8的前表面8a镀有基频光反射膜和倍频光增透膜，后表面8b镀有倍频光增透膜。基频光反射膜的反射率约为5％～30％，倍频光增透膜的透射率大于99％。得益于前表面8a镀的基频光反射膜和倍频光增透膜，以及后表面8b镀的倍频光增透膜，经倍频晶体6倍频后的倍频光通过输出耦合镜8输出，基频光反射至倍频晶体6再次倍频，以提高倍频晶体6的转换效率，使大部分基频光获得倍频，得到高效率的激光倍频输出。

进一步优选的，在一些实施例中，半导体激光器光谱合束倍频装置还包括：第一透镜5，位于衍射光栅4与倍频晶体6之间，第一透镜5用于将衍射光栅4输出的合束光聚焦至倍频晶体6。合束光经过第一透镜5的聚焦，进入倍频晶体6中具有更高的功率密度，同时也能提高倍频晶体6的转换效率。第二透镜7，位于倍频晶体6与输出耦合镜8之间，第二透镜7用于准直倍频晶体6输出的倍频光束和基频光束，以及将输出耦合镜8反射的基频光束聚焦至倍频晶体6。通过第二透镜7的聚焦，倍频晶体6输出的倍频光束垂直入射至输出耦合镜8并输出，由输出耦合镜8反射的基频光束再次聚焦进入倍频晶体6，提高倍频晶体6内激光的功率密度和转换效率。第一透镜5和第二透镜7均可选自非球面透镜、球面透镜或渐变折射率透镜。

进一步的，在一些实施例中，沿光束传播方向，倍频晶体6的前表面6a镀有基频光增透膜和倍频光高反膜，后表面6b镀有基频光增透膜和倍频光增透膜。基频光增透膜的透射率大于99％，倍频光高反膜的反射率大于99％，倍频光增透膜的透射率大于99％。得益于前表面6a镀的基频光增透膜和倍频光高反膜，以及后表面6b镀的基频光增透膜和倍频光增透膜，倍频晶体6能够高效率接收衍射光栅4输出的基频光束和输出耦合镜8反射的基频光束，使基频光束在倍频晶体6内获得倍频，并高效率输出，从而提高倍频晶体6的倍频效率。

倍频晶体6可以是非线性晶体，如KTP(磷酸氧钛钾)、LBO(偏硼酸锂)、BBO(偏硼酸钡)等非线性晶体。也可以是周期性晶体，如PPLN(周期性极化铌酸锂)、PPKTP(周期性极化磷酸氧钛钾)等周期性晶体，周期结构晶体具有更高的非线性系数，可以获得更高的倍频效率。

衍射光栅4可以是透射式光栅或反射式光栅，且衍射光栅4在1级或-1级次的衍射效率大于90％。图1和图3所示的衍射光栅4为透射式光栅，图2所示的衍射光栅4为反射式光栅。不管是透射式光栅还是反射式光栅，其在1级或-1级次的衍射效率均大于90％，使半导体激光器1发出的各路光束经变换透镜3汇聚后在衍射光栅4上具有相同的位置和衍射角，实现合束。如上所述，得益于衍射光栅4的衍射作用，半导体激光器1的输出光束可以在合理范围内根据实际需求增加，以提高激光强度。在一些实施例中，半导体激光器1可以选自：沿水平方向排列的多个半导体激光器单管、沿水平方向排列的多个发光单元形成的半导体激光器阵列、沿水平方向排列的多个半导体激光器阵列、沿竖直方向排列的多个半导体激光器单管、沿竖直方向排列的多个发光单元形成的半导体激光器阵列、或沿竖直方向排列的多个半导体激光器阵列。半导体激光器1及其发光单元的个数可根据实际需求增加，增加合束单元的数量可以提高激光强度。

其中，水平方向和竖直方向相垂直，且共同形成垂直于半导体激光器1的光束输出方向的平面，半导体激光器1输出的各路光束的光轴相互平行。在优选的实施例中，半导体激光器1的前端面1a反射率小于1％，后腔面1b反射率大于95％。

进一步的，在优选的实施例中，半导体激光器光谱合束倍频装置还包括：光束整形元件2，位于半导体激光器1与变换透镜3之间，光束整形元件2用于准直半导体激光器1发出的多路平行光束，使变换透镜3获得更好的聚焦效果。光束整形元件2可以选自：快轴准直镜、快轴准直镜和慢轴准直镜的组合、或快轴准直镜和45°斜柱透镜阵列的组合。变换透镜3的作用方向为慢轴，变换透镜3可以选自：单个球面柱透镜、多个球面柱透镜组成的透镜组、单个非球面柱透镜、或多个非球面柱透镜组成的透镜组。其中，一光束整形元件2对应一半导体激光器1，整个半导体激光器光谱合束倍频装置共用一变换透镜3和一衍射光栅4，以减小半导体激光器光谱合束倍频装置的体积。

上述各实施例描述的半导体激光器光谱合束倍频装置实现激光光谱合束和倍频的过程包括：由半导体激光器1发出的在半导体激光器1内腔经振荡的多路平行光束经光束整形元件2准直后入射至变换透镜3。变换透镜3将各路光束分别聚焦至衍射光栅4，衍射光栅4设于变换透镜3的后焦点处，使各路光束在衍射光栅4上具有相同的位置和衍射角，实现合束。通过衍射光栅4压缩光谱实现谱宽控制在半导体增益介质的增益范围和衍射光栅4的高效率衍射范围内，实现对半导体激光器1输出的多路光束的光谱合束，提高激光输出功率和亮度。合束后的激光通过第一透镜5聚焦进入倍频晶体6，提高倍频晶体6内的功率密度和倍频效率。倍频晶体6对激光进行倍频，获得所需波长的倍频光。经倍频晶体6的倍频光和基频光通过第二透镜7聚焦垂直入射至输出耦合镜8。输出耦合镜8通过增透倍频光和反射基频光，使获得倍频的激光输出、未获得倍频的激光返回倍频晶体6再次倍频，提高倍频晶体6的转换效率。其中，详细的获得高功率和高效率激光倍频输出的过程可参照上述各个实施例的描述，此处不再赘述。

综上，本实用新型通过衍射光栅4实现光谱合束，提高半导体激光器1的输出功率和亮度，及进入倍频晶体6内激光的功率密度；通过第一透镜5和第二透镜7提高倍频晶体6的倍频效率；通过输出耦合镜8反射基频光并增透倍频光，使大部分基频光获得倍频，提高倍频晶体6的转换效率，从而获得高功率和高效率的激光倍频输出。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。