1.一种集成电路，其特征在于，包括：
掺杂有第一导电类型的半导体阱；和
至少一个电容元件，包括：
位于所述半导体阱上方的第一导电层，所述第一导电层形成第一电容器电极；
所述第一导电层上方的第二导电层；和
高度掺杂有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的表面区域，所述表面区域位于所述半导体阱中并且位于所述半导体阱的表面处并且位于所述第一导电层下方；和
电极间电介质区域，将所述第一导电层从所述第二导电层和所述表面区域中的每个分离；
其中所述第二导电层和所述表面区域形成第二电容器电极。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述表面区域在所述阱的面对所述第一导电层的整个表面之上延伸。
3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述表面区域的厚度小于10nm。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述表面区域的厚度小于5nm。
5.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述电极间电介质区域包括在所述第一导电层和所述表面区域之间的第一电介质层，以及在所述第一导电层和所述第二导电层之间的第二电介质层。
6.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述电容元件还包括：高度掺杂有所述第一导电类型的第一触点，将所述半导体阱电连接到所述第二电容器电极；以及高度掺杂有所述第二导电类型的第二触点，将所述表面区域电连接到所述第二电容器电极。
7.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述至少一个电容元件形成以下项中的一项：去耦电容器、补偿电路或射频信号滤波器电容器。