箔带式低压双分裂绕组变压器的制作方法

本实用新型涉及变压器技术领域，特别是涉及一种箔带式低压双分裂绕组变压器。

背景技术：

分裂式绕组变压器是指每相由一个高压绕组与两个或多个电压和容量均相同的低压绕组构成的多绕组电力变压器。分裂变压器正常的电能传输尽在高、低压绕组之间进行，而在故障时则具有限制短路电流的作用。

现有的双分裂变压器结构为低压为轴向分裂为两组绕组，为内绕组，低压两个绕组轴向排布；高压为一绕组，外绕组，可设计为一个整体结构。只能适用于无分裂运行工况的变压器，如图1所示。而当变压器需要满足具有分裂运行工况的要求时，需要设计成内绕组为低压，轴向分裂为两组，高压也在轴向分布为两组绕组与其低压绕组在位置上对应，高压上下两组并联，如图2所示。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是，克服现有技术的缺点，提供一种箔带式低压双分裂绕组变压器，高压绕组无须设为上下并联两组就能满足于无分裂运行工况也可满足于有分裂运行工况。

为了解决以上技术问题，本实用新型的技术方案如下：

一种箔带式低压双分裂绕组变压器，包括铁芯以及绕设在所述铁芯上的绕组，所述绕组包括低压绕组和高压绕组，所述低压绕组分为第一低压绕组和第二低压绕组，所述第一低压绕组包括若干条沿所述铁芯的轴向互相平行的第一箔带，所述第一箔带的一端连接至所述第一低压绕组的首端接线排，另一端连接至所述第一低压绕组的末端接线排；所述第二低压绕组包括若干条沿所述铁芯的轴向互相平行的第二箔带，所述第二箔带的一端连接至所述第二低压绕组的首端接线排，另一端连接至所述第二低压绕组的末端接线排；其中，所述第一箔带与所述第二箔带沿所述铁芯的轴向交错绕设于所述铁芯上。

作为本实用新型所述箔带式低压双分裂绕组变压器的一种优选方案，其中：相邻的所述第一箔带与所述第二箔带之间留有间隙。

作为本实用新型所述箔带式低压双分裂绕组变压器的一种优选方案，其中：相邻的所述第一箔带与所述第二箔带之间的间隙内设置有段间绝缘带。

作为本实用新型所述箔带式低压双分裂绕组变压器的一种优选方案，其中：沿所述铁芯的轴向，位于端部的所述第一箔带或所述第二箔带的端部设置有端绝缘带。

作为本实用新型所述箔带式低压双分裂绕组变压器的一种优选方案，其中：所述段间绝缘带以及所述端绝缘带均为采用预浸dmd作为绝缘材料。

本实用新型的有益效果是：

（1）本实用新型采用两组交错绕设在铁芯上箔带作为低压绕组，将第一低压绕组和第一低压绕组通过交错排布的方式使两绕组在轴向上平均分布，使每一组的电抗高度均可做到与高压绕组电抗高度趋于一致。如此，每一组低压与高压绕组两者之间的安匝排布都是均衡的。无论是单独运行第一低压绕组还是单独运行第一低压绕组，还是两者同时运行，因高低压间的电抗高度变化不大，始终是保持着相对均衡的安匝，因此无论是无分裂运行还是分裂运行均适用；

（２）本实用新型在相邻的第一箔带与第二箔带之间设置段间绝缘带，并在端部的箔带上设置端绝缘带，保证了两组低压绕组之间的绝缘性能。

（３）可依据现有箔带进行自由组合、调配，缩短整张箔材的加工周期；更利于保证成品交货期。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为现有的双分裂变压器的绕组示意图；

图2为现有的双分裂变压器的另一种绕组示意图；

图3为本实用新型提供的箔带式低压双分裂绕组变压器的绕组示意图；

图4为本实用新型提供的箔带式低压双分裂绕组变压器的低压绕组的绕设示意图；

图5为图4中低压绕组的展开示意图；

其中：1、铁芯；2、第一箔带；3、第二箔带；4、段间绝缘带；5、端绝缘带。

具体实施方式

为使本实用新型的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施方式并结合附图，对本实用新型作出进一步详细的说明。

现有的双分裂变压器结构为低压为轴向分裂为两组绕组，为内绕组，高压为外绕组，可设计为一个整体结构。低压绕组轴向排布，高压为一绕组，只能适用于无分裂运行工况的变压器，如图1所示。而当变压器需要满足具有分裂运行工况的要求时，需要设计成内绕组为低压，轴向分裂为两组，高压也在轴向分布为两组绕组与其低压绕组在位置上对应，高压两组并联，如图2所示，结构较为复杂。

参见图3～图5，鉴于此，本实施例提供了一种箔带式低压双分裂绕组变压器，包括铁芯1以及绕设在铁芯1上的绕组，其中，绕组包括低压绕组和高压绕组，低压绕组为内绕组，高压绕组为外绕组。低压绕组又分为第一低压绕组和第二低压绕组，第一低压绕组和第二低压绕组均由若干条箔带绕制，

具体的，第一低压绕组包括若干条沿铁芯1的轴向互相平行第一箔带2，若干条第一箔带2沿铁芯1的轴向绕设于铁芯1上，相邻的第一箔带2之间留有间隔。所有第一箔带2的一端均连接至第一低压绕组的首端接线排，即a1接线排，第一箔带2的另一端连接至第一低压绕组的末端接线排，即x1接线排。

第二低压绕组包括若干条沿铁芯1的轴向互相第二箔带3，若干条第二箔带3沿铁芯1的轴向绕设于铁芯1上，第二箔带3均平行于第一箔带2。所有第二箔带3的一端均连接至第二低压绕组的首端接线排，即a2接线排，第二箔带3的另一端均连接至第二低压绕组的末端接线排，即x2接线排。相邻的第二箔带3之间也留有间隔，使第二箔带3与第一箔带2交错绕设于铁芯1上。最上端的第一箔带2靠近铁芯1的上端，其余的第一箔带2均位于相邻的两条第二箔带3之间的间隔内；最下端的第二箔带3靠近铁芯1的下端，其余的第二箔带3均位于相邻的两条第一箔带2之间的间隔内。

需要说明的是，相邻的第一箔带2与第二箔带3之间也留有间隙。

还需要说明的是，每组低压绕组中箔带的宽度保持一致，且两组低压绕组中箔带的总高度保持一致，使两组低压绕组的电抗高度一致，且绕组辐向一致，保证两组低压绕组的阻抗趋于一致。

其中，在相邻的第一箔带2与第二箔带3之间的间隙内设置有段间绝缘带4。另外，沿铁芯1的轴向，位于最上端的第一箔带2的上端设置有端绝缘带5，位于最下端的第二箔带3的下端也设置有端绝缘带5。

较佳的，段间绝缘带4与端绝缘带5均采用预浸dmd作为绝缘材料。

需要说明的是，第一箔带2数量以及第二箔带3的数量根据情况可调整，数量愈多相应漏磁组也就越多，低压两组间的漏抗也就越小，其分裂系数也就越小。

因此，本实用新型将第一低压绕组和第二低压绕组通过交错排布的方式使两绕组在轴向上平均分布，使每一组的电抗高度均可做到与高压绕组电抗高度趋于一致。如此，每一组低压与高压绕组两者之间的安匝排布都是均衡的。无论是单独运行第一低压绕组还是单独运行第一低压绕组，还是两者同时运行，因高低压间的电抗高度变化不大，始终是保持着相对均衡的安匝。因此无论是无分裂运行还是分裂运行均适用。

除上述实施例外，本实用新型还可以有其他实施方式；凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本实用新型要求的保护范围。