一种CPU顶盖的制作方法

本实用新型涉及cpu领域，具体涉及一种cpu顶盖。

背景技术：

中央处理器（cpu），是电子计算机的主要设备之一，电脑中的核心配件。其功能主要是解释计算机指令以及处理计算机软件中的数据。cpu是计算机中负责读取指令，对指令译码并执行指令的核心部件。中央处理器主要包括两个部分，即控制器、运算器，其中还包括高速缓冲存储器及实现它们之间联系的数据、控制的总线。电子计算机三大核心部件就是cpu、内部存储器、输入/输出设备。中央处理器的功效主要为处理指令、执行操作、控制时间、处理数据。

其中世界两大cpu产业巨头intel（牙膏厂）及amd所生产的cpu其性能在不断提高，cpu的发热量也在不断增加，虽然现在的7纳米的生产工艺能有效减少发热量，但其高频率、多核心的旗舰级cpu在超频状态下的发热依旧很大，从而对散热器散热效果也提出了要求，因此带k的盒装旗舰级cpu一般不会随盒附送原厂散热器（因为无法达到散热需求，同时考虑成本），需要用户自行购买；现有的散热器散热方式分两种，分别是风冷和水冷，对于发热量大的cpu一般用户会选择顶级风冷或选用水冷散热器，但是就算散热器散热效果再好，cpu芯片散发的热量从产生至散发均是需要经过以下流程：芯片→硅脂（钎焊）→cpu顶盖→硅脂→风冷/水冷散热器底座，cpu顶盖及散热器底座一般采用导热系数好的铜制成，但是在芯片与cpu顶盖之间、cpu顶盖与散热器底座之间还是需要利用硅脂来填补间隙传递热量，虽然intel和amd有过将芯片与cpu顶盖之间通过钎焊的方式代替硅脂实现更高效的热传递，但是对于cpu顶盖与风冷/水冷散热器底座之间依旧是以硅脂填充导热为主。

硅脂的导热系数一般在6w/m.k，市面上最高的也就13.5w/m.k；硅脂的导热系数大幅影响了cpu的散热性能，因此就产生了一种新型导热材料（液金），液金也称之为镓基合金，是一种银色金属色泽膏体，常温下状态近似水银，其导热系数极佳，标号可达到128w/m.k，导热系数接近导热硅脂的20倍，在cpu顶盖与散热器底座之间填充液金后，超频状态下的温度能比普通硅脂下降20度，散热效果显著提升，但是选用液金作为导热介质会存在一定的风险，液金属于金属，具有导电性，如填充过多或防护措施未做好，容易造成液金泄漏，流至cpu插座或主板的电气元件上，轻则电脑无法开机，重则烧主板烧cpu；为此很多用户采取在cpu周围涂布大量硅脂进行防护，在散热器底座压紧于cpu顶盖上时能及时阻挡液金的漏出，但这会导致大量的硅脂粘附于cpu顶盖周围甚至cpu插座上以及cpu扣具上，在后期更换或维护升级cpu时会变得极为麻烦；在cpu频率越来越高，核心数越来越多的当今发展趋势来看，硅脂终将面临被淘汰的厄运，而液金散热将逐步提上日程，也将被intel及amd所认可，以代替硅脂散热，成为新世纪一个全新的装机导热材料，因此在液金防泄漏方面势必会成为一个新难题。

技术实现要素：

基于上述问题，本实用新型目的在于提供一种导热系数及密封性好，有效避免液金泄漏，便于后期清理维护的cpu顶盖。

针对以上问题，提供了如下技术方案：一种cpu顶盖，包括盖体，所述盖体与散热器相接触的顶面上设有环绕盖体开设的下沉沟槽。

上述结构中，在涂抹液金时将液金涂抹在位于下沉沟槽环绕范围内的盖体表面上，在散热器压于盖体表面时，多余的液金将被挤压到下沉沟槽内暂存，能有效避免液金受挤压流至盖体外部，虽然开设下沉沟槽后的盖体相比未开设下沉沟槽的盖体接触面积（导热面积）会略微减小，但是芯片与盖体相接触的面积只有指甲盖大小，其热量传递最快的是芯片至散热器之间的垂直距离（即盖体厚度），而位于与芯片接触之外的盖体位置是通过横向传递热量实现散热，就是说距离芯片越远位置，其盖体真正能起到的导热效果越差，热传递效率自然没有盖体中心位置直达散热器来得快，只要保证盖体表面的中心位置或靠近中心处能通过液金进行导热，其在液金的作用下相比硅脂提升20倍的导热效率自然能忽略掉因开设下沉沟槽后削减盖体表面的导热面积带来的导热效率的略微下降问题。

本实用新型进一步设置为，所述下沉沟槽呈“口”字形或“o”字形开设。

上述结构中，环绕盖体顶部外轮廓开设的下沉沟槽能尽可能提高盖体中心位置与散热器之间填充液金后的接触面积，在液金填充两者间细小间隙后能保证高效的导热效率。

本实用新型进一步设置为，所述下沉沟槽为两条及以上时，所述下沉沟槽环绕尺寸逐级缩小且彼此同心套设于盖体表面。

上述结构中，能对挤压出的液金进行分级存储，或者在最外侧的下沉沟槽内填充硅脂来阻挡液金与空气的接触及泄漏，减少挥发及氧化。

本实用新型进一步设置为，最外侧的下沉沟槽上设有一圈密封垫环，所述密封垫环的顶部高于盖体中心位置的顶面。

上述结构中，在散热器压于盖体上时能与密封垫环接触隔绝空气，减少液金的挥发及氧化，同时能进一步提高下沉沟槽对液金的防泄漏效果。

本实用新型进一步设置为，所述密封垫环为导热硅胶垫。

上述结构中，在起到密封的同时提高导热面积。

本实用新型进一步设置为，最外侧的下沉沟槽位于盖体的顶面与侧壁交界处。

上述结构中，将最外侧的下沉沟槽外移至盖体的顶面与侧壁交界处，有利于提高盖体与散热器相接触的有效导热面积。

本实用新型进一步设置为，所述盖体与散热器相接触的表面呈矩形或圆形，所述盖体的顶面与侧面交界处设有外倒角或外倒圆；所述盖体为矩形时、外倒角或外倒圆位于盖体与散热器相接触的表面的边角位置处。

上述结构中，外倒角或外倒圆作为撬动支撑点，便于后期分离彼此粘附的盖体与散热器。

本实用新型进一步设置为，所述盖体为铜材或铝材，所述盖体表面设有沉积层。

上述结构中，盖体为铝质时，液金会对铝质盖体产生侵蚀，沉积层能有效避免盖体氧化或直接与液金接触。

本实用新型进一步设置为，所述沉积层为镀镍层、镀锌层、镀银层或镀铬层。

上述结构中，镀镍层、镀锌层、镀银层或镀铬层表面可进行钝化或磷化处理，以进一步减少液金的侵蚀作用，沉积层优选为镀镍层。

本实用新型进一步设置为，所述下沉沟槽槽深为0.2mm-3mm之间，其槽深小于盖体厚度。

上述结构中，下沉沟槽优选槽深为1.5mm，能保证盖体整体强度的同时提供足够的存储空间存储挤压溢出的液金。

一种cpu顶盖，包括盖体，所述盖体与散热器相接触的顶面上设有环绕盖体开设的下沉沟槽。

上述结构中，在涂抹液金时将液金涂抹在位于下沉沟槽环绕范围内的盖体表面上，在散热器压于盖体表面时，多余的液金将被挤压到下沉沟槽内暂存，能有效避免液金受挤压流至盖体外部，虽然开设下沉沟槽后的盖体相比未开设下沉沟槽的盖体接触面积（导热面积）会略微减小，但是芯片与盖体相接触的面积只有指甲盖大小，其热量传递最快的是芯片至散热器之间的垂直距离（即盖体厚度），而位于与芯片接触之外的盖体位置是通过横向传递热量实现散热，就是说距离芯片越远位置，其盖体真正能起到的导热效果越差，热传递效率自然没有盖体中心位置直达散热器来得快，只要保证盖体表面的中心位置或靠近中心处能通过液金进行导热，其在液金的作用下相比硅脂提升20倍的导热效率自然能忽略掉因开设下沉沟槽后削减盖体表面的导热面积带来的导热效率的略微下降问题。

本实用新型进一步设置为，所述下沉沟槽呈“口”字形或“o”字形开设。

上述结构中，环绕盖体顶部外轮廓开设的下沉沟槽能尽可能提高盖体中心位置与散热器之间填充液金后的接触面积，在液金填充两者间细小间隙后能保证高效的导热效率。

本实用新型进一步设置为，所述下沉沟槽为两条及以上时，所述下沉沟槽环绕尺寸逐级缩小且彼此同心套设于盖体表面。

上述结构中，能对挤压出的液金进行分级存储，或者在最外侧的下沉沟槽内填充硅脂来阻挡液金与空气的接触及泄漏，减少挥发及氧化。

本实用新型进一步设置为，最外侧的下沉沟槽位于盖体的顶面与侧壁交界处。

上述结构中，安装散热器前在最外侧的下沉沟槽上涂抹硅脂，将散热器压于盖体上时能利用硅脂隔绝空气，减少液金的挥发及氧化，同时提高导热面积。

本实用新型进一步设置为，所述盖体与散热器相接触的表面呈矩形或圆形，所述盖体的顶面与侧面交界处设有外倒角或外倒圆；所述盖体为矩形时、外倒角或外倒圆位于盖体与散热器相接触的表面的边角位置处。

上述结构中，外倒角或外倒圆作为撬动支撑点，便于后期分离彼此粘附的盖体与散热器。

本实用新型进一步设置为，所述盖体为铜材或铝材，所述盖体表面设有沉积层。

上述结构中，盖体为铝质时，液金会对铝质盖体产生侵蚀，沉积层能有效避免盖体氧化或直接与液金接触。

本实用新型进一步设置为，所述沉积层为镀镍层、镀锌层、镀银层或镀铬层。

上述结构中，镀镍层、镀锌层、镀银层或镀铬层表面可进行钝化或磷化处理，以进一步减少液金的侵蚀作用，沉积层优选为镀镍层。

本实用新型进一步设置为，所述下沉沟槽槽深为0.2mm-3mm之间，其槽深小于盖体厚度。

上述结构中，下沉沟槽优选槽深为1.5mm，能保证盖体整体强度的同时提供足够的存储空间存储挤压溢出的液金。

一种cpu顶盖，包括盖体，所述盖体与散热器相接触的顶面上设有环绕盖体开设的下沉沟槽。

上述结构中，在涂抹液金时将液金涂抹在位于下沉沟槽环绕范围内的盖体表面上，在散热器压于盖体表面时，多余的液金将被挤压到下沉沟槽内暂存，能有效避免液金受挤压流至盖体外部，虽然开设下沉沟槽后的盖体相比未开设下沉沟槽的盖体接触面积（导热面积）会略微减小，但是芯片与盖体相接触的面积只有指甲盖大小，其热量传递最快的是芯片至散热器之间的垂直距离（即盖体厚度），而位于与芯片接触之外的盖体位置是通过横向传递热量实现散热，就是说距离芯片越远位置，其盖体真正能起到的导热效果越差，热传递效率自然没有盖体中心位置直达散热器来得快，只要保证盖体表面的中心位置或靠近中心处能通过液金进行导热，其在液金的作用下相比硅脂提升20倍的导热效率自然能忽略掉因开设下沉沟槽后削减盖体表面的导热面积带来的导热效率的略微下降问题。

本实用新型进一步设置为，所述下沉沟槽呈“口”字形或“o”字形开设。

上述结构中，环绕盖体顶部外轮廓开设的下沉沟槽能尽可能提高盖体中心位置与散热器之间填充液金后的接触面积，在液金填充两者间细小间隙后能保证高效的导热效率。

本实用新型进一步设置为，所述下沉沟槽位于盖体的顶面与侧壁交界处。

上述结构中，安装散热器前在最外侧的下沉沟槽上涂抹硅脂，将散热器压于盖体上时能利用硅脂隔绝空气，减少液金的挥发及氧化，同时提高导热面积。

本实用新型进一步设置为，所述下沉沟槽上设有一圈密封垫环，所述密封垫环的顶部高于盖体中心位置的顶面。

上述结构中，在散热器压于盖体上时能与密封垫环接触隔绝空气，减少液金的挥发及氧化，同时能进一步提高下沉沟槽对液金的防泄漏效果。

本实用新型进一步设置为，所述密封垫环为导热硅胶垫，所述密封垫环中心区域空缺面积轮廓大于开设下沉沟槽后的盖体的顶面面积。

上述结构中，导热硅胶垫能起到密封的同时满足一定的辅助导热效果；密封垫环中心区域空缺面积轮廓大于开设下沉沟槽后的盖体的顶面面积能为挤压出的液金提供存贮空间，避免外溢。

本实用新型进一步设置为，所述盖体与散热器相接触的表面呈矩形或圆形，所述盖体的顶面与侧面交界处设有外倒角或外倒圆；所述盖体为矩形时、外倒角或外倒圆位于盖体与散热器相接触的表面的边角位置处。

上述结构中，外倒角或外倒圆作为撬动支撑点，便于后期分离彼此粘附的盖体与散热器。

本实用新型进一步设置为，所述盖体为铜材或铝材，所述盖体表面设有沉积层。

上述结构中，盖体为铝质时，液金会对铝质盖体产生侵蚀，沉积层能有效避免盖体氧化或直接与液金接触。

本实用新型进一步设置为，所述沉积层为镀镍层、镀锌层、镀银层或镀铬层。

上述结构中，镀镍层、镀锌层、镀银层或镀铬层表面可进行钝化或磷化处理，以进一步减少液金的侵蚀作用，沉积层优选为镀镍层。

本实用新型进一步设置为，所述下沉沟槽槽深为0.2mm-3mm之间，其槽深小于盖体厚度。

上述结构中，下沉沟槽优选槽深为1.5mm，能保证盖体整体强度的同时提供足够的存储空间存储挤压溢出的液金。

本实用新型的有益效果：在涂抹液金时将液金涂抹在位于下沉沟槽环绕范围内的盖体表面上，在散热器压于盖体表面时，多余的液金将被挤压到下沉沟槽内暂存，能有效避免液金受挤压流至盖体外部，虽然开设下沉沟槽后的盖体相比未开设下沉沟槽的盖体接触面积（导热面积）会略微减小，但是芯片与盖体相接触的面积只有指甲盖大小，其热量传递最快的是芯片至散热器之间的垂直距离（即盖体厚度），而位于与芯片接触之外的盖体位置是通过横向传递热量实现散热，就是说距离芯片越远位置，其盖体真正能起到的导热效果越差，热传递效率自然没有盖体中心位置直达散热器来得快，只要保证盖体表面的中心位置或靠近中心处能通过液金进行导热，其在液金的作用下相比硅脂提升20倍的导热效率自然能忽略掉因开设下沉沟槽后削减盖体表面的导热面积带来的导热效率的略微下降问题；彻底杜绝液金的泄漏，也能有效隔绝液金的挥发及氧化，大幅提高使用寿命；有效杜绝液金泄漏给用户带来的损失，同时减少防护用硅脂的涂抹量，便于后期清理维护。

附图说明

图1为本实用新型单条下沉沟槽状态下的盖体结构示意图。

图2为本实用新型单条下沉沟槽状态下的盖体局部剖结构示意图。

图3为本实用新型多条下沉沟槽状态下的盖体局部剖结构示意图。

图4为本实用新型多条下沉沟槽状态下的盖体结构示意图。

图5为本实用新型多条下沉沟槽状态下下沉沟槽设置于盖体的顶面与侧壁交界处的盖体局部剖结构示意图。

图6为本实用新型单条下沉沟槽状态下下沉沟槽设置于盖体的顶面与侧壁交界处的盖体局部剖结构示意图。

图7为本实用新型图3的a部放大结构示意图。

图8为本实用新型图4的b部放大结构示意图。

图9为本实用新型图5的c部放大结构示意图。

图10为本实用新型图6的d部放大结构示意图。

图中标号含义：10-盖体；101-顶面；102-侧壁；103-外倒角；104-外倒圆；11-下沉沟槽；12-密封垫环；a-芯片。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。

实施例1

参考图1至5、图7至图9，如图1及图2所示的一种cpu顶盖，包括盖体10，所述盖体10与散热器相接触的顶面101上设有环绕盖体10开设的下沉沟槽11。

上述结构中，在涂抹液金时将液金涂抹在位于下沉沟槽11环绕范围内的盖体10表面上，在散热器压于盖体10表面时，多余的液金将被挤压到下沉沟槽11内暂存，能有效避免液金受挤压流至盖体10外部，虽然开设下沉沟槽11后的盖体10相比未开设下沉沟槽11的盖体10接触面积（导热面积）会略微减小，但是芯片a与盖体10相接触的面积只有指甲盖大小，其热量传递最快的是芯片a至散热器之间的垂直距离（即盖体10厚度），而位于与芯片a接触之外的盖体10位置是通过横向传递热量实现散热，就是说距离芯片a越远位置，其盖体10真正能起到的导热效果越差，热传递效率自然没有盖体10中心位置直达散热器来得快，只要保证盖体10表面的中心位置或靠近中心处能通过液金进行导热，其在液金的作用下相比硅脂提升20倍的导热效率自然能忽略掉因开设下沉沟槽11后削减盖体10表面的导热面积带来的导热效率的略微下降问题。

本实施例中，所述下沉沟槽11呈“口”字形或“o”字形开设。

上述结构中，环绕盖体10顶部外轮廓开设的下沉沟槽11能尽可能提高盖体10中心位置与散热器之间填充液金后的接触面积，在液金填充两者间细小间隙后能保证高效的导热效率。

如图3至图5、图7至图9所示的，所述下沉沟槽11为两条及以上时，所述下沉沟槽11环绕尺寸逐级缩小且彼此同心套设于盖体10表面。

上述结构中，能对挤压出的液金进行分级存储，或者在最外侧的下沉沟槽11内填充硅脂来阻挡液金与空气的接触及泄漏，减少挥发及氧化。

本实施例中，最外侧的下沉沟槽11上设有一圈密封垫环12，所述密封垫环12顶部高于盖体10中心位置的顶面101（0.1mm-1mm）。

上述结构中，在散热器压于盖体10上时能与密封垫环12接触隔绝空气，减少液金的挥发及氧化，同时能进一步提高下沉沟槽11对液金的防泄漏效果。

本实施例中，所述密封垫环12为导热硅胶垫。

上述结构中，在起到密封的同时提高导热面积。

本实施例中，最外侧的下沉沟槽11位于盖体10的顶面101与侧壁102交界处。

上述结构中，将最外侧的下沉沟槽11外移至盖体10的顶面101与侧壁102交界处，有利于提高盖体10与散热器相接触的有效导热面积。

本实施例中，所述盖体10与散热器相接触的表面呈矩形或圆形，所述盖体10的顶面101与侧面102交界处设有外倒角103或外倒圆104；所述盖体10为矩形时、外倒角103或外倒圆104位于盖体10与散热器相接触的表面的边角位置处。

上述结构中，外倒角103或外倒圆104作为撬动支撑点，便于后期分离彼此粘附的盖体10与散热器。

本实施例中，所述盖体10为铜材或铝材，所述盖体10表面设有沉积层（图中未示出）。

上述结构中，盖体10为铝质时，液金会对铝质盖体10产生侵蚀，沉积层能有效避免盖体10氧化或直接与液金接触。

本实施例中，所述沉积层为镀镍层、镀锌层、镀银层或镀铬层。

上述结构中，镀镍层、镀锌层、镀银层或镀铬层表面可进行钝化或磷化处理，以进一步减少液金的侵蚀作用，沉积层优选为镀镍层。

本实施例中，所述下沉沟槽11槽深为0.2mm-3mm之间，其槽深小于盖体10厚度。

上述结构中，下沉沟槽11优选槽深为1.5mm，能保证盖体10整体强度的同时提供足够的存储空间存储挤压溢出的液金。

本实用新型的有益效果：彻底杜绝液金的泄漏，也能有效隔绝液金的挥发及氧化，大幅提高使用寿命；有效杜绝液金泄漏给用户带来的损失，同时减少防护用硅脂的涂抹量，便于后期清理维护，并通过设置密封垫环12来辅助增加密封性。

实施例2

参考图1至5、图7至图9，如图1及图2所示的一种cpu顶盖，包括盖体10，所述盖体10与散热器相接触的顶面101上设有环绕盖体10开设的下沉沟槽11。

上述结构中，在涂抹液金时将液金涂抹在位于下沉沟槽11环绕范围内的盖体10表面上，在散热器压于盖体10表面时，多余的液金将被挤压到下沉沟槽11内暂存，能有效避免液金受挤压流至盖体10外部，虽然开设下沉沟槽11后的盖体10相比未开设下沉沟槽11的盖体10接触面积（导热面积）会略微减小，但是芯片a与盖体10相接触的面积只有指甲盖大小，其热量传递最快的是芯片a至散热器之间的垂直距离（即盖体10厚度），而位于与芯片a接触之外的盖体10位置是通过横向传递热量实现散热，就是说距离芯片a越远位置，其盖体10真正能起到的导热效果越差，热传递效率自然没有盖体10中心位置直达散热器来得快，只要保证盖体10表面的中心位置或靠近中心处能通过液金进行导热，其在液金的作用下相比硅脂提升20倍的导热效率自然能忽略掉因开设下沉沟槽11后削减盖体10表面的导热面积带来的导热效率的略微下降问题。

本实施例中，所述下沉沟槽11呈“口”字形或“o”字形开设。

上述结构中，环绕盖体10顶部外轮廓开设的下沉沟槽11能尽可能提高盖体10中心位置与散热器之间填充液金后的接触面积，在液金填充两者间细小间隙后能保证高效的导热效率。

如图3至图5、图7至图9所示的，所述下沉沟槽11为两条及以上时，所述下沉沟槽11环绕尺寸逐级缩小且彼此同心套设于盖体10表面。

上述结构中，能对挤压出的液金进行分级存储，或者在最外侧的下沉沟槽11内填充硅脂来阻挡液金与空气的接触及泄漏，减少挥发及氧化。

本实施例中，最外侧的下沉沟槽11位于盖体10的顶面101与侧壁102交界处。

上述结构中，安装散热器前在最外侧的下沉沟槽11上涂抹硅脂，将散热器压于盖体10上时能利用硅脂隔绝空气，减少液金的挥发及氧化，同时提高导热面积。

本实施例中，所述盖体10与散热器相接触的表面呈矩形或圆形，所述盖体10的顶面101与侧面交界处设有外倒角103或外倒圆104；所述盖体10为矩形时、外倒角103或外倒圆104位于盖体10与散热器相接触的表面的边角位置处。

上述结构中，外倒角103或外倒圆104作为撬动支撑点，便于后期分离彼此粘附的盖体10与散热器。

本实施例中，所述盖体10为铜材或铝材，所述盖体10表面设有沉积层。

上述结构中，盖体10为铝质时，液金会对铝质盖体10产生侵蚀，沉积层能有效避免盖体10氧化或直接与液金接触。

本实施例中，所述沉积层为镀镍层、镀锌层、镀银层或镀铬层。

上述结构中，镀镍层、镀锌层、镀银层或镀铬层表面可进行钝化或磷化处理，以进一步减少液金的侵蚀作用，沉积层优选为镀镍层。

本实施例中，所述下沉沟槽11槽深为0.2mm-3mm之间，其槽深小于盖体10厚度。

上述结构中，下沉沟槽11优选槽深为1.5mm，能保证盖体10整体强度的同时提供足够的存储空间存储挤压溢出的液金。

本实用新型的有益效果：彻底杜绝液金的泄漏，也能有效隔绝液金的挥发及氧化，大幅提高使用寿命；有效杜绝液金泄漏给用户带来的损失，同时减少防护用硅脂的涂抹量，便于后期清理维护，舍去密封垫环12（将图中密封垫环12舍去即可），通过多个下沉沟槽11容纳液金。

实施例3

参考图1及图2、图6及图10，如图1及图2、图6及图10所示的一种cpu顶盖，包括盖体10，所述盖体10与散热器相接触的顶面101上设有环绕盖体10开设的下沉沟槽11。

上述结构中，在涂抹液金时将液金涂抹在位于下沉沟槽11环绕范围内的盖体10表面上，在散热器压于盖体10表面时，多余的液金将被挤压到下沉沟槽11内暂存，能有效避免液金受挤压流至盖体10外部，虽然开设下沉沟槽11后的盖体10相比未开设下沉沟槽11的盖体10接触面积（导热面积）会略微减小，但是芯片a与盖体10相接触的面积只有指甲盖大小，其热量传递最快的是芯片a至散热器之间的垂直距离（即盖体10厚度），而位于与芯片a接触之外的盖体10位置是通过横向传递热量实现散热，就是说距离芯片a越远位置，其盖体10真正能起到的导热效果越差，热传递效率自然没有盖体10中心位置直达散热器来得快，只要保证盖体10表面的中心位置或靠近中心处能通过液金进行导热，其在液金的作用下相比硅脂提升20倍的导热效率自然能忽略掉因开设下沉沟槽11后削减盖体10表面的导热面积带来的导热效率的略微下降问题。

本实施例中，所述下沉沟槽11呈“口”字形或“o”字形开设。

上述结构中，环绕盖体10顶部外轮廓开设的下沉沟槽11能尽可能提高盖体10中心位置与散热器之间填充液金后的接触面积，在液金填充两者间细小间隙后能保证高效的导热效率。

本实施例中，所述下沉沟槽11位于盖体10的顶面101与侧壁102交界处。

上述结构中，安装散热器前在最外侧的下沉沟槽11上涂抹硅脂，将散热器压于盖体10上时能利用硅脂隔绝空气，减少液金的挥发及氧化，同时提高导热面积。

本实施例中，所述下沉沟槽11上设有一圈密封垫环12，所述密封垫环12的顶部101高于盖体10中心位置的顶面101（0.1mm-1mm）。

上述结构中，在散热器压于盖体10上时能与密封垫环12接触隔绝空气，减少液金的挥发及氧化，同时能进一步提高下沉沟槽11对液金的防泄漏效果。

本实施例中，所述密封垫环12为导热硅胶垫，所述密封垫环12中心区域空缺面积轮廓大于开设下沉沟槽11后的盖体10的顶面101面积。

上述结构中，导热硅胶垫能起到密封的同时满足一定的辅助导热效果；密封垫环12中心区域空缺面积轮廓大于开设下沉沟槽11后的盖体10的顶面101面积能为挤压出的液金提供存贮空间，避免外溢。

本实施例中，所述盖体10与散热器相接触的表面呈矩形或圆形，所述盖体10的顶面101与侧面交界处设有外倒角103或外倒圆104；所述盖体10为矩形时、外倒角103或外倒圆104位于盖体10与散热器相接触的表面的边角位置处。

上述结构中，外倒角103或外倒圆104作为撬动支撑点，便于后期分离彼此粘附的盖体10与散热器。

本实施例中，所述盖体10为铜材或铝材，所述盖体10表面设有沉积层。

上述结构中，盖体10为铝质时，液金会对铝质盖体10产生侵蚀，沉积层能有效避免盖体10氧化或直接与液金接触。

本实施例中，所述沉积层为镀镍层、镀锌层、镀银层或镀铬层。

上述结构中，镀镍层、镀锌层、镀银层或镀铬层表面可进行钝化或磷化处理，以进一步减少液金的侵蚀作用，沉积层优选为镀镍层。

本实施例中，所述下沉沟槽11槽深为0.2mm-3mm之间，其槽深小于盖体10厚度。

上述结构中，下沉沟槽11优选槽深为1.5mm，能保证盖体10整体强度的同时提供足够的存储空间存储挤压溢出的液金。

本实用新型的有益效果：通过密封垫环12或涂抹硅脂来有效隔绝液金的挥发及氧化，大幅提高使用寿命；有效杜绝液金泄漏给用户带来的损失，同时减少防护用硅脂的涂抹量，便于后期清理维护。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，上述假设的这些改进和变型也应视为本实用新型的保护范围。