1.一种用于形成氧化物的涂覆液，所述涂覆液包括：
硅(si)；和
b元素，所述b元素是至少一种碱土金属，
其中，当si元素的浓度由camg/l表示，并且所述b元素的总浓度由cbmg/l表示时，所述涂覆液中钠(na)和钾(k)的总浓度为(ca+cb)/(1×102)mg/l或更低，并且所述涂覆液中铬(cr)、钼(mo)、锰(mn)、铁(fe)、钴(co)、镍(ni)和铜(cu)的总浓度为(ca+cb)/(1×102)mg/l或更低。
2.根据权利要求1所述的用于形成氧化物的涂覆液，其中，当si元素的浓度由camg/l表示，并且所述b元素的总浓度由cbmg/l表示时，所述涂覆液中钠(na)和钾(k)的总浓度为(ca+cb)/(1×104)mg/l或更低，并且所述涂覆液中铬(cr)、钼(mo)、锰(mn)、铁(fe)、钴(co)、镍(ni)和铜(cu)的总浓度为(ca+cb)/(1×104)mg/l或更低。
3.根据权利要求1或2所述的用于形成氧化物的涂覆液，其中，所述涂覆液还包括c元素，所述c元素是选自由铝(al)和硼(b)所组成的组中的至少一种。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的用于形成氧化物的涂覆液，其中，所述涂覆液包括选自由si或所述b元素的无机盐、si或所述b元素的氧化物、si或所述b元素的氢氧化物、si或所述b元素的卤化物、硅或所述b元素的金属络合物以及硅或所述b元素的有机盐所组成的组中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的用于形成氧化物的涂覆液，其中，所述无机盐包括选自由硝酸盐、硫酸盐、碳酸盐、乙酸盐和磷酸盐所组成的组中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的用于形成氧化物的涂覆液，其中，所述卤化物包括选自由氟化物、氯化物、溴化物和碘化物所组成的组中的至少一种。
7.根据权利要求4所述的用于形成氧化物的涂覆液，其中，所述有机盐包括选自由羧酸盐、石碳酸、以及它们的衍生物所组成的组中的至少一种。
8.一种用于制造氧化物膜的方法，所述方法包括：
涂覆并且热处理根据权利要求1至7中任一项所述的用于形成氧化物的涂覆液，以获得所述氧化物膜。
9.一种用于制造场效应晶体管的方法，所述方法包括：
使用根据权利要求1至7中任一项所述的用于形成氧化物的涂覆液来形成氧化物膜，
其中，所述场效应晶体管包括栅极绝缘膜，并且所述栅极绝缘膜包括所述氧化物膜。
10.一种用于制造场效应晶体管的方法，所述方法包括：
使用根据权利要求1至7中任一项所述的用于形成氧化物的涂覆液来形成氧化物膜，
其中，所述场效应晶体管包括：栅极；源极和漏极；半导体层；栅极绝缘层；以及钝化层，并且所述钝化层包括所述氧化物膜。