1.一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片与形成在所述支撑片的一个面上的保护膜形成用膜，
所述保护膜形成用复合片中的、所述支撑片侧的最表层的表面电阻率为1.0×1011ω/□以下，
从于70℃加热1分钟后的所述保护膜形成用复合片中切取大小为10cm×20cm的试验片，并使所述试验片中的所述支撑片侧的最表层与多孔工作台的表面接触，由此将所述试验片载置在所述多孔工作台上，使大小为6cm×10cm×2cm且质量为1kg的砝码的、大小为6cm×10cm的面与所述试验片中的保护膜形成用膜接触，将所述砝码载置在所述保护膜形成用膜上，使所述砝码以10mm/分钟的速度沿着平行于所述试验片与所述多孔工作台的接触面的方向移动，并测定所述砝码即将开始移动时的荷载时，所述荷载的测定值为20n以下。
2.根据权利要求1所述的保护膜形成用复合片，其中，
所述保护膜形成用膜为热固性，
所述表面电阻率为所述保护膜形成用复合片中的所述保护膜形成用膜于130℃热固化2小时后的表面电阻率。
3.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用复合片，其中，
所述支撑片具备基材与形成在所述基材的单面或两面上的抗静电层；或者
所述支撑片具备具有抗静电性的基材作为抗静电层。
4.根据权利要求3所述的保护膜形成用复合片，其中，形成在所述基材的单面或两面上的抗静电层的厚度为100nm以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的保护膜形成用复合片，其中，所述支撑片的总透光率为80％以上。
6.根据权利要求3～5中任一项所述的保护膜形成用复合片，其中，在具有面积为2cm×2cm且为平面状的按压面的按压工具的所述按压面上，覆盖法兰绒布，将覆盖有所述法兰绒布的所述按压面按压在所述抗静电层的表面上，在该状态下，一边利用所述按压工具对所述抗静电层施加125g/cm2的荷载而进行按压，一边使所述按压工具以10cm的直线距离往返运动10次，由此对所述抗静电层进行摩擦后，对所述抗静电层的该经摩擦的面中的面积为2cm×2cm的区域进行肉眼观察时，未观察到划痕。
7.一种半导体芯片的制造方法，其具有：
将权利要求1～6中任一项所述的保护膜形成用复合片中的保护膜形成用膜贴附在半导体晶圆上的工序；
使已贴附在所述半导体晶圆上的所述保护膜形成用膜固化，从而形成保护膜的工序；
分割所述半导体晶圆，并切断所述保护膜或保护膜形成用膜，从而制作层叠体的工序，所述层叠体具备：支撑片；设置在所述支撑片的一个面上的、切断后的所述保护膜或保护膜形成用膜；及设置在所述切断后的保护膜或保护膜形成用膜的与所述支撑片侧为相反侧的面上的半导体芯片；及
将所述层叠体中的具备所述切断后的保护膜或保护膜形成用膜的半导体芯片从所述支撑片上分离并拾取的工序，
进一步，在所述制作层叠体的工序与所述拾取工序之间，具有将固定在工作台上的所述层叠体从所述工作台上分离的工序，
在所述分离工序中，固定在工作台上的所述层叠体的所述支撑片侧的最表层的表面与所述工作台接触，所述工作台的所述层叠体的固定面为陶瓷制或不锈钢制。