1.一种存储器装置，包括：
一埋入式字元线，设置于一衬底内；
一连接结构，设置于该埋入式字元线上；
一气隙，设置于该埋入式字元线上且邻接该连接结构；以及
一第一介电层，设置于该连接结构和该气隙上，其中该埋入式字元线、该连接结构及该第一介电层沿该衬底顶表面的法线方向设置。
2.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该连接结构包括导电材料。
3.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该连接结构的底表面小于该埋入式字元线的顶表面。
4.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该气隙位于该连接结构的两侧。
5.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该气隙的一部分位于该埋入式字元线的侧壁和该衬底之间。
6.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该连接结构直接接触该埋入式字元线及该第一介电层。
7.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该埋入式字元线、该连接结构和该气隙设置于一沟槽内，且该存储器装置更包括一第二介电层，设置于该沟槽的侧壁上。
8.一种存储器装置的制造方法，包括：
在一衬底内形成一埋入式字元线；
在该埋入式字元线上形成一牺牲结构，该牺牲结构覆盖该埋入式字元线的两侧且露出该埋入式字元线的一部分；
在该埋入式字元线的该部分上形成一连接结构；
在形成该连接结构之后，移除该牺牲结构；以及
在该连接结构上形成一第一介电层，使得一气隙形成于该第一介电层和该埋入式字元线之间。
9.如权利要求8所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，该连接结构的形成包括：
在该牺牲结构上顺应性地形成一第一材料层；
刻蚀该第一材料层的一突出部；
在刻蚀后的该第一材料层上形成一第二材料层以覆盖该埋入式字元线的该部分；以及
移除该第一材料层和该第二材料层的一上部以形成该连接结构。
10.如权利要求9所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，该第一材料层和该第二材料层包括相同的导电材料。
11.如权利要求8所述的存储器装置的制造方法，还包括：
在形成该埋入式字元线之前，在该衬底内形成一沟槽；
在该沟槽的一下部形成该埋入式字元线；以及
在该沟槽的一上部顺应性地形成该牺牲结构以覆盖该沟槽的两侧。