1.一种薄膜覆晶封装结构，其特征在于，包括：
可挠性线路基板，包括可挠性基材、多个引脚与防焊层，所述可挠性基材具有芯片设置区，所述多个引脚配置于所述可挠性基材上且自所述芯片设置区内向外延伸并相邻排列，各所述引脚包括位于所述芯片设置区内的内引脚，所述防焊层配置于所述可挠性基材上且局部覆盖所述多个引脚，其中所述防焊层暴露出所述芯片设置区及各所述引脚的所述内引脚；
芯片，配置于所述可挠性线路基板上，且具有主动表面；
多个凸块，设置于所述芯片的所述主动表面上，其中所述芯片通过所述多个凸块与各所述引脚的所述内引脚对应接合而与所述可挠性线路基板电性连接；
钝化金属层，覆盖各所述引脚的所述内引脚以及所述多个凸块的裸露表面；以及
封装胶体，至少填充于所述芯片与所述可挠性线路基板之间，且覆盖所述钝化金属层、各所述引脚的所述内引脚以及所述多个凸块。
2.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，所述钝化金属层的材质包括浸镀锡、浸镀银、浸镀金、化镍浸金、化镍钯浸金、无电镀镍、无电镀钴、无电镀镍钯、无电镀铜、无电镀金或上述材料的组合。
3.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，各所述引脚的所述内引脚具有上表面、相对的二个侧表面与端部侧表面，各所述凸块具有顶面、相对的二个第一侧壁与相对的二个第二侧壁。
4.根据权利要求3所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，各所述内引脚局部嵌入对应接合的所述凸块，各所述引脚的所述内引脚以及所述多个凸块的裸露表面包括各所述内引脚的所述上表面的局部、所述相对的二个侧表面的局部与所述端部侧表面以及各所述凸块的所述顶面的局部、所述相对的二个第一侧壁与所述相对的二个第二侧壁。
5.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，所述钝化金属层的厚度介于0.1微米至0.3微米之间。
6.一种薄膜覆晶封装结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供芯片与可挠性线路基板，所述芯片的主动表面上设置有多个凸块，而所述可挠性线路基板包括可挠性基材、多个引脚与防焊层，所述可挠性基材具有芯片设置区，所述多个引脚配置于所述可挠性基材上且自所述芯片设置区内向外延伸并相邻排列，各所述引脚包括位于所述芯片设置区内的内引脚，所述防焊层配置于所述可挠性基材上且局部覆盖所述多个引脚，其中所述防焊层暴露出所述芯片设置区及各所述引脚的所述内引脚；
进行接合程序，以使所述芯片通过所述多个凸块与各所述引脚的所述内引脚对应接合而与所述可挠性线路基板电性连接；
进行表面处理程序，以形成钝化金属层，覆盖各所述引脚的所述内引脚以及所述多个凸块的裸露表面；以及
进行点胶程序，以填充封装胶体于所述芯片与所述可挠性线路基板之间，其中所述封装胶体覆盖所述钝化金属层、各所述引脚的所述内引脚以及所述多个凸块。
7.根据权利要求6所述的薄膜覆晶封装结构的制作方法，其特征在于，所述接合程序包括热压接合程序、超音波接合程序或热音波接合程序。
8.根据权利要求6所述的薄膜覆晶封装结构的制作方法，其特征在于，所述表面处理程序包括无电电镀程序或浸泡反应程序。
9.根据权利要求6所述的薄膜覆晶封装结构的制作方法，其特征在于，所述钝化金属层的材质包括浸镀锡、浸镀银、浸镀金、化镍浸金、化镍钯浸金、无电镀镍、无电镀钴、无电镀镍钯、无电镀铜、无电镀金或上述材料的组合。
10.根据权利要求6所述的薄膜覆晶封装结构的制作方法，其特征在于，各所述引脚的所述内引脚具有上表面、相对的二个侧表面与端部侧表面，各所述凸块具有顶面、相对的二个第一侧壁与相对的二个第二侧壁。
11.根据权利要求10所述的薄膜覆晶封装结构的制作方法，其特征在于，各所述内引脚局部嵌入对应接合的所述凸块，各所述引脚的所述内引脚以及所述多个凸块的裸露表面包括各所述内引脚的所述上表面的局部、所述相对的二个侧表面的局部与所述端部侧表面以及各所述凸块的所述顶面的局部、所述相对的二个第一侧壁与所述相对的二个第二侧壁。
12.根据权利要求6所述的薄膜覆晶封装结构的制作方法，其特征在于，所述钝化金属层的厚度介于0.1微米至0.3微米之间。