1.一种芯片表面覆盖硅材质的六面体封装方式，其特征在于，包括以下步骤：
a，在硅片表面制作深腔，深腔沉积钝化层，在深腔嵌入表面涂胶的芯片，芯片pad面朝下；
b，对转接板进行减薄，在芯片和深腔的缝隙内填胶，上面用胶粘贴盖板；
c，减薄转接板下表面，刻蚀凹槽使芯片pad露出，在凹槽表面沉积钝化层，刻蚀pad表面钝化层，在凹槽引出电镀金属，在金属表面制作rdl和焊盘，植球，最后减薄转接板上表面得到最终结构。
2.如权利要求1所述的芯片表面覆盖硅材质的六面体封装方式，其特征在于，所述步骤a具体包括：
通过光刻，刻蚀工艺在转接板表面制作凹槽，凹槽宽度在1um到10000um，深度在10um到1000um；在硅片上方沉积氧化硅或者氮化硅等绝缘层，或者直接热氧化，绝缘层厚度范围在10nm到100um之间；
把芯片表面涂有胶体的芯片嵌入到深腔中，此处胶体为环氧树脂类热固化胶或光敏型光刻胶，厚度为1um到100um；
此处芯片pad面朝下。
3.如权利要求1所述的芯片表面覆盖硅材质的六面体封装方式，其特征在于，所述步骤b具体包括：
对转接板进行减薄，较薄厚度在1um到990um之间；
在芯片和深腔的缝隙内填胶后固化；
继续在减薄面涂布胶体，用盖板粘合在减薄面。
4.如权利要求1所述的芯片表面覆盖硅材质的六面体封装方式，其特征在于，所述步骤c具体包括：
减薄转接板下表面，通过光刻和干法刻蚀工艺刻蚀凹槽使芯片pad露出；
在凹槽表面沉积钝化层，刻蚀pad表面钝化层，在凹槽引出电镀金属，在金属表面制作rdl和焊盘，植球；
最后减薄转接板上表面得到最终结构。
5.一种芯片表面覆盖硅材质的六面体封装方式，其特征在于，包括以下步骤：
a，在硅片表面制作深腔，深腔沉积钝化层，在深腔嵌入表面涂胶的芯片，芯片pad面朝上，在芯片和深腔的缝隙内填胶，在芯片露出端粘贴盖板；
b，对转接板进行减薄，上面用胶粘贴盖板，减薄盖板；
c，刻蚀凹槽使芯片pad露出，在凹槽表面沉积钝化层，刻蚀pad表面钝化层，在凹槽引出电镀金属，在金属表面制作rdl和焊盘，植球，最后减薄转接板上表面得到最终结构。
6.如权利要求5所述的芯片表面覆盖硅材质的六面体封装方式，其特征在于，所述步骤c具体包括：
在减薄后的盖板表面通过光刻和干法刻蚀的工艺制作凹槽，使芯片pad露出；
在凹槽表面沉积钝化层，刻蚀pad表面钝化层；
在凹槽引出电镀金属，在金属表面制作rdl和焊盘，植球；
减薄转接板上表面得到最终结构。