技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底之上沉积形成种子层；形成所述种子层的方法包括：依次交替进行第一子沉积工艺和第二子沉积工艺；所述第一子沉积工艺用于形成第一子种子层，所述第二子沉积工艺用于形成第二子种子层，第二子种子层的晶粒大于第一子种子层的晶粒。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一子沉积工艺中采用的气体包括第一置换气体和第一种子源主气体；进行所述第一子沉积工艺的步骤包括：在腔室内通入第一置换气体之后，通入第一种子源主气体。3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述种子层为钨种子层；所述第一置换气体为含硅源气体，所述第一种子源主气体为含钨源气体。4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述含硅源气体包括硅烷。5.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一子沉积工艺中，在腔室内通入第一置换气体之后，且在通入第一种子源主气体之前，还包括：去除腔室中的部分第一置换气体的步骤，保留在半导体衬底附近的第一置换气体。6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二子沉积工艺中采用的气体包括第二置换气体和第二种子源主气体；进行所述第二子沉积工艺的步骤包括：在腔室内通入第二置换气体之后，通入第二种子源主气体。7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述种子层为钨种子层；所述第二置换气体为含硼源气体，第二种子源主气体为含钨源气体。8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述含硼源气体包括乙硼烷。9.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第二子沉积工艺中，在腔室内通入第二置换气体之后，且在通入第二种子源主气体之前，还包括：去除腔室中的部分第二置换气体的步骤，保留在半导体衬底附近的第二置换气体。10.根据权利要求3或7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述含钨源气体包括六氟化钨。11.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，每次第一子沉积工艺的时间为2s～4s；每次第二子沉积工艺的时间为2s～4s。12.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在相邻的第一子沉积工艺和第二子沉积工艺之间，还包括：清洁步骤。13.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述种子层的过程中，第一子沉积工艺和第二子沉积工艺的总次数为奇数次；或者，在形成所述种子层的过程中，第一子沉积工艺和第二子沉积工艺的总次数为偶数次。14.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述种子层上生长形成金属层。
15.根据权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述种子层和金属层的厚度之比值为8.5～9.5；所述种子层的厚度300埃～500埃，所述金属层的厚度为2500埃～3000埃；所述种子层和金属层的平均电阻率为10μω*cmb～35μω*cmb。16.根据权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述种子层和所述金属层的总应力为0.8mpa～2.0mpa，所述种子层和所述金属层的总反射率为1.1～1.5。17.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的种子层，所述种子层包括依次交替排布的第一子种子层和第二子种子层，第二子种子层的晶粒大于第一子种子层的晶粒。18.根据权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，在所述种子层中，第一子种子层和第二子种子层的总层数为奇数层；第一子种子层和第二子种子层的总层数为偶数层。19.根据权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述种子层上的金属层。20.根据权利要求19所述的半导体结构，其特征在于，所述种子层的厚度为300埃～500埃，所述金属层的厚度为2500埃～3000埃；所述种子层和金属层的平均电阻率为10μω*cmb～35μω*cmb；所述种子层和所述金属层的总应力为0.8mpa～2.0mpa，所述种子层和所述金属层的总反射率为1.1～1.5。
技术总结
一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底之上沉积形成种子层；形成所述种子层的方法包括：依次交替进行第一子沉积工艺和第二子沉积工艺，第一子沉积工艺用于形成第一子种子层，第二子沉积工艺用于形成第二子种子层，第二子种子层的晶粒大于第一子种子层的晶粒。上述的方案，可以提高所形成的半导体结构的性能。可以提高所形成的半导体结构的性能。可以提高所形成的半导体结构的性能。
技术研发人员：徐晓伟 何朋 林明贤
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2020.03.10
技术公布日：2021/9/9