技术特征：
1.一种半导体设备封装，其包括：半导体裸片，其包含第一表面、与所述第一表面相对的第二表面和使所述第一表面与所述第二表面连接的边缘；和各向异性导热结构，其在不同方向上具有不同导热率，其中所述各向异性导热结构包括至少两个膜堆叠对，且每一所述膜堆叠对包括交替堆叠的金属膜和纳米结构膜，其中所述各向异性导热结构包括安置于所述半导体裸片的所述第一表面上的第一导热区段，且所述第一导热区段比所述半导体裸片宽。2.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其进一步包括安置于所述半导体裸片的所述第一表面与所述第一导热区段之间的热界面材料tim。3.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中基本上在垂直于所述半导体裸片的所述第一表面的竖直方向上的所述第一导热区段的导热率不同于基本上在横向方向上的所述第一导热区段的导热率。4.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述第一导热区段的所述膜堆叠基本上在所述竖直方向上堆叠。5.根据权利要求3所述的半导体设备封装，其中所述第一导热区段的所述膜堆叠基本上在所述横向方向上堆叠。6.根据权利要求5所述的半导体设备封装，其中所述第一导热区段的外表面暴露于环境。7.根据权利要求5所述的半导体设备封装，其中所述各向异性导热结构进一步包括邻近于所述半导体裸片的所述边缘中的至少一个的第二导热区段，且所述第二导热区段和所述半导体裸片的所述边缘中的所述至少一个由间隙间隔开。8.根据权利要求7所述的半导体设备封装，其中所述第二导热区段的所述膜堆叠基本上在所述竖直方向上堆叠。9.根据权利要求7所述的半导体设备封装，其中所述第二导热区段的所述膜堆叠基本上在所述横向方向上堆叠。10.根据权利要求7所述的半导体设备封装，其中所述第二导热区段包括连接所述第一导热区段并围绕所述半导体裸片的所述边缘的环状结构。11.根据权利要求7所述的半导体设备封装，其进一步包括安置于所述半导体裸片的所述第二表面上的基板，其中所述基板包含连接到所述第二导热区段的顶面、与所述顶面相对的底面和使所述顶面与所述底面连接的边缘。12.根据权利要求11所述的半导体设备封装，其中所述各向异性导热结构进一步包括安置于所述基板的所述边缘中的至少一个上且连接到所述第二导热区段的第三导热区段。13.根据权利要求12所述的半导体设备封装，其中所述第三导热区段的所述膜堆叠基本上在所述横向方向上堆叠。14.根据权利要求12所述的半导体设备封装，其进一步包括：电路板，其安置于所述基板的所述底面上；多个电导体，其安置于所述基板与所述电路板之间且电连接到所述基板和所述电路板；和第四导热区段，其安置于所述电路板上且连接到所述第三导热区段。
15.根据权利要求14所述的半导体设备封装，其中所述第四导热区段的所述膜堆叠基本上在所述竖直方向上堆叠。16.一种半导体设备封装，其包括：半导体裸片，其包含第一表面、与所述第一表面相对的第二表面和使所述第一表面与所述第二表面连接的边缘；第一导热区段，其安置于所述半导体裸片的所述第一表面上，其中所述第一导热区段包括至少两个膜堆叠对，且所述第一导热区段的每一所述膜堆叠对包括交替堆叠的金属膜和纳米结构膜；和第二导热区段，其邻近于所述半导体裸片的所述边缘中的至少一个且连接到所述第一导热区段。17.根据权利要求16所述的半导体设备封装，其中所述第二导热区段包括至少两个膜堆叠对，且所述第二导热区段的每一所述膜堆叠对包括交替堆叠的金属膜和纳米结构膜。18.根据权利要求17所述的半导体设备封装，其中所述第二导热区段的所述膜堆叠和所述第一导热区段的所述膜堆叠在相同方向上或在不同方向上堆叠。19.一种半导体设备封装，其包括：引线框架，其包括裸片衬垫、从所述裸片衬垫延伸的多个支撑杆和间隔开所述裸片衬垫的多个指状件，其中所述引线框架包括至少两个膜堆叠对，且所述引线框架的每一所述膜堆叠对包括交替堆叠的金属膜和纳米结构膜；半导体裸片，其安置于所述裸片衬垫上，且电连接到所述指状件；和包封体，其包封所述引线框架和所述半导体裸片。20.根据权利要求19所述的半导体设备封装，其中所述引线框架的所述膜堆叠基本上在竖直方向上堆叠，且基本上在横向方向上的所述引线框架的导热率大于基本上在所述竖直方向上的所述引线框架的导热率。