半导体设备封装及其制造方法与流程

1.本公开涉及一种具有高热耗散效果的半导体设备封装及其制造方法。


背景技术：

2.半导体行业见证了在半导体设备封装中的多种电子组件的集成密度的增长。这种增大的集成密度通常促成半导体设备封装中的增大的功率密度。随着半导体设备封装的功率密度增长，热耗散成为待解决的问题。


技术实现要素：

3.在一些实施例中，一种半导体设备封装包含半导体裸片和各向异性导热结构。所述半导体裸片包含第一表面、与所述第一表面相对的第二表面和使所述第一表面与所述第二表面连接的边缘。所述各向异性导热结构在不同方向上具有不同导热率。所述各向异性导热结构包含至少两个膜堆叠对，且每一所述膜堆叠对包括交替堆叠的金属膜和纳米结构膜。所述各向异性导热结构包括安置于所述半导体裸片的所述第一表面上的第一导热区段，且所述第一导热区段比所述半导体裸片宽。
4.在一些实施例中，一种半导体设备封装包含半导体裸片、第一导热区段和第二导热区段。半导体裸片包含第一表面、与第一表面相对的第二表面和使第一表面与第二表面连接的边缘。第一导热区段安置于半导体裸片的第一表面上。第一导热区段包含至少两个膜堆叠对，且第一导热区段的每一膜堆叠对包含交替堆叠的金属膜和纳米结构膜。第二导热区段邻近于半导体裸片的边缘中的至少一个且连接到第一导热区段。
5.在一些实施例中，一种半导体设备封装包含引线框架、半导体裸片和包封体。引线框架包含裸片衬垫、从裸片衬垫延伸的多个支撑杆和间隔开裸片衬垫的多个指状件。引线框架包含至少两个膜堆叠对，且引线框架的每一膜堆叠对包含交替堆叠的金属膜和纳米结构膜。半导体裸片安置于裸片衬垫上且电连接到指状件。包封体密封引线框架和半导体裸片。
附图说明
6.当结合附图阅读时，从以下具体实施方式易于理解本公开的一些实施例的各方面。各种结构可能未按比例绘制，且各种结构的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。
7.图1为根据本公开的一些实施例的半导体电子设备封装的示意性俯视图。
8.图1a为沿图1中的线a-a'截取的半导体设备封装的示意性横截面图。
9.图1b为根据本公开的一些实施例的各向异性导热结构的示意性放大横截面图。
10.图2为根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的示意性横截面图。
11.图3为根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的示意性横截面图。
12.图4为根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的示意性横截面图。
13.图5为根据本公开的一些实施例的半导体电子设备封装的示意性俯视图。
14.图5a为沿图5中的线b-b'截取的半导体设备封装的示意性横截面图。
15.图6为根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的示意性横截面图。
16.图7为根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的示意性横截面图。
17.图8为根据本公开的一些实施例的半导体电子设备封装的示意性透视图。
18.图8a为沿图8中的线c-c'截取的半导体设备封装的示意性横截面图。
19.图8b为沿图8中的线d-d'截取的半导体设备封装的示意性横截面图。
20.图9a、图9b、图9c、图9d、图9e、图9f和图9g说明根据本公开的一些实施例的制造半导体电子设备封装的操作。
具体实施方式
21.以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的具体实例来阐释本公开的某些方面。当然，这些组件和布置只是实例且并不意欲为限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或上的形成可包含其中第一特征和第二特征直接接触地形成或安置的实施例，且也可包含其中额外特征在第一特征与第二特征之间形成或安置使得第一特征和第二特征不直接接触的实施例。此外，本公开可在各种实例中重复参考标号和/或字母。这种重复是出于简化和清楚的目的并且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
22.如本文中所使用，本文中为易于描述，可使用例如“在
…
之下”、“下方”、“在
…
之上”、“上方”、“在
…
上”、“上部”、“下部”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“旁侧”等空间相对术语来描述如图中所说明的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除图中所描绘的定向以外，空间相对术语意欲涵盖设备在使用或操作中的不同定向。设备可以按其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对术描述词可因此相应地进行解释。应理解，当元件被称为“连接到”或“耦合到”另一元件时，其可直接连接到或耦合到另一元件，或可存在介入元件。
23.如本文中所使用，术语“主动表面(active surface)”可指代其上安置有例如接触衬垫的接触端子的半导体裸片的表面，且术语“非主动表面(inactive surface)”可指代其上没有安置接触端子的与主动表面相对的半导体裸片的另一表面。如本文中所使用，术语“纳米结构膜”可指代包含或基本上由纳米级的纳米结构构成的膜。如本文中所使用，术语“各向异性导热结构(anisotropic thermal conductive structure)”可指代在特定方向上的导热率不同于在另一方向上的导热率的导热结构。
24.本公开的一些实施例提供具有各向异性导热结构的半导体设备封装。各向异性导热结构具有各向异性导热特性，所述各向异性导热特性有助于利用较少热阻以更高效的方式传递由半导体裸片产生的热量，且因此可改进半导体设备封装的热耗散。
25.图1为根据本公开的一些实施例的半导体电子设备封装1的示意性俯视图，图1a为沿图1中的线a-a'截取的半导体设备封装1的示意性横截面图，且图1b为根据本公开的一些实施例的各向异性导热结构20的示意性放大横截面图。出于清楚的目的，一些组件可能并未在图1、图1a和图1b中示出。如图1、图1a和图1b中所示，半导体设备封装1包含半导体裸片10和各向异性导热结构20。半导体裸片10包含第一表面101、与第一表面101相对的第二表
面102和使第一表面101与第二表面102连接的边缘10e。在一些实施例中，第二表面102可以是其上安置有例如接触衬垫的接触端子10p的主动表面，且第一表面101可以是其上没有安置接触端子的非主动表面。半导体裸片10可包含多边形形状，例如具有四个边缘10e的矩形形状。半导体裸片10可包含例如逻辑裸片或片上系统(system on chip,soc)的主动裸片、被动裸片或其组合。
26.各向异性导热结构20在不同方向上具有不同导热率，即，在特定方向上的各向异性导热结构20的导热率(也称为导热率的系数)可不同于在另一方向上的各向异性导热结构20的导热率。各向异性导热结构20可包含彼此直接或间接地连接的多个区段，且所述区段可具有类似或不同各向异性导热特性。如图1b中所示，各向异性导热结构20可包含至少两个膜堆叠对20p，且每一膜堆叠对20p包含交替堆叠的金属膜20a纳米结构膜20b。在一些实施例中，金属膜20a和纳米结构膜20b具有不同特性。举例来说，纳米结构膜20b的导热率可高于金属膜20a的导热率，且金属膜20a的结构强度可高于纳米结构膜20b的结构强度。金属膜20a可以是在不同方向上具有基本上相等导热率的各向同性导热膜。纳米结构膜20b可以是特定方向上的导热率不同于另一方向上的导热率的各向异性导热膜。金属膜20a和纳米结构膜20b可以不同方式堆叠，以使得各向异性导热结构20具有一个方向上的较高导热率和另一方向上的较低导热率。举例来说，在纳米结构膜20b和金属膜20a在竖直方向上堆叠的情况下，横向方向上的导热率可高于竖直方向上的导热率。替代地，在纳米结构膜20b和金属膜20a在横向方向上堆叠的情况下，竖直方向上的导热率可高于横向方向上的导热率。在一些实施例中，金属膜20a可包含但不限于铜膜，例如铜箔，且纳米结构膜20b可包含但不限于石墨烯膜。
27.各向异性导热结构20包含安置于半导体裸片10的第一表面101上的第一导热部分22。在一些实施例中，第一导热区段22的膜堆叠基本上在垂直于半导体裸片10的第一表面101的竖直方向dz上堆叠，且基本上在橫向方向dx和dy上的第一导热区段22的导热率大于基本上在竖直方向dz上的第一导热区段22的导热率。在第一导热区段22的膜堆叠基本上在竖直方向dz上堆叠的情况下，石墨烯膜的导热率在xy平面中的例如dx和dy的任何横向方向上可基本上相等。第一导热区段22比半导体裸片10宽且横向突出半导体裸片10的边缘中的至少一个，使得在操作期间由半导体裸片10产生的热量可迅速地横向传递。相应地，半导体设备封装1的温度在操作期间可下降。第一导热区段22的外表面22s可包含平坦表面。替代地，第一导热区段22的外表面22s可包含粗糙表面以增大热耗散效率。在一些实施例中，第一导热区段22的外表面22s可暴露于环境以增大热辐射热传递。第一导热区段22的外表面22s可包含平坦表面。替代地，第一导热区段22的外表面22s可包含粗糙表面以增大热耗散效率。在一些其它实施例中，第一导热区段22的外表面22s可连接到热耗散结构以进一步增强热耗散效果。热耗散结构的实例可包含散热器、空气冷却结构、水冷却结构、风扇或其它合适的主动和/或被动类型热耗散结构。
28.在一些实施例中，纳米结构膜20b的热辐射能力高于金属膜20a的热辐射能力，且因此，纳米结构膜20b可以是各向异性导热结构20的外部膜，以提供更佳热辐射效果。在一些实施例中，金属膜20a可配置为纳米结构膜20b的支撑膜，且金属膜20a的厚度可大于纳米结构膜20b的厚度。金属膜20a的厚度可比纳米结构膜20a的厚度厚约三倍。举例来说，金属膜20a的厚度可为约15微米，且纳米结构膜20b的厚度为约5微米。可基于结构强度和热耗散
考虑因素而修改膜堆叠对20p的数目。在一些实施例中，各向异性导热结构20可包含15个或更多个膜堆叠对20p。因为纳米结构膜20b的导热率和热辐射能力高于金属膜20a的导热率和热辐射能力，所以各向异性导热结构20可包含额外纳米结构膜20b，使得各向异性导热结构20的外侧皆为纳米结构膜20b。借助于实例，当各向异性导热结构20包含十五个铜膜和石墨烯膜的对20p时，第一导热部分22的横向导热率为约703w/mk，且第一导热部分22的竖直导热率为约481w/mk。
29.在一些实施例中，半导体设备封装1可进一步包含安置于半导体裸片10的第一表面101与第一导热区段22之间的热界面材料(tim)32。热界面材料32可以是粘着剂，且与第一导热区段22和半导体裸片10接触以使第一导热区段22与半导体裸片10耦合。热界面材料32也可配置为缓冲层以在安装各向异性导热结构20期间缓冲冲击或力。热界面材料32可包含聚合材料。第一导热区段22的较高和各向异性导热率可有助于补偿热界面材料32的热阻，且因此可改进半导体设备封装1的整体热耗散。
30.各向异性导热结构20进一步包含邻近于半导体裸片10的边缘10e中的至少一个的第二导热区段24，且第二导热区段24和半导体裸片10的边缘10e中的至少一个由间隙g间隔开。在一些实施例中，第二导热区段24包含连接第一导热区段22并围绕半导体裸片10的所有边缘10e的环状结构。在一些实施例中，第一导热区段22和第二导热区段24可共同地形成帽形结构，所述帽形结构包围半导体裸片10的第一表面101和边缘10e以提供热耗散以及对半导体裸片10的保护。在一些实施例中，第二导热区段24的膜堆叠可基本上在不同于竖直方向dz和横向方向dx和dy的倾斜方向db上堆叠为第一导热区段22，且第一导热区段22和第二导热区段24可一体地形成。
31.在一些实施例中，半导体设备封装1可进一步包含安置于半导体裸片10的第二表面102上的基板40。基板40包含连接到第二导热区段24的顶面401、与顶面401相对的底面402和使顶面401与底面402连接的边缘40e。在一些实施例中，第二导热区段24可经由基板40接地以提供对半导体裸片10的防护效果。在一些实施例中，半导体设备封装1可进一步包含安置于第二导热区段24与基板40之间另一热界面材料34，以使第二导热区段24与基板40结合。热界面材料34和热界面材料32可包含相同或不同材料。
32.基板40可包含电路基板，所述电路基板具有电路系统42以构成用于半导体裸片10的外部连接。基板40的实例可包含封装基板(package substrate)、扇出型电路层(fan-out circuit layer)、重布层(redistribution layer,rdl)、插入件(interposer)或类似物。在一些实施例中，例如焊料凸点的多个导电结构12安置于半导体裸片10的电端子10p与基板40的电路系统42之间且电连接所述电端子10p和所述电路系统42。在一些实施例中，例如底胶和/或模制原料的包封体14可包封半导体裸片10的边缘10e和/或第二表面102。在一些其它实施例中，第一表面101可以是主动表面，且半导体裸片10可经由导线结合或类似物电连接到基板40。
33.在一些实施例中，半导体设备封装1可进一步包含安置于基板40的底面402上的电路板50(例如印刷电路板(pcb))，和安置于基板40与电路板50之间且电连接到所述基板和所述电路板的电导体52(例如焊料球)。
34.在上述实施例中，包含多个金属膜20a和纳米结构膜20b的对20p的各向异性导热结构20在xy平面中的例如dx和dy的所有横向方向上具有较高导热率，且因此，由半导体裸
片10产生的热量可从第一导热区段22和第二导热区段24高效地传递到基板40。另外，各向异性导热结构20的纳米结构膜20b具有更好的热辐射效果，且因此，由半导体裸片10产生的热量也可由热辐射传递。此外，各向异性导热结构20可进一步提供对半导体裸片10的保护和/或防护。
35.本公开的半导体设备封装和制造方法不限于上述实施例，且可以根据其它实施例来实施。为了简化描述且出于方便在本公开的各种实施例之间进行比较，以下实施例中的类似组件标记有相同标号，且可并不过多地加以描述。
36.图2为根据本公开的一些实施例的半导体设备封装2的示意性横截面图。如图2中所示，与半导体设备封装1相比，第一导热区段22和第二导热区段24的膜堆叠在不同方向上堆叠。借助于实例，第一导热区段22的膜堆叠基本上在竖直方向dz上堆叠，且第二导热区段24的膜堆叠基本上在横向方向dx上堆叠。因此，基本上在横向方向dx上的第一导热区段22的导热率大于基本上在竖直方向dz上的第一导热区段22的导热率，而基本上在竖直方向dz上的第二导热区段24的导热率大于基本上在横向方向dx和dy上的第二导热区段24的导热率。相应地，由半导体裸片10产生的热量可从第一导热区段22和第二导热区段24高效地传递到基板40。在一些实施例中，第一导热区段22和第二导热区段24单独地形成，且可经由热界面材料36直接或间接地连接。热界面材料36可包含与热界面材料32或34类似的材料。
37.图3为根据本公开的一些实施例的半导体设备封装3的示意性横截面图。如图3中所示，第一导热区段22和第二导热区段24的膜堆叠皆例如基本上在横向方向dx上堆叠。因此，基本上在竖直方向dz上的第一导热区段22的导热率和第二导热区段24的导热率大于基本上在横向方向dx上的第一导热区段22和第二导热区段24的导热率。相应地，由半导体裸片10产生的热量的一部分可从第一导热区段22高效地传递到环境或安置于第一导热区段22的外表面22s上的额外热耗散结构。由半导体裸片10产生的热量的另一部分可从第一导热区段22和第二导热区段24传递到基板40。在一些实施例中，第一导热区段22和第二导热区段24单独地形成，且可直接或间接地连接。
38.图4为根据本公开的一些实施例的半导体设备封装4的示意性横截面图。如图4中所示，与半导体设备封装3相比，半导体设备封装4的各向异性导热结构20可进一步包含邻近于基板40的边缘40e中的至少一个并连接到第二导热区段24的第三导热区段26。在一些实施例中，第三导热区段26可围绕基板40的所有边缘40e。第三导热区段26可进一步直接连接到电路板50或经由热界面材料38连接到电路板50。在一些实施例中，第一导热区段22和第三导热区段26的膜堆叠可在同一方向上(例如基本上在横向方向dx上)堆叠，而第二导热区段24的膜堆叠可基本上在例如竖直方向dz的不同方向上堆叠。相应地，由半导体裸片10产生的热量的一部分可从第一导热区段22高效地传递到环境或安置于第一导热区段22的外表面22s上的额外热耗散结构。由半导体裸片10产生的热量的另一部分可从第一导热区段22和第二导热区段24传递到基板40，且从第三导热区段26传递到电路板50。在一些实施例中，第一导热区段22、第二导热区段24和第三导热区段26可单独地形成，且可直接或间接地连接。
39.图5为根据本公开的一些实施例的半导体电子设备封装5的示意性俯视图，且图5a为沿图5中的线b-b'截取的半导体设备封装5的示意性横截面图。如图5和图5a中所示，与半导体设备封装4相比，半导体设备封装5的各向异性导热结构20可进一步包含安置于电路板
50上并连接到第三导热区段26的第四导热区段28。第四导热区段28的膜堆叠基本上在竖直方向dz上堆叠，使得第四导热区段28在横向方向dx上的导热率大于在竖直方向dz上的导热率。第四导热区段28在横向方向dx上延伸，且因此，第四导热区段28与电路板50之间的重叠区域可被扩大。相应地，可增大从第四导热区段28到电路板50的热传递。在一些实施例中，第二导热区段24包含连接第一导热区段22并围绕半导体裸片10的所有边缘10e的环状结构，且第四导热区段28包含连接第三导热区段26并围绕基板40的所有边缘40e的环状结构。第一导热区段22、第二导热区段24、第三导热区段26和第四导热区段28的膜堆叠为交替的，且因此，由半导体裸片10产生的热量可以高效方式从各向异性导热结构20的不同区段传递到基板40和电路板50。
40.图6为根据本公开的一些实施例的半导体设备封装6的示意性横截面图。如图6中所示，与半导体设备封装5相比，半导体设备封装6的第一导热区段22可包含由一或多个连接部分223彼此连接的一或多个第一部分221和一或多个第二部分222。第一部分221、第二部分222和连接部分223可基本上安置在同一层级处，从而形成封盖。连接部分223的材料不同于第一部分221和第二部分222的材料。在一些实施例中，连接部分223的材料可包含热界面材料、粘着剂材料或绝缘材料，例如橡胶。在一些实施例中，连接部分223可包含连接到管线的中空空间。中空空间可经由管线与额外热耗散结构连通，使得冷却介质可环绕半导体裸片10循环。借助于实例，空气冷却结构或水冷却结构可连接到连接部分223，使得空气或水可环绕半导体裸片10循环以增大热耗散效果。同时，各向异性导热结构20仍可提供热耗散。
41.图7为根据本公开的一些实施例的半导体设备封装7的示意性横截面图。如图7中所示，半导体设备封装6的各向异性导热结构20可进一步包含安置于第一导热区段22上的顶部导热区段29。在一些实施例中，顶部导热区段29可包含多个鳍式结构29f。鳍式结构29可暴露于环境。顶部导热区段29的膜堆叠可基本上在横向方向dx上或基本上在竖直方向dz上堆叠。鳍式结构29f可增大顶部导热区段29的外区域，且因此增强热耗散效果。顶部导热区段29可整合到前述提及的本公开的实施例中的半导体设备封装中的任一个中。
42.图8为根据本公开的一些实施例的半导体电子设备封装8的示意性透视图，图8a为沿图8中的线c-c'截取的半导体设备封装8的示意性横截面图，且图8b为沿图8中的线d-d'截取的半导体设备封装8的示意性横截面图。如图8、图8a和图8b中所示，半导体设备封装8包含引线框架70、半导体裸片80和包封体82。引线框架70包含裸片垫72、从裸片垫72延伸的多个支撑杆74和间隔开裸片垫72的多个指状件76。引线框架70的材料可与如以上描述中所描述的各向异性导热结构20的材料相同。举例来说，引线框架70可包含至少两个膜堆叠对，且引线框架70的每一膜堆叠对可包含如图1b中所说明交替堆叠的金属膜和纳米结构膜。半导体裸片80由例如裸片附接膜(daf)的热界面材料81安置于裸片垫72上，且例如经由结合线84电连接到指状件76。包封体82包封引线框架70和半导体裸片80。包封体82可包含模制原料。在一些实施例中，引线框架70的膜堆叠基本上在竖直方向dz上堆叠，且因此，基本上在横向方向dx或dy上的引线框架70的导热率大于基本上在竖直方向dz上的引线框架70的导热率。相应地，由半导体裸片80产生的热量可从裸片垫72高效地传递到支撑杆74。
43.图9a、图9b、图9c、图9d、图9e、图9f和图9g说明根据本公开的一些实施例的制造半导体电子设备封装的操作。如图9a中所示，提供金属膜20a，例如铜箔。金属膜20a可通过溅
镀或任何合适的技术形成。金属膜20a可成形为预定形状和大小。如图9b中所示，例如石墨烯膜的纳米结构膜20b形成于金属膜20a上，以形成膜堆叠对20p。在一些实施例中，纳米结构膜20b可通过化学气相沉积(cvd)或任何合适的技术形成。如图9c中所示，多个对20p彼此层叠，其中纳米结构膜20b面向下。在一些实施例中，最顶对20p的金属膜20a的两侧皆由纳米结构膜20b覆盖。如图9d中所示，膜堆叠对20p例如由热板90按压以使得膜堆叠对20p牢固地彼此连接，从而形成多层堆叠结构100。多层堆叠结构100可用以形成如本公开中所描述的各向异性导热结构或引线框架。
44.在一些实施例中，多层堆叠结构100可由如图9e中所示的工具92压模或锻造，所述工具例如冲压模或锻造模，以形成如图1a中所说明的各向异性导热结构20或如图8中所说明的引线框架70。
45.在一些其它实施例中，多层堆叠结构100可旋转90度，且切割成如图9f中所示的多个片段100s。多层堆叠结构100的片段100s可进一步经按压或研磨以减小其厚度。片段100s可用以形成具有横向堆叠膜的各向异性导热结构的任何区段。借助于实例，片段100s可用以形成图2中的第二导热区段24；图3中的第一导热区段22和第二导热区段24；图4中的第一导热区段22和第三导热区段26；图5a中的第一导热区段22和第三导热区段26；图6中的第一导热区段22的第一部分221和第二部分222以及第三导热区段26；以及图7中的第一导热区段22和第二导热区段24。
46.在一些实施例中，多层堆叠结构100的片段100s可由如图9g中所示的碾磨工具94处理，以形成如图7中所示的顶部导热区段29。
47.在本公开的一些实施例中，各向异性导热结构具有各向异性导热特性，所述各向异性导热特性有助于利用较少热阻以更高效的方式从半导体裸片传递热量，且因此可改进半导体设备封装的热耗散。
48.如本文中所使用，除非上下文另外明确规定，否则单数术语“一(a/an)”和“所述”可包含多个指代物。
49.如本文中所使用，术语“大致”、“基本上”、“大体”和“约”用于描述和解释小的变化。当与事件或情形结合使用时，所述术语可指代其中事件或情形明确发生的情况以及其中事件或情形极接近于发生的情况。举例来说，当结合数值使用时，术语可指小于或等于所述数值的
±
10％的变化范围，如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％或小于或等于
±
0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差小于或等于所述值的平均值的
±
10％(例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％或小于或等于
±
0.05％)，那么可认为所述两个数值“基本上”相同或相等。举例来说，“基本上”平行可能是指相对于0
°
的小于或等于
±
10
°
的角度变化范围，例如小于或等于
±5°
、小于或等于
±4°
、小于或等于
±3°
、小于或等于
±2°
、小于或等于
±1°
、小于或等于
±
0.5
°
、小于或等于
±
0.1
°
或小于或等于
±
0.05
°
。举例来说，“大体上”垂直可能是指相对于90
°
的小于或等于
±
10
°
的角度变化范围，例如小于或等于
±5°
、小于或等于
±4°
、小于或等于
±3°
、小于或等于
±2°
、小于或等于
±1°
、小于或等于
±
0.5
°
、小于或等于
±
0.1
°
或小于或等于
±
0.05
°
。
50.另外，有时在本文中按范围格式呈现量、比率和其它数值。应理解，此范围格式是
为了便利和简洁而使用，且应灵活地理解为不仅包含明确规定为范围极限的数值，而且包含涵盖在那个范围内的所有各个数值或子范围，如同明确规定各数值和子范围一样。
51.尽管已参考本公开的特定实施例描述并说明本公开，但这些描述和说明并不限制本公开。所属领域的技术人员应理解，可在不脱离如由随附权利要求书定义的本公开的真实精神和范围的情况下，作出各种改变且取代等效物。图解可能未必按比例绘制。由于制造工艺和公差，本公开中的工艺再现与实际装置之间可存在区别。可存在未特定说明的本公开的其它实施例。应将所述说明书和图式视为说明性的，而非限制性的。可做出修改，以使特定情况、材料、物质组成、方法或过程适应于本公开的目标、精神以及范围。所有这些修改都打算属于在此所附权利要求书的范围内。虽然本文中所公开的方法是参考按特定次序执行的特定操作描述的，但是应理解，这些操作可组合、细分或重新排序以形成等效方法而不脱离本公开的教示内容。相应地，除非本文中特别指示，否则操作的次序和分组不是对本公开的限制。