技术特征：
1.一种半导体装置的制造方法，具有：(a)对容纳基板的处理室供给处理气体，在所述基板上选择性地形成膜的工序，所述基板在局部具有对于所述处理气体的吸附赋予选择性的抑制层，(b)向不存在所述基板的所述处理室内供给具有所述抑制层所含成分的清扫气体的工序，(c)将所述处理室内的所述清扫气体的残留成分除去的工序。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，依次进行所述(b)工序、所述(c)工序和所述(a)工序。3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述抑制层所含成分含有氟或氯。4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，所述(c)工序包括：在所述处理室内生成残留成分除去气体的等离子体的工序。5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述(a)工序中，在第一位置生成所述处理气体的等离子体，在所述(c)工序中，在第二位置生成所述残留成分除去气体的等离子体，所述第二位置是与所述第一位置相比在所述处理室中更上方的位置。6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，所述残留成分除去气体是含氢气体。7.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，所述残留成分除去气体是含氢气体。8.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述(c)工序包括：在所述处理室内生成残留成分除去气体的等离子体的工序。9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述(a)工序中，在第一位置生成所述处理气体的等离子体，在所述(c)工序中，在第二位置生成所述残留成分除去气体的等离子体，所述第二位置是与所述第一位置相比在所述处理室中更上方的位置。10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中，所述残留成分除去气体是含氢气体。11.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，所述残留成分除去气体是含氢气体。12.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述抑制层所含成分含有氟或氯。13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中，所述(c)工序包括：在所述处理室内生成残留成分除去气体的等离子体的工序。14.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述(a)工序中，在第一位置生成所述处理气体的等离子体，在所述(c)工序中，在第二位置生成所述残留成分除去气体的等离子体，所述第二位置是与所述第一位置相比在所述处理室中更上方的位置。15.如权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述残留成分除去气体是含氢气体。16.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中，所述残留成分除去气体是含氢气体。17.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述(c)工序包括：在所述处理室内生成残留成分除去气体的等离子体的工序。18.如权利要求17所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述(a)工序中，在第一位置生成所述处理气体的等离子体，在所述(c)工序中，在第二位置生成所述残留成分除去气体的等离子体，所述第二位置是与所述第一位置相比在所述处理室中更上方的位置。19.如权利要求18所述的半导体装置的制造方法，其中，所述残留成分除去气体是含氢气体。20.如权利要求17所述的半导体装置的制造方法，其中，所述残留成分除去气体是含氢气体。21.一种基板处理装置，具有：处理室，其容纳基板，所述基板在局部具有对于处理气体的吸附赋予选择性的抑制层，处理气体供给系统，其向所述处理室供给所述处理气体，清扫气体供给系统，其向不存在所述基板的所述处理室内供给具有所述抑制层所含成分的清扫气体，清扫气体残留成分除去气体供给系统，其供给将所述处理室内的所述清扫气体的残留成分除去的气体，和控制部，其构成为控制所述处理气体供给系统、所述清扫气体供给系统和所述清扫气体残留成分除去气体供给系统，使得在向所述处理室供给所述处理气体时，在所述基板上选择性地形成膜。22.一种记录介质，其记录有通过计算机使基板处理装置执行以下过程的程序：(a)向容纳基板的处理室供给处理气体，在所述基板上选择性地形成膜的过程，所述基板在局部具有对于所述处理气体的吸附赋予选择性的抑制层，(b)向不存在所述基板的所述处理室内供给具有所述抑制层所含成分的清扫气体的过程，(c)将所述处理室内的所述清扫气体的残留成分除去的过程。