技术总结
本发明提供半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质。本发明能够在成膜工序中选择性地形成膜。本发明提供一种半导体装置的制造方法，具有：(a)对容纳基板的处理室供给处理气体，在基板上选择性地形成膜的工序，所述基板在局部具有对于处理气体的吸附赋予选择性的抑制层，(b)向不存在基板的处理室内供给具有抑制层所含成分的清扫气体的工序，(c)将处理室内的清扫气体的残留成分除去的工序。理室内的清扫气体的残留成分除去的工序。理室内的清扫气体的残留成分除去的工序。
技术研发人员：大桥直史 广濑义朗
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：2020.03.16
技术公布日：2021/7/15