1.一种含微通道的陶瓷基板的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
(1)采用电镀工艺在陶瓷基片相背的两个表面分别制备金属线路层及微通道立柱，所述微通道立柱的数量为多个，多个所述微通道立柱间隔设置；
(2)在多个所述微通道立柱之间填充牺牲层材料后，在所述微通道立柱及所述牺牲层材料所形成的、远离所述金属线路层的表面上电镀制备金属底板；
(3)去除所述牺牲层材料，所述金属底板及所述陶瓷基片分别覆盖所述微通道立柱相背的两端，以形成多个微通道，至此完成含微通道的陶瓷基板的制备。
2.如权利要求1所述的含微通道的陶瓷基板的制备方法，其特征在于：所述陶瓷基片的材料为金属铜、镍或铜镍合金。
3.如权利要求1所述的含微通道的陶瓷基板的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，提供陶瓷基片，在所述陶瓷基片相背的两个表面上溅射金属种子层后，采用光刻、显影和图形电镀工艺在所述陶瓷基片上制备金属线路层。
4.如权利要求1所述的含微通道的陶瓷基板的制备方法，其特征在于：所述牺牲层材料为金属、有机胶或者无机胶凝材料。
5.如权利要求1所述的含微通道的陶瓷基板的制备方法，其特征在于：所述金属底板的材料为金属铜、镍或者铜镍合金。
6.如权利要求1所述的含微通道的陶瓷基板的制备方法，其特征在于：腐蚀去掉牺牲层材料以得到含微通道的陶瓷基板。
7.一种含微通道的陶瓷基板，其特征在于：所述陶瓷基板是采用权利要求1-6任一项所述的含微通道的陶瓷基板的制备方法制备而成的。
8.如权利要求7所述的含微通道的陶瓷基板，其特征在于：所述微通道立柱的横截面为矩形，其高度为0.3～3.0mm，宽度为0.1～3mm，间距为0.1～3mm。
9.如权利要求7所述的含微通道的陶瓷基板，其特征在于：所述陶瓷基片的厚度为0.3～1mm。
10.如权利要求7所述的含微通道的陶瓷基板，其特征在于：所述金属底板的厚度为0.5～1mm。