1.用于生产带有金属光学分离栅(140)的光电发射和/或光电接收装置(100)的方法，其特征在于，所述方法至少包括：
-生产至少一个光电发射和/或光电接收部件(102)，其中，所述光电发射和/或光电接收部件(102)的至少一个第一金属电极(110)覆盖所述光电发射和/或光电接收部件(102)的至少一个半导体堆叠部(104，106，108)的侧翼，并且延伸到所述光电发射和/或光电接收部件(102)的至少一个发射和/或接收面(112)；
-对所述第一金属电极(110)的位于所述发射和/或接收面(112)处的至少一个面进行处理，使得能够将所述第一金属电极(110)的所述面润湿；
-在至少一个支撑件(142)上生产所述金属光学分离栅(140)；
-通过钎焊将所述金属光学分离栅(140)紧固在所述第一金属电极(110)的所述面上；
-移除所述支撑件(142)。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光电发射和/或光电接收部件(102)包括至少一个光电发射和/或光电接收二极管，所述至少一个光电发射和/或光电接收二极管至少包括：
-掺杂半导体的第一部分和第二部分(104，108)，所述第一部分和所述第二部分是所述半导体堆叠部的一部分并且形成p-n结，所述掺杂半导体的第一部分(104)的第一部(120)被布置在所述掺杂半导体的第一部分(104)的第二部(122)与所述掺杂半导体的第二部分(108)之间；
-介电部分(118)，所述介电部分覆盖所述掺杂半导体的第一部分(104)的第一部(120)的侧翼和所述掺杂半导体的第二部分(108)的侧翼；
-第二电极(124)，所述第二电极电联接到所述掺杂半导体的第二部分(108)并且使得所述掺杂半导体的第二部分(108)被布置在所述掺杂半导体的第一部分(104)与所述第二电极(124)之间；
并且其中，所述第一金属电极(110)抵靠所述介电部分(118)的外侧翼并且抵靠所述掺杂半导体的第一部分(104)的第二部(122)的侧翼布置，使得所述第一金属电极(110)电联接到所述掺杂半导体的第一部分(104)并与所述掺杂半导体的第二部分(108)电绝缘。
3.根据权利要求1或2所述的方法，所述方法在生产所述光电发射和/或光电接收部件(102)与对所述第一金属电极(110)的面进行处理之间或者在将所述支撑件(142)移除之后进一步包括，在与所述发射和/或接收面(112)相对的一侧上，将所述光电发射和/或光电接收部件(102)电联接和机械联接到至少一个电子控制电路(130)。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，对所述第一金属电极(110)的面进行处理包括将至少一个可润湿材料(136)沉积在所述第一金属电极(110)的面上，或者当所述第一金属电极(110)包括被至少一个第二不可润湿材料(116)覆盖的至少一个第一可润湿的金属材料(114)时，对所述第一金属电极(110)的面上的所述第二不可润湿材料(116)进行蚀刻。
5.根据权利要求1或2所述的方法，所述方法在生产所述金属光学分离栅(140)与紧固所述金属光学分离栅(140)之间进一步包括将至少一种钎焊材料(150)沉积在所述金属光学分离栅(140)上。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述支撑件(142)上生产所述金属光学分离栅(140)，在所述金属光学分离栅(140)与所述支撑件(142)之间布置有至少一个牺牲层(144)，并且其中，通过抑制所述牺牲层(144)而将所述支撑件(142)移除。
7.根据权利要求6所述的方法，其中：
-所述牺牲层(144)的材料能够相对于所述金属光学分离栅(140)的材料被选择性地蚀刻；
-所述方法在生产所述金属光学分离栅(140)与紧固所述金属光学分离栅(140)之间进一步包括，对所述牺牲层(144)进行部分蚀刻，使得所述牺牲层(144)的其余部分位于所述金属光学分离栅(140)与所述支撑件(142)之间；
-通过抑制所述牺牲层(144)的其余部分而将所述支撑件(142)移除。
8.根据权利要求6所述的方法，其中：
-所述牺牲层(144)包括能够溶解在溶剂中的至少一种材料，并且其中，所述支撑件(142)的移除包括至少一次使所述牺牲层(144)与所述溶剂进行接触，从而使所述牺牲层(144)的材料溶解，或者
-所述牺牲层(144)至少包括聚酰亚胺，并且其中，所述支撑件(142)的移除包括至少一次使所述牺牲层(144)与等离子体进行接触，从而对聚酰亚胺进行蚀刻。
9.根据权利要求1或2所述的方法，其中：
-在所述支撑件(142)上生产所述金属光学分离栅(140)，在所述金属光学分离栅(140)与所述支撑件(142)之间布置有至少一个临时粘结层(154)；
-所述临时粘结层(154)包括至少一种材料，所述至少一种材料的粘结性能能够从所述材料所暴露的给定温度开始降低，并且在大于或等于所述给定温度的温度下实施对所述金属光学分离栅(140)的紧固。
10.根据权利要求1或2所述的方法，其中：
-在所述支撑件(142)上生产所述金属光学分离栅(140)，在所述金属光学分离栅(140)与所述支撑件(142)之间布置有至少一个临时粘结层(154)；
-所述临时粘结层(154)包括至少一种材料，所述至少一种材料的粘结性能能够在所述材料暴露于电磁辐射时降低，所述支撑件(142)的移除包括至少一次使所述临时粘结层(154)通过所述支撑件(142)暴露于所述电磁辐射。
11.根据权利要求1或2所述的方法，其中：
-在所述支撑件(142)上生产所述金属光学分离栅(140)，在所述金属光学分离栅(140)与所述支撑件(142)之间布置有至少一个氧化层(156)和至少一个铂层(156)；
-所述支撑件(142)的移除包括在所述氧化层(156)与所述铂层(156)之间的界面处进行至少一次机械分离。
12.根据权利要求1或2所述的方法，其中，生产所述金属光学分离栅(140)进一步包括在所述支撑件(142)上生产旨在由所述光电发射和/或光电接收部件(102)发射和/或接收的辐射的至少一个波长转换元件(162)，所述至少一个波长转换元件被布置在所述金属光学分离栅(140)的各部分之间，使得在将所述金属光学分离栅(140)紧固之后，将所述波长转换元件(162)布置成面对所述光电发射和/或光电接收部件(102)的半导体堆叠部(104，106，108)。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述波长转换元件(162)包括磷。
14.根据权利要求1或2所述的方法，其中：
-生产多个光电发射和/或光电接收部件(102)，并形成所述光电发射和/或光电接收装置(100)的像素点矩阵；
-所述第一金属电极(110)被布置在所述光电发射和/或光电接收部件(102)中的每一个的周围，并且对于所述光电发射和/或光电接收部件(102)是共有的。