显示装置和制造其的方法与流程

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年7月9日提交的韩国专利申请第10-2019-0082724号的优先权和从其获得的所有权益，其内容通过引用以其整体并入本文。

本公开涉及显示装置，并且更具体地，涉及可在折叠状态和展开状态之间转换的显示装置。

背景技术：

显示图像的显示装置可包括显示面板，比如有机发光显示面板或液晶显示面板。

移动电子装置通常包括显示装置以向用户提供图像。体积或厚度小于或等于常规移动电子装置的体积或厚度并具有更大的显示屏幕的移动电子装置的需求正在增加。也正在开发可折叠的显示装置或可弯曲的显示装置，其具有可折叠的和可展开的结构，以便仅在使用时提供更大的屏幕。

技术实现要素：

本公开的实施方式涉及显示装置，在显示装置中，通过蚀刻导电层的工艺，有效地防止设置在下侧的有机膜的损失。

根据本公开的实施方式，显示装置包括：基底基板；设置在基底基板上的有机层；和设置在有机层上的第一导电层，其中第一导电层包括多个堆叠的膜，多个堆叠的膜包括直接设置在有机层上的第一导电膜和设置在第一导电膜上的第二导电膜，并且第一导电膜具有比第二导电膜的氧浓度更高的氧浓度。

在实施方式中，相对于有机气体蚀刻剂的约0.17至约0.22的范围内的流量比，第一导电膜可具有约60纳米每分钟(nm/min)至约80nm/min的范围内的蚀刻速率。

在实施方式中，有机气体蚀刻剂可包括选自甲烷气体(ch4)、乙烷气体(c2h6)和乙酸气体(ch3cooh)中的至少一种材料。

在实施方式中，第二导电膜可包括选自钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)和铜(cu)中的至少一种材料。

在实施方式中，第二导电膜可包括设置在第一导电膜上的第一子导电膜和设置在第一子导电膜上的第二子导电膜。

在实施方式中，第一子导电膜可包括铝(al)，并且第二子导电膜可包括钛(ti)。

在实施方式中，显示装置可进一步包括设置在第一子导电膜和第一导电膜之间的第三导电膜，其中第三导电膜可具有比第一导电膜的氧浓度更低的氧浓度。

在实施方式中，第一导电膜可具有比第二导电膜的侧表面更向内设置的侧表面，并且第一导电膜的侧表面比第二导电膜的侧表面更向内凹陷的距离可在约0.4微米(μm)至约0.6μm的范围内。

在实施方式中，显示装置可进一步包括设置在有机层下面的无机层以及设置在无机层和有机层之间的第二导电层，其中第二导电层可包括多个堆叠的膜，多个堆叠的膜可包括设置在无机层和有机层之间并且直接设置在无机层的上表面上的第三导电膜以及设置在第三导电膜和有机层之间的第四导电膜，并且第三导电膜可具有比第四导电膜的氧浓度更高的氧浓度。

在实施方式中，相对于有机气体蚀刻剂的约0.17至约0.22的范围内的流量比，第三导电膜可具有约60nm/min至约80nm/min的范围内的蚀刻速率。

根据本公开的实施方式，制造显示装置的方法包括：提供包括依次堆叠在有机层上的多个膜的导电层，其中多个膜包括在有机层上直接提供的第一导电膜和在第一导电膜上提供的第二导电膜；使用第一蚀刻剂蚀刻第二导电膜以形成第二导电图案；以及使用与第一蚀刻剂不同的第二蚀刻剂蚀刻第一导电膜以形成第一导电图案。

在实施方式中，第一导电膜可具有比第二导电膜的氧浓度更高的氧浓度。

在实施方式中，使用第一蚀刻剂蚀刻第二导电膜以形成第二导电图案可包括：使用第一蚀刻剂干蚀刻第二导电膜以形成第二导电图案。

在实施方式中，第一蚀刻剂可包括无机气体蚀刻剂，并且无机气体蚀刻剂可包括选自氯气(cl2)和氯化溴(brcl)中的至少一种材料。

在实施方式中，使用与第一蚀刻剂不同的第二蚀刻剂蚀刻第一导电膜以形成第一导电图案可包括：使用与第一蚀刻剂不同的第二蚀刻剂干蚀刻第一导电膜以形成第一导电图案。

在实施方式中，第二蚀刻剂可包括有机气体蚀刻剂，并且有机气体蚀刻剂可包括选自甲烷气体(ch4)、乙烷气体(c2h6)和乙酸气体(ch3cooh)中的至少一种材料。

在实施方式中，使用与第一蚀刻剂不同的第二蚀刻剂干蚀刻第一导电膜以形成第一导电图案可包括：相对于有机气体蚀刻剂的约0.17至约0.22的范围内的流量比，以约60nm/min至约80nm/min的范围内的蚀刻速率干蚀刻第一导电膜。

在实施方式中，使用与第一蚀刻剂不同的第二蚀刻剂蚀刻第一导电膜以形成第一导电图案可包括：使用与第一蚀刻剂不同的第二蚀刻剂湿蚀刻第一导电膜以形成第一导电图案。

在实施方式中，使用与第一蚀刻剂不同的第二蚀刻剂湿蚀刻第一导电膜以形成第一导电图案可包括：形成底切形状，在底切形状中，第一导电图案比第二导电图案的侧表面更向内设置。

在实施方式中，在底切形状中，第一导电膜的侧表面比第二导电膜的侧表面更向内凹陷的距离可在约0.4μm至约0.6μm的范围内。

附图说明

参考附图，本公开的上面的和其他特征将通过详细描述其示例性实施方式变得更显而易见，在附图中：

图1为示出根据示例性实施方式的显示装置的透视图；

图2为沿着图1的线ii-ii’截取的截面图；

图3为示出根据示例性实施方式的折叠状态的显示装置的截面图；

图4为示出根据示例性实施方式的显示面板的截面图；

图5为示出根据示例性实施方式的第四导电层的多个堆叠的膜的截面图；

图6为示出根据示例性实施方式的制造显示装置的方法的流程图；

图7至图9为示出根据示例性实施方式的制造显示装置的方法的制造工艺的截面图；

图10为显示蚀刻气体的沸点的表；

图11为显示根据有机蚀刻气体的流量比的第一导电膜的蚀刻速率的图；

图12为示出根据可替代的示例性实施方式的第四导电层的多个堆叠的膜的截面图；

图13为示出根据另一可替代的示例性实施方式的第四导电层的多个堆叠的膜的截面图；

图14为示出根据再一可替代的示例性实施方式的第四导电层的多个堆叠的膜的截面图；

图15为示出根据又一可替代的示例性实施方式的第三导电层的多个堆叠的膜的截面图；

图16为示出根据又一可替代的示例性实施方式的第三导电层的多个堆叠的膜的截面图；

图17为示出根据又一可替代的示例性实施方式的第三导电层的多个堆叠的膜的截面图；并且

图18为示出根据又一可替代的示例性实施方式的第三导电层的多个堆叠的膜的截面图。

具体实施方式

现将参考附图在下文中更充分地描述本发明，附图中显示了本发明的优选实施方式。然而，本发明可以以不同的形式体现，并且不应解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以便本公开将是透彻和完整的，并且将充分地向本领域技术人员传达本发明的范围。贯穿本说明书，相同的附图标记指示相同的组件。在附图中，为清楚起见，夸大了层和区的厚度。

应理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，元件或层可直接在另一元件或层上，或者也可存在中间元件或层。相对而言，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，不存在中间元件。

应理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用于描述各种元件、组件、区、层和/或部分，但这些元件、组件、区、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件、组件、区、层或部分与另一元件、组件、区、层或部分。因此，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区”、“第一层”或“第一部分”可被命名为第二元件、第二组件、第二区、第二层或第二部分，而不会背离本文中的教导。

本文中使用的术语仅出于描述具体实施方式的目的，并非旨在限制。如本文中所使用的，单数形式“一个(a)”、“一种(an)”和“所述(the)”旨在包括复数形式，包括“至少一个”，除非上下文另外明确指示。“或”意指“和/或”。“a和b中的至少一个”意指“a和/或b”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。应进一步理解，术语“包含(comprises)”和/或“包含(comprising)”或“包括(includes)”和/或“包括(including)”在本说明书中使用时，表明存在所叙述的特征、区、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、区、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组。

如本文中所使用的“约”或“大约”包括所叙述的值，并且意指，考虑到讨论中的测量以及与具体数量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)，在如本领域普通技术人员确定的具体值的偏差的可接受的范围内。

除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的相同含义。应进一步理解，术语，比如常用的字典中限定的那些，应解释为具有与它们在相关领域和本公开的语境中的含义一致的含义，并且不应在理想化或过于正式的意义上解释，除非本文中明确如此限定。

参考作为理想化实施方式的示意性图示的截面图示，本文中描述了示例性实施方式。由此，应预料到由于例如制造技术和/或公差造成的图示的形状的变化。因此，本文中描述的实施方式不应解释为限于本文中所示出的区的具体形状，而是包括例如由制造造成的形状上的偏差。例如，示出或描述为平坦的区通常可具有粗糙和/或非线性的特征。此外，示出的锐角可为圆的。因此，图中示出的区本质上是示意性的，并且它们的形状并非旨在示出区的精确形状，并非旨在限制权利要求的范围。

显示装置是显示静止图像或移动图像的装置。显示装置可用于便携式电子装置，比如移动电话、智能电话、平板个人电脑(“pc”)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(“pmp”)、导航装置、超移动pc(“umpc”)，并且也可用作各种产品(比如电视、膝上型电脑、监视器、广告牌和用于物联网(“iot”)的装置)的显示屏幕。

在下文中，将参考附图详细描述示例性实施方式。

图1为示出根据示例性实施方式的显示装置的透视图。图2为沿着图1的线ii-ii’截取的截面图。图3为示出根据示例性实施方式的折叠状态的显示装置的截面图。

参见图1至图3，显示装置1的示例性实施方式可为可折叠的显示装置。在本文中，术语“可折叠的”可指可折叠的状态，并且具体可为参考术语“可弯曲的”、“可卷曲的”和类似的术语。此外，术语“可折叠的”应解释为参考所有术语“可部分折叠的”、“可完全折叠的”、“可向内折叠的”和“可向外折叠的”。

在示例性实施方式中，显示装置1可包括在其厚度方向上从平面图中观察时垂直穿过显示装置1的折叠轴axis_f。显示装置1可相对于折叠轴axis_f折叠。

显示装置1可在平面图中具有基本上矩形的形状。显示装置1可具有在平面图中拐角具有直角的矩形的形状，或具有在平面图中拐角是圆的矩形的形状。显示装置1可包括四个边ls1、ls2、ss1和ss2。显示装置1可具有长侧边ls1和ls2以及短侧边ss1和ss2。在一个示例性实施方式中，例如，长侧边ls1和ls2中的每一个可在第一方向dr1上延伸，并且短侧边ss1和ss2中的每一个可在第二方向dr2上延伸。在图中，第三方向dr3为垂直于第一方向dr1和第二方向dr2的方向，或为显示装置1的厚度方向。

在示例性实施方式中，如图1中所显示，折叠轴axis_f可在一方向上(例如，在第二方向dr2上)延伸，与长侧边ls1和ls2中的每一个相交。在这样的实施方式中，显示装置1的长侧边ls1和ls2中的每一个可以折叠。在可替代的示例性实施方式中，折叠轴axis_f可延伸以与短侧边ss1和ss2中的每一个相交。在这样的实施方式中，显示装置1的短侧边ss1和ss2中的每一个可以折叠。在下文中，为了便于描述，将主要详细描述这样的实施方式，在该实施方式中，如图1中所显示的折叠轴axis_f延伸以与长侧边ls1和ls2相交。在示例性实施方式中，折叠轴axis_f可与长侧边ls1和ls2中的每一个的中心部分相交，但本公开不限于此。

在本文中，除非另外限定，否则术语“上部分”和“上表面”是指显示方向，并且术语“下部分”和“下表面”是指与显示方向相反的方向。另外，术语“上(之上)”、“下(下面)”、“左(左侧)”和“右(右侧)”是指当显示表面设置在标准位置并且在厚度方向上从平面图观察时的方向。

显示装置1可包括显示区da和围绕显示区da设置的非显示区na。显示区da为显示屏幕的区，并且非显示区na为不显示屏幕的区。显示区da可设置在显示装置1的中心处。在显示装置1折叠的状态中，显示区da相对于折叠轴axis_f分成的区可彼此重叠，并且在显示装置1再次展开的状态中，这些区可以展开，因而，屏幕可暴露在显示区da中。

在平面图中向下和向上凹陷的槽(例如，切口)限定或形成在与显示装置1的第一长侧边ls1和第二长侧边ls2相邻的区中，该槽与折叠轴axis_f相会。用于转换状态的铰链构件(未显示)可耦接至凹形部分，但本公开不限于此。

参见图2，显示装置1的示例性实施方式可分成折叠区fr以及非折叠区nfr1和nfr2。

在这样的实施方式中，显示装置1可包括：设置在中心区中并且包括折叠轴axis_f的折叠区fr；以及其间以折叠区fr间隔开彼此的非折叠区nfr1和nfr2。

折叠区fr为其中显示装置1在折叠方向上折叠或弯曲以具有一定曲率的区，并且非折叠区nfr1和nfr2可为平坦且未折叠的区。非折叠区nfr1和nfr2可设置在彼此共面的平坦表面上。然而，本公开不限于此，并且非折叠区nfr1和nfr2可部分弯曲。

在示例性实施方式中，如图2中所显示，显示装置1可包括柔性模块10。柔性模块10可包括多个堆叠的构件。柔性模块10可包括显示面板200、设置在显示面板200下面的下功能构件100、设置在显示面板200上面的上功能构件300和设置在上功能构件300上面的窗400。

下功能构件100可设置在柔性模块10的底表面上。下功能构件100可包括功能层。功能层可为执行缓冲功能、散热功能、电磁波屏蔽功能、接地功能、强度增强功能、支撑功能、压力传感功能、数字化功能或类似功能的层。下功能构件100可形成为单个层。然而，本公开不限于此，并且下功能构件100可通过堆叠不同的功能层形成。

在一个示例性实施方式中，例如，下功能构件100可包括缓冲构件。缓冲构件可有效地防止从外部(例如，在下功能构件100的下方向上)施加的冲击被转移到显示面板200。缓冲构件可包括下述或由下述制成：泡沫材料，例如，聚氨酯(“pu”)、热塑性聚氨酯(“tpu”)、硅(si)或聚二甲基丙烯酰胺(“pdma”)。

下功能构件100可具有比稍后要描述的多个构件(其设置在显示面板200上面)的透光率低的透光率。在示例性实施方式中，设置在显示面板200上面的上层可具有相对高的透光率，因而可透射从显示面板200的显示区向上发射的光。在示例性实施方式中，下功能构件100可具有相对低的透光率，因而可阻挡从显示面板200的显示区向下发射的光。

显示面板200可设置在下功能构件100上面。

显示面板200可响应于输入数据信号显示图像。在示例性实施方式中，显示面板200可为有机发光显示面板、液晶显示面板、等离子体显示面板、电泳显示面板、电润湿显示面板、量子点发光显示面板或微发光二极管(“led”)显示面板。在下文中，为了便于描述，将详细描述显示面板200为有机发光显示面板的示例性实施方式，但本发明不限于此。

显示面板200可包括柔性基板，柔性基板包括柔性聚合物材料，比如聚酰亚胺(“pi”)。因此，显示面板200可为可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。显示面板200可具有基本上类似于显示装置1的平面形状的形状。

多个像素px可设置在显示面板200的显示区da中，并且用于向每个像素px施加信号的信号线或驱动电路可设置在非显示区na中。另外，在平面图中具有矩形框形状的黑矩阵可设置在非显示区na中。

像素px可包括发光层和配置成控制从发光层发射的光的量的电路层。电路层可包括多个线、多个电极和晶体管。在示例性实施方式中，发光层可包括有机发光材料。发光层可被封装膜密封。封装膜可密封发光层以防止水分和类似物从外部被引入发光层中。封装膜可形成为单个无机膜或多层无机膜，或者封装膜可形成为堆叠的膜(其中无机膜和有机膜彼此交替地堆叠)。

稍后将更详细地描述显示面板200的显示区da的详细截面形状。

上功能构件300可设置在显示面板200上面。

上功能构件300可包括功能层。功能层可为执行触摸传感功能、颜色过滤功能、颜色转换功能、偏振功能、抗反射功能、生物特征信息识别功能(例如，指纹识别功能)或类似功能的层。上功能构件300可包括，例如，抗反射构件。功能层可为由片组成的片层、由膜制成的膜层、薄膜层、涂层、面板、板或类似物。上功能构件300可形成为一个功能的单个层。然而，本公开不限于此，并且上功能构件300可通过堆叠不同的功能层形成。

窗400可设置在上功能构件300上面。

窗400起到覆盖并且保护设置在窗400下面的构件100、200和300的作用。窗400可包括下述或由下述制成：玻璃、石英或类似物。在示例性实施方式中，窗400的厚度可小于约100微米(μm)。在这样的实施方式中，窗400是薄的，以便在显示装置1折叠时减小应力，并且即使在重复折叠状态和展开状态时，结构的变形的程度也不会显著。在示例性实施方式中，窗400可包括超薄玻璃(“utg”)。

柔性模块10可包括构件100、200、300和400之间的多个粘合剂膜901、911和921以使构件100、200、300和400彼此耦接。第一粘合剂膜901可设置在下功能构件100和显示面板200之间，并且可使下功能构件100和显示面板200彼此耦接。第二粘合剂膜911可设置在显示面板200和上功能构件300之间，并且可使显示面板200和上功能构件300彼此耦接。第三粘合剂膜921可设置在上功能构件300和窗400之间，并且可使上功能构件300和窗400彼此耦接。

多个粘合剂膜901、911和921可为在其上表面和下表面上都具有粘合剂特性的膜。在一个示例性实施方式中，例如，多个粘合剂膜901、911和921可包括压敏粘合剂(“psa”)、光学透明粘合剂(“oca”)或光学透明树脂(“ocr”)。粘合剂膜可包括丙烯酸树脂、硅酮树脂或类似物。在示例性实施方式中，粘合剂膜可具有约100％至约1,000％的范围内的伸长率。

显示装置1可进一步包括支撑板501和502以及第四粘合剂膜931。支撑板501和502可设置在显示模块10下面，并且第四粘合剂膜可设置在支撑板501和502与显示模块10之间。

支撑板501和502可防止显示面板200受外力弯曲，或者可减小显示面板200的弯曲的程度(例如，弯曲角度或弯曲曲率半径)。也就是，即使在施加外力时，支撑板501和502也可保持显示面板200在相对平坦的状态中。

支撑板501和502可包括刚性或半刚性材料。具体地，支撑板501和502可包括下述或由下述制成：金属材料，比如不锈钢(“sus”)或铝，或者聚合物，比如聚甲基丙烯酸甲酯(“pmma”)、聚碳酸酯(“pc”)、聚乙烯醇(“pva”)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(“abs”)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(“pet”)。在一个示例性实施方式中，例如，支撑板501和502可为具有约200μm至约250μm的范围内的厚度的sus膜。在一个可替代的实施方式中，例如，支撑板501和502可为具有约200μm至约250μm的范围内的厚度的铝膜。

在示例性实施方式中，支撑板501和502可包括彼此间隔开的第一支撑板501和第二支撑板502。第一支撑板501可设置成与第一非折叠区nfr1和折叠区fr的一部分重叠。第二支撑板502可设置成与第二非折叠区nfr2和折叠区fr的一部分重叠。第一支撑板501和第二支撑板502可相对于折叠轴axis_f彼此间隔开预定距离。在一个示例性实施方式中，例如，预定距离可为约50μm或更小。

第四粘合剂膜931可设置在非折叠区nfr1和nfr2以及折叠区fr的整个表面上。第四粘合剂膜931可使支撑板501和502与下功能构件100耦接。第四粘合剂膜931可包括下述或由下述制成：与上述粘合剂膜901、911和921相同的材料。在一个示例性实施方式中，例如，第四粘合剂膜931可包括psa或由psa制成，但本公开不限于此。

参见图3，柔性模块10和第四粘合剂膜931可在折叠区fr中受外力折叠以具有一定曲率，但在非折叠区nfr1和nfr2中可基本上不受外力折叠。也就是，柔性模块10和第四粘合剂膜931可设置在非折叠区nfr1和nfr2彼此共面的平坦表面上。

当外力在折叠方向(图3的向上方向)上，施加至显示装置1的一侧，例如，其右侧时，折叠区fr可弯曲或折叠，并且第二非折叠区nfr2可在折叠方向上移动或旋转以与第一非折叠区nfr1重叠或相对。

图4为示出根据示例性实施方式的显示面板的截面图。

参见图4，在示例性实施方式中，基底基板201可为如上所述包括pi或类似物的柔性基板。基底基板201设置在显示区da和非显示区na两者的整体上。基底基板201可起到支撑设置在其上面的各种元件的作用。

缓冲层202可设置在基底基板201上或在基底基板201上方。缓冲层202可防止水分和氧气从外部通过基底基板201渗透。缓冲层202可包括选自硅氮化物(sinx)膜、硅氧化物(sio2)膜和硅氧氮化物(sioxny)膜中的至少一种材料。

半导体层105可设置在缓冲层202上。薄膜晶体管tft的沟道限定在半导体层105中。半导体层105可设置在显示区da的每个像素中。半导体层105可进一步设置在非显示区na中。半导体层105可包括源区/漏区和有源区。半导体层105可包括多晶硅。

第一绝缘层211可设置在半导体层105上。第一绝缘层211可设置在基底基板201的整个表面上或在基底基板201的整个表面上方。第一绝缘层211可为具有栅绝缘功能的栅绝缘膜。第一绝缘层211可包括硅化合物、金属氧化物或类似物。在一个示例性实施方式中，例如，第一绝缘层211可包括选自硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物、铝氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锆氧化物、钛氧化物和其组合中的至少一种材料。

第一导电层220可设置在第一绝缘层211上。第一导电层220可包括薄膜晶体管tft的栅电极ge和储存电容器cst的第一电极ce1。第一导电层220可包括选自钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)和铜(cu)中的至少一种金属。第一导电层220可为单个膜，或者为包括下述的堆叠的膜或由下述制成的堆叠的膜：选自上述材料中的材料。

第二绝缘层212可设置在第一导电层220上或在第一导电层220上方。第二绝缘层212可使第一导电层220和第二导电层230彼此绝缘。第二绝缘层212可包括下述或由下述制成：选自第一绝缘层211的上述材料中的材料。

第二导电层230可设置在第二绝缘层212上。第二导电层230可包括储存电容器cst的第二电极ce2。第二导电层230的材料可选自第一导电层220的上述材料。电容器可通过第二绝缘层212由储存电容器cst的第一电极ce1和储存电容器cst的第二电极ce2限定。

第三绝缘层213可设置在第二导电层230上或在第二导电层230上方。第三绝缘层213可包括选自第一绝缘层211的上述材料中的至少一种材料。在示例性实施方式中，第三绝缘层213可包括有机绝缘材料或由有机绝缘材料制成。也就是，第三绝缘层213可为有机层。在这样的实施方式中，有机绝缘材料可选自下面要描述的第一通过层via1的材料。

第三导电层240可设置在第三绝缘层213上。第三导电层240可包括源电极se、漏电极de和高电位电压电极elvdde。第三导电层240可包括选自钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)和铜(cu)中的至少一种材料。第三导电层240可为由选自上述材料中的材料制成的单个膜。然而，本公开不限于此，并且可替代地，第三导电层240可为堆叠的膜。

第一通过层via1可设置在第三导电层240上或在第三导电层240上方。第一通过层via1可包括有机绝缘材料。也就是，第一通过层via1可为有机层。有机绝缘材料可包括选自聚丙烯酸酯类树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺类树脂、聚酰亚胺类树脂、不饱和聚酯类树脂、聚苯醚类树脂、聚苯硫醚类树脂和苯并环丁烯(“bcb”)中的至少一种材料。

第四导电层250可设置在第一通过层via1上。第四导电层250可包括数据线dl、连接电极cne和高电位电压线elvddl。数据线dl可通过接触孔(通过第一通过层via1限定)电连接至薄膜晶体管tft的源电极se。连接电极cne可通过接触孔(通过第一通过层via1限定)电连接至薄膜晶体管tft的漏电极de。高电位电压线elvddl可通过接触孔(通过第一通过层via1限定)电连接至高电位电压电极elvdde。

第四导电层250可包括选自钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)和铜(cu)中的至少一种材料。在示例性实施方式中，第四导电层250可具有多层结构。在这样的实施方式中，导电层250可包括多个堆叠的膜或由多个堆叠的膜限定。稍后将参考图5更详细地描述第四导电层250的多个堆叠的膜的结构。

第二通过层via2设置在第四导电层250上或在第四导电层250上方。第二通过层via2可包括选自第一通过层via1的上述材料中的至少一种材料。

阳极电极and设置在第二通过层via2上。阳极电极and可通过接触孔(通过第二通过层via2限定)电连接至连接电极cne。

堤层bank可设置在阳极电极and上。堤层bank可具有通过其暴露阳极电极and的接触孔。堤层bank可包括下述或由下述制成：有机绝缘材料或无机绝缘材料。在一个示例性实施方式中，例如，堤层bank可包括下述或由下述制成：选自光刻胶、聚酰亚胺类树脂、丙烯酸类树脂、硅化合物和聚丙烯酸类树脂中的至少一种材料。

有机层el可设置在阳极电极and的上表面上并且在堤层bank的开口中。阴极电极cat设置在有机层el和堤层bank上。阴极电极cat可为设置在多个像素中的公共电极。

薄膜封装层270设置在阴极电极cat上。薄膜封装层270可覆盖有机发光二极管(“oled”)。薄膜封装层270可为堆叠的膜(其中无机膜和有机膜彼此交替地堆叠)。在一个示例性实施方式中，例如，薄膜封装层270可包括彼此依次堆叠的第一封装无机膜271、封装有机膜272和第二封装无机膜273。

图5为示出根据示例性实施方式的第四导电层的多个堆叠的膜的截面图。

参见图5，如上所述，第四导电层250包括多个堆叠的膜。第四导电层250包括直接设置在第一通过层via1上的第一导电膜251、设置在第一导电膜251上的第二导电膜252和设置在第二导电膜252上的第三导电膜253。

第一导电膜251可包括下述或由下述制成：具有比第二导电膜252和第三导电膜253的氧浓度更高的氧浓度的材料。

在这样的实施方式中，第一导电膜251由下述制成：具有比第二导电膜252和第三导电膜253的氧浓度更高的氧浓度的材料，以便当设置在第一通过层via1上的第四导电层250被蚀刻时，可有效地防止第一通过层via1的损失发生。当执行干蚀刻时，例如，第四导电层250的多个导电膜可同时全部被干蚀刻。与直接设置在第一通过层via1上的导电膜相比，第一通过层via1的上侧的导电膜可容易被干蚀刻，而与设置在上侧的导电膜相比，设置在下侧的导电膜可不容易被蚀刻。此外，例如，当直接设置在第一通过层via1上的第一导电膜由容易氧化的材料(例如，钛(ti))制成时，第一导电膜可容易被氧化。由于构成氧化的第一导电膜的原子之间的键合力比未氧化的第一导电膜的原子之间的键合力更高，因此可增加蚀刻功率以蚀刻氧化的第一导电膜。然而，在该情况下，设置在第一导电膜下面的第一通过层via1也会通过干蚀刻部分损失。部分移除的第一通过层via1的结构材料可保留在振动室中，并且引起后续工艺的可靠性降低。另外，其部分区损失的第一通过层via1可变成可见的斑点。

在示例性实施方式中，由于直接设置在第一通过层via1上的第四导电层250的第一导电膜251具有比第二导电膜252和第三导电膜253的氧浓度更高的氧浓度，因此可有效地防止第一导电膜251容易被氧化，从而容易蚀刻第一导电膜251而不增加蚀刻功率。在这样的实施方式中，由于第一导电膜251不容易被氧化，因此可容易调整蚀刻速率，从而执行更可靠的蚀刻工艺。

在示例性实施方式中，第一导电膜251可包括如下或由如下制成：相对于如下所述的有机气体蚀刻剂具有高蚀刻速率的材料。在一个示例性实施方式中，例如，相对于具有约0.17至约0.22的范围内的流量比的有机气体蚀刻剂，第一导电膜251可包括具有约60纳米每分钟(nm/min)至约80nm/min的范围内的蚀刻速率的导电材料。

在示例性实施方式中，例如，第一导电膜251可包括下述或由下述制成：透明导电氧化物，比如氧化铟锡(“ito”)、氧化铟锌(“izo”)、氧化锌(“zno”)、氧化铟锡锌(“itzo”)、氧化镁(“mgo”)和氧化铟锡镓(“itgo”)。第二导电膜252可包括铝(al)或由铝(al)制成，并且第三导电膜253可包括钛(ti)或由钛(ti)制成，但本公开不限于此。

在示例性实施方式中，如下所述，设置在第一导电膜251上面的第二导电膜252和第三导电膜253的蚀刻工艺与第一导电膜251的蚀刻工艺可依次执行。在这样的实施方式中，第二导电膜252和第三导电膜253首先被干蚀刻，并且第一导电膜251可被干蚀刻或湿蚀刻。第二导电膜252和第三导电膜253的蚀刻工艺与第一导电膜251的蚀刻工艺可使用彼此不同的蚀刻剂来执行。通常，第二导电膜252和第三导电膜253可通过干蚀刻形成，并且第一导电膜251可通过干蚀刻或湿蚀刻形成。

参考图6至图11，在下文中将详细描述这样的工艺。

图6为示出根据示例性实施方式的制造显示装置的方法的流程图。图7至图9为示出根据示例性实施方式的制造显示装置的方法的制造工艺的截面图。图10为显示蚀刻气体的沸点的表。图11为显示根据有机蚀刻气体的流量比的第一导电膜的蚀刻速率的图。更具体地，图10显示用于干蚀刻第二导电膜252a和253a的第一蚀刻剂的沸点和用于干蚀刻第一导电膜251a的第二蚀刻剂的沸点，并且图11显示在第二蚀刻剂的材料的恒定流量比下的第一导电膜251a的蚀刻速率。

参见图6和图7，提供导电层250a，导电层250a包括顺序堆叠在有机层(即，第一通过层via1)上的多个膜，即，直接形成在有机层(即，第一通过层via1)上的第一导电膜251a以及形成在第一导电膜251a上的第二导电膜252a和253a(s10)，其中第二导电膜252a和253a包括第一子导电膜252a和第二子导电膜253a。

第一导电膜251a的结构材料可与上面参考图5描述的第一导电膜251的结构材料相同。第一子导电膜252a的结构材料可与上面参考图5描述的第二导电膜252的结构材料相同。第二子导电膜253a的结构材料可与上面参考图5描述的第三导电膜253的结构材料相同。

在这样的实施方式中，第一导电膜251a的结构材料可包括具有比第一子导电膜252a的结构材料和第二子导电膜253a的结构材料的氧浓度更高的氧浓度的材料。

在这样的实施方式中，如上所述，由于第一导电膜251a的结构材料包括具有比第一子导电膜252a的结构材料和第二子导电膜253a的结构材料的氧浓度更高的氧浓度的材料，因此当设置在第一通过层via1上的导电层250a被蚀刻时，可有效地防止第一通过层via1的损失发生。

在这样的实施方式中，第一导电膜251a的结构材料可包括相对于如上所述的有机气体蚀刻剂具有高蚀刻速率的材料。在一个示例性实施方式中，例如，相对于具有约0.17至约0.22的范围内的流量比的有机气体蚀刻剂，第一导电膜251a可包括具有约60nm/min至约80nm/min的范围内的蚀刻速率的导电材料。

参见图6和图8，使用第一蚀刻剂蚀刻第二导电膜252a和253a以形成第二导电图案252(图5的第二导电膜)和253(图5的第三导电膜)(s20)。

使用第一蚀刻剂蚀刻第二导电膜252a和253a以形成第二导电图案252和253可包括：使用第一蚀刻剂干蚀刻第二导电膜252a和253a以形成第二导电图案252和253。

第一蚀刻剂可为无机气体。在一个示例性实施方式中，无机气体蚀刻剂可包括氯气(cl2)、氯化溴(brcl)或类似物，但不限于此。

第一蚀刻剂可相对于第二导电膜252a和253a具有高蚀刻速率，但可相对于第一导电膜251a不具有高蚀刻速率。也就是，相对于第二导电膜252a和253a的第一蚀刻剂的蚀刻速率可比相对于第一导电膜251a的第一蚀刻剂的蚀刻速率高得多。因此，在使用第一蚀刻剂干蚀刻第二导电膜252a和253a的工艺期间，第一导电膜251a可几乎不被蚀刻或可根本不被蚀刻。

接着，参见图5以及图6和图9，使用与第一蚀刻剂不同的第二蚀刻剂蚀刻第一导电膜251a以形成第一导电图案251或图5的第一导电膜251(s30)。

使用与第一蚀刻剂不同的第二蚀刻剂蚀刻第一导电膜251a以形成第一导电图案251可包括：使用与第一蚀刻剂不同的第二蚀刻剂干蚀刻第一导电膜251a以形成第一导电图案251。

第二蚀刻剂可包括如上所述的有机气体蚀刻剂。在一个示例性实施方式中，例如，有机气体蚀刻剂可包括甲烷气体(ch4)、乙烷气体(c2h6)、乙酸气体(ch3cooh)或类似物，但不限于此。

使用与第一蚀刻剂不同的第二蚀刻剂干蚀刻第一导电膜251a以形成第一导电图案251可进一步包括：在第二导电图案252和253上形成光刻胶pr以具有比第二导电图案252和253的宽度更大的宽度，以及干蚀刻第一导电膜251a以形成第一导电图案251。

尽管在图7至图9中未显示，但是使用与第一蚀刻剂不同的第二蚀刻剂蚀刻第一导电膜251a以形成第一导电图案251可包括：使用与第一蚀刻剂不同的第二蚀刻剂湿蚀刻第一导电膜251a以形成第一导电图案251。

使用与第一蚀刻剂不同的第二蚀刻剂湿蚀刻第一导电膜251a以形成第一导电图案251可进一步包括：形成其中第一导电图案251比第二导电图案252和253的侧表面更向内设置的底切形状。

形成其中第一导电图案251比第二导电图案252和253的侧表面更向内设置的底切形状可进一步包括：形成底切形状，以便第一导电图案251的侧表面比第二导电图案252和253的侧表面更向内凹陷的距离在约0.4μm至约0.6μm的范围内。

参见图10，图10显示可用作第一蚀刻剂的无机气体蚀刻剂的沸点比可用作第二蚀刻剂的有机气体蚀刻剂的沸点更高。

更具体地，在可用作第一蚀刻剂的无机气体蚀刻剂中，氟化铟(inf3)可具有约800℃的沸点，氯化铟(incl3)可具有约230℃的沸点，并且溴化铟(inbl3)可具有约180℃的沸点。

另一方面，可用作第二蚀刻剂的有机气体蚀刻剂，也就是，铟甲基化合物((ch3)3in)可具有约60℃的沸点。

也就是，由于在干蚀刻第一导电膜251a的工艺期间使用的第二蚀刻剂具有比第一蚀刻剂的沸点更低的沸点，因此在干蚀刻第一导电膜251a的工艺中，反应之后保留的第二蚀刻剂可容易被移除。

参见图11，图11显示，相对于具有约0.17至约0.22的范围内的流量比的有机气体蚀刻剂，第一导电膜251a具有例如约60nm/min至约80nm/min的范围内的蚀刻速率。上面描述了这样的特征，并且将省略其任何重复的详细描述。

在下文中，将描述可替代的示例性实施方式。在以下示例性实施方式中，对与上述示例性实施方式中的组件相同或相似的组件将给出相同的附图标记，并且将省略或简化其任何重复的详细描述。

图12为示出根据可替代的示例性实施方式的第四导电层的多个堆叠的膜的截面图。

参见图12，在这样的实施方式中，第四导电层250_1与上面参考图5描述的第四导电层250基本上相同，不同的是第四导电膜254可进一步设置在第一导电膜251和第二导电膜252之间。

第四导电膜254可包括选自钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)、钨(w)和铜(cu)中的至少一种材料。

在一个示例性实施方式中，例如，第四导电膜254可包括钛(ti)，但本公开不限于此。

在这样的实施方式中，由于直接设置在第一通过层via1上的第四导电层250_1的第一导电膜251具有比第二导电膜252和第三导电膜253的氧浓度更高的氧浓度，因此可防止第一导电膜251容易被氧化，从而容易蚀刻第一导电膜251而不增加蚀刻功率。在这样的实施方式中，由于第一导电膜251不容易被氧化，因此可容易调整蚀刻速率，从而执行更可靠的蚀刻工艺。

图13为示出根据另一可替代的示例性实施方式的第四导电层的多个堆叠的膜的截面图。

参见图13，在这样的实施方式中，第四导电层250_2与图5的第四导电层250基本上相同，不同的是第一导电膜251_1具有底切形状，在底切形状中，第一导电膜251_1的侧表面比其上面的第二导电膜252和第三导电膜253的侧表面更向内设置。

在这样的实施方式中，第四导电层250_2的第一导电膜251_1可具有底切形状，在底切形状中，第一导电膜251_1的侧表面比其上面的第二导电膜252和第三导电层膜253的侧表面更向内设置。

如在根据示例性实施方式的制造显示装置的方法中所描述的，通过使用与第一蚀刻剂不同的第三蚀刻剂的湿蚀刻形成第一导电膜251_1时，可形成这样的结构。第三蚀刻剂可包括酸性材料，比如磷酸、硝酸或乙酸，但本公开不限于此。

第一导电膜251_1的侧表面比第二导电膜252和第三导电膜253的侧表面更向内凹陷的距离d1可在约0.4μm至约0.6μm的范围内。

图14为示出根据另一可替代的示例性实施方式的第四导电层的多个堆叠的膜的截面图。

参见图14，在这样的实施方式中，第四导电层250_3与上面参考图13描述的第四导电层250_2基本上相同，不同的是图14的第四导电膜254进一步设置在第一导电膜251_1和第二导电膜252之间。

在这样的实施方式中，第四导电膜254可进一步设置在第四导电层250_3中，在第一导电膜251_1和第二导电膜252之间。

在这样的实施方式中，其他元件与上面参考图13描述的其他元件基本上相同，并且将省略任何其重复的详细描述。

图15为示出根据另一可替代的示例性实施方式的第三导电层的多个堆叠的膜的截面图。

参见图15，在这样的实施方式中，第三导电层240与上面参考图5描述的第四导电层250基本上相同，特别是第三导电层240具有参考图5描述的第四导电层250的堆叠的结构。

在这样的实施方式中，第三导电层240包括多个堆叠的膜。第三导电层240可包括直接设置在第三绝缘层213上的第一导电膜241、设置在第一导电膜241上的第二导电膜242和设置在第二导电膜242上的第三导电膜243。

第一导电膜241可包括下述或由下述制成：具有比第二导电膜242和第三导电膜243的氧浓度更高的氧浓度的材料。

在这样的实施方式中，由于第一导电膜241包括下述或由下述制成：具有比第二导电膜242和第三导电膜243的氧浓度更高的氧浓度的材料，因此当设置在第三绝缘层213上的第三导电层240被蚀刻时，可有效地防止第三绝缘层213的损失发生。

在这样的实施方式中，第一导电膜241可由对有机气体蚀刻剂具有高蚀刻速率的材料制成。在一个示例性实施方式中，例如，相对于具有约0.17至约0.22的范围内的流量比的有机气体蚀刻剂，第一导电膜241可包括具有约60nm/min至约80nm/min的范围内的蚀刻速率的导电材料。

在这样的实施方式中，第一导电膜241可包括下述或由下述制成：透明导电氧化物，例如，ito、izo、zno、itzo、mgo、itgo或itzo。第二导电膜242可包括铝(al)或由铝(al)制成，并且第三导电膜243可由钛(ti)制成，但本公开不限于此。

图16为示出根据另一可替代的示例性实施方式的第三导电层的多个堆叠的膜的截面图。

参见图16，在这样的实施方式中，第三导电层240_1与上面参考图12描述的第四导电层250_1基本上相同，特别是第三导电层240_1具有图12的第四导电层250_1的堆叠的结构，也就是，第四导电膜244可进一步设置在第一导电膜241和第二导电膜242之间。

在这样的实施方式中，其他元件与上面参考图12描述的其他元件基本上相同，并且将省略任何其重复的详细描述。

图17为示出根据另一可替代的示例性实施方式的第三导电层的多个堆叠的膜的截面图。

参见图17，在这样的实施方式中，第三导电层240_2与上面参考图13描述的第四导电层250_2基本上相同，特别是第三导电层240_2具有图13的第四导电层250_2的堆叠的结构，也就是，第一导电膜241_1具有底切形状，在底切形状中第一导电膜241_1的侧表面比其上面的第二导电膜242和第三导电膜243的侧表面更向内设置。

在这样的实施方式中，其他元件与上面参考图13描述的其他元件基本上相同，并且将省略任何其重复的详细描述。

图18为示出根据另一可替代的示例性实施方式的第三导电层的多个堆叠的膜的截面图。

参见图18，在这样的实施方式中，第三导电层240_3与上面参考图14描述的第四导电层250_3基本上相同，特别是第三导电层240_3具有图14的第四导电层250_3的堆叠的结构。

在这样的实施方式中，其他元件与上面参考图14描述的其他元件基本上相同，并且将省略任何其重复的详细描述。

根据本发明的示例性实施方式，在蚀刻导电层的工艺中有效地防止了设置在显示装置中的导电层的下侧的有机膜的损失。

本发明不应解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以便本公开将是透彻和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的构思。

尽管参考本发明的实施方式已经具体地显示并描述了本发明，但本领域普通技术人员会理解，在不背离如由所附权利要求所限定的本发明的精神或范围的情况下，可在本发明中作出形式和细节上的各种改变。