背光器件以及包括该背光器件的显示装置的制作方法

背光器件以及包括该背光器件的显示装置
[0001]
本申请要求于2019年7月22日提交的韩国专利申请第10-2019-0088520号的优先权以及从中获得的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用整体并入本文。
技术领域
[0002]
一个或多个实施例涉及一种背光器件以及包括该背光器件的显示装置，并且更具体地，涉及一种包括发光二极管(“led”)的背光器件以及包括该背光器件的显示装置。


背景技术：

[0003]
将显示装置作为一个用户接口安装在电子设备中已经变得必不可少。平板显示器被广泛用作电子设备中的显示装置，以使电子设备轻、薄、短和小并且具有低功耗。
[0004]
液晶显示(“lcd”)装置是平板显示装置的一种类型。lcd装置是通过调整来自外部的光量来显示图像的装置。因此，lcd装置包括背光单元，该背光单元包括用于向液晶面板发射光的附加光源(例如，背光灯)。


技术实现要素：

[0005]
近来，具有诸如低功耗、环保和纤薄设计的期望特性的发光二极管(“led”)被广泛用作背光单元的光源。然而，包括led的光源可能难以在显示装置的整个区上保持亮度和颜色的均匀性。另外，期望改善led中的瞬时电流控制。
[0006]
一个或多个实施例涉及一种具有提高的亮度均匀性和寿命的背光器件。
[0007]
一个或多个实施例包括一种可以补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压的偏差的背光器件。
[0008]
一个或多个实施例包括一种包括上述背光器件的显示装置。
[0009]
根据实施例，背光器件包括基板以及位于基板上的多个光发射器。在这样的实施例中，多个光发射器中的每一个包括设置在基板上的亮度控制器、设置在基板上的焊盘单元以及发光二极管，其中亮度控制器产生发光电流，发光二极管被允许设置在焊盘单元上，并且发光二极管基于发光电流发光。
[0010]
根据实施例，背光器件包括基板；薄膜晶体管，包括半导体层、栅电极、第一连接电极和第二连接电极，其中半导体层设置在基板上并具有第一区和第二区，栅电极与半导体层至少部分地重叠，第一连接电极电连接到第一区，并且第二连接电极电连接到第二区；焊盘单元，包括第一焊盘和第二焊盘，其中第二焊盘连接到第一连接电极；数据线，设置在基板上，其中数据线将数据电压传输到栅电极；第一电源线，设置在基板上，其中第一电源线将第一驱动电压传输到第一焊盘；以及第二电源线，设置在基板上并连接到第二连接电极。
[0011]
根据实施例，显示装置包括背光单元以及设置在背光单元上的显示面板，其中多个像素设置在显示面板中。在这样的实施例中，背光单元包括基板以及设置在基板上的多个光发射器。在这样的实施例中，多个光发射器中的每一个包括设置在基板上的薄膜晶体管，其中薄膜晶体管产生发光电流；位于基板上的一对焊盘；以及发光二极管，设置在一对
焊盘上并串联连接到薄膜晶体管，使得发光二极管基于发光电流发光。
附图说明
[0012]
根据以下结合附图进行的描述，本公开实施例的上述和其他特征将更加明显，其中：
[0013]
图1是根据实施例的背光器件的示意性框图；
[0014]
图2是根据实施例的光发射器的示意性电路图；
[0015]
图3是根据实施例的光发射器的示意性截面图；
[0016]
图4是根据可替代实施例的背光器件的示意性框图；
[0017]
图5是根据实施例的显示装置的示意性框图；以及
[0018]
图6是图示出图5的显示装置的一部分的示意性截面图。
具体实施方式
[0019]
现在将在下文中参考附图更充分地描述本发明，在附图中示出了各种实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式来体现，并且不应被解释为限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开是全面和完整的，并且将本发明的范围充分传达给本领域技术人员。在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的元件。
[0020]
应当理解，当元件被称为在另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上，或者在它们之间可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
[0021]
应当理解，尽管在本文中术语“第一”、“第二”、“第三”等可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，以下讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”或“部分”可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不脱离本文的教导。
[0022]
为了便于说明，附图中的元件的尺寸可能被放大。换句话说，由于为了便于解释而任意地图示出了附图中的部件的尺寸和厚度，因此本公开不限于此。
[0023]
应当理解，当层、区域或部件被称为“连接到”或“耦接到”另一层、区域或部件时，它可以“直接连接或耦接”到另一层、区域或部件，或者可以利用位于它们之间的中间元件“间接连接或耦接到”另一层、区域或部件。
[0024]
本文所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，而并非旨在进行限制。如本文所使用的，单数形式“一”和“该(所述)”旨在包括复数形式，包括“至少一个”，除非上下文另有明确指示。“或”表示“和/或”。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。还应当理解，术语“包含”及其变型或“包括”及其变型当在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。
[0025]
本文所使用的术语“对应的”或“对应于”可以指根据上下文布置在同一列和/或同一行中或连接至同一列和/或同一行。例如，第一构件连接至多个第二构件中的“对应的”第
二构件表示第一构件连接到与第一构件布置在同一列和/或同一行上的第二构件。例如，当多个像素电路和多个发光二极管分别在行方向和列方向上布置在基板上时，发光二极管连接至对应的像素电路表示发光二极管连接到多个像素电路中的与发光二极管布置在同一列和同一行上的像素电路。
[0026]
为了便于描述，本文中可以使用空间相对术语，例如“下面”、“下方”、“下”、“上方”和“上”等，以描述如附图中所图示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。应当理解，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还意图涵盖在使用或操作中的设备的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定位在其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可以涵盖上方和下方两个方位。装置可以以其他方式定位(例如旋转90度或以其他方位)，并应当相应地解释本文使用的空间相对描述语。
[0027]
除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应当理解，例如在常用词典中限定的那些术语的术语应当被解释为具有与其在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确限定，否则将不会以理想或过于正式的意义来解释。
[0028]
本文参考作为理想化实施例的示意性图示的截面图示来描述示例性实施例。因此，应预期到由于例如制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，本文所描述的实施例不应解释为限于本文所图示的区域的特定形状，而应包括例如由制造导致的形状的偏差。例如，图示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外，所图示的锐角可以是圆形的。因此，附图中图示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在图示出区域的精确形状，并且也不旨在限制本权利要求书的范围。
[0029]
在下文中，将参考附图详细描述本发明的实施例。
[0030]
图1是根据实施例的背光器件的示意性框图。
[0031]
参考图1，背光器件的实施例包括基板110以及位于基板110上的多个光发射器(在附图中称为“em”)120。
[0032]
基板110可以是包括透明玻璃材料或透明塑料材料的绝缘基板，透明玻璃材料具有氧化硅(sio2)作为主要成分。在实施例中，基板110可以是玻璃基板或塑料基板。在可替代实施例中，基板110可以是包括薄膜金属材料的导电基板。基板110可以是柔性基板或刚性基板。
[0033]
缓冲层(未示出)可以设置或布置在基板110上。在这样的实施例中，缓冲层有效地防止了来自基板110的杂质离子的扩散或来自基板110的水分或外部空气的渗透，并为基板110提供了平坦的表面。例如，缓冲层可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化钛的无机绝缘材料。例如，缓冲层可以包括诸如聚酰亚胺、聚酯或亚克力的有机绝缘材料。可替代地，缓冲层可以包括包含上述材料的层的堆叠，或可以包括一堆叠，该堆叠包括包含有机绝缘材料的层和包含无机绝缘材料的层。
[0034]
光发射器120可以设置或布置在基板110上。光发射器120可以基本上以矩阵的形式布置。光发射器120可以在行方向和列方向上以它们之间的预定间隔或预设空间布置。
[0035]
光发射器120的数量没有特别限制。在一个实施例中，例如，可以使用成千上万的光发射器120。在实施例中，可以以使得当背光器件向显示面板提供光时，光发射器120中的
每一个可以在基板110上设置或布置为照明数十至数百个像素的方式，来确定光发射器120的数量。光发射器120中的每一个可以包括亮度控制器和焊盘单元。将参考图2详细描述光发射器120。
[0036]
在实施例中，多条数据线dl、多条第一电源线pl1以及多条第二电源线pl2可以设置或布置在基板110上。光发射器120可以分别连接到数据线dl、第一电源线pl1和第二电源线pl2。在一个实施例中，例如，数据线dl、第一电源线pl1和第二电源线pl2可以连接到光发射器120。分别连接到光发射器120的数据线dl、第一电源线pl1和第二电源线pl2可以被称为数据线dl中该光发射器120的对应数据线dl、第一电源线pl1中该光发射器120的对应第一电源线pl1以及第二电源线pl2中该光发射器120的对应第二电源线pl2。在实施例中，数据线dl、第一电源线pl1和第二电源线pl2中的每一条可以与光发射器120一一对应。在这样的实施例中，数据线dl的数量、第一电源线pl1的数量和第二电源线pl2的数量中的每个数量可以与光发射器120的数量相同。
[0037]
数据线dl可以传输用于控制从光发射器120发射的光的亮度的数据电压。第一电源线pl1可以将第一驱动电压传输到光发射器120。第二电源线pl2可以将第二驱动电压传输到光发射器120。根据实施例，第一驱动电压的电平可以高于第二驱动电压的电平，但不限于此。可替代地，第二驱动电压的电平可以高于第一驱动电压的电平。在下文中，为了便于描述，将详细描述其中第一驱动电压的电平高于第二驱动电压的电平的实施例。在这样的实施例中，第一驱动电压可以被表示为例如vdd，并且第二驱动电压可以被表示为例如vss。
[0038]
根据实施例，背光器件可以进一步包括驱动板130。驱动板130可以连接到基板110，向数据线dl输出数据电压，并且分别向第一电源线pl1和第二电源线pl2提供第一驱动电压和第二驱动电压。驱动板130可以是柔性印刷电路板(“fpcb”)。源集成电路(“ic”)芯片可以设置或安装在驱动板130上，并且源ic芯片可以将数据电压输出到数据线dl。电源焊盘和布线可以设置或布置在驱动板130上，并且电源焊盘从外部接收第一驱动电压和第二驱动电压，并且布线将电源焊盘连接到第一电源线pl1和第二电源线pl2。微控制器或时序控制器等可以设置或安装在驱动板130上，并且微控制器或时序控制器被配置成驱动显示面板。
[0039]
驱动板130可以被称为连接到基板110以驱动光发射器120的外部装置。在一个实施例中，例如，驱动板130可以包括第一驱动板和第二驱动板，并且在第一驱动板上设置或安装被配置成向数据线dl输出数据电压的源ic芯片，并且在第二驱动板上设置或安装被配置成产生第一驱动电压和第二驱动电压的电源芯片。根据可替代实施例，驱动板130可以包括第三驱动板，该第三驱动板包括被配置成感测流过光发射器120中的每一个的驱动电流的大小的传感器。
[0040]
图2是根据实施例的光发射器120的示意性电路图。
[0041]
参考图2，光发射器120可以包括亮度控制器121和焊盘单元122，在焊盘单元122上设置或安装有发光二极管led。数据线dl、第一电源线pl1和第二电源线pl2可以连接到光发射器120。在图2中示出了设置或布置在基板110上的光发射器120中的一个。基板110上的其他光发射器120可以具有与图2中所示的光发射器120的电路配置基本相同的电路配置。
[0042]
亮度控制器121可以包括薄膜晶体管tft，该薄膜晶体管tft被配置成基于经由数
据线dl施加到栅电极ge的数据电压来产生从漏电极de流向源电极se的发光电流。薄膜晶体管tft可以产生具有与施加到栅电极ge的数据电压的电平相对应的大小的发光电流。当施加到栅电极ge的数据电压的电平变得更高时，可产生大小更大的发光电流。发光电流可以从第一电源线pl1经由发光二极管led流向第二电源线pl2。
[0043]
薄膜晶体管tft可以包括栅电极ge、源电极se和漏电极de。栅电极ge可以连接到对应的数据线dl，从而接收数据电压。在实施例中，如图2中所示，漏电极de可以连接到发光二极管led的阴极。发光二极管led的阴极可以被称为第二电极。源电极se可以连接到对应的第二电源线pl2。发光二极管led的阳极可以被称为第一电极，并连接到对应的第一电源线pl1。漏电极de可以被称为第一连接电极。源电极se可以被称为第二连接电极。
[0044]
发光二极管led串联连接到薄膜晶体管tft。发光二极管led对应于从亮度控制器121中的薄膜晶体管tft产生的驱动电流而发射光。在实施例中，如图2中所示，发光二极管led可以包括彼此串联连接的多个发光二极管led。图2示出了其中两个发光二极管led彼此连接的实施例。然而，这仅仅是示例性的。在可替代实施例中，单个发光二极管led或三个或更多个发光二极管led可以串联连接到薄膜晶体管tft。在下文中，将详细描述两个发光二极管led彼此串联连接的实施例。在实施例中，考虑到发光二极管led的亮度、薄膜晶体管tft的驱动能力以及背光器件的辐射结构，可以对光发射器120中包括的发光二极管led的数量进行各种修改。
[0045]
焊盘单元122可以包括其上设置或安装有发光二极管led的焊盘。焊盘单元122可以包括包含第一焊盘和第二焊盘的一对焊盘，并且第一焊盘连接到发光二极管led的第一电极，并且第二焊盘连接到发光二极管led的第二电极。在实施例中，如图2中所示，焊盘单元122可以包括两对焊盘，并且两个发光二极管led分别设置或安装在两对焊盘上。一对焊盘中的各个焊盘可以彼此分开以散发热量。
[0046]
在实施例中，如图2中所图示，薄膜晶体管tft可以是n型金属氧化物半导体场效应晶体管(“mosfet”)。然而，这仅仅是示例性的。在可替代实施例中，薄膜晶体管tft可以被实现为p型mosfet。在这样的实施例中，第二驱动电压的电平可以高于第一驱动电压的电平。在这样的实施例中，可以以与上述方法相反的方式来执行发光二极管led的连接。在这样的实施例中，发光二极管led的阳极可以连接到漏电极de，并且发光二极管led的阴极可以连接到第一电源线pl1。在这样的实施例中，当施加到栅电极ge的数据电压的电平低时，被实现为p型mosfet的薄膜晶体管可以产生大小很大的发光电流。发光电流从源电极se通过发光二极管led流到漏电极de。
[0047]
图3是根据实施例的光发射器120的示意性截面图。
[0048]
参考图2和图3，光发射器120的实施例包括亮度控制器121、发光二极管led以及在其上设置或安装发光二极管led的焊盘pad。
[0049]
亮度控制器121可以包括基板101、位于基板101上的半导体层102、栅电极104、第一连接电极106c和第二连接电极106d。基板101与图1中所示的基板110可以是同一基板或不同的基板。
[0050]
基板101可以是基底基板，可以通过半导体工艺在其上提供或形成焊盘单元122以及包括薄膜晶体管tft的亮度控制器121。缓冲层可以设置或堆叠在基板101上。
[0051]
半导体层102包括均掺杂有杂质从而具有导电性的源区sr和漏区dr。半导体层102
包括位于源区sr与漏区dr之间的有源区act。漏区dr可以被称为第一区。源区sr可以被称为第二区。
[0052]
在实施例中，可以通过在基板101上沉积例如非晶硅层的半导体材料层(未示出)，并且然后使半导体材料层结晶，来形成多晶硅层(未示出)。例如，可以通过使用诸如快速热退火(“rta”)方法、固相结晶方法(“spc”)、准分子激光退火(“ela”)方法、金属诱导结晶(“mic”)方法、金属诱导横向结晶(“milc”)方法或顺序横向固化(“sls”)的各种方法中的至少一种来使非晶硅结晶。如上面描述而形成的多晶硅层可以通过使用光刻工艺被图案化以形成有源图案。根据可替代实施例，可以对非晶硅层进行图案化，并且然后进行结晶，从而形成有源图案。可以对源区sr和漏区dr执行选择性离子注入工艺，从而注入杂质。结果，可以在有源图案中形成源区sr、有源区act和漏区dr。
[0053]
在实施例中，半导体层102可以包括硅类元素半导体，但不限于此。在可替代实施例中，半导体层102可以包括化合物半导体，例如，氧化物半导体或有机材料半导体。
[0054]
栅绝缘层103可以设置或布置在半导体层102上。栅绝缘层103可以包括氧化物、氮化物、氮氧化物或其组合。
[0055]
栅电极104可以设置或布置在栅绝缘层103上，并且栅电极104与半导体层102的有源区act至少部分地重叠。导电材料层(未示出)设置或堆叠在栅绝缘层103上。可以通过光刻工艺和蚀刻工艺来图案化导电材料层，以形成栅电极104。栅电极104可以包括诸如钼(mo)、钨钼(mow)或铝(al)类合金等的金属或金属合金，但不限于此。可替代地，栅电极104可以具有包括mo/al/mo的堆叠结构。
[0056]
在将杂质注入到源区sr和漏区dr内的过程中，栅电极104可以用作掩模。有源区act是位于源区sr与漏区dr之间的半导体层102。有源区act可以被限定为与栅电极104重叠的部分。
[0057]
层间绝缘层105可以设置或布置在栅电极104上。可以在栅绝缘层103和层间绝缘层105中限定接触孔，其中接触孔分别暴露半导体层102的源区sr和漏区dr。
[0058]
电极材料层可以设置或堆叠在层间绝缘层105上。电极材料层可以包括诸如mo、铬(cr)、钨(w)、铝钕(al-nd)、钛(ti)、mow或al的金属。
[0059]
电极材料层可以被图案化为第一布线106a、第二布线106b、第一连接电极106c和第二连接电极106d。第一连接电极106c和第二连接电极106d可以经由栅绝缘层103和层间绝缘层105中的接触孔分别连接到漏区dr和源区sr。
[0060]
第一布线106a的一端和第二布线106b的一端可以构成其上可以设置或安装发光二极管led的一对焊盘pad。第一布线106a的此端可以被称为第一焊盘。第二布线106b的此端可以被称为第二焊盘。第二布线106b的另一端和第一连接电极106c的一端也可以构成其上可以设置或安装发光二极管led的一对焊盘pad。第二布线106b的该另一端可以被称为第一焊盘。第一连接电极106c的此端可以被称为第二焊盘。第一连接电极106c可以将第二焊盘连接到漏区dr。第一焊盘可以连接到发光二极管led的第一电极，例如，阳极。第二焊盘可以连接到发光二极管led的第二电极，例如，阴极。
[0061]
保护层107可以设置或布置在第一布线106a、第二布线106b、第一连接电极106c和第二连接电极106d上，以暴露焊盘pad。保护层107可以被称为平坦化层或钝化层。保护层107可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。
[0062]
发光二极管led可以分别设置或安装在一对焊盘pad上。发光二极管led可以是小型发光二极管。尽管在图3中未图示出，但是第一布线106a可以连接到第一电源线pl1，并且第二连接电极106d可以连接到第二电源线pl2。栅电极104可以连接到数据线dl。
[0063]
尽管在图3中未图示出，但是与栅电极104位于同一层上的辅助布线可以设置或布置在第一布线106a和第二布线106b下方。辅助布线可以经由接触插塞连接到第一布线106a和第二布线106b。
[0064]
图4是根据可替代实施例的背光器件的示意性框图。
[0065]
参考图4，背光器件的实施例包括基板110、位于基板110上的光发射器120和驱动板130。为了便于说明，图4仅示出了单个光发射器120设置在基板110上。然而，如图1中所示，多个光发射器120可以以矩阵形式布置在基板110上。光发射器120与以上参考图2和图3描述的光发射器120基本相同，并且其任何重复的详细描述将省略。为了便于说明，图4示出了均布置在基板110上并连接到光发射器120的单条数据线dl、单条第一电源线pl1和单条第二电源线pl2。然而，如图1中所示，多条数据线dl、多条第一电源线pl1和多条第二电源线pl2可以连接到多个光发射器120。
[0066]
驱动板130可以包括电压控制器132、电源131和传感器133。驱动板130包括彼此串联连接在第二电源线pl2与电源131之间的第一电阻器r1和第二电阻器r2。在实施例中，在提供多条第二电源线pl2的情况下，驱动板130可以包括多个第一电阻器r1和多个第二电阻器r2。
[0067]
电源131可以向第一电源线pl1供给第一驱动电压vdd，并且可以向第二电源线pl2供给第二驱动电压vss。电源131可以产生第一驱动电压vdd和第二驱动电压vss。根据可替代实施例，电源131从外部接收第一驱动电压vdd和第二驱动电压vss，并将第一驱动电压vdd和第二驱动电压vss分别传输到第一电源线pl1和第二电源线pl2。
[0068]
电压控制器132可以向数据线dl中的每一条输出数据电压。电压控制器132可以通过控制数据电压的电平来控制光发射器120的发光亮度。根据实施例，可能期望显示面板的一些区显示全黑。在这样的实施例中，电压控制器132可以向与要显示全黑的区相对应的光发射器120提供非发光数据电压。因此，部分区可以显示全黑而没有任何光泄漏。
[0069]
第一电阻器r1和第二电阻器r2之间的感测节点ns的电压可以由传感器133感测。电压降反映在感测节点ns的电压中，并且该电压降与通过将由薄膜晶体管tft产生的驱动电流乘以第二电阻器r2的电阻值而获得的值相对应。传感器133可以基于感测节点ns的电压来感测驱动电流的大小。传感器133可以将与感测到的感测节点ns的电压或感测到的驱动电流的大小有关的信息提供给电压控制器132。电压控制器132可以基于与感测节点ns的电压或驱动电流的大小有关的信息来调整数据电压的电平。
[0070]
在一个实施例中，例如，当电压控制器132向光发射器120施加数据电压(例如5伏(v))时，光发射器120可以被配置成发射亮度为100的光。当由传感器133感测到的驱动电流的大小是与亮度90相对应的电流的大小时，电压控制器132可以增大施加到光发射器120的数据电压的大小，使得光发射器120发射亮度为100的光。这样的处理可以实时执行。在一个实施例中，例如，电压控制器132可以增大或减小数据电压，直到由传感器133感测到的驱动电流的大小变为与目标亮度相对应的电流的大小为止。电压控制器132可以被实现为具有多个通道的源ic，使得多个数据电压被输出到多条数据线dl。
[0071]
薄膜晶体管tft由于例如制造公差而可能具有不同的阈值电压。另外，阈值电压的大小可根据劣化而随时间变化。根据实施例，可以感测由薄膜晶体管tft产生的驱动电流的大小，并且可以基于感测到的驱动电流的大小来调整数据电压。因此，光发射器120可以发射具有精确亮度的光。在这样的实施例中，第二电阻器r2的电阻值可以彼此相同。
[0072]
第一电阻器r1的电阻值可以彼此不同。在实施例中，根据光发射器120在基板110上的位置，第一电源线pl1和第二电源线pl2的长度可以彼此不同。在一个实施例中，例如，连接到与驱动板130邻近的光发射器120的第一电源线pl1和第二电源线pl2的长度可以相对小，使得连接到这样的光发射器120的第一电源线pl1和第二电源线pl2的线电阻之和可以相对小。在这样的实施例中，连接到远离驱动板130的光发射器120的第一电源线pl1和第二电源线pl2的长度可以相对大，使得连接到这样的光发射器120的第一电源线pl1和第二电源线pl2的线电阻之和可以相对大。第一电阻器r1可以具有用于补偿第一电源线pl1和第二电源线pl2的线电阻之和的电阻值。
[0073]
在实施例中，可以设计第一电阻器r1的电阻值，使得对于不同位置的光发射器120，第一电源线pl1的电阻值、第二电源线pl2的电阻值和第一电阻器r1的电阻值之和是恒定的。因此，由传感器133感测的感测节点ns的电压可以精确地反映流过所有光发射器120的驱动电流。根据可替代实施例，可以将用于不同位置的光发射器120的第一电源线pl1和第二电源线pl2的长度之和设计为恒定的，使得第一电源线pl1的电阻值和第二电源线pl2的电阻值是恒定的。在这样的实施例中，第一电源线pl1和第二电源线pl2中的至少一条可以具有z字形形状，以增大电阻值。
[0074]
图4示出其中电源131、电压控制器132和传感器133设置或安装在一个驱动板130上或包括在一个驱动板130中的实施例。然而，这仅仅是示例性的。在可替代实施例中，电压控制器132可以设置或安装在驱动板130上，而传感器133以及被配置成产生第一驱动电压vdd和第二驱动电压vss的电源发生器可以设置或安装在被配置成驱动显示面板的驱动板上。在实施例中，构成背光器件的驱动板和被配置成驱动显示面板的驱动板可以被集成为单个驱动板。
[0075]
图5是根据实施例的显示装置1000的示意性框图。
[0076]
参考图5，显示装置1000的实施例包括背光单元100和显示面板200。显示面板200设置或布置在背光单元100上。可以在显示面板200中设置或布置多个像素。
[0077]
背光单元100可以对应于图1至图4的背光器件。背光单元100包括基板和位于基板上的多个光发射器。
[0078]
光发射器中的每一个设置或布置在基板上。光发射器中的每一个包括薄膜晶体管、位于基板上的一对焊盘以及光发射器。在这样的实施例中，薄膜晶体管产生发光电流，并且光发射器设置或安装在该对焊盘上并串联连接到薄膜晶体管，从而对应于发光电流而发射光。
[0079]
当光从背光单元100的光发射器朝向显示面板200发射并且像素的透光率基于接收到的图像数据被调整时，显示面板200可以显示图像。显示面板200可以是包括液晶层的液晶显示面板。
[0080]
控制器300可以驱动背光单元100和显示面板200。控制器300可以包括如图4中所示的电压控制器132和传感器133。控制器300可以包括时序控制器(未示出)、扫描驱动器和
数据驱动器，并且时序控制器驱动显示面板200。控制器300可以进一步包括图4的电源131。
[0081]
图6是图示出图5的显示装置1000的一部分的示意性截面图。
[0082]
参考图5和图6，显示装置1000的实施例包括背光单元100以及显示面板200，显示面板200为位于背光单元100上的液晶显示面板。在实施例中，显示装置1000可以包括设置或布置在背光单元100与液晶显示面板200之间或设置或布置在液晶显示面板200上的滤色器(未示出)。
[0083]
背光单元100可以提供用于在液晶显示面板200上显示图像的光l。背光单元100包括基板110以及位于基板110上的多个光发射器120。光发射器120分别包括发光二极管led、焊盘单元122和亮度控制器121。在这样的实施例中，发光二极管led发射光l，发光二极管led设置或安装在焊盘单元122上，并且亮度控制器121控制发光二极管led的亮度。
[0084]
液晶显示面板200包括下基板210、位于下基板210上的像素电路220、像素电极230、液晶层240和公共电极250。像素电路220包括第一至第三像素px1、px2和px3。第一至第三像素px1、px2和px3中的每一个控制设置或布置在其上的像素电极230。
[0085]
下基板210可以包括玻璃或透明塑料材料。下偏振器(未示出)可以设置或布置在下基板210的下表面上，并且下偏振器仅透射从背光单元100发射的光中的特定偏振的光。在一个实施例中，例如，下偏振器可以是被配置成透射在第一方向上线偏振的光的偏振片。
[0086]
像素电路220可以包括多个薄膜晶体管(未示出)以及被配置成向多个薄膜晶体管分别施加栅信号和数据信号的栅线和数据线。
[0087]
像素电极230可以连接到像素电路220中的薄膜晶体管的源电极或漏电极，从而接收数据电压。
[0088]
公共电极250可以设置或布置在液晶层240上。上偏振器(未示出)可以设置或布置在公共电极250上。上偏振器可以是被配置成透射在第二方向上线偏振的光的偏振片，在第二方向上线偏振的光与由下偏振器透射的在第一方向上线偏振的光垂直。然而，这仅仅是示例性的。可替代地，上偏振器和下偏振器两者都可以被配置成透射相同偏振的光。
[0089]
液晶层240设置或布置在像素电极230与公共电极250之间。在实施例中，基于施加在像素电极230与公共电极250之间的电压来调整液晶层240中的液晶分子的排列。在这样的实施例中，像素电极230与公共电极250之间的液晶层240的区基于施加在像素电极230与公共电极250之间的电压，被控制为其中入射光的偏振发生改变的导通模式或入射光的偏振不发生改变的截止模式。在实施例中，调整入射光的偏振的改变程度，使得可以表示中间灰度。
[0090]
当由第一像素px1上的液晶层240控制的光l穿过第一滤色器层时，光l被显示为第一颜色(例如，红色)的光。当由第二像素px2上的液晶层240控制的光l穿过第二滤色器层时，光l被显示为第二颜色(例如，绿色)的光。当由第三像素px3上的液晶层240控制的光l穿过第三滤色器层时，光l被显示为第三颜色(例如，蓝色)的光。
[0091]
当从背光单元100发射的光l被提供给液晶显示面板200时，穿过液晶显示面板200的光l可以基于图像信息在每个像素区中被选择性地透射或阻挡，从而选择性地入射在滤色器上。滤色器根据像素px1、px2或px3仅选择性地透射穿过液晶显示面板200的光l的一些颜色，使得可以显示彩色图像。
[0092]
根据实施例，焊盘和薄膜晶体管直接设置或布置在玻璃基板上，发光二极管可以
设置或安装在焊盘上，并且薄膜晶体管可以控制发光二极管的亮度。因此，可以降低制造成本，并且可以提高产品可靠性和寿命。可以有效地补偿由于布线之间的长度差而导致的电压降的偏差和薄膜晶体管的阈值电压的偏差。因此，可以改善背光器件的亮度均匀性。根据实施例，包括其中亮度均匀性得到提高的背光单元的显示装置可以提高显示质量。
[0093]
应当理解，本文描述的实施例应仅以描述性意义来考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员应当理解，在不脱离由所附权利要求书限定的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。