1.单根rh@zno微米线异质结紫外增强发光二极管,其特征在于:包括p-gan衬底(1),所述p-gan衬底(1)的上表面一侧蒸镀ni/au电极(3),所述p-gan衬底(1)的上表面另一侧放置有n-rh@zno单根微米线(2),所述n-rh@zno单根微米线(2)的上表面覆盖有ito导电电极(4)。
2.根据权利要求1所述的单根rh@zno微米线异质结紫外增强发光二极管,其特征在于:所述n-rh@zno单根微米线(2)中的zno微米线表面旋涂有紫外rh纳米颗粒。
3.根据权利要求2所述的单根rh@zno微米线异质结紫外增强发光二极管,其特征在于:所述zno微米线为结晶质量完好的六边形zno微米线;所述紫外rh纳米颗粒为lspr吸收峰为370nm的rh纳米颗粒。
4.根据权利要求1所述的单根rh@zno微米线异质结紫外增强发光二极管,其特征在于:所述p-gan衬底(1)的长,宽,高分别为1.9-2.0cm,1.7~1.8cm,2~10μm;所述ito导电电极(4)的长和宽为1.0~1.2cm和1.7~1.8cm;所述ni/au电极(2)的厚度为30~50nm,所述ni/au电极(3)与所述p-gan衬底(1)之间形成欧姆接触;所述n-rh@zno单根微米线(2)的长度为0.8~1.0cm。
5.根据权利要求1~4任意一项所述的单根rh@zno微米线异质结紫外增强发光二极管的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
s01,对所述p-gan衬底(1)进行退火、清洗,保证其干净平整;
s02,在所述p-gan衬底(1)一侧制备所述ni/au电极(3);
s03,制备所述n-rh@zno单根微米线(2);
s04,清洗所述ito导电电极(4),保持干净平整;
s05,在s02中得到的所述p-gan衬底(1)上放置s03中得到的所述n-rh@zno单根微米线(2),再在所述n-rh@zno单根微米线(2)上面放置清洗后的所述ito导电电极(4)并固定,形成p-gan/n-rh@zno异质结结构,即实现单根rh@zno微米线异质结紫外增强发光二极管的构筑。
6.根据权利要求5所述的单根rh@zno微米线异质结紫外增强发光二极管的制备方法,其特征在于:s01中,首先将所述p-gan衬底(1)置于750~850℃高温炉中退火2~2.5h;然后分别用丙酮、乙醇、去离子水多次清洗,烘干后备用。
7.根据权利要求5所述的单根rh@zno微米线异质结紫外增强发光二极管的制备方法,其特征在于:s02中,用掩模板覆盖所述p-gan衬底(1)的大部分,利用电子束蒸镀法,在所述p-gan衬底(1)的裸露端正面蒸镀所述ni/au电极(3)。
8.根据权利要求5所述的单根rh@zno微米线异质结紫外增强发光二极管的制备方法,其特征在于:s03中,将lspr吸收峰为370nm的rh纳米颗粒旋涂在一根结晶质量完好的六边形n-zno微米线表面,然后放置在100~120℃烘箱中加热1~1.5h,让rh纳米颗粒和n-zno微米线充分结合,即制备出n-rh@zno微米线复合结构,其中,rh纳米颗粒的浓度为0.1~0.2g/ml,溶剂为酒精。
9.根据权利要求8所述的单根rh@zno微米线异质结紫外增强发光二极管的制备方法,其特征在于:所述p-gan衬底(1)的空穴浓度为1.4×1019~2.0×1019/cm3,空穴迁移率为10~100cm2/v·s;所述n-zno微米线的电子浓度为1×1017~1×1019/cm3,电子迁移率为5~100cm2/v·s。
10.根据权利要求1~4任意一项所述的单根rh@zno微米线异质结紫外增强发光二极管在发光器件、光探测和生物传感中的应用。