1.一种图像传感器，包括：
半导体衬底，具有第一表面和第二表面，所述半导体衬底包括具有多个光电转换区域的像素区域；
栅电极，设置在所述像素区域上并与所述第一表面相邻；
第一隔离结构，从所述第一表面朝向所述第二表面延伸，所述第一隔离结构包括：第一像素隔离图案，包围所述像素区域；以及第一内部隔离图案，与所述第一像素隔离图案间隔开并且位于所述多个光电转换区域之间；以及
第二隔离结构，从所述第二表面朝向所述第一表面延伸，所述第二隔离结构具有与所述第一隔离结构的底表面的至少一部分竖直地间隔开的顶表面，
其中，与所述半导体衬底的所述第一表面相比，所述第一隔离结构的所述底表面更靠近所述半导体衬底的所述第二表面。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，
其中，所述像素区域包括连接区域，所述连接区域设置在所述第一像素隔离图案和所述第一内部隔离图案之间，以将所述多个光电转换区域中的两个相邻的光电转换区域相连接，以及
其中，所述光电转换区域包括具有第一导电类型的杂质，并且所述连接区域包括具有与所述光电转换区域的杂质相同的所述第一导电类型的杂质。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，
其中，所述连接区域位于所述第一内部隔离图案的顶表面和底表面之间的竖直水平处。
4.根据权利要求2所述的图像传感器，
其中，所述连接区域与所述第二隔离结构竖直重叠。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，
其中，所述第一像素隔离图案和所述第二隔离结构彼此竖直地间隔开。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，
其中，所述半导体衬底的像素区域包括第一导电类型的第一杂质，
其中，所述光电转换区域包括与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二杂质，以及
其中，当从所述半导体衬底的所述第二表面朝向所述第一表面在相同的竖直水平处测量时，所述像素区域中的所述第一杂质的浓度高于所述第二杂质的浓度。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，
其中，所述第一隔离结构包括第一间隙填充图案和第二间隙填充图案，所述第二间隙填充图案设置在所述第一间隙填充图案和所述半导体衬底之间，以及
其中，所述第一间隙填充图案的折射率不同于所述第二间隙填充图案的折射率。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，
其中，所述第二隔离结构包括第二像素隔离图案和第二内部隔离图案，所述第二像素隔离图案包围所述像素区域，所述第二内部隔离图案连接到所述第二像素隔离图案并位于所述像素区域中。
9.根据权利要求8所述的图像传感器，
其中，所述第二内部隔离图案包括第一图案和第二图案，所述第一图案平行于所述第二表面延伸，所述第二图案设置成与所述第一图案交叉。
10.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：
势垒区域，设置在所述半导体衬底中以覆盖所述第一隔离结构的侧表面，
其中，所述光电转换区域包括第一导电类型的杂质，以及
其中，所述势垒区域包括与所述第一导电类型不同的第二导电类型的杂质。
11.根据权利要求1所述的图像传感器，
其中，所述第一隔离结构的宽度在朝向所述第二表面的方向上减小，以及
其中，所述第二隔离结构的宽度在朝向所述第一表面的方向上减小。
12.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：
读出电路层，设置在所述第一表面上，并包括电连接到所述栅电极的连接线；以及
在所述第二表面上的微透镜。
13.一种图像传感器，包括：
第一导电类型的半导体衬底，
所述半导体衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面，并包括多个像素区域；
第一像素隔离图案，设置在所述半导体衬底中，以将作为所述多个像素区域中的一个像素区域的第一像素区域与所述多个像素区域中的其他像素区域电隔离；
第一光电转换区域和第二光电转换区域，设置在所述第一像素区域中，并且包括与所述第一导电类型不同的第二导电类型的杂质；
第一内部隔离图案，设置在所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域之间，并且与所述第一像素隔离图案间隔开；
连接区域，设置在所述第一像素隔离图案和所述第一内部隔离图案之间以将所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域彼此连接，所述连接区域包括所述第二导电类型的杂质；以及
第二内部隔离图案，设置在所述第一像素区域中，并且从所述第二表面朝向所述连接区域延伸并且与所述第一表面竖直地间隔开。
14.根据权利要求13所述的图像传感器，
其中，所述连接区域中的所述第二导电类型的杂质和所述第二光电转换区域中的所述第二导电类型的杂质在相同的竖直水平处具有相同的浓度。
15.根据权利要求13所述的图像传感器，
其中，与所述第二表面相比，所述第二内部隔离图案的顶表面更靠近所述第一表面。
16.根据权利要求13所述的图像传感器，还包括：
与所述第一表面相邻设置的栅电极，
其中，与所述第二表面相比，所述连接区域更靠近所述第一表面。
17.一种图像传感器，包括：
第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底包括像素区域并且具有第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第一表面在第一竖直方向上彼此相对；
多个光电转换区域，设置在所述像素区域中并包括与所述第一导电类型不同的第二导电类型的杂质；
栅电极，设置在光电转换区域上并与所述第一表面相邻；
第一隔离结构，从所述第一表面朝向所述第二表面延伸，所述第一隔离结构包括：第一像素隔离图案，包围所述像素区域；以及第一内部隔离图案，与所述第一像素隔离图案间隔开，并位于所述多个光电转换区域中的两个相邻光电转换区域之间；
第二隔离结构，从所述第二表面朝向所述第一表面延伸，所述第二隔离结构包括：第二像素隔离图案，包围像素区域；以及第二内部隔离图案，连接到所述第二像素隔离图案并位于所述像素区域中；
势垒区域，设置在所述半导体衬底中以覆盖所述第一隔离结构的侧表面并且包括所述第一导电类型的杂质；以及
连接区域，包括所述第二导电类型的杂质，所述连接区域设置在所述第一像素隔离图案和所述第一内部隔离图案之间，以将所述多个光电转换区域中的两个相邻的光电转换区域相连接。
18.根据权利要求17所述的图像传感器，
其中，所述第二内部隔离图案在所述第一方向上的长度与所述第二像素隔离图案在所述第一方向上的长度不同。
19.根据权利要求17所述的图像传感器，
其中，所述第一像素隔离图案和所述第二隔离结构彼此竖直地间隔开。
20.根据权利要求17所述的图像传感器，
其中，所述第一像素隔离图案在所述第一方向上的长度大于所述第二像素隔离图案在所述第一方向上的长度。