一种新型集成mos管
技术领域
1.本发明涉及集成电路领域，具体涉及一种新型集成mos管。
背景技术：
[0002] 金属氧化物半导体场效应(mos)晶体管可分为n沟道与p沟道两大类， p沟道硅mos场效应晶体管在n型硅衬底上有两个p+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的n型硅表面呈现p型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种mos场效应晶体管称为p沟道增强型场效应晶体管。如果n型硅衬底表面不加栅压就已存在p型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的mos场效应晶体管称为p沟道耗尽型场效应晶体管。统称为pmos晶体管。
[0003]
现有的集成mos管仅仅封装了mos管m1，mos管m1的外围电路并未被集成，造成集成mos管体积大，产品调试困难的技术问题。
技术实现要素：
[0004]
本发明所要解决的技术问题是现有技术中存在的mos管体积大，产品调试困难的技术问题。提供一种新的集成mos管，该集成mos管具有减小了产品的体积、节省了成本，减少了调试工作量的特点。
[0005]
为解决上述技术问题，采用的技术方案如下：一种新型集成mos管，使用mos管m1，其特征在于：所述新型集成mos管还包括与mos管m1连接的外围电路，外围电路包括电阻、二极管以及三极管。
[0006]
上述方案中，为优化，进一步地，所述外围电路包括与mos管m1的g极连接电感l、电阻r4，电感l连接有二极管dps阳极、电容r3；二极管dps阴极连接电阻r2，电阻r3另一端连接三极管e极，三极管b极通过电阻r1与电阻r2的另一端连接，三极管c与电阻r4另一端、mos管m1的s极连接。
[0007]
本发明的有益效果：本发明将mos管m1的外围配套电路中能够被集成进入芯片的进行集成。具有减小了产品的体积、节省了成本，减少了调试工作量的特点。
附图说明
[0008]
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
[0009]
图1，传统集成mos管的结构示意图。
[0010]
图2，实施例1集成mos管的结构示意图。
[0011]
图3，集成mos管的应用电路示意图。
具体实施方式
[0012]
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明
进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0013]
实施例1本实施例提供一种新型集成mos管，如图1使用mos管m1。如图2，所述新型集成mos管还包括与mos管m1连接的外围电路，外围电路包括电阻、二极管以及三极管。
[0014]
具体地，如图1和图2，所述外围电路包括与mos管m1的g极连接电感l、电阻r4，电感l连接有二极管dps阳极、电容r3；二极管dps阴极连接电阻r2，电阻r3另一端连接三极管e极，三极管b极通过电阻r1与电阻r2的另一端连接，三极管c与电阻r4另一端、mos管m1的s极连接。
[0015]
本实施例的新型集成mos管可应用在如图3的集成电路图中。
[0016]
尽管上面对本发明说明性的具体实施方式进行了描述，以便于本技术领域的技术人员能够理解本发明，但是本发明不仅限于具体实施方式的范围，对本技术领域的普通技术人员而言，只要各种变化只要在所附的权利要求限定和确定的本发明精神和范围内，一切利用本发明构思的发明创造均在保护之列。
技术特征：
1.一种新型集成mos管，使用mos管m1，其特征在于：所述新型集成mos管还包括与mos管m1连接的外围电路，外围电路包括电阻、二极管以及三极管。2.根据权利要求1所述的新型集成mos管，其特征在于：所述外围电路包括与mos管m1的g极连接电感l、电阻r4，电感l连接有二极管dps阳极、电容r3；二极管dps阴极连接电阻r2，电阻r3另一端连接三极管e极，三极管b极通过电阻r1与电阻r2的另一端连接，三极管c与电阻r4另一端、mos管m1的s极连接。
技术总结
本发明涉及一种一种新型集成MOS管，解决的是MOS管体积大，产品调试困难的技术问题，通过采用使用MOS管M1，所述新型集成MOS管还包括与MOS管M1连接的外围电路，外围电路包括电阻、二极管以及三极管的技术方案，较好的解决了该问题，可用于MOS管集成应用中。可用于MOS管集成应用中。可用于MOS管集成应用中。
技术研发人员：杜龙彬 郭健 李昌骏
受保护的技术使用者：北京金晟达生物电子科技有限公司
技术研发日：2020.11.17
技术公布日：2022/5/17