柔性超薄导电材料的制作方法与流程

[0001]
本发明涉及电磁屏蔽技术领域，特别涉及一种柔性超薄导电材料的制作方法、由该方法制得的柔性超薄导电材料、及应用该柔性超薄导电材料的电子产品。


背景技术：

[0002]
导电布是一种柔性超薄导电材料，具有良好的导电性及电磁波屏蔽效果。电磁屏蔽导电布以其优良的垂直导通和屏蔽效能广泛应用在电子、仪表等行业，能防止由于静电所造成的电子元器件损坏、老化。然而，现有的导电布的生产工艺流程长，经几道化学镀或电镀工艺，环境污染大，金属层附着力也不甚理想。且，由于工艺的要求，导电布的厚度很难做薄，其厚度通常是18微米以上；另外由于导电布生产过程中难以精确控制，导致产品合格率较低，成本偏高。


技术实现要素：

[0003]
本发明的主要目的是提供一种柔性超薄导电材料的制作方法，旨在获得一种能实现导电布功能的具有更好柔性的柔性超薄导电材料。
[0004]
为实现上述目的，本发明提出的柔性超薄导电材料的制作方法，包括：
[0005]
提供一双面非导通的薄膜层，该薄膜层的厚度大于或者等于1.5微米小于或者等于8微米；
[0006]
对薄膜层进行粗化处理，使薄膜层的达因值大于或者等于44小于或者等于70；
[0007]
在粗化后的两个表面上分别进行气相沉积，分别在每个表面上形成至少一金属屏蔽层，两个表面的金属屏蔽层被薄膜层绝缘隔离。
[0008]
可选地，所述金属屏蔽层的厚度大于或者等于0.5微米，且小于或等于1.5微米。
[0009]
可选地，所述金属屏蔽层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层覆盖在薄膜层的表面，第二金属层覆盖在第一金属层的表面，第二金属层的厚度大于或者等于第一金属层的厚度；其中，第一金属层为真空电镀层，第二金属层为水电镀层。
[0010]
可选地，所述第一金属层的厚度大于或者等于0.01微米，且小于或等于6微米；第二金属层的厚度大于或者等于0.01微米，且小于或者等于12微米。
[0011]
可选地，所述金属屏蔽层以真空镀膜的方式形成，所述金属屏蔽层是由铜、镍、钴、锌、铟、锡、银、金、铝、钛、铁、镁、锆中的任意一种金属形成的金属层，或者任意两种和两种以上的金属形成的合金层。
[0012]
可选地，所述金属屏蔽层以溅射的方式形成，其工艺条件为真空度0.01pa-0.5pa，连续卷绕式镀速为0.01-300米/分钟，电流为1a-50a，电压为200v-700v。
[0013]
可选地，在粗化后的表面上形成至少一可焊接金属层的具体步骤包括：
[0014]
对粗化后的表面进行真空电镀，真空电镀的金属层的厚度大于或者等于0.01微米，且小于或者等于6微米；
[0015]
对真空电镀后的材料进行水电镀，水电镀的金属层的厚度大于或者等于0.01微
米，且小于或者等于12微米。
[0016]
本发明还提供一种柔性超薄导电材料，该电子屏蔽材料由柔性超薄导电材料的制造方法制得，
[0017]
柔性超薄导电材料的制作方法，包括：
[0018]
提供一双面非导通的薄膜层，该薄膜层的厚度大于或者等于1.5微米小于或者等于8微米；
[0019]
对薄膜层进行粗化处理，使薄膜层的达因值大于或者等于44小于或者等于70；
[0020]
在粗化后的两个表面上分别进行气相沉积，分别在每个表面上形成至少一金属屏蔽层，两个表面的金属屏蔽层被薄膜层绝缘隔离。
[0021]
可选地，形成于薄膜层两个表面的金属屏蔽层的层数为1-3层，不同层金属屏蔽层的厚度相同或不相同，不同层金属屏蔽层的材质相同或不相同。
[0022]
本发明还提供一种电子产品，包括电子产品本体，该电子产品本体被包覆有如上所述的柔性超薄导电材料。
[0023]
本发明的柔性超薄导电材料的制作方法，通过对薄膜层的表面进行粗化，提升了薄膜层表面的达因值，即提升了薄膜层表面的能量，进而在镀金属层时更容易接受沉积的金属层，在薄膜层的厚度降低至1.5微米时仍能获得很好的镀覆效果，从而可在薄膜层的表面形成具有良好电磁屏蔽效果的金属屏蔽层；
[0024]
双面非导通的薄膜层，该薄膜层的厚度大于或者等于1.5微米小于或者等于8微米；在薄膜层的相对的两个表面上的至少一侧形成金属屏蔽层，所述金属屏蔽层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层覆盖在薄膜层的表面，第二金属层覆盖在第一金属层的表面，第二金属层的厚度大于或者等于第一金属层的厚度；其中，第一金属层为真空电镀层，第二金属层为水电镀层。
[0025]
本发明的柔性超薄导电材料，通过对薄膜层的表面进行粗化，提升了薄膜层表面的达因值，即提升了薄膜层表面的能量，进而在镀金属层时更容易接受沉积的金属层，在薄膜层的厚度降低至1.5微米时仍能获得很好的镀覆效果，从而可在薄膜层的表面形成具有良好电磁屏蔽效果的金属屏蔽层；虽然本发明中的薄膜层非常薄，但是薄膜层为高电阻率的绝缘层，内部没有供导电离子通过的微孔通道，使得离子无法通过，也即，双面非导通的薄膜层的两个侧面不能通过绝缘薄膜层导通；当在其两侧覆盖金属屏蔽层时，薄膜层上的两个金属屏蔽层被绝缘隔离。相较于导电布，本发明的柔性超薄导电材料非常薄，相较于导电布具有更好的柔性，进而提升了柔性超薄导电材料在应用到电子产品时的使用效果及使用的灵活性，可以代替导电布填补12微米以下柔性双面非导通屏蔽材料的空白。值得说明的是，本申请的柔性超薄导电材料，还可以用作电池电极，由于柔性超薄导电材料非常薄，并且柔性超薄导电材料的柔韧性非常好，而且两侧的金属屏蔽层被绝缘隔离；同时，由于第一金属层为真空电镀层，第二金属层为水电镀层，使得第一金属层可以非常紧密的附着在薄膜层上的同时，通过水电镀的第二金属层大幅的降低了制造成本；值得说明的是，真空电镀可以将金属离子稳定、可靠、紧密的沉积在薄膜层的表面，而水电镀可以大幅的降低沉积金属粒子的成本。
附图说明
[0026]
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0027]
图1为本发明柔性超薄导电材料第一实施例的剖视结构示意图；
[0028]
图2为本发明柔性超薄导电材料第二实施例的剖视结构示意图；
[0029]
图3为本发明柔性超薄导电材料第三实施例的剖视结构示意图；
[0030]
图4为本发明柔性超薄导电材料另一施例的剖视结构示意图；
[0031]
图5为本发明柔性超薄导电材料又一实施例的剖视结构示意图；
[0032]
图6为本发明柔性超薄导电材料再一实施例的剖视结构示意图；
[0033]
图7为本发明柔性超薄导电材料还一实施例的剖视结构示意图。
[0034]
附图标号说明：
[0035][0036]
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0037]
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0038]
需要说明，本发明实施例中如涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0039]
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两
个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
[0040]
另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
[0041]
参照图1至图7，本发明提供一种柔性超薄导电材料的制作方法，其包括如下步骤：
[0042]
提供一薄膜层。
[0043]
该薄膜层的材质可为双面非导通的薄膜层由聚乙烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯中的一种或者多种制成等。该薄膜层的厚度大于或者等于1.5微米小于或者等于8微米。
[0044]
对该薄膜层进行前处理。该前处理包括对所述薄膜层进行烘烤，使薄膜层的表面干燥。烘烤的温度范围为45摄氏度至80摄氏度，烘烤时间可为1小时至24小时。可以理解的，所述前处理并非必须，可根据产品的实际情况和实际需求而选择。
[0045]
对薄膜层进行粗化处理，使薄膜层两个表面的达因值大于或者等于44小于或者等于70。所述表面粗化处理可为电晕处理、等离子体处理、或离子束处理。
[0046]
以电晕处理为例，利用高频率高电压在薄膜层的表面进行电晕放电，高频交流电压可为5000-15000v/m
2
，产生的低温等离子体使薄膜层表面产生游离基反应而使聚合物发生交联，从而实现表面粗化的效果。电晕处理时间可为1秒钟至10秒钟。
[0047]
关于金属屏蔽层的层数和材质，不同的金属屏蔽层，可以得到不同物理属性的柔性超薄导电材料。下面举几个例子进行说明，所述金属屏蔽层包括第一金属层610和第二金属层620，第一金属层610覆盖在薄膜层10的表面，第二金属层620位于第一金属层610背对薄膜层10的一侧；第一金属层610由铜材质或者铜合金材质制成，第二金属层620可以由铜材质或者铜合金材质制成，或者由镍材质制成。薄膜层10无法直接进行焊接，通过真空镀上由铜或者铜合金材质制成的第一金属层610后，在使得材料具有可焊接性之外，还提高了材料的导电性(铜和铜合金的电阻率低于铝的电阻率)和强度(在厚度和宽度等尺寸相同的情况下，铜的强度高于铝的强度)。通过在第一金属层610的外侧设置由镍材质制成的第二金属层620，以保护第一金属层610和薄膜层10不被氧化。也即，通过同时设置第一金属层610和第二金属层620后，不仅仅使得柔性超薄导电材料具有可焊接性，还大幅提高了材料的导电性、强度和抗氧化能力。
[0048]
在一些实施例中，为了进一步的提高可焊接性，所述金属屏蔽层还包括第三金属层630，所述第三金属层630位于第二金属层620背对第一金属层610的一侧，所述第三金属层630由锡材质制成。通过在第二金属层620背对第一金属层610的一侧设置由锡材质制成的第三金属层630，由于锡材质的高焊接性，大幅的提高材料进行焊接的便捷性和焊接后的可靠性。
[0049]
本发明的柔性超薄导电材料，通过对薄膜层10的表面进行粗化，提升了薄膜层10表面的达因值，即提升了薄膜层10表面的能量，进而在镀金属层时更容易接受沉积的金属层，在薄膜层10的厚度降低至1.5微米时仍能获得很好的镀覆效果，从而可在薄膜层10的表
面形成具有良好电磁屏蔽效果的金属屏蔽层；虽然本发明中的薄膜层10非常薄，但是薄膜层10为高电阻率的绝缘层13，内部没有供导电离子通过的微孔通道，使得离子无法通过，也即，双面非导通的薄膜层10的两个侧面不能通过绝缘薄膜层10导通；当在其两侧覆盖金属屏蔽层时，薄膜层10上的两个金属屏蔽层被绝缘隔离。相较于导电布，本发明的柔性超薄导电材料非常薄，相较于导电布具有更好的柔性，进而提升了柔性超薄导电材料在应用到电子产品时的使用效果及使用的灵活性，可以代替导电布填补12微米以下柔性双面非导通屏蔽材料的空白。值得说明的是，本申请的柔性超薄导电材料，还可以用作电池电极，由于柔性超薄导电材料非常薄，并且柔性超薄导电材料的柔韧性非常好，而且两侧的金属屏蔽层被绝缘隔离；同时，由于第一金属层610为真空电镀层，第二金属层620为水电镀层，使得第一金属层610可以非常紧密的附着在薄膜层10上的同时，通过水电镀的第二金属层620大幅的降低了制造成本；值得说明的是，真空电镀可以将金属离子稳定、可靠、紧密的沉积在薄膜层10的表面，而水电镀可以大幅的降低沉积金属粒子的成本。
[0050]
值得说明的是，第二金属层620的厚度大于或者等于第一金属层610的厚度；其中，第一金属层610为真空电镀层，第二金属层620为水电镀层。所述第一金属层610的厚度大于或者等于0.1微米，且小于或等于1微米；第二金属层620的厚度大于或者等于0.01微米，且小于或者等于10微米。所述第一金属层610的厚度与第二金属层620的厚度比为1/10～1/3。由于第一金属层610为真空电镀层，其电镀成本比较高，在确保第一金属层610可以稳定的附着在薄膜层10，并且第二金属层620可以沉积的基础上，应当尽量的薄，因此，第一金属层610的厚度大于或者等于0.1微米，且小于或等于1微米。由于第二金属层620附着沉积于第一金属层610上，并且第一金属层610又非常的薄，为了避免第一金属层610由于载荷过大而脱离薄膜层10，第二金属层620的厚度不宜过大(应当小于或者等于1/10)；同时，为了尽量的控制成本，真空电镀层的厚度与水电镀层的厚度之间的比例，不宜过小(应当大于或者1/3)，因此，第一金属层610的厚度与第二金属层620的厚度比不宜过大，也不宜过小。
[0051]
值得说明的是，本申请中的第一金属层和第二金属层，除具有良好的导电性能外，还具有非常好的散热性能，非常的有利于对应产品的散热，如电池的散热。在粗化后的两个表面上分别形成石墨层、sic层和硼层中的一个或者多种，即可以分别形成石墨层、sic层和硼层，或者其中任意两种，或者三种的组合。其中，通过真空镀或者溅射镀形成超薄的石墨烯，可以进行屏蔽、导热、散热，以及发射远红外线等。通过真空电镀sic层，使得超薄导电材料具有非常好的导热性和散热性能。通过超薄硼层的设置，可以得到硼烯，可以充分提高超薄导电材料的强度，柔韧性，导热性和导电性，同时，还可以大幅的降低超薄导电材料的重量。
[0052]
在一些实施例中，双面非导通的薄膜层10包括聚合物层11和设置在所述聚合物层11的相对两个侧面的绝缘层13；所述绝缘层13位于第一金属层610和聚合物层11之间。非导通的薄膜层10的形式可以有很多，除了自身为绝缘的聚合物材料制成之外，还可以为多层结构。例如，聚合物层11的侧面设置有绝缘层13，此时的聚合物层11的内部可以具有供电子通过的微孔通道，通过在聚合物层11的表面设置绝缘层13，从而实现聚合物层11的两个侧面不导通。
[0053]
在一些实施例中，技术方案的目的在于使得薄膜层双面非导通、具有焊接性的同时，通过组合镀来实现成本的降低。在薄膜层上镀不同金属和不同厚度，可以提高材料的屏
蔽性能，可以镀耐酸碱金属，可以过盐雾试验。可以在聚合物表面镀导电性好的金属提高到电性。薄膜层的表面，无法直接通过常规的电镀方式进行镀层处理，所以，首先在薄膜层的表面上进行真空电镀，真空电镀的最小厚度范围为大于0且小于或者等于0.1微米(0-0.1um)，最大值为1微米。在薄膜层的表面进行真空电镀后，可以进行常规电镀方式，常规电镀的最小厚度范围为0.1～1微米，常规电镀的最大厚度值为10微米。如此，先通过真空电镀(薄的镀层)使得薄膜层具有常规电镀的能力，在通过常规的电镀方式对镀层加厚，如此，既可以满足镀层的厚度要求，又可以通过组合镀的方式，大幅的降低材料的生产成本，有利于基于铝箔的可焊接材料的生产制造和推广使用。
[0054]
薄膜层的相对两侧面，先通过真空镀的方式形成相对设置的真空镀金属层，再在真空镀金属层的外侧进行传统的普通电镀，形成水电镀金属层。其中，薄膜层的厚度以4微米为例，真空镀金属层的厚度以0.01～0.1微米为例，水电镀的厚度以3～4微米为例。如此，可以通过先进行真空镀使得材料可以进行传统的电镀方式，大幅的降低了材料的制造成本。
[0055]
本发明对薄膜层10进行粗化处理并控制薄膜层10表面的达因值在44-70的范围区间，优选为50-56的范围区间，以实现较佳的金属屏蔽层镀覆效果。达因值低于44则薄膜层10的表面能较低，在沉积金属屏蔽层时薄膜层10容易发生卷积现象，导致沉积的金属屏蔽层容易脱落；达因值高于70则增大了接触面积，镀覆时薄膜层10容易被击穿。
[0056]
在薄膜层10粗化后的两个表面上分别进行气相沉积，分别在每个表面上形成至少一金属屏蔽层。沉积金属屏蔽层的方式可以是真空镀膜，如溅射，蒸发镀膜，或其他已知的真空镀膜方式。以溅射为例，所使用的金属靶材可为铜、镍、钴、锌、铟、锡、银、金、铝、钛、铁、镁、锆中的一种或几种，或上述金属的任意两种或两种以上的合金靶材。镀膜工艺条件可为：真空度0.01pa-0.5pa，连续卷绕式镀速为0.01-300米/分钟(m/min)，电流为1a-50a，电压为200v-700v。所述金属屏蔽层的厚度大于或者等于0.5微米小于或者等于1.5微米，优选地，金属屏蔽层的厚度大于或者等于0.5微米，且小于或者等于1微米。可以理解的，金属屏蔽层的厚度还可以根据产品的实际需求选择。值得说明的是，本实施例中的金属屏蔽层的厚度不宜过厚，也不宜过薄。当金属屏蔽层的厚度大于1.5微米时，将使得柔性超薄导电材料的厚度增加，同时，1.5微米的厚度已经可以起到较佳的屏蔽效果，再继续增厚，屏蔽效果的增幅不大，浪费金属屏蔽层的材料，增加成本；同时，由于厚度太厚将增加电阻，并且影响聚合物表面的物理属性，实现两个侧面上屏蔽层的绝缘。当金属屏蔽层的厚度小于0.5微米时，屏蔽效果较弱，不能很好的起到屏蔽的作用，同时，由于厚度太薄，容易被外界剐蹭和损坏，不利于柔性超薄导电材料的稳定可靠性。
[0057]
可以理解的，还可以在薄膜层10的每个表面镀覆多层金属屏蔽层，比如2-6层，优选为2-3层。镀覆于薄膜层10同一表面的不同层金属屏蔽层的材质可以相同也可以不同，不同层金属屏蔽层的厚度可以相同也可以不同；镀覆于薄膜层10不同表面的金属屏蔽层的材质可以相同也可以不同，镀覆于不同表面的金属屏蔽层的厚度可以相同也可以不同；镀覆于不同表面的金属屏蔽层的层数可以相同也可以不同。上述均可依据产品的实际需求选择。
[0058]
可以理解的，在真空镀膜结束后，还可以对金属屏蔽层进行后处理。所述后处理包括使用过氧保护剂对金属屏蔽层进行防氧化处理，以增强柔性超薄导电材料的抗氧化性。
[0059]
以下通过具体的实施例对本发明柔性超薄导电材料的制作方法进行说明。
[0060]
实施例一
[0061]
提供一薄膜层10，该薄膜层10的厚度为1.5微米，材质为聚对苯二甲酸乙二酯。
[0062]
对该薄膜层10进行烘烤，烘烤温度为45摄氏度，烘烤时间为24小时。
[0063]
对烘烤后的薄膜层10的两个表面进行电晕处理，电晕处理时间为1秒钟。电晕处理后该两个表面的达因值为56。
[0064]
在电晕处理后的薄膜层10的两个表面溅射一层金属屏蔽层，以铜为靶材，采用连续卷绕式镀膜，镀膜工艺条件为：真空度0.2pa，连续卷绕式镀速为15m/min，镀膜电流为6a，镀膜电压为350v。薄膜层10的两个表面形成的金属屏蔽层的厚度为0.6微米。
[0065]
使用过氧保护剂对所述金属屏蔽进行防氧化处理。
[0066]
实施例二
[0067]
提供一薄膜层10，该薄膜层10的厚度为6微米，材质为聚碳酸酯。
[0068]
对该薄膜层10进行烘烤，烘烤温度为80摄氏度，烘烤时间为1小时。
[0069]
对经烘烤处理的薄膜层10的两个表面进行电晕处理，电晕处理时间分别为10秒钟。电晕处理后该两个表面的达因值为54。
[0070]
在经电晕处理后的薄膜层10的两个表面溅射第一层金属屏蔽层，以锌为靶材，采用连续卷绕式镀膜，镀膜工艺条件为：真空度0.02pa，连续卷绕式镀速为30m/min，镀膜电流为30a，镀膜电压为680v。薄膜层10的两个表面形成的第一层金属屏蔽层的厚度为1微米。
[0071]
在两个第一层金属屏蔽层的表面溅射第二层金属屏蔽层，以铜为靶材，采用连续卷绕式镀膜，镀膜工艺条件为：真空度0.02pa，连续卷绕式镀速为0.01m/min，镀膜电流为10a，镀膜电压为500v。形成于薄膜层10两个表面的第二层金属屏蔽层的厚度为0.3微米。
[0072]
实施例三
[0073]
提供一薄膜层10，该薄膜层10的厚度为2微米，材质为聚丙烯。
[0074]
对薄膜层10的两个表面进行电晕处理，电晕处理时间分别为5秒钟。电晕处理后该两个表面的达因值分别为40。
[0075]
在经电晕处理后的薄膜层10的两个表面溅射一层金属屏蔽层，以钛为靶材，采用连续卷绕式镀膜，镀膜工艺条件为：真空度0.2pa，连续卷绕式镀速为295m/min，镀膜电流为30a，镀膜电压为700v。形成于薄膜层10两个表面的每一层金属屏蔽层的厚度为0.5微米；或其中一层金属屏蔽层的厚度为1微米，另一层金属屏蔽层的厚度为0.5微米。
[0076]
实施例四
[0077]
提供一薄膜层10，该薄膜层10的厚度为3.8微米，材质为聚丁烯。
[0078]
对该薄膜层10进行烘烤，烘烤温度为60摄氏度，烘烤时间为20小时。
[0079]
对经烘烤处理的薄膜层10的两个表面进行离子束处理，在0.3pa的压力下进行，处理时间为10分钟。离子束处理后该两个表面的达因值为53。
[0080]
在经离子束处理后的薄膜层10的两个表面真空蒸镀第一层金属屏蔽层，以锡为靶材，采用连续卷绕式镀膜，镀膜工艺条件为：真空度0.3pa，连续卷绕式镀速为15m/min，镀膜电流为25a，镀膜电压为350v。形成于薄膜层10两个表面的第一层金属屏蔽层的厚度为2.3微米。
[0081]
在两个第一层金属屏蔽层的表面分别真空蒸镀第二层金属屏蔽层，以铜为靶材，
采用连续卷绕式镀膜，镀膜工艺条件为：真空度0.2pa，连续卷绕式镀速为15m/min，镀膜电流为22a，镀膜电压为650v。形成于薄膜层10两个表面的第二层金属屏蔽层的厚度为1.3微米。
[0082]
在两个第二层金属屏蔽层的表面分别真空蒸镀第三层金属屏蔽层，以铜镍合金为靶材，采用连续卷绕式镀膜，镀膜工艺条件为：真空度0.2pa，连续卷绕式镀速为0.5m/min，镀膜电流为4a，镀膜电压为380v。形成于薄膜层10两个表面的第三层金属屏蔽层的厚度为1微米。
[0083]
实施例五
[0084]
提供一薄膜层10，该薄膜层10的厚度为1.5微米，材质为聚酰亚胺。
[0085]
对薄膜层10的两个表面进行等离子体处理，在0.2pa条件下轰击1min，等离子体处理后该两个表面的达因值为65。
[0086]
在薄膜层10的两个表面溅镀第一层金属屏蔽层，采用连续卷绕式镀膜，镀膜工艺条件为：
[0087]
第一层金属屏蔽层，以镍为靶材，真空度0.2pa，连续卷绕式镀速为1.2m/min，镀膜电流为16a，镀膜电压为480v。所得第一层金属屏蔽层的厚度为0.6微米；
[0088]
在其中一第一金属屏蔽层的表面依次溅镀五层金属屏蔽层，采用连续卷绕式镀膜，镀膜工艺条件分别为：
[0089]
第二层金属屏蔽层，以铜为靶材，真空度0.2pa，连续卷绕式镀速为0.3m/min，镀膜电流为1a，镀膜电压为100v。所得第二层金属屏蔽层的厚度为0.3微米；
[0090]
第三层金属屏蔽层，以银为靶材，真空度0.2pa，连续卷绕式镀速为3m/min，镀膜电流为25a，镀膜电压为480v。所得第三层金属屏蔽层的厚度为0.1微米；
[0091]
第四层金属屏蔽层，以锡为靶材，真空度0.2pa，连续卷绕式镀速为6m/min，镀膜电流为2a，镀膜电压为680v。所得第四层金属屏蔽层的厚度为0.2微米；
[0092]
第五层金属屏蔽层，以铟锡合金为靶材，真空度0.2pa，连续卷绕式镀速为2m/min，镀膜电流为22a，镀膜电压为420v。所得第五层金属屏蔽层的厚度为0.2微米；
[0093]
第六层金属屏蔽层，以铜镍合金为靶材，真空度0.2pa，连续卷绕式镀速为10m/min，镀膜电流为1a，镀膜电压为380v。所得第六层金属屏蔽层的厚度为0.1微米。
[0094]
本发明还提出一种由所述柔性超薄导电材料的制作方法制得的柔性超薄导电材料100。
[0095]
请参照图1，该柔性超薄导电材料100包括薄膜层10，薄膜层10的两个表面分别形成有金属屏蔽层12、14。
[0096]
当然，可以理解的是，在一些实施例中，为了提高屏蔽材料的可焊接性，可以在第二金属层620的表面设置第三金属层630，第三金属层630为可焊接金属材料，如此，在一些位置，增加可焊接的位置，有利于提高屏蔽材料的可焊接性和焊接后的可靠性。当然，在一些实施例中，还可以包括第四金属层650，第四金属层650为镍金属层，以防止第三金属层630被氧化。
[0097]
双面非导通的薄膜层10的材质可为双面非导通的薄膜层10由聚乙烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯中的一种或者多种制成。可以理解的，以上仅为列举，该薄膜层10的材质还可以是其他类别的绝缘高分子聚合物。
[0098]
所述薄膜层10的厚度大于或者等于1.5微米小于或者等于8微米，该厚度相较于现有技术的薄膜层10的厚度最大下降了75％，可极大地提升柔性超薄导电材料的柔性，同时大大降低了材料成本。
[0099]
该薄膜层10的两个表面经粗化处理，其表面的达因值位于44至70这个范围区间。被粗化后的薄膜层10的表面能被提升，进而在气相沉积金属屏蔽层12、14时更容易接受沉积的金属，实现较佳的镀覆效果，从而克服了现有技术中因降低聚合物薄膜的厚度而导致金属层镀覆不佳的现象，比如聚合物薄膜在镀覆过程中发生卷积，金属屏蔽层无法均匀镀覆至聚合物薄膜等现象。
[0100]
所述金属屏蔽层12、14是由铜、镍、钴、锌、铟、锡、银、金、铝、钛、铁、镁、锆中的任意一种金属形成的金属层，或者任意两种和两种以上的金属形成的合金层。可以理解的，以上仅为列举，该金属材质还可以是其他能导电的金属或合金。该金属屏蔽层12、14的厚度大于或者等于0.5微米且小于或者等于1.5微米，该金属屏蔽层的厚度大于或者等于0.6微米，且小于或者等于1微米。优选地，金属屏蔽层12、14的厚度大于或者等于0.6微米且小于或者等于1.5微米。可以理解的，金属屏蔽层12、14的厚度还可以根据产品的实际需求选择。金属屏蔽层12和金属屏蔽层14的材质可以相同，也可以不同；金属屏蔽层12和金属屏蔽层14的厚度可以相同，也可以不同。金属屏蔽层在沉积金属屏蔽层12和14的过程中形成。
[0101]
可以理解的，薄膜层10两个表面的金属屏蔽层的层数还可以是一层以上的多层，比如2-6层，优选为2-3层。图6示出了薄膜层10其中一表面的金属屏蔽层为3层的柔性超薄导电材料100，该柔性超薄导电材料100包括薄膜层10，在薄膜层10的一表面上依次形成有第一金属屏蔽层22、第二金属屏蔽层24、及第三金属屏蔽层26，在薄膜层10的另一表面上形成有第四金属屏蔽层28。第一金属屏蔽层22，第二金属屏蔽层24，第三金属屏蔽层26，及第四金属屏蔽层28的材质及厚度可参照金属屏蔽层12或14的材质及厚度。第一金属屏蔽层22，第二金属屏蔽层24，第三金属屏蔽层26、及第四金属屏蔽层28的材质可以相同，也可以不同；第一金属屏蔽层22，第二金属屏蔽层24，第三金属屏蔽层26，及第四金属屏蔽层28的厚度可以相同，也可以不同。薄膜层10与第一金属屏蔽层22及第四金属屏蔽层28直接接触的表面为粗化表面。
[0102]
可以理解的，在第四金属层650的表面还可以再沉积一层或多层金属屏蔽层，可依据产品的实际需求选择。
[0103]
图7示出了薄膜层10两个表面的金属屏蔽层分别为2层的柔性超薄导电材料100，该柔性超薄导电材料100包括薄膜层10，在薄膜层10的一表面上依次形成有第五金属屏蔽层32、第六金属屏蔽层34，在薄膜层10的另一表面上依次形成有第七金属屏蔽层36、第八金属屏蔽层38。第五金属屏蔽层32、第六金属屏蔽层34、第七金属屏蔽层36、及第八金属屏蔽层38的材质及厚度可参照金属屏蔽层12或14的材质及厚度。第五金属屏蔽层32、第六金属屏蔽层34、第七金属屏蔽层36、及第八金属屏蔽层38的材质可以相同，也可以不同；第五金属屏蔽层32、第六金属屏蔽层34、第七金属屏蔽层36、及第八金属屏蔽层38的厚度可以相同，也可以不同。薄膜层10与第五金属屏蔽层32及第七金属屏蔽层36直接接触的表面为粗化表面。
[0104]
可以理解的，在第六金属屏蔽层36及第八金属屏蔽层38的表面还可以再沉积一层或多层金属屏蔽层，可依据产品的实际需求选择。
[0105]
本发明还提供一种电子产品(未图示)，其包括电子产品本体，电子产品本体上覆盖有如上所述的柔性超薄导电材料。所述电子产品可为电脑、手机、电线、电缆等。
[0106]
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。