1.一种集成设备，包括：
半导体主体，具有主表面和一厚度；以及
深插塞，包括：
深沟槽，从所述主表面延伸到所述半导体主体中达小于所述厚度的深深度，所述深沟槽具有侧表面，所述侧表面涂覆有电绝缘材料的绝缘涂层，并且所述深沟槽具有导电材料的导电填料，所述导电填料填充经涂覆的所述深沟槽，并且在所述深沟槽的底部处与所述半导体主体进行物理接触和电接触；
导电材料的沟槽接触件，与所述导电填料接触；和
浅沟槽，从所述主表面延伸到所述半导体主体中，所述浅沟槽在距所述主表面的浅深度处具有浅表面，所述浅深度小于所述深深度，所述浅沟槽填充有电绝缘材料的绝缘填料；
其中所述深沟槽在所述浅表面处从所述浅沟槽延伸达所述深深度；并且
其中所述沟槽接触件通过沟槽窗口在所述浅表面处与所述导电填料接触，所述沟槽窗口存在于用于所述浅沟槽的所述绝缘填料中。
2.根据权利要求1所述的集成设备，其中所述浅沟槽与所述深沟槽同轴，其中所述浅沟槽的、平行于所述主表面截取的截面大于所述深沟槽的、平行于所述主表面截取的截面，并且其中穿过所述浅沟槽的所述沟槽窗口暴露所述导电填料的中心部分，所述沟槽接触件通过所述沟槽窗口与所述导电填料的所述中心部分接触。
3.根据权利要求1所述的集成设备，还包括：
第一另外的浅沟槽，将所述半导体主体的低电压区域绝缘；
第二另外的浅沟槽，将所述半导体主体的高电压区域绝缘；
其中所述低电压区域包括：
所述集成设备的一个或多个低电压部件，被设计成在低电压处工作；和
一个或多个有源区域，从所述主表面在所述低电压区域中延伸；
其中所述高电压区域包括：
所述集成设备的一个或多个高电压部件，被设计成在高于所述低电压的高电压处工作；和
一个或多个有源区域，从所述另外的浅沟槽中的至少一个选择的浅沟槽的所述浅表面在所述高电压区域中延伸。
4.根据权利要求3所述的集成设备，其中所述主表面与所述浅沟槽的所述浅表面之间和与所述第二另外的浅沟槽的浅表面之间的界面表面，与所述主表面形成20°-70°的角度。
5.根据权利要求1所述的集成设备，其中所述沟槽窗口的表面与所述主表面形成一角度，所述角度小于由所述主表面与所述浅沟槽的所述浅表面之间的界面表面形成的角度。
6.根据权利要求1所述的集成设备，还包括：
另外的浅沟槽，将所述半导体主体的低电压区域绝缘；
其中所述低电压区域包括：
所述集成设备的一个或多个低电压部件，被设计成在低电压处工作；以及
一个或多个有源区域，从所述主表面在所述低电压区域中延伸。
7.一种系统，包括至少一个根据权利要求6所述的集成设备。
8.根据权利要求1所述的集成设备，还包括：
另外的浅沟槽，将所述半导体主体的高电压区域绝缘；
其中所述高电压区域包括：
所述集成设备的一个或多个高电压部件，被设计成在高于所述低电压的高电压处下工作；以及
一个或多个有源区域，从所述另外的浅沟槽中的至少一个选择的浅沟槽的所述浅表面在所述高电压区域中延伸。
9.一种系统，包括至少一个根据权利要求7所述的集成设备。
10.一种系统，包括至少一个根据权利要求1所述的集成设备。
11.根据权利要求1所述的集成设备，其中所述浅沟槽的侧壁相对于所述浅表面形成第一角度，所述侧壁从所述主表面延伸到所述浅表面，并且其中存在于所述绝缘填料中的所述沟槽窗口的侧壁相对于所述浅表面形成第二角度，所述第二角度与所述第一角度不同。
12.根据权利要求11所述的集成设备，其中所述第一角度比所述第二角度陡。
13.一种用于制造集成设备的方法，所述集成设备被集成在具有主表面和一厚度的半导体主体上，所述方法包括：
通过如下形成深插塞：
形成深沟槽，所述深沟槽从所述主表面延伸到所述半导体主体中达小于所述厚度的深深度，
用电绝缘材料的绝缘涂层涂覆所述深沟槽的侧表面；
用导电材料的导电填料填充经涂覆的所述深沟槽，以在所述深沟槽的底部处与所述半导体主体进行物理接触和电接触；
形成浅沟槽，所述浅沟槽在所述半导体主体中从所述主表面延伸到在浅深度处的浅表面，所述浅深度小于所述深深度，以使所述深沟槽在所述浅表面处从所述浅沟槽延伸到所述深深度；
用电绝缘材料的绝缘填料填充所述浅沟槽；以及
形成沟槽接触件，所述沟槽接触件通过所述电绝缘材料中的沟槽窗口，通过所述浅沟槽，在所述浅表面处与所述导电填料接触。
14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述深插塞还包括：
在形成从所述主表面延伸的所述深沟槽、涂覆所述深沟槽的所述侧表面并且填充经涂覆的所述深沟槽之后，形成所述浅沟槽；
穿过所述浅沟槽打开所述沟槽窗口，所述沟槽窗口暴露所述导电填料的至少一部分；以及
穿过所述沟槽窗口形成所述沟槽接触件。
15.根据权利要求13所述的方法，还包括：
形成另外的浅沟槽，所述另外的浅沟槽将所述半导体主体的低电压区域绝缘；以及
在所述低电压区域中形成所述集成设备的一个或多个低电压部件，所述低电压部件被设计成在低电压处工作，所述低电压部件包括从所述主表面在所述低电压区域中延伸的一个或多个有源区域。
16.根据权利要求13所述的方法，还包括：
形成另外的浅沟槽，所述另外的浅沟槽将所述半导体主体的高电压区域绝缘，以及
在所述高电压区域中形成所述集成设备的一个或多个高电压部件，所述高电压部件被设计成在高于所述低电压的高电压处工作，所述高电压部件包括从所述另外的浅沟槽中的至少一个选择的另外的浅沟槽的所述浅表面在所述高电压区域中延伸的一个或多个有源区域。
17.根据权利要求16所述的方法，还包括：
穿过所述另外的浅沟槽打开部件窗口，所述部件窗口与所述沟槽窗口一起暴露所述另外的浅沟槽的所述浅表面的至少一部分；以及
穿过所述部件窗口形成所述高电压部件的所述有源区域。
18.根据权利要求17所述的方法，其中打开所述部件窗口包括执行各向同性蚀刻。
19.根据权利要求13所述的方法，其中所述浅沟槽的侧壁相对于所述浅表面形成第一角度，所述侧壁从所述主表面延伸到所述浅表面，并且其中存在于所述电绝缘材料中的所述沟槽窗口的侧壁相对于所述浅表面形成第二角度，所述第二角度与所述第一角度不同。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述第一角度比所述第二角度陡。