半导体器件制造方法及电子装置与流程

1.本发明涉及电子产品的模组组装技术领域，特别涉及一种半导体器件制造方法及电子装置。


背景技术：

2.现有的一些特殊应用的半导体器件的制作过程中，需要在可动部件上组装有源元件，这种情况下，通常需要在去除可动部件与固定部件的牺牲材料之前先进行金属布线工艺，待牺牲材料被释放后，可以利用所布设的金属线实现固定部件和可动部件之间的电性连接等。
3.但在可动部件上进行金属布线时，当存在较大尺寸的金属结构(例如焊盘pad)时，该金属结构会侵占可动部件上释放孔的分布空间，对牺牲材料的释放造成困难。因此，如何简化金属布线工艺并降低布线成本，已成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
4.公开于本发明背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明的一般背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。


技术实现要素：

5.本发明的目的提供一种半导体器件制造方法及电子装置，至少解决在器件衬底上进行金属布线的工艺难度的技术问题。
6.为实现上述目的，本发明提出了一种半导体器件制造方法，包括：
7.提供器件衬底，所述器件衬底包括分立的第一部件和第二部件以及贯穿所述第一部件的多个第一释放孔；
8.提供第一载体衬底，在所述第一载体衬底上形成至少用于与所述第一部件连接的金属布线层；
9.在所述第一载体衬底上形成第二载体衬底；
10.去除所述第一载体衬底；
11.将所述第二载体衬底键合到所述器件衬底上；
12.解键合去除所述第二载体衬底。
13.本发明还提供一种电子装置，包括以上所述的半导体器件制造方法所形成的半导体器件。
14.本发明的有益效果在于：
15.通过在第一载体衬底上完成金属布线层工艺，并通过键合工艺将金属布线层转移到第二载体衬底上，最后通过解键合工艺将金属布线层转移到器件衬底上，因此可以避免直接在器件衬底上实施布线工艺而带来的工艺难度，降低成本，并通过解键合工艺去除第二载体衬底，避免了去除第二载体衬底时对器件衬底的内空腔所造成的影响，保证了器件的性能。
16.进一步的，在临时键合膜与永久键合膜之间形成刻蚀停止层和牺牲层，避免了临时键合膜和永久键合膜直接接触导致的难以解键合的技术问题。
17.进一步的，通过在第二载体衬底上制作永久键合膜，并通过键合工艺将永久键合膜转移到器件衬底的第一部件上，以对第一部件的至少部分释放孔进行封孔，由此避免了直接在第一部件上形成封孔薄膜时导致第一部件锁死以及封孔材料或显影液进入半导体器件内部的风险。
18.进一步的，通过在第二载体衬底上形成金属布线层和永久键合膜，并通过键合工艺将金属布线层和永久键合膜转移到第一部件上，因此可以在第一部件上同时实现金属布线和释放孔封孔操作。
19.进一步的，在两衬底键合之前先对器件衬底上的大部分牺牲材料进行释放，因此避免了在器件衬底上释放牺牲材料时需要对金属布线层进行保护所带来的工艺难度。
20.本发明的装置具有其它的特性和优点，这些特性和优点从并入本文中的附图和随后的具体实施方式中将是显而易见的，或者将在并入本文中的附图和随后的具体实施方式中进行详细陈述，这些附图和具体实施方式共同用于解释本发明的特定原理。
附图说明
21.通过结合附图对本发明示例性实施例进行更详细的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，在本发明示例性实施例中，相同的参考标号通常代表相同部件。
22.图1至图3是现有的半导体器件制作过程中的一种金属布线工艺流程中的器件剖面结构示意图；
23.图4是现有的半导体器件制作过程中布设大尺寸金属布线时的器件剖面结构示意图；
24.图5至图15是本发明一实施例的半导体器件制造方法流程中各步骤对应的结构示意图；
25.图16是本发明又一实施例的半导体器件制造方法流程中各步骤对应的结构示意图。
26.100、固定部件；101、可动部件；102、释放孔；105、牺牲材料；106、底层保护层；107、金属线；107＇、金属结构；108
‑
盖帽保护层；
27.200、第二部件；201、承载衬底；202、支撑部；200a、第二释放孔；205、第一牺牲件；203、第一部件；204、第一释放孔；
28.300、第一载体衬底；302、临时键合膜；303、金属布线层；308、牺牲层；309、刻蚀停止层；
29.400、第二载体衬底；410、永久键合膜。
具体实施方式
30.下面以大尺寸微机电系统(micro
‑
electro
‑
mechanical system，mems)器件为例，来详细说明现有的封孔工艺以及布线工艺存在的技术问题。
31.某些应用中，需要在可动部件上组装有源元件，这种情况下，通常需要在去除可动
部件与固定部件的牺牲材料之前先进行金属布线工艺，待牺牲材料被释放后，可以利用所布设的金属线实现固定部件和可动部件之间的电性连接等。以金属布线(例如铝线)本身不耐受牺牲材料(例如二氧化硅)释放工艺，需要对金属布线实施全方位保护的金属布线工艺为例，请参考图1至图3，现有的一种mems器件制作过程中的金属布线工艺具体过程包括：首先，先利用一器件晶圆(未图示)和相应的牺牲材料，来制造mems器件的固定部件100和可动部件101，此时可动部件101和固定部件100之间的间隙被牺牲材料105填充，进一步可以在可动部件101中有大量的释放孔102，这些释放孔102仍被牺牲材料105填充；然后，在牺牲材料105、可动部件101和固定部件100的表面上形成图形化的底层保护层106，底层保护层106中形成有接触孔(未标示)；接着，通过金属溅射沉积等工艺沉积金属层，并对沉积的金属层进行光刻和刻蚀，以形成填满所述接触孔并与可动部件101电性连接或者与可动部件101和固定部件100均电性连接的金属线107；然后在金属线107的表面上形成盖帽保护层108，盖帽保护层108覆盖金属线107的表面，并暴露出相应的牺牲材料105；接着，通过可动部件102被暴露出的释放孔102去除牺牲材料105；之后，可以通过全局封孔工艺或者局部封孔工艺对可动部件102被暴露出的释放孔102进行封孔。
32.上述的金属布线工艺存在以下缺陷：(1)在某些需要实现固定部件100和可动部件101之间的柔性连接的应用中，底层保护层106和盖帽保护层108会对固定部件100和可动部件101之间的金属线增加不利的刚性，因此现有技术中在去除牺牲材料105之后，还需要进一步去除底层保护层106和盖帽保护层108，因此增加了工艺的复杂性和成本；(2)请参考图4，在可动部件101上进行上述的金属布线时，当存在较大尺寸的金属结构(例如焊盘pad)107＇时，该金属结构107＇会侵占可动部件101上释放孔102的分布空间，对牺牲材料105的释放造成困难，如图4中的b区域中的牺牲材料105相对a区域和c区域难以去除。
33.当然上述工艺中的某些问题，也存在于除mems器件以外的其他一些特殊应用的半导体器件的制造过程中。
34.因此，如何简化金属布线工艺并降低布线成本，已成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
35.以下结合附图和具体实施例对本发明的半导体器件制造方法作进一步详细说明。根据下面的说明和附图，本发明的优点和特征将更清楚，然而，需说明的是，本发明技术方案的构思可按照多种不同的形式实施，并不局限于在此阐述的特定实施例。附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
36.在说明书和权利要求书中的术语“第一”“第二”等用于在类似要素之间进行区分，且未必是用于描述特定次序或时间顺序。要理解，在适当情况下，如此使用的这些术语可替换，例如可使得本文所述的本发明实施例能够以不同于本文所述的或所示的其他顺序来操作。类似的，如果本文所述的方法包括一系列步骤，且本文所呈现的这些步骤的顺序并非必须是可执行这些步骤的唯一顺序，且一些所述的步骤可被省略和/或一些本文未描述的其他步骤可被添加到该方法。若某附图中的构件与其他附图中的构件相同，虽然在所有附图中都可轻易辨认出这些构件，但为了使附图的说明更为清楚，本说明书不会将所有相同构件的标号标于每一图中。
37.基于此，为了至少解决上述的部分问题，本发明提供一种半导体器件制造方法，通过在第一载体衬底上完成金属布线层工艺，并通过键合工艺将金属布线层转移到第二载体
衬底上，最后通过解键合工艺将金属布线层转移到器件衬底上，因此可以避免直接在器件衬底上实施布线工艺而带来的工艺难度，降低成本，并通过解键合工艺去除第二载体衬底，避免了去除第二载体衬底时对器件衬底的内空腔所造成的影响，保证了器件的性能。
38.以下结合附图5至附图15和具体实施例对本发明提出的技术方案作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
39.请参考图5至图15，本发明实施例提供一种半导体器件制造方法，具体包括以下步骤：
40.s01：提供器件衬底，所述器件衬底包括分立的第一部件和第二部件以及贯穿所述第一部件的多个第一释放孔；
41.s02：提供第一载体衬底，在所述第一载体衬底上形成至少用于与所述第一部件连接的金属布线层；
42.s03：在所述第一载体衬底上形成第二载体衬底；
43.s04：去除所述第一载体衬底；
44.s05：将所述第二载体衬底键合到所述器件衬底上；
45.s06：解键合去除所述第二载体衬底。
46.s0n不代表先后顺序。
47.参考图5，提供一器件衬底，所述器件衬底可以是本领域技术人员所熟知的任意合适的衬底材料，其具有第一部件203、第二部件200以及贯穿所述第一部件203的多个第一释放孔204。
48.所述第二部件200包括承载衬底201和位于所述承载衬底201上的支撑部202。
49.本实施例中，所提供的器件衬底为mems衬底，其第一部件203为可动部件，第二部件200为固定部件，所述器件衬底还具有第一牺牲件205和第二牺牲件(图中未示出)，所述第一部件203的部分区域通过所述第一牺牲件205固定连接到所述第二部件200上，所述第一部件203与所述第二部件200之间的其余间隙被所述第二牺牲件填充。
50.需要说明的是，第二牺牲件和第一牺牲件205的材质不同，需要不同的释放工艺，例如释放时所需的药剂不同，或温度不同，或时间不同等，其中，第二牺牲件的释放工艺仅需要mems芯片自身结构耐受即可，第一牺牲件205的释放工艺还需要后续待集成/安装的其他元件/部件耐受，第一牺牲件205对应的结构需要提供足够的强度和稳定性，待第二牺牲件释放掉后，靠第一牺牲件205固定的第一部件203(即可动部件)有足够的强度和稳定性，能够用于后续其他元件/部件的集成和安装。作为一种示例，第二牺牲件的材料例如是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等，第一牺牲件205例如是无定型碳、多晶硅、非晶硅或者锗等。
51.另外，第一牺牲件205和第二牺牲件可以通过常规的膜层生长、图形化、平坦化、回刻蚀等工艺来实现。例如，可以先在第二部件200上通过膜层生长和图形化等工艺形成第一牺牲件205，再通过膜层生长、平坦化等工艺形成覆盖第一牺牲件205的第二牺牲件，之后再通过图形化、膜层生长、平坦化等工艺，在第二牺牲件中形成第一部件203。再例如，可以先通过膜层生长、平坦化等工艺在第二部件200上形成一牺牲层，再通过图形化工艺对刻蚀所述牺牲层形成沟槽，并通过膜层生长在沟槽中填充第一牺牲件材料且对其回刻蚀，以在所述牺牲层中形成第一牺牲件205，之后再通过膜层生长、平坦化工艺，在所述一牺牲层和所
述第一牺牲件205上覆盖另一层牺牲层，两层牺牲层构成第二牺牲件，之后再通过图形化、膜层生长、平坦化等工艺，在第二牺牲件中形成第一部件203。又例如，可以先在第二部件200上通过膜层生长和图形化等工艺形成第一牺牲件205，再通过膜层生长、平坦化等工艺形成一牺牲层，该牺牲层填充在第一牺牲件205之间的缝隙中，且可以与第一牺牲件205的表面齐平，然后再通过膜层生长、图形化等工艺，在第一牺牲件205、所述一牺牲层以及第二部件200上形成第一部件203，之后在后再通过膜层生长、平坦化工艺，形成另一牺牲层，所述另一牺牲层与所述一牺牲层构成第二牺牲件，所述另一牺牲层覆盖所述第一部件203所暴露出的所述一牺牲层、所述第二部件200的表面。
52.本实施例中，第二牺牲件被释放(去除)后，第一部件203和第二部件200之间的空间大部分被掏空，但是由于第一牺牲件205的临时支撑/连接结构存在，第一部件203作为可动部件，仍能相对第二部件200不可动，从而有利于后续第二载体衬底的键合以及永久键合膜的精准封孔。
53.作为一种实施例，请参考图16，第一部件203边缘和第二部件200之间有缝隙，第一部件203上形成有第一释放孔204，且进一步在第二部件200上形成了第二释放孔200a，第二释放孔200a贯穿第二部件200，并暴露出第二牺牲件的部分表面，由此，可以通过第一释放孔204、第二释放孔200a以及第一部件203边缘和第二部件200之间的缝隙(可以看作是一种第一释放孔)共同去除第二牺牲件，通过第一释放孔204、第二释放孔200a以及第一部件203边缘和第二部件200之间的缝隙(可以看作是一种第一释放孔)共同去除第一牺牲件201。
54.参考图6，提供第一载体衬底300。
55.第一载体衬底300包括第一区、第二区和第三区。需要说明的是，第一区后续与所述第一部件203所在的区域相对应，第二区后续与第二部件200的支撑部202所在的区域相对应，第三区后续与第一部件203和支撑部202之间的区域相对应。
56.在提供的第一载体衬底300上通过薄膜沉积形成初始牺牲层，对所述初始牺牲层进行图形化处理形成牺牲层308，所述牺牲层308至少暴露出所述第一载体衬底300的第一区和第二区。牺牲层308的材质可以是本领域技术人员所熟知的任意合适的材料，例如包括无定型碳、多晶硅、非晶硅、锗等中的至少一种。
57.参考图7，在所述第一载体衬底300和图形化的牺牲层308上形成刻蚀停止层309，所述刻蚀停止层309覆盖第一区和第二区的第一载体衬底300，且至少部分位于第三区的所述牺牲层308的表面。具体的，在第一载体衬底300和图形化的牺牲层308上通过薄膜沉积、光刻和刻蚀等工艺，形成图形化的刻蚀停止层309，所述图形化的刻蚀停止层309覆盖第一载体衬底300和部分牺牲层308，位于第三区的刻蚀停止层309与位于第一区的刻蚀停止层309以及第二区的刻蚀停止层309之间隔有间隙；所述图形化的刻蚀停止层309是本领域技术人员所熟知的任意合适的材料，可选地，图形化的刻蚀停止层309材质为绝缘介质，其材质可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种；本实施例中，图形化的刻蚀停止层309的图案与待形成的金属布线层的图案相同，使得后续形成在刻蚀停止层309上的金属布线层能够实现对第一部件203和第二部件200的柔性连接。
58.需要说明的是，形成刻蚀停止层309和牺牲层308，避免了后续形成的临时键合膜和永久键合膜直接接触导致的难以解键合的技术问题。
59.参考图8，在图形化的刻蚀停止层309上形成金属布线层303，金属布线层303可以
是单层布线层或者多层布线层，本实施例中为单层布线层，形成图形化的金属布线层303，金属布线层303的形状和前述刻蚀停止层309的形状相同。金属布线层303的形成工艺包括：
60.在所述刻蚀停止层309上沉积形成初始金属布线层，刻蚀除位于所述刻蚀停止层309上的所述初始金属布线层，形成金属布线层303。
61.所述金属布线层303的材料包括铜、金、钨、铝、镍或锡等。
62.所述金属布线层303用于实现电性连接，所述金属布线层303位于第一区、第二区和部分第三区，具体的，金属布线层303后续至少部分位于第一区的第一部件203、第二区的支撑部202以及第三区上。所述第一区的金属布线层303用于与后续形成的第一部件203电性连接，所述第二区的金属布线层303用于与后续形成的第二部件200电性连接，所述第一区的金属布线层303和第二区的金属布线层303通过位于第三区的金属布线层303电性连接。
63.第一部件203和第二部件200通过悬浮连接线柔性连接。可选地，所述悬浮连接线为柔性电线，以尽可能地增大柔性。进一步可选地，所述悬浮连接线为导线弹簧。此外，上述形成金属布线层303的过程中，可以用其他合适的布线材料来替代金属，以形成所需的金属布线层303。而且，在上述金属布线层303过程中，可以应用一些辅助膜层，例如聚酰亚胺(pi)、氧化硅、氮化硅等作为蚀刻阻挡层、钝化层等功能膜层。
64.通过在第一载体衬底300上完成金属布线层工艺，最后将金属布线层303转移到器件衬底上，可以避免直接在器件衬底上实施布线工艺而带来的工艺难度，降低成本。另外，第一载体衬底300是已知的半导体技术，在第一载体衬底300上完成金属布线工艺，可以做到多层金属布线。
65.参考图9和图10，形成图形化的金属布线层303之后，在所述第一载体衬底300上形成临时键合膜302，所述临时键合膜302覆盖所述牺牲层308和所述金属布线层303，形成临时键合膜302之后，在所述临时键合膜302上形成第二载体衬底400，所述第二载体衬底400通过所述临时键合302膜键合到所述第一载体衬底300上。
66.所述临时键合膜302包括热可解键合膜、光可解键合膜、电可解键合膜或者化学可解键合膜。所述热可解键合膜为通过加热可以在后续解除与第二载体衬底400临时键合的膜层，所述光可解键合膜为通过光照可以解除与第二载体衬底400临时键合的膜层，例如，当第二载体衬底400为透光衬底(例如玻璃衬底)时，临时键合膜302还可以为例如lthc(light
‑
to
‑
heat conversion,光热转换)层或紫外双面胶等光可解键合膜；所述电可解键合膜为通过加电可以解除与第二载体衬底400临时键合的膜层；所述化学可解键合膜为通过化学液渗入或浸泡可以解除与第二载体衬底400临时键合的膜层。
67.参考图11
‑
图13，去除所述第一载体衬底300，去除第一载体衬底300之后，还包括：在所述刻蚀停止层309上形成永久键合膜410，所述永久键合膜410至少部分位于与第一载体衬底300的第一区和第二区相对的第二载体衬底400的表面；通过所述永久键合膜410将所述第二载体衬底400键合到所述器件衬底上后，所述永久键合膜410部分位于所述第一部件203上，以至少对部分所述第一释放孔204进行封孔。
68.在该过程中，由于第一牺牲件205的存在，第一部件203不可动，因此可以实施基于精确定位的键合，永久键合膜410粘接到第一部件203的指定区域上，且由于永久键合膜410在键合到器件衬底上之前是膜结构，永久键合膜410可以是干膜而非液态的胶体，因此在键
合过程中不会渗入到器件衬底内部，即不会通过第一部件203上的第一释放孔204进入到第一部件203和第二部件200之间的空腔中。
69.参考图11，去除第一载体衬底300。
70.去除第一载体衬底300可以通过机械研磨和/或背面刻蚀的方式，将第一载体衬底300去除，暴露出图形化牺牲层308和刻蚀停止层309。
71.参考图12，去除第一载体衬底300后，在暴露出的刻蚀停止层309上形成永久键合膜410，所述永久键合膜410至少部分位于第一区和第二区。
72.所述永久键合膜410的形成方法包括：
73.在所述刻蚀停止层309上形成键合膜材料层，所述键合膜材料层覆盖所述刻蚀停止层309和所述牺牲层308，刻蚀所述键合膜材料层，形成永久键合膜410；所述永久键合膜410位于所述刻蚀停止层309上且至少部分位于第一区和第二区，使得后续第二载体衬底400键合到器件衬底之后，永久键合膜410以至少对部分所述第一释放孔204进行封孔。
74.永久键合膜410的材料为膜状干膜。
75.参考图13，通过所述永久键合膜410将所述第二载体衬底400键合到所述器件衬底上之后，所述永久键合膜410部分位于所述第一部件203上，以至少对部分所述第一释放孔204进行封孔。
76.可以通过常规的键合工艺，将所述永久键合膜410键合到所述第一部件203上，永久键合膜410能够至少对第一部件203的部分第一释放孔204进行封孔。在该过程中，由于第一牺牲件205的存在，第一部件203不可动，因此可以实施基于精确定位的键合，永久键合膜410粘接到第一部件203的指定区域上，且由于永久键合膜410在键合到器件衬底上之前是膜结构，而非液态的胶体，因此在键合过程中不会渗入到器件衬底内部，即不会通过第一部件203上的第一释放孔204进入到第一部件203和第二部件200之间的空腔中，从而进一步提高了器件的性能。
77.参考图14，解键合去除第二载体衬底400。
78.根据临时键合膜302的性质，选择合适的解键合工艺来去除第二载体衬底400。例如，当使用热可解键合膜作为临时键合膜302时，可以通过加热的方式，使得临时键合膜302失去粘性，继而第二载体衬底400能够很容易地被剥离下来；再例如，当使用光可解键合膜作为临时键合膜302时，通过激光解键合方式，使得临时键合膜302失去粘性，继而第二载体衬底400能够很容易地被剥离下来；接着，去除图形化的牺牲层308，如图15所示，并进一步去除第一牺牲件205。
79.需要说明的是，首先，上述各实施例中，第一牺牲件205的去除均是在去除所述第二载体衬底400之后进行的，但是本发明的技术方案并不仅仅限定于此，在本发明的其他实施例中，也可以在将所述永久键合膜410键合到所述第一部件203上之后且在去除所述第二载体衬底400之前，通过所述第二部件200上的第二释放孔200a和/或所述永久键合膜410所暴露出的第一释放孔204，去除所述第一牺牲件205。其次，上述各实施例中，由于永久键合膜410的键合面是具有粘性的，因此可以直接键合到第一部件203上，但是本发明的技术方案并不仅仅限定于此，在本发明的其他实施例中，永久键合膜410的键合面是不具有粘性的，可以进一步在永久键合膜410上涂键合胶，进而通过该键合胶将永久键合膜410键合到第一部件200上，这种情况下，由于键合胶是涂在永久键合膜410上的，用量相对较少，且永
久键合膜410能够在键合时精准地贴在第一部件203的指定区域上，因此也能避免了键合胶在键合时进入器件衬底内部的问题。
80.通过在第一载体衬底300上完成金属布线层303工艺，并通过键合工艺将金属布线层303转移到第二载体衬底400上，最后通过解键合工艺将金属布线层303转移到器件衬底上，因此可以避免直接在器件衬底上实施布线工艺而带来的工艺难度，降低成本，并通过解键合工艺去除第二载体衬底400，避免了去除第二载体衬底400时对器件衬底的内空腔所造成的影响，保证了器件的性能。
81.本实施例的半导体器件的制造方法，一方面，由于事先在第一载体衬底上制作第一部件上所需的布线，因此无需在第一部件上为布线让出第一释放孔的位置和面积，进而可以在第一部件上大面积均匀密布第一释放孔，降低了第二牺牲件的释放难度；另一方面，由于在键合第二载体衬底之前，先去除了第二牺牲件，且布线形成在载体衬底上，因此取消现有技术中为保护布线而在布线表面上实施的保护膜层和及其形成工艺，降低了半导体器件制造的难度和复杂性；此外，可以通过相对简单的工艺形成悬浮连接线，实现第二部件和第一部件之间的柔性连接，且避免会对悬浮连接线增加不利的刚性。
82.请参考图5至图16，基于同一发明构思，本发明一实施还提供一种电子装置，包括上述任一实施例所述的半导体器件制造方法所形成的半导体器件，所述半导体器件包括器件衬底、永久键合膜410，所述器件衬底具有第一部件203、第二部件200以及贯穿所述第一部件203的多个第一释放孔204，所述永久键合膜至少键合到所述第一部件203上，以至少对部分所述第一释放孔204进行封孔。作为一种示例，所述永久键合膜302的材料包括干膜。
83.可选地，所述第一部件203为可动部件，第二部件200为固定部件，所述第二部件200和所述第一部件203的边缘之间设有缝隙，所述第一部件203能相对所述第二部件200可动。
84.可选地，所述第一部件203与所述第二部件200至少部分交叠，且所述第一部件203与所述第二部件200在交叠区域形成空腔。
85.可选地，所述第二部件200上设置有第二释放孔200a。
86.可选地，所述半导体器件还包括键合在所述第一部件203上的金属布线层303，其中，所述金属布线层303可以包括单层结构和/或互连结构。
87.作为一种示例，所述金属布线层303包括连接所述第二部件200与所述第一部件203的悬浮连接线。可选地，所述第二部件200与所述第一部件203通过所述悬浮连接线柔性连接。
88.需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于结构实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
89.上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。