双重管结构流动池装置的制作方法

1.本发明涉及双重管结构流动池装置(flow cell apparatus)，更加详细地，在流动介质的使用条件下监测流动介质的状态，能够准确地测量流动介质的浓度的双重管结构流动池装置。


背景技术：

2.一般情况下，半导体晶片或太阳能电池等半导体制造工序中执行蚀刻工序。在蚀刻工序中，为了蚀刻氮化硅膜，使用如磷酸溶液等高温的蚀刻溶液(流动介质)。从半导体晶片中溶出硅等溶出物后包含于蚀刻溶液，所以随着半导体晶片的蚀刻工序的执行，蚀刻溶液中的溶出物的浓度增加。如果蚀刻溶液中的溶出物的浓度增加到一定浓度以上，则更换蚀刻溶液。
3.在蚀刻溶液为高温的状态下难以微量分析硅的浓度，所以收集蚀刻溶液的一部分冷却到常温。为了提高冷却的蚀刻溶液的检测灵敏度，在进行多次化学处理之后检测蚀刻溶液的浓度。
4.但是，以前是将蚀刻溶液冷却到常温之后进行多次化学处理，所以根据蚀刻溶液的温度差异，检测误差范围增大。因此，在实际半导体工序中应用的使用条件下难以准确地预测蚀刻溶液的状态。
5.并且，在将高温的蚀刻溶液降低至常温时，从蚀刻溶液容易析出溶出物，所以有时难以在蚀刻溶液准确地测量溶出物的浓度。
6.并且，为了准确地测量蚀刻溶液的浓度，分多次进行化学处理，所以在分析浓度的过程中复杂地形成矩阵，降低分析浓度的准确性。
7.在韩国授权专利公报第1785859号(2017.09.29授权，发明名称：铜离子检测用荧光硅纳米粒子、其的制造方法以及利用其的检测传感器)中公开了本发明的背景技术。


技术实现要素：

8.发明要解决的技术问题
9.本发明的目的在于提供双重管结构流动池装置，在流动介质的使用条件下监测流动介质的状态，能够准确地测量流动介质的浓度。
10.解决技术问题的手段
11.根据本发明的双重管结构流动池装置的特征在于，包括第一流路形成部，连接于介质流入部，以供流动介质流入，并且所述第一流路形成部形成有第一流路部，以供流动介质流动；第二流路形成部，以与所述第一流路部连通的方式形成有第二流路部，并且所述第二流路形成部连接于介质排出部，以使所述第二流路部的流动介质排出；以及气泡排出部，连接于所述第一流路形成部，以排出混合在所述第一流路部的流动介质中的气泡。
12.所述第二流路形成部可以配置在所述第一流路形成部的内部。
13.所述第一流路形成部可以包括：外部壳体，连接所述介质流入部和所述气泡排出
部；以及透光部，分别形成在所述外部壳体的两侧，以使光透过。
14.所述第二流路形成部可以包括：内部壳体，所述内部壳体的两侧被开口，以连通所述第一流路部和所述第二流路部，并且所述内部壳体与所述介质排出部连接；以及气泡分离部，形成于所述内部壳体的外侧面。
15.所述外部壳体和所述内部壳体可以配置为双重管形状。
16.所述气泡排出部可以配置在所述外部壳体的上侧，以排出从流动介质分离的气泡。
17.所述气泡排出部可以分别形成在所述外部壳体的两侧端部。
18.所述气泡分离部可以分别形成在所述内部壳体的两侧端部。
19.所述气泡排出部可以包括：气泡排出线，连接于所述外部壳体和第一泵；以及开度调节阀，设置在所述气泡排出线。
20.所述第一流路部的截面面积可以形成为比所述介质流入部的截面面积大。
21.所述双重管结构流动池装置还可以包括：排放部，连接于所述第一流路形成部。
22.所述排放部可以包括：第一排放线，连接于所述第一流路形成部和所述介质排出部；第一开关阀，设置在所述第一排放线；第二排放线，从所述第一排放线分支；以及，第二开关阀，设置在所述第二排放线。
23.并且，本发明还可以包括：监测部，向沿所述第二流路部流动的流动介质照射光，以测量流动介质的状态。
24.发明效果
25.根据本发明，高温的流动介质在双重管结构流动池装置流动，流动介质的波长被光吸收，所以在实际的半导体工序使用的条件下测量流动介质的浓度，无需为了提高流动介质的检测灵敏度而对流动介质分多次进行化学处理。
26.并且，根据本发明，气泡排出部连接于第一流路形成部，从而流动介质在第一流路形成部的第一流路部流动的期间，气泡被去除后流入第二流路形成部的第二流路部。因此，监测部向去除气泡的流动介质照射光来测量流动介质的状态，所以防止光由于混合在流动介质的气泡而散射和折射，能够减少光损失。因此，监测部能够准确地测量流动介质的浓度或杂质的混入量等状态。
27.并且，根据本发明，沿内部壳体的外侧面流动的气泡可以通过气泡分离部容易从内部壳体的外侧面分离。因此，从第一流路部分离的气泡通过气泡排出部排出到第一流路形成部的外部，在第一流路部去除了气泡的流动介质可以流入第二流路部。
附图说明
28.图1是简要示出根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置的立体图。
29.图2是简要示出根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置的剖面图。
30.图3是简要示出根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置中流动介质的流动状态的剖面图。
31.图4是示出根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置向一侧倾斜设置的状态的剖面图。
32.图5是示出根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置向另一侧倾斜设置的状
态的剖面图。
33.图6是示出根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置应用于蚀刻装置的第一实施例的状态的框图。
34.图7是示出根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置应用于蚀刻装置的第二实施例的状态的框图。
35.图8是示出根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置应用于蚀刻装置的第三实施例的状态的框图。
36.图9是示出根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置应用于蚀刻装置的第四实施例的状态的框图。
37.附图标记说明
38.100、100a：双重管结构流动池装置；110：第一流路形成部；111：外部壳体；112：第一流路部；113：介质流入部；115：透光部；120：第二流路形成部；121：内部壳体；122：第二流路部；123：介质排出部；125：气泡分离部；130：气泡排出部；131：气泡排出线；133：开度调节阀；140：监测部；141：光照射部；143：光检测部；150：排放部；151：第一排放线；152：第一开关阀；153：第二排放线；154：第二开关阀；211：磷酸供给部；212：磷酸供给线；213：第一阀；215：添加剂供给部；216：添加剂供给线；217：第二阀；221：循环线；222：第一泵；223：第三阀；224：第四阀；230：混合灌；235：连接线；236：第五阀；237：磷酸添加线；238：第六阀；240：介质供给槽；242：第二排出线；243：第二排出阀；251：供给线；252：第二泵；253：第七阀；254：加热器；255：喷雾嘴；256：分支线；257：第八阀；260：晶片处理槽；262：外槽；265：回收线。
具体实施方式
39.下面，参照附图说明根据本发明的双重管结构流动池装置的一实施例。在说明双重管结构流动池装置的过程中，为了说明的清楚性以及方便性，有时夸张示出附图示出的线条的粗细或构成元素的大小等。并且，后述的术语是鉴于本发明中的功能定义的术语，可以根据使用者、操作者的意愿或习惯有所改变。因此，应该基于本说明书的整体内容来定义这些术语。
40.图1是简要示出根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置的立体图，图2是简要示出根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置的剖面图，图3是简要示出根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置中流动介质的流动状态的剖面图，图4是示出根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置向一侧倾斜设置的状态的剖面图，图5是示出根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置向另一侧倾斜设置的状态的剖面图。
41.参照图1至图5，根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置100包括第一流路形成部110、第二流路形成部120、气泡排出部130以及监测部140。
42.根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置100可以应用于处理晶片或太阳能电池等半导体材质的批量处理装置(batch type)和单张处理装置(single type)、测量溶出物的溶出量的装置、测量溶液的浓度变化的装置等多种领域。
43.第一流路形成部110、第二流路形成部120以及气泡排出部130可以以石英材质、高硬玻璃(pyrex glass)、特氟隆材质(teflon)以及蓝宝石材质等中的任意一个形成，以防止
因150℃～200℃程度的流动介质而热变形以及腐蚀。第一流路形成部110、第二流路形成部120以及气泡排出部130可以以透明材质或者不透明材质形成。
44.流动介质可以是在制造半导体晶片或太阳能电池等时用于半导体工序的蚀刻溶液。作为蚀刻溶液可以是150℃～200℃的磷酸溶液。
45.第一流路形成部110和第二流路形成部120能够以抑制包含在流动介质中的物质被析出的方式供加热到150℃～200℃的流动介质流动。因此，半导体工序中循环的流动介质直接流入第一流路形成部110和第二流路形成部120，所以可以对用于半导体工序的流动介质实时进行浓度测量。并且，无需在将流动介质冷却到常温之后进行多次的化学处理，所以可以防止根据流动介质的温度差异出现检测误差。并且，无需将高温的流动介质冷却至常温，所以可以防止从流动介质析出溶出物。
46.第一流路形成部110连接介质流入部113，以供流动介质流入，并且第一流路形成部110形成有第一流路部112，以供流动介质流动。介质流入部113可以连接于半导体原料的蚀刻装置。
47.第二流路形成部120以与第一流路部112连通的方式形成有第二流路部122，并且第二流路形成部120连接于介质排出部123，以使第二流路部122的流动介质排出。
48.气泡排出部130连接于第一流路形成部110，以排出混合在第一流路部112的流动介质中的气泡。气泡排出部130连接于第一流路形成部110，所以流动介质在第一流路形成部110的第一流路部112中流动的期间去除气泡之后流入第二流路形成部120的第二流路部122。
49.监测部140向沿第二流路部122流动的流动介质照射光，以测量流动介质的状态。监测部140可以无线或有线连接于控制部。监测部140向去除气泡的流动介质照射光来测量流动介质的状态，所以防止光由混合在流动介质中的气泡而散射和折射，可以减少光损失。因此，监测部140能够准确地测量流动介质的浓度或杂质的混入量等状态，所以控制部能够基于从监测部140接收到的信号正确地判断流动介质的状态。
50.监测部140包括光照射部141以及光检测部143，光照射部141向第二流路形成部120的第二流路部122照射光，光检测部143检测在第二流路部122中透过流动介质并且吸收流动介质的波长的光。光照射部141配置在一侧的透光部115的外侧，光检测部143配置在另一侧的透光部115的外侧。光照射部141和光检测部143可以彼此相对地配置在第二流路部122的两侧。光在第二流路部122中沿着流动介质的前进方向前进，从而使得光在透过流动介质时最小化由于气泡或溶出物而散射和折射，从而可以减少光损失。并且，光在透过流动介质时可以顺利地吸收包含在流动介质中的溶出物的波长，所以能够提高光检测效率。
51.第二流路形成部120配置在第一流路形成部110的内部。因此，在第一流路形成部110中已去除气泡的流动介质可以流入第二流路形成部120。
52.第一流路形成部110包括外部壳体111以及透光部115，外部壳体111连接介质流入部113和气泡排出部130，透光部115分别形成在外部壳体111的两侧，以使光透过。外部壳体111可以以玻璃、高硬玻璃(pyrex glass)、特氟隆材质(teflon)以及蓝宝石材质等中的任意一个形成。外部壳体111形成为两侧开口的圆筒状，透光部115设置为封闭外部壳体111的两侧。从监测部140照射的光透过透光部115。
53.第二流路形成部120包括内部壳体121以及气泡分离部125，内部壳体121的两侧被
开口，以连通第一流路部112和第二流路部122，并且内部壳体121连接介质排出部123，气泡分离部125突出地形成在内部壳体121的外侧面。气泡分离部125突出地形成在内部壳体121的外侧面，所以沿内部壳体121的外侧面流动的气泡可以通过气泡分离部125从内部壳体121的外侧面容易分离。因此，从第一流路部112中分离的气泡通过气泡排出部130排出到第一流路形成部110的外部，从第一流路部112中已去除气泡的流动介质可以流入第二流路部122。
54.外部壳体111和内部壳体121可以以相同的材质形成或者以不同的材质形成。并且，透光部115可以与外部壳体111或者内部壳体121相同的材质或者不同的材质形成。
55.外部壳体111和内部壳体121配置为双重管形状。这时，外部壳体111和内部壳体121可以形成为圆筒状。因此，减少沿外部壳体111和内部壳体121流动的流动介质的流动阻力，可以防止出现流动介质的滞留区间。
56.气泡排出部130配置在外部壳体111的上侧，以排出从流动介质中分离的气泡。气泡分离部125可以在第一流路形成部110的上侧配置有多个。分离出的气泡比流动介质轻，所以向内部壳体121的上侧移动之后通过气泡排出部130排出到第一流路形成部110的外部。
57.气泡排出部130分别形成在外部壳体111的两侧端部。在水平设置外部壳体111的情况下，气泡可以通过两侧的气泡排出部130排出(参照图3)。并且，在倾斜设置外部壳体111的情况下，气泡可以通过位于高处的气泡排出部130排出(参照图4以及图5)。因此，即使外部壳体111水平设置或倾斜设置，也可以顺利地排出从第一流路部112的流动介质中分离出的气泡。
58.气泡排出部130包括气泡排出线131以及开度调节阀133，气泡排出线131连接于外部壳体111和第一泵222，开度调节阀133设置在气泡排出线131。气泡排出线131连接于第一泵222，所以通过第一泵222的吸附力可以排出从流动介质中分离出的气泡。并且，调节开度调节阀133的开度，所以可以防止第一流路部112的流动介质通过气泡排出线131排出。
59.气泡分离部125分别形成在内部壳体121的两侧端部。气泡分离部125可以以圆环形状形成在内部壳体121的两侧端部。并且，在内部壳体121的两侧分别形成多个气泡分离部125。沿内部壳体121外侧面流动的气泡在内部壳体121端部通过气泡分离部125被分离，所以能够防止气泡流入内部壳体121的第二流路部122。并且，在流动介质从第一流路部112向第二流路部122流动时，在内部壳体121的端部周围，流动介质的流动方向急剧改变大致180
°
程度，所以可以更加顺利地分理出气泡。
60.第一流路部112的截面面积形成为大于介质流入部113的截面面积。第一流路部112的截面面积与介质流入部113的截面面积相比急剧增加，所以介质流入部113的流动介质在流入第一流路部112时可形成乱流。并且，流动介质在流入第一流路部112能够膨胀。因此，可以最小化在第一流路部112中的流动介质的滞留区间，顺利地从流动介质中分离出混合在流动介质中的气泡。并且，介质流入部113的流动介质在流入第一流路部112时形成乱流，所以可以使得包含在流动介质中的磷酸和水更加均匀混合。
61.第二流路部122的截面面积形成为大于第一流路部112的截面面积。第二流路部122的截面面积相比于第一流路部112的截面面积急剧增加，所以介质流入部113的流动介质在流入第二流路部122时可以形成乱流。并且，流动介质在流入第二流路部122时能够膨
胀。因此，在第二流路部122的入口侧，可以从流动介质中分离出混合在流动介质的气泡。并且，第一流路部112的流动介质在流入第二流路部122时形成乱流，所以可以使得包含在流动介质中的磷酸和水更加均匀混合。
62.介质流入部113配置在第一流路形成部110的上侧，介质排出部123配置在第二流路形成部120的下侧。因此，流动介质的流动方向整体上朝向下侧，所以流动介质的流动方向可以形成为与气泡的分离方向相反。
63.介质流入部113配置在第一流路形成部110的长度方向的中心部，介质排出部123配置在第二流路形成部120的长度方向的中心部。第一流路部112的流动介质向第一流路形成部110的两侧分流流动，向第一流路形成部110的两侧流动的流动介质汇集在第二流路部122的中心部侧。
64.双重管结构流动池装置100还包括连接于第一流路形成部110的排放(drain)部150。排放部150配置在第一流路形成部110的下侧。排放部150连接于第一流路形成部110，所以在清洗双重管结构流动池装置100时，收纳在第一流路形成部110和第二流路形成部120的流动介质可以通过排放部150排出。
65.排放部150包括连接于第一流路形成部110和介质排出部123的第一排放线151、设置于第一排放线151的第一开关阀152、从第一排放线151分支的第二排放线153以及设置于第二排放线153的第二开关阀154。在进行半导体工序时，打开第一开关阀152，关闭第二开关阀154。并且，在为了清洗双重管结构流动池装置100而排出流动介质时，关闭第一开关阀152，打开第二开关阀154。
66.对应用了如上所述的根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置的蚀刻装置的第一实施例进行说明。
67.图6是示出根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置应用于蚀刻装置的第一实施例的状态的框图。
68.参照图6，磷酸供给部211连接磷酸供给线212，并且磷酸供给线212连接第一阀213。添加剂供给部215连接添加剂供给线216，添加剂供给线216连接第二阀217。
69.磷酸供给线212和添加剂供给线216连接循环线221，循环线221连接混合灌230。循环线221的一侧连接第一泵222，循环线221的另一侧连接第三阀223。在混合灌230的内部，从磷酸供给部211和添加剂供给部215供给的磷酸和添加剂被混合。随着磷酸和添加剂被混合，形成流动介质。
70.混合灌230连接供给线251，供给线251依次连接第二泵252、加热器254以及喷雾嘴255。喷雾嘴255向晶片处理槽260喷射流动介质。在晶片处理槽260中处理晶片。
71.对如上所述构成的蚀刻装置的第一实施例的动作进行说明。
72.启动第一泵222并打开第一阀213，向混合灌230供给磷酸，在结束对混合灌230的磷酸供给后，关闭第一阀213。打开第二阀217，向混合灌230供给添加剂，在结束对混合灌230的添加剂供给后，关闭第二阀217。
73.关闭第三阀223，通过第一泵222的泵送压力，使得混合灌230的磷酸和添加剂沿循环线221流动。磷酸和添加剂沿循环线221流动。循环线221的磷酸和添加剂流入双重管结构流动池装置100，双重管结构流动池装置100监测磷酸和添加剂的浓度。
74.这时，介质流入部113的流动介质流入第一流路部112后去除气泡，第一流路部112
的流动介质在去除气泡之后流入第二流路部122。并且，随着监测部140向第二流路部122照射光，测量在第二流路部122中的高温状态的流动介质的浓度。
75.在控制部判断为流动介质混合到既定浓度时，控制部驱动第二泵252。如果第二泵252被驱动，则混合灌230的流动介质沿供给线251流动。供给线251的流动介质通过加热器254被加热后，通过喷雾嘴255喷射到晶片处理槽260。
76.其次，对应用了根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置的蚀刻装置的第二实施例进行说明。在第二实施例中，除了外槽262和回收线265之外，其它与第一实施例实质上相同，省略对于与第一实施例相同的构成的说明，对第二实施例的特征部分进行说明。
77.图7是示出根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置应用于蚀刻装置的第二实施例的状态的框图。
78.参照图7，晶片处理槽260的外侧设置有外槽262，外槽262和混合灌230连接于回收线265。这时，双重管结构流动池装置100连接于循环线221。
79.晶片处理槽260的流动介质在处理晶片之后向晶片处理槽260的上侧溢出(overflow)，之后流入外槽262。汇集在外槽的流动介质通过回收线265再次回收到混合灌230。
80.另一方面，混合灌230的磷酸和添加剂沿循环线221流动并混合时，双重管结构流动池装置100测量磷酸和添加剂的混合浓度。并且，在外槽262的流动介质通过回收线265回收到混合灌230的情况下，由于从晶片溶出的硅等溶出物，流动介质的浓度发生变化。这时，第一泵222被驱动，从而混合灌230的流动介质流入双重管结构流动池装置100，双重管结构流动池装置100的监测部140可以向流动介质照射光，测量流动介质的浓度变化。
81.因此，双重管结构流动池装置100在开始晶片处理工序之前，可以测量磷酸和添加剂的混合浓度，在进行晶片处理工序期间，可以测量流动介质的浓度变化。
82.其次，对应用了根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置的蚀刻装置的第三实施例进行说明。
83.图8是示出根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置应用于蚀刻装置的第三实施例的状态的框图。
84.参照图8，磷酸供给部211连接磷酸供给线212，磷酸供给线212连接第一阀213。添加剂供给部215连接添加剂供给线216，添加剂供给线216连接第二阀217。
85.磷酸供给线212和添加剂供给线216连接循环线221，循环线221连接混合灌230。循环线221的一侧连接第一泵222，循环线221的另一侧连接第三阀223和第四阀224。在混合灌230的内部，从磷酸供给部211和添加剂供给部215供给的磷酸和添加剂被混合。随着磷酸和添加剂被混合，从而形成流动介质。循环线221设置有第一双重管结构流动池装置100。
86.循环线221连接连接线235，连接线235设置有第五阀236。连接线235设置有介质供给槽240，介质供给槽240和磷酸供给线212连接于磷酸添加线237。磷酸添加线237设置有第六阀238。
87.介质供给槽240连接供给线251，供给线251依次连接第二双重管结构流动池装置100a、第二泵252、第七阀253、加热器254以及喷雾嘴255。并且，供给线251中的第二泵252与第七阀253之间分支出分支线256，分支线256连接于介质供给槽240。分支线256设置有第八阀257。
88.晶片处理槽260的外侧设置有外槽262，外槽262和介质供给槽240连接于回收线265。
89.对如上所述构成的蚀刻装置的第三实施例的动作进行说明。
90.启动第一泵222，打开第一阀213，向混合灌230供给磷酸，在结束对混合灌230的磷酸供给后，关闭第一阀213。打开第二阀217，向混合灌230供给添加剂，在结束对混合灌230的添加剂供给后，关闭第二阀217。
91.打开第三阀223和第四阀224并关闭第五阀236，通过第一泵222的泵送压力，使得混合灌230的磷酸和添加剂沿循环线221流动。磷酸和添加剂沿循环线221流动。循环线221的磷酸和添加剂流入第一双重管结构流动池装置100，第一双重管结构流动池装置100监测磷酸和添加剂的浓度。
92.这时，介质流入部113的流动介质流入第一流路部112后去除气泡，第一流路部112的流动介质在被去除气泡之后流入第二流路部122。并且，监测部140向第二流路部122照射光，从而测量在第二流路部122中的高温状态的流动介质的浓度。
93.在控制部判断为流动介质混合到既定浓度时，控制部驱动第二泵252并打开第五阀236。如果第二泵252被驱动，则混合灌230的流动介质沿连接线235流入介质供给槽240。
94.关闭第七阀253并打开第八阀257，从而介质供给槽240的流动介质沿第二双重管结构流动池装置100a、第二泵252、第八阀257以及分支线256流动。这时，在第二双重管结构流动池装置100a测量收纳在介质供给槽240的流动介质的浓度和被蚀刻的硅浓度。
95.如果介质供给槽240的流动介质的浓度属于既定范围，则控制部进行控制，关闭第八阀257并打开第七阀253。介质供给槽240的流动介质沿供给线251流动。供给线251的流动介质在被加热器254加热后，通过喷雾嘴255喷向晶片处理槽260。并且，在介质供给槽240调节流动介质的浓度时，打开第六阀238向介质供给槽240补充磷酸。
96.从晶片处理槽260溢出的流动介质汇集在外槽262，外槽262的流动介质通过回收线265回收到混合灌230。
97.因此，第一双重管结构流动池装置100可以测量供给混合灌230的磷酸和添加剂的混合浓度，第二双重管结构流动池装置100a在进行晶片处理工序的期间可以测量在介质供给槽240中的流动介质的浓度变化和溶出物的浓度等。
98.其次，对应用了根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置的蚀刻装置的第四实施例进行说明。在第四实施例中，与第三实施例相比，除了第二双重管结构流动池装置的设置方式之外，其它与第三实施例实质上相同。下面，对第四实施例的特征部分进行说明。
99.图9是示出根据本发明一实施例的双重管结构流动池装置应用于蚀刻装置的第四实施例的状态的框图。
100.参照图9，介质供给槽240连接第二排出线242，第二排出线242设置有第二排出阀243和第二双重管结构流动池装置100a。
101.外槽262的流动介质通过回收线265回收到介质供给槽240，介质供给槽240的流动介质以固定的时间间隔通过第二排出线242排出。从混合灌230向介质供给槽240供给相当于从介质供给槽240排出的流动介质的量的新的流动介质。
102.第二排出线242的流动介质在通过第二双重管结构流动池装置100a之后排出到外部。在第二双重管结构流动池装置100a，在通过第二排出线242排出的流动介质中测量硅等
溶出物的浓度。
103.因此，第一双重管结构流动池装置100可以测量供给混合灌230的磷酸和添加剂的混合浓度，第二双重管结构流动池装置100a在进行晶片处理工序的期间可以测量收纳在介质供给槽240的溶出物的浓度等。
104.参照附图示出的实施例说明了本发明，但是这些实施例只是示例性的，本发明所属技术领域的技术人员应该可以理解由此可以得到各种变形以及等同的其它实施例。