一种IBC电池组件的制作方法

本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种ibc电池组件。

背景技术：

ibc(interdigitatedbackcontact，指交叉背接触)电池，是指正负金属电极呈叉指状方式排列在电池背面的一种背结背接触的太阳电池结构，其pn结位于电池背面。其因电池正面无遮挡，降低了光学损失，具有更高的发电效率，又美观，成为研发的重点。

ibc电池之间进行导电串联时，既可以利用传统的焊带进行焊接，也可以是导电背板进行封装。采用传统焊带时，需要在320℃～380℃左右的高温下进行焊接，ibc电池受高温焊接产生的应力影响，容易弯曲，从而造成隐裂或碎片；利用导电背板进行封装的技术非常复杂，不利于返修及量产。

因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

技术实现要素：

本申请的目的是提供一种ibc电池组件，以减少ibc电池组件中出现ibc电池隐裂或者碎片的情况，同时一旦ibc电池出现隐裂或者碎片时，又便于返修。

为解决上述技术问题，本申请提供一种ibc电池组件，包括由下至上依次层叠的基板、第一胶膜层、电池片层、第二胶膜层、玻璃基板，所述电池片层包括多串电池串，每串所述电池串包括多片ibc电池和用于连接相邻所述ibc电池的导电压敏胶带；

所述导电压敏胶带包括层叠的基底层和导电压敏胶层，所述ibc电池的背面分布有间隔平行设置的第一电极和第二电极，且相邻所述ibc电池的所述第一电极和所述第二电极排布顺序相反，所述导电压敏胶层连接于相邻所述ibc电池的所述第一电极和所述第二电极。

可选的，所述第一电极和所述第二电极均为分段电极。

可选的，所述ibc电池组件中的所述导电压敏胶层包括导电填料、粘结剂、橡胶和改性树脂中的任一种。

可选的，所述ibc电池组件中的所述导电填料为银填料或者铜填料。

可选的，所述第一胶膜层和所述第二胶膜层均为eva胶膜层或者均为poe胶膜层。

可选的，所述玻璃基板为超白压花玻璃。

可选的，所述ibc电池为整片ibc电池、半片ibc电池、三等分ibc电池中的任一种。

可选的，所述基板为玻璃板或者背板。

本申请所提供的ibc电池组件，包括由下至上依次层叠的基板、第一胶膜层、电池片层、第二胶膜层、玻璃基板，所述电池片层包括多串电池串，每串所述电池串包括多片ibc电池和用于连接相邻所述ibc电池的导电压敏胶带；所述导电压敏胶带包括层叠的基底层和导电压敏胶层，所述ibc电池的背面分布有间隔平行设置的第一电极和第二电极，且相邻所述ibc电池的所述第一电极和所述第二电极排布顺序相反，所述导电压敏胶层连接于相邻所述ibc电池的所述第一电极和所述第二电极。

可见，本申请中ibc电池组件中相邻ibc电池之间依靠导电压敏胶带相连，无需经过高温焊接，进而ibc电池不会受到因焊接产生的热应力，进而降低ibc电池出现隐裂或者碎片的概率；一旦出现隐裂或者碎片，由于导电压敏胶带具有粘性，在未对ibc电池组件进行层压前，可以随时揭开导电压敏胶带进行返修，非常简便可靠，同时也不会影响导电压敏胶带的二次使用，适合量产；同时，ibc电池的厚度对使用导电压敏胶带进行连接时没有影响，更适用于ibc电池向薄片化方向发展。

附图说明

为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例所提供的一种ibc电池组件的结构示意图；

图2为ibc电池组件中ibc电池互联的结构示意图；

图3为相邻两片ibc电池的结构示意图；

图4为半片ibc电池互联的结构示意图；

图5为三等分ibc电池互联的结构示意图；

图6为导电压敏胶带的结构示意图；

图中：1.玻璃基板，2.第二胶膜层，3.电池片层，4.第一胶膜层，5.基板，6.第一电极，7.第二电极，31.ibc电池，32.导电压敏胶带，321.基底层，322.导电压敏胶层。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。

正如背景技术部分所述，目前ibc电池组件采用焊带或者导电背板对ibc电池进行连接，采用传统焊带时，需要在320℃～380℃左右的高温下进行焊接，ibc电池受高温焊接产生的应力影响，容易弯曲，从而造成隐裂或碎片；利用导电背板进行封装的技术非常复杂，不利于返修及量产。

有鉴于此，本申请提供了一种ibc电池组件，请参考图1和图2，图1为本申请实施例所提供的一种ibc电池组件的结构示意图，图2为ibc电池组件中ibc电池互联的结构示意图，该ibc电池组件包括由下至上依次层叠的基板5、第一胶膜层4、电池片层3、第二胶膜层2、玻璃基板1，所述电池片层3包括多串电池串，每串所述电池串包括多片ibc电池31和用于连接相邻所述ibc电池31的导电压敏胶带32；

所述导电压敏胶带32包括层叠的基底层321和导电压敏胶层322，所述ibc电池31的背面分布有间隔平行设置的第一电极6和第二电极7，且相邻所述ibc电池31的所述第一电极6和所述第二电极7排布顺序相反，所述导电压敏胶层322连接于相邻所述ibc电池31的所述第一电极6和所述第二电极7。

ibc电池31组件中的ibc电池31一般采用n型硅衬底，第一电极6所在区域为p型重掺杂，第二电极7所在区域为n型重掺杂，为了使第一电极6和第二电极7之间相互绝缘，n型硅衬底的背面设置有氧化硅或者氮化硅钝化膜。

本实施例中相邻ibc电池31的第一电极6和第二电极7排布顺序相反，且列数相同，即在相邻ibc电池31的同一位置处，一个ibc电池31上为第一电极6，另一个ibc电池31为第二电极7，请参见图3所示。

可选的，本实施例中所述ibc电池31为整片ibc电池31、半片ibc电池31、三等分ibc电池31中的任一种，还可以为更小等分的ibc电池31，如四等分、五等分等等。当ibc电池31为半片ibc电池31或者三等分ibc电池31时，ibc电池31的互联结构示意图请分别参见图4和图5。

需要指出的是，本实施例中对第一电极6和第二电极7的具体类型不做具体限定，视情况而定。例如，当第一电极6为正电极时，第二电极7为负电极；当第一电极6为负电极时，第二电极7为正电极。

导电压敏胶带32的结构示意图请参见图6，其中，所述ibc电池31组件中的所述导电压敏胶层322包括导电填料、粘结剂、橡胶和改性树脂中的任一种；基底层321为pet(polyethyleneterephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜层。pet膜层的厚度非常薄，在140℃至150℃温度下即可熔化，从而使相邻ibc电池31之间实现导通。

需要指出的是，本实施例中对改性树脂的种类不作具体限定，可自行设置。例如，改性树脂可以为丙烯酸体系的改性树脂，或者有机硅体系改性树脂，或者环氧硅体系改性树脂。

进一步的，所述ibc电池31组件中的所述导电填料为银填料或者铜填料，或者银包镍填料等等。

优选地，所述第一电极6和所述第二电极7均为分段电极，可以减少银浆的用量，降低成本。

可选的，所述第一胶膜层4和所述第二胶膜层2均为eva(ethylenevinylacetate，乙烯-醋酸乙烯共聚物)胶膜层或者均为poe(乙烯-辛稀共聚物)胶膜层。

本实施例中ibc电池31组件中相邻ibc电池31之间依靠导电压敏胶带32相连，无需经过高温焊接，进而ibc电池31不会受到因焊接产生的热应力，进而降低ibc电池31出现隐裂或者碎片的概率；一旦出现隐裂或者碎片，由于导电压敏胶带32具有粘性，在未对ibc电池31组件进行层压前，可以随时揭开导电压敏胶带32进行返修，非常简便可靠，同时也不会影响导电压敏胶带32的二次使用，适合量产；同时，ibc电池31的厚度对使用导电压敏胶带32进行连接时没有影响，更适用于ibc电池31向薄片化方向发展。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述玻璃基板1为超白压花玻璃，超白压花玻璃具有透光率高、反射率低的特点，可以增加太阳光线透过玻璃基板1的数量，从而增加电池层吸收光线的数量，提升ibc电池31组件的光电转换效率。但是本申请实施例对此并不做限定，在本申请的另一个实施例中，所述玻璃基板1还可以为钢化玻璃。

在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述基板5为玻璃板或者背板。具体的，当ibc电池31组件为单玻组件时，基板5为背板，当ibc电池31组件为双玻组件时，基板5为玻璃板。进一步地，本实施例中对背板的材料不做具体限定，可以视情况而定。例如，背板可以为tpt、tpe、kpe等结构背板。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

以上对本申请所提供的ibc电池组件及其制作方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。