1.一种屏蔽型igbt结构，其特征是：它包括集电极金属（1）、p型集电极区（2）、n型缓冲层（3）、n型外延层（4）、n型积累层（5）、p型体区（6）、第一类沟槽（7）、第二类沟槽（8）、第一类导电多晶硅（9）、第二类导电多晶硅（10）、栅氧层（11）、n型源区（12）、绝缘介质层（13）与发射极金属（14）；
在集电极金属（1）的上表面设有p型集电极区（2），在p型集电极区（2）的上表面设有n型缓冲层（3），在n型缓冲层（3）的上表面设有n型外延层（4），在n型外延层（4）的上表面设有n型积累层（5），在n型积累层（5）的上表面设有p型体区（6），在p型体区（6）的上表面设有n型源区（12），在n型源区（12）的上表面设有绝缘介质层（13），在绝缘介质层（13）的上表面设有发射极金属（14）；
所述第一类沟槽（7）与第二类沟槽（8）呈间隔设置，第一类沟槽（7）从n型源区（12）的上表面依次穿透p型体区（6）与n型积累层（5）并最后进入n型外延层（4）内，在第一类沟槽（7）的侧面与底面设有栅氧层（11），栅氧层（11）包裹所述第一类导电多晶硅（9）；第二类沟槽（8）从n型源区（12）的上表面穿透p型体区（6）与并最后进入n型积累层（5）内，在第二类沟槽（8）的侧面与底面设有栅氧层（11），栅氧层（11）包裹所述第二类导电多晶硅（10）；
所述发射极金属（14）通过相邻两个沟槽之间的第一发射极金属连接柱与n型源区（12）以及p型体区（6）欧姆接触，发射极金属（14）通过第二发射极金属连接柱与第一类导电多晶硅（9）欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的屏蔽型igbt结构，其特征是：相邻两个第二类沟槽（8）之间至少设置有一个第一类沟槽（7）。
3.根据权利要求1所述的屏蔽型igbt结构，其特征是：相邻两个第一类沟槽（7）之间至少设置有一个第二类沟槽（8）。
4.根据权利要求1所述的屏蔽型igbt结构，其特征是：所述第二类导电多晶硅（10）接栅极电位。
5.根据权利要求1所述的屏蔽型igbt结构，其特征是：所述n型积累层（5）的电阻率小于n型外延层（4），n型缓冲层（3）的电阻率小于n型外延层（4）。