1.一种改善低频带宽的天线，其特征在于，所述天线包括介质基板和附着在所述介质基板上的导电层，所述导电层包括第一导电几何结构、连接部和开关点，所述开关点与所述第一导电几何结构通过所述连接部进行连接，所述开关点和所述连接部二者与所述第一导电几何结构之间形成开槽。
2.根据权利要求1所述的改善低频带宽的天线，其特征在于，所述开槽的长度为5mm以上。
3.根据权利要求1所述的改善低频带宽的天线，其特征在于，所述开槽的宽度为0-2mm。
4.根据权利要求3所述的改善低频带宽的天线，其特征在于，所述开槽的宽度为1mm。
5.根据权利要求1所述的改善低频带宽的天线，其特征在于，所述开槽的方向与所述导电几何结构的整体方向平行。
6.根据权利要求1所述的改善低频带宽的天线，其特征在于，所述天线包括有主天线，所述第一导电几何结构、连接部和开关点构成所述主天线的导电层，所述主天线应用的频段为700-1000mhz。
7.根据权利要求1所述的改善低频带宽的天线，其特征在于，所述导电几何结构为cu层。
8.根据权利要求1所述的改善低频带宽的天线，其特征在于，所述开关点为ni-au层。
9.根据权利要求8所述的改善低频带宽的天线，其特征在于，所述天线还包括寄生线，所述寄生线的导电层包括第二几何导电结构和设置于所述第二几何导电结构上的寄生点，第一几何导电结构与所述第二几何导电结构间隔设置。