一种磁集成多重化高阻抗变压器型电抗器的制作方法

文档序号:23293508发布日期:2020-12-15 08:33阅读:110来源:国知局
一种磁集成多重化高阻抗变压器型电抗器的制作方法

本实用新型涉及电抗器技术领域,具体涉及一种磁集成多重化高阻抗变压器型电抗器。



背景技术:

现有的高阻抗变压器的基本结构为,在变压器中加入副铁芯,变压器的高压绕组同时缠绕在主、副铁芯上,低压绕组缠绕在变压器的主铁芯上,如图1、2所示,其中,所述的副铁芯芯柱上带有气隙,以增大电抗特性。所述的变压器高压绕组除了给主铁芯励磁外,还要给副铁芯励磁,以产生电抗,其总的电抗值为变压器高低压绕组间的漏抗与由高压绕组在副铁芯上产生的电抗值的合成。由于副铁芯励磁与其电感量呈线性关系,因此副铁芯存在结构上的改进余地和性能上的提升空间。另外,当高阻抗变压器的容量较大时,由于相控晶闸管技术导致的二次电流的波形失真,为非正弦波,造成一次电流的谐波畸变率较大,因此需要采取一定的消除谐波措施。



技术实现要素:

本实用新型要解决的技术问题是:在上述高阻抗变压器基础结构上进行结构改进,提供一种能够进一步增加副铁芯的励磁,使其电感量增加,并能降低由相控晶闸管技术所产生的谐波量的磁集成多重化高阻抗变压器型电抗器。

本磁集成多重化高阻抗变压器型电抗器包括主铁芯、副铁芯、多重化高压绕组、多重化低压绕组和电抗绕组,其中,所述多重化高压绕组同时缠绕在所述主铁芯与副铁芯上,多重化高压绕组包括至少两个高压绕组;所述多重化低压绕组缠绕在所述主铁芯上,多重化低压绕组包括至少两个低压绕组;所述电抗绕组缠绕在所述副铁芯上,电抗绕组与所述低压绕组一一对应连接。如此设计,在副铁芯上增加电抗绕组,并联结对应的低压绕组为其供电,电抗绕组电流值与低压绕组一致,高压绕组与电抗绕组对副铁心进行共同励磁,使其电感量得到增加。至少一组三角形联结绕组和多重化移相联结方式用于消除三次谐波电流和降低了相控晶闸管技术给电网带来的谐波含量。

具体的,所述高压绕组的联结方式为d式联结;所述低压绕组的联结方式为d/y式联结;所述电抗绕组联结方式为y式联结。如此设计,高压绕组d式联结,用以消除三次谐波电流;低压绕组间形成角度差利用星角移相、延边三角移相实现,使低压输出形成多脉波现象,如输出12、24脉波等,该结构会进一步降低电感补偿的过程中给电网带来的谐波含量,进而提高电网供电质量。

具体的,所述高压绕组的联结方式为延边三角形移相联结;所述低压绕组的联结方式为为y式联结;所述电抗绕组联结方式为y式联结。

进一步的,所述电抗绕组的星接处设有可控硅。电抗绕组星接部分接入可控硅,通过改变导通角,可对电网进行平滑的无功补偿,为降低谐波含量,可控硅的初始导通角需调大。

具体的,所述电抗器为干式电抗器。通过环氧树脂浇注包封制成干式电抗器,防火性好,安装方便。

具体的,所述电抗器为油浸式电抗器。通过外部封壳浸油制成油浸式电抗器,造价低、技术成熟、维护方便。

本实用新型一种磁集成多重化高阻抗变压器型电抗器充分利用了副铁心结构,其有有益效果为:

(1)通过在副铁芯上增设电抗绕组,增加了副铁芯的励磁,使其电感量增加;

(2)通过高压绕组、低压绕组的多重化设计,降低了由相控晶闸管技术所产生的谐波量;

(3)电抗绕组星接部分接入可控硅,能够对电网进行平滑的无功补偿。

附图说明

下面结合附图对本实用新型一种磁集成多重化高阻抗变压器型电抗器作进一步说明:

图1是现有高阻抗变压器型电抗器的平面结构示意图;

图2是现有高阻抗变压器型电抗器的铁芯-绕组结构示意图;

图3是本磁集成多重化高阻抗变压器型电抗器实施方式1中的平面结构示意图;

图4是本磁集成多重化高阻抗变压器型电抗器实施方式1中的铁芯-绕组结构示意图;

图5是本磁集成多重化高阻抗变压器型电抗器实施方式2中的绕组连接示意图。

图中:

1-主铁芯、2-副铁芯、3-多重化高压绕组、4-多重化低压绕组、5-电抗绕组、6-可控硅;31-高压绕组、41-低压绕组。

具体实施方式

在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系均为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。

实施方式1:如图3至5所示,本磁集成多重化高阻抗变压器型电抗器包括主铁芯1、副铁芯2、多重化高压绕组3、多重化低压绕组4和电抗绕组5,其中,所述多重化高压绕组3同时缠绕在所述主铁芯1与副铁芯2上,多重化高压绕组3包括至少两个高压绕组31;所述多重化低压绕组4缠绕在所述主铁芯1上,多重化低压绕组4包括至少两个低压绕组41;所述电抗绕组5缠绕在所述副铁芯2上,电抗绕组5与所述低压绕组41一一对应连接。在副铁芯上增加电抗绕组,并联结对应的低压绕组为其供电,电抗绕组电流值与低压绕组一致,高压绕组与电抗绕组对副铁心进行共同励磁,使其电感量得到增加。至少一组三角形联结绕组和多重化移相联结方式用于消除三次谐波电流和降低了相控晶闸管技术给电网带来的谐波含量。所述高压绕组31的联结方式为d式联结;所述低压绕组41的联结方式为d/y式联结;所述电抗绕组5联结方式为y式联结。高压绕组d式联接,用以消除三次谐波电流;低压绕组间形成角度差利用星角移相、延边三角移相实现,使低压输出形成多脉波现象,如输出12、18、24脉波等,该结构会进一步降低电感补偿的过程中给电网带来的谐波含量,进而提高电网供电质量。

实施方式2:所述高压绕组31的联结方式为延边三角形移相联结;所述低压绕组41的联结方式为为y式联结;所述电抗绕组5联结方式为y式联结。其余结构和部件如实施方式1所述,不再重复描述。

实施方式3:如图5所示,所述电抗绕组5的星接处设有可控硅6。电抗绕组星接部分接入可控硅,通过改变导通角,可对电网进行平滑的无功补偿,为降低谐波含量,可控硅的初始导通角需调大。其余结构和部件如实施方式1或2所述,不再重复描述。

实施方式4:所述电抗器为干式电抗器。通过环氧树脂浇注包封制成干式变压器型电抗器,防火性好,安装方便。其余结构和部件如实施方式3所述,不再重复描述。

实施方式5:所述电抗器为油浸式电抗器。通过外部封壳浸油制成油浸式电抗器,造价低、技术成熟、维护方便。其余结构和部件如实施方式3所述,不再重复描述。

本磁集成多重化高阻抗变压器型电抗器充分利用了副铁心结构,其通过在副铁芯上增设电抗绕组,增加了副铁芯的励磁,使其电感量增加;通过高压绕组、低压绕组的多重化设计,降低了由相控晶闸管技术所产生的谐波量;电抗绕组星接部分接入可控硅,能够对电网进行平滑的无功补偿。

以上描述显示了本实用新型的主要特征、基本原理,以及本实用新型的优点。对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施方式或者实施例的细节,且在不背离本实用新型的精神或者基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此应将上述实施方式或者实施例看作示范性的,且非限制性的。本实用新型的范围由所附权利要求而非上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

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