LED支架的制作方法

本实用新型涉及led支架技术领域，特别是涉及一种led支架。

背景技术：

led支架作为led灯珠的底基座，传统的led支架包含了塑胶反射杯以及金属导电引脚，金属导电引脚覆盖一层镀层，通过导电引脚来连接led灯珠内部的正负电极，导电引脚与塑胶反射杯通过一体成型。

随着led技术的日趋成熟，市面上对led支架的尺寸要求越来越小，体积越来越薄，同时功率还要提高，当产品尺寸越小，生产的困难将越高，并伴随着led支架的气密性差，塑胶的填充困难，且金属导电引脚折弯后产品出现松动甚至产品破裂等，这些问题已经严重影响了led支架的性能和品质，所以采用传统的制造方法已经不能满足趋势的发展。

鉴于此，提供一种新的led支架以解决目前存在的缺陷。

技术实现要素：

基于此，本实用新型提供一种led支架，解决了微小尺寸下支架气密性差、塑胶填充困难以及金属导电引脚弯折后产品松动或破裂导致的性能不稳定等缺陷。

一种led支架，所述led支架包括：

基板，采用陶瓷材料制备；

第一金属层，设于所述基板的一个表面，间隔分设形成若干第一导电区；

第二金属层，设于所述基板的另一表面，与所述第一金属层相对设置且所述第二金属层间隔分设形成若干第二导电区；

通孔，连通所述第一导电区和第二导电区，所述通孔内设有导电材料；

led芯片，连接相邻两个第一导电区；

围坝，围绕所述第一金属层且与所述基板相粘接，所述围坝上设有反射杯，围设所述led芯片。

优选的，所述第一导电区包括与所述led芯片焊接的第一焊接部。

优选的，相邻设置的led芯片共同连接于同一第一导电区。

优选的，连接相邻led芯片的第一导电区包括分设两端且与led芯片焊接的第二焊接部以及连接所述第二焊接部之间的中间部，所述通孔与所述中间部相对设置。

优选的，所述围坝与所述基板粘接一侧还设有避位槽，所述中间部收容于所述避位槽内。

优选的，所述第二导电区朝向所述第一导电区凹陷形成容置槽，所述导电材料为锡膏，所述锡膏从所述容置槽内填充进入所述通孔。

优选的，若干所述第一导电区以矩形阵列均匀分布于所述基板上。

本实用新型的有益效果在于提供了一种led支架，所述led支架包括：基板，采用陶瓷材料制备；第一金属层，设于所述基板的一个表面，间隔分设形成若干第一导电区；第二金属层，设于所述基板的另一表面，与所述第一金属层相对设置且所述第二金属层间隔分设形成若干第二导电区；通孔，连通所述第一导电区和第二导电区，所述通孔内设有导电材料；led芯片，连接相邻两个第一导电区；围坝，围绕所述第一金属层且与所述基板相粘接，所述围坝上设有反射杯，围设所述led芯片。通过上述方式，本实用新型led支架、尺寸微小且超薄，同时能够保持良好气密性、牢固性以及强度，制得的产品稳定性强，使用寿命长。

附图说明

图1为本实用新型实施例一的led支架示意图；

图2为图1所示led支架的部分分解图；

图3为图1所示led支架除去围坝后的结构示意图；

图4为图1所示led支架中围坝透视后的结构示意图；

图5为本实用新型实施例二的led支架示意图；

图6为图5所示的led支架的部分分解图；

图7为图5所示的led支架除去围坝后的结构示意图；

图8为图5所示的led支架中围坝透视后的结构示意图；

图9为图5所示的led支架中围坝与基板粘接一侧结构示意图；

图10为图5led支架的整版结构示意图；

附图说明：1，2-led支架；11,21-基板；12,22-第一金属层；121,221a，221b-第一金属区；d-第一焊接部；c1-第二焊接部；c2-中间部；13，23-第二金属层；131,231-第二金属区；14,24-通孔；15,25-led芯片；16,26-围坝；261-避位槽；17,27-反射杯；18,28-容置槽；19,29-锡膏。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。

请参阅图1-图4，为本实用新型实施例一提供的led支架1，led支架1包括：基板11、覆设于基板11上表面的第一金属层12、覆设于基板11下表面的第二金属层13、贯穿基板11上表面和下表面的至少两个通孔14、至少一个焊接在相邻两个第一导电区131上的led芯片15；围绕第一金属层12设置且与基板11相粘接的围坝16以及贯穿围坝16上的反射杯17。

基板11和围坝16均采用陶瓷材料制成，具有很高的耐热性能和导热性能，且基板11和围坝16具有相同规格大小，一般规格为采用100mm*100mm或者120mm*120mm；第一金属层12被间隔分隔成至少两个第一导电区121，第二金属层13被间隔分隔成至少两个第二导电区131，且第二导电区131和第一导电区121与通孔14对应设置；通孔14连通相对设置的第一导电区121和第二导电区131，通孔14直径设置为≥0.05mm，内部填充有用于导通第一导电区121和第二导电区131的导电材料，通孔14与第一导电区131或第二导电区132的数量相同；反射杯17对应围绕led芯片15周围设置。

在本实用新型实施例一中，各led芯片15连接两个相邻的第一导电区121，且第一导电区121只与一个led芯片15焊接。各第一导电区121具有相同的设置和大小，包括与led芯片15相连的第一焊接部。优选的，为了便于批量生产，第一导电区121可以设为规则形状，包括但不限于图示矩形，以便于量产，且第一导电区121以矩形阵列形式均匀间隔排布，可以设为m*n的阵列。反射杯17与led芯片15对应设置，罩射于led芯片15外。

所覆设的第一金属层12和第二金属层13包括但不限于金、银、铜等导电介质，能够提高导电性能；且第一金属层12和第二金属层13可以通过磁控溅射、烧结或沉镀中的至少一种方法覆设于基板11上，可以使第一金属层12和第二金属层13与基板11结合更为紧密，构成致密连接，避免使用过程中金属层的脱落导致电路断路。

第二导电区131朝向所述第一导电区121凹陷形成容置槽18，导电材料优选锡膏19，锡膏19从容置槽18内进入并填满通孔14进而导通第一导电区121和第二导电区131。第二导电区131凹陷后形成容置槽18，能够避免在灌入锡膏19时，锡膏19外溢至周围的第二导电区，造成电路短接。可选的，容置槽18的形成可以为采用激光切割的方法在基板11上形成通孔14的过程中，在基板11的下表面直接在通孔14周围采用激光切割形成连通14的凹槽，然后再采用磁控溅射、烧结或沉镀中的至少一种方法在凹槽和凹槽周围形成凹陷的第二导电区131，以此形成容置槽18，此方法简单易行，在原有的操作步骤中，只需设置激光切割的切割路径以及控制金属层的成型，在形成容置槽18的同时也不会增加工艺和时间。

围坝16采用导热性能和耐热性能优异的陶瓷材料作为主体，主体规格一般采用100mm*100mm或者120mm*120mm大小，通过激光切割主体以在围坝16上形成贯通的反射杯17，反射杯17的形状可以为反射杯状、圆柱状或者长方体状，并不局限于本实施例图示形状。本实用新型的反射杯17是利用激光切割陶瓷材料制备的围坝16相比传统注塑成型的反射杯，能够有效提高反射杯的耐热性和导热性，且可以避免传统注塑成型的反射杯17因尺寸的局限性引起的缺胶不良、不饱模等现象。

led支架1为整板制作，在反射杯17内填充满环氧树脂进行封装，封装完成后，采用高速树脂切割刀或者激光切割切割分离获得led支架单体。最终切割完成后的反射杯的壁厚0.05mm以上，由于本实用新型采用陶瓷材料制备的基板，在反射杯填充满环氧树脂后，采用激光切割或者树脂切割刀切割不会造成超薄反射杯破裂。

本实用新型实施例一提供的led支架1，陶瓷基板11双面覆设金属层构成整个led支架的焊盘,金属层(第一金属层11和第二金属层12)采用磁控溅射、烧结、沉镀方式覆设于陶瓷基板11的表面,形成金属线路层；反射杯17采用激光切割陶瓷围坝16制得,且反射杯的大小减少传统注塑成型方法制备小尺寸反射杯17困难，强度差等问题；围坝16与基板17采用粘合的方式,可以使围坝16与基板17融为一体,提高led支架1的整体性,并提高支架的气密性、牢固性、强度；led支架1采用整板制作工艺,生产效率高,使超小、超薄尺寸支架每片数量更多；最终采用高速树脂切割刀或者激光切割完成单个led支架单体的分离，避免造成支架反射杯的破裂。本实用新型能有效解决小尺寸超薄led支架气密性差的问题，避免因小尺寸而造成的塑胶填充困难，以及金属导电引脚折弯后产品出现松动甚至产品破裂等问题，且获得的单颗led支架具有更好的耐热性能、导热性能，使得单颗灯珠的寿命更长，可广泛应用于手机背光以及屏幕背光。

请参阅图5-图10，为本实用新型实施例二提供的led支架2，led支架2包括：基板21、覆设于基板21上表面的第一金属层22、覆设于基板21下表面的第二金属层23、贯穿基板21上表面和下表面的至少两个通孔24、至少一个焊接在相邻两个第导电区221上的led芯片25；围绕第一金属层22设置且与基板21相粘接的围坝26以及贯穿围坝26上的反射杯27。

基板21和围坝26均采用陶瓷材料制成，具有很高的耐热性能和导热性能，且基板21和围坝26具有相同规格大小，一般规格为采用100mm*100mm或者120mm*120mm；第一金属层22被间隔分隔成至少两个第一导电区221，第二金属层23被间隔分隔成至少两个第二导电区231，且第二导电区231和第一导电区221与通孔24对应设置；通孔24连通相对设置的第一导电区221和第二导电区231，通孔24直径设置为≥0.05mm，内部填充有用于导通第一导电区221和第二导电区231的导电材料，通孔24与第一导电区231或第二导电区232的数量相同；反射杯27对应围绕led芯片25周围设置。

与实施例一中不同的是，在本实用新型实施例二中，一个第一导电区可以与两个led芯片25相连，两个led芯片25共同连接于同一第一导电区，以共用同一电极(通孔24以及容设于通孔24内的导电材料构成电极)。第一导电区221包括仅与一个led芯片25连接的第一导电区221a以及与相邻两个led芯片25连接的第一导电区221b，第一导电区221a与实施例一中的第一导电区121形状和设置相同，包括与led芯片25焊接的第一焊接部d，第一导电区221b则包括分设两端的两个焊接部c1以及连接两个第二焊接部c1的中间部c2，两端的第二焊接部c1分别焊接不同的led芯片25，以使得第一导电区221b与两个led芯片25焊接。优选的，通孔14与中间部c2对应设置。

由于围坝与基板粘接后要使得围坝上的反射杯对应罩设一个led芯片，在实施例一中一个第一导电区121只连接一个led芯片15，各反射杯17罩设一个led芯片15和两个第一导电区121，而本实用新型实施例二中第一导电区221b连接两个相邻led芯片，为了避免围坝26压伤第一导电区221b，围坝26与所述基板21粘接一侧还设有避位槽261，避位槽261连接相邻两个反射杯27，中间部c2收容于中间的避位槽261内，以使得反射杯27对应罩设一个led芯片25、与之焊接的第一导电区221a以及第一导电区221b的其中一个焊接部c1。

本实用新型实施例二中的第一金属层22、第二金属层23、围坝26、反射杯27与实施例一中的相关内容相同，这里不再赘述。

与实施例一所述相同的是第二导电区231朝向所述第一导电区221凹陷形成容置槽28，导电材料优选锡膏29。所述容置槽28的形成方法以及设置与实施例一所述相关内容相同，在此不再赘述。

在实施例一的基础上，本实用新型实施例二中的两个led芯片共同焊接一个第一导电区221b，对称排列且共用一个通孔24，反射杯27之间的金属层采用导电通孔24连接,使得反射杯27可以共阴极或者共阳极，另外也节省激光切割锡膏装置槽的切割路线，达到降低成本的作用。

以上led支架1或2均可以整板制作(请参阅图10)，在反射杯17或27内填充满环氧树脂进行封装，封装完成后，采用高速树脂切割刀或者激光切割切割分离获得led支架单体，最终切割完成后的反射杯17或27的壁厚0.05mm以上，由于本实用新型采用陶瓷材料制备的基板和围坝，在反射杯17或27填充满环氧树脂后，采用激光切割或者树脂切割刀切割不会造成超薄反射杯17或27的破裂。

基于以上实施例的led支架1和2，本实用新型还提供了一种led支架的制备方法，包括以下步骤：

步骤s1，获取陶瓷材料制备的基板，采用激光切割方法在基板上形成若干间隔的通孔；

步骤s2，采用磁控溅射、烧结或沉镀中的至少一种方法在基板的两个相对表面形成第一金属层和第二金属层，其中第一金属层包括与通孔对应且间隔的若干第一导电区，第二金属层包括与通孔且间隔的若干第二导电区，通孔连通第一导电区和第二导电区；

步骤s3，将若干led芯片焊接在相邻两个第一导电区上；

步骤s4，获取陶瓷材料制备的围坝，采用激光切割方法在围坝上形成若干贯通的反射杯；

步骤s5，将切割后的围坝与基板粘接，使得反射杯对应围设于led芯片；

步骤s6，封装粘接好的围坝和基板，采用激光或者树脂刀切割形成led支架单体。

其中，基板和围坝大小可采用100mm*100mm或者120mm*120mm的陶瓷主体，第一导电区、第二导电区和通孔均匀分布基板上，以阵列的形式均匀分布，第二金属区可以设置为规则图形，如图示的矩形，通孔内填充有导电材料如锡膏，第二金属区在形成过程中朝向第一金属区一侧凹陷形成容设锡膏的容置槽。第一金属层和第二金属层分别形成金属线路层，通孔和导电材料一起导通第一导电区和第二导电区作为电极，led芯片跨接于相邻两个第一导电区，以使得led芯片连通两个电极。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上实施例仅表达了本实用新型的优选的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。