1.一种mos型功率半导体器件，其特征在于：所述mos器件包括至少2个mos器件单胞（18），所述mos器件单胞（18）进一步包括：位于n型硅片本体（1）上部的p型基体层（2）、位于n型硅片本体（1）中部的轻掺杂n型漂移层（3）、位于n型硅片本体（1）下部的重掺杂n型衬底层（4），位于p型基体层（2）中的沟槽（5）从p型基体层（2）上表面延伸至轻掺杂n型漂移层（3）内，此沟槽（5）内具有一栅极多晶硅部（6），此栅极多晶硅部（6）与沟槽（5）之间通过一栅极氧化隔离层（7）隔离；
位于所述p型基体层（2）上部且在沟槽（5）周边具有一重掺杂n型源极区（8），一漏极金属层（12）位于重掺杂n型衬底层（4）与轻掺杂n型漂移层（3）相背的表面，所述重掺杂n型源极区（8）上表面开有一凹槽（9），一绝缘介质层（11）覆盖所述沟槽（5）和栅极多晶硅部（6）上表面并延伸覆盖凹槽（9）一部分，一源极金属层（13）覆盖于重掺杂n型源极区（8）上表面并延伸覆盖重掺杂n型源极区（8）的凹槽（9）剩余部分；
所述沟槽（5）内间隔设置有第一栅极多晶硅部（6）、第二栅极多晶硅部（14），此第一栅极多晶硅部（6）位于第二栅极多晶硅部（14）正上方，所述第一栅极多晶硅部（6）、第二栅极多晶硅部（14）与沟槽（5）之间设置有第一栅极氧化隔离层（7），所述第一栅极多晶硅部（6）、第二栅极多晶硅部（14）在竖直方向上通过第二栅极氧化隔离层（15）隔离；
相邻所述mos器件单胞（18）之间的p型基体层（2）内具有一深凹槽（19），此深凹槽（19）的下端延伸至轻掺杂n型漂移层（3）的中部，此深凹槽（19）内填充有一绝缘二氧化硅部（16），此深凹槽（19）上表面覆盖有一第二绝缘介质层（17）。
2.根据权利要求1所述的mos型功率半导体器件，其特征在于：所述凹槽（9）的开口宽度大于底部的宽度。
3.根据权利要求1所述的mos型功率半导体器件，其特征在于：所述沟槽（5）与重掺杂n型源极区（8）的深度比为10：2~4。