1.一种制造用于射频应用的绝缘体上半导体结构的接收方衬底(30)的方法，包括以下步骤：
-提供半导体衬底(10)，所述半导体衬底包括由单晶材料制成的基底衬底(1)和设置在所述基底衬底(1)上的由多晶硅制成的电荷俘获层(2)，
-对所述电荷俘获层(2)进行氧化以形成设置在所述电荷俘获层上的氧化物层(3)，
所述方法的特征在于：对所述电荷俘获层(2)的所述氧化至少部分地在低于或等于875℃的温度通过以下方式进行：
-在包括在750℃至1000℃之间的第一温度(t1)开始所述氧化，
-将温度降低至低于所述第一温度(t1)并且包括在750℃至875℃之间的第二温度(t2)，
-在所述第二温度(t2)继续氧化。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电荷俘获层(2)至少部分地在高于或等于750℃的温度下氧化。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，温度从所述第一温度(t1)到所述第二温度(t2)的降低是逐渐的。
4.根据权利要求1至3中的一项所述的方法，其中，在所述第一温度(t1)产生所述氧化物层的厚度的至少50％，优选地至少70％，在所述第二温度(t2)产生所述氧化物层的厚度的至少20％，优选地至少30％。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所形成的所述氧化物层(3)具有包括在200nm至400nm之间的厚度。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述电荷俘获层(2)具有包括在20nm至500nm之间的厚度。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在反应器中通过低压化学气相沉积将所述电荷俘获层(2)预先淀积在由单晶材料制成的所述基底衬底(1)上。
8.一种制造用于射频应用的绝缘体上半导体结构的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
-制造根据前述权利要求中任一项所述的接收方衬底(30)，
-提供包括单晶衬底的提供方衬底，
-将所述提供方衬底接合到所述接收方衬底，
-将所述提供方衬底的层转移到所述接收方衬底。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，从所述提供方衬底转移的所述层包括半导体。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，从所述提供方衬底转移的所述层包括铁电材料。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述铁电材料选自：litao3、linbo3、lialo3、batio3、pbzrtio3、knbo3、bazro3、catio3、pbtio3、ktao3。
12.根据权利要求8至11中的一项所述的方法，其中，所述转移包括以下步骤：
-在所述提供方衬底中注入原子物质以形成弱化区，所述弱化区勾画出待转移的单晶半导体层或铁电材料层，
-将所述提供方衬底接合到所述接收方衬底，所述氧化物层和待转移的单晶半导体层或铁电材料层处于接合界面处，
-沿所述弱化区分离所述提供方衬底，以将所述单晶半导体层或铁电材料层转移到所述接收方衬底，所述氧化物层设置在所述电荷俘获层与所转移的单晶半导体层或铁电材料层之间。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述单晶半导体或铁电材料位于所述提供方衬底的表面，原子物质的所述注入是直接穿过所述表面进行的。