陶瓷基板、电路基板及其制造方法、以及功率模块与流程

1.本公开文本涉及陶瓷基板、电路基板及其制造方法、以及功率模块。


背景技术：

2.在汽车、电气化铁路、产业用设备、及发电相关等领域中，使用了控制大电流的功率模块。功率模块上搭载的绝缘基板利用了陶瓷基板。在这样的用途中，对于陶瓷基板除了要求绝缘性外，还要求具有良好的散热特性。例如，专利文献1中，作为陶瓷基板，提出了以氮化铝、氧化铝、氮化硅或碳化硅为主成分的材质的陶瓷基板。
3.另外，专利文献2中，提出了下述技术：将半导体模块中使用的陶瓷基板的表面粗糙度ra设为0.1～5μm，使树脂层进入陶瓷基板的表面的微观凹凸而提高树脂层的密合性。
4.现有技术文献
5.专利文献
6.专利文献1：日本特开2017-2123316号公报
7.专利文献2：日本特开2016-181715号公报


技术实现要素：

8.发明要解决的课题
9.功率模块为控制各种装置的重要制品，因此要求稳定地发挥功能。在这样的功率模块及其他各种用途中用作部件的陶瓷基板被要求具有高的可靠性。另一方面，由于功率模块等各种制品被用于各种领域中，因此，与此相伴，对于各部件也要求可靠性的进一步提高。
10.因此，本公开文本中，提供作为部件具有优异的可靠性的陶瓷基板。另外，提供作为部件具有优异的可靠性的电路基板及其制造方法。另外，本公开文本中，提供通过具备这样的电路基板而可靠性优异的功率模块。
11.用于解决课题的手段
12.本公开文本一个方面涉及的陶瓷基板在至少一个主面具有表面粗糙度彼此不同的第1区域和第2区域。这样的陶瓷基板能够根据与主面接触的部件的种类而调节与部件的密合性或接合性。这样的陶瓷基板作为部件具有优异的可靠性。
13.上述第2区域的表面粗糙度ra2与上述第1区域的表面粗糙度ra1之比可以为1.5以上。如此，通过具有表面粗糙度大幅不同的主面，能够根据与主面接触的部件的种类而充分地调节与部件的密合性或接合性。这样的陶瓷基板作为部件具有更优异的可靠性。
14.上述第2区域具有比上述第1区域大的表面粗糙度ra2，并且上述第2区域的至少一部分可以与树脂粘接。由于第2区域具有比第1区域的表面粗糙度ra1大的表面粗糙度ra2，因此可利用锚固效应提高与树脂的密合性。
15.上述第1区域具有比上述第2区域小的表面粗糙度ra1，并且在第1区域的至少一部分可以接合有导体部。由于第1区域具有比表面粗糙度ra2小的表面粗糙度ra1，因此，可以通
过使用例如钎料等而与导体部充分牢固地接合。
16.上述陶瓷基板可以含有陶瓷成分、和与该陶瓷成分不同的具有y及mg作为构成元素的金属氧化物，金属氧化物中的y与mg的质量比按分别换算为y2o3及mgo计为0.3～3。若为这样的陶瓷基板，则可以利用蚀刻以高的自由度调节主面的表面粗糙度。因此，例如，在陶瓷基板与金属基板的复合基板中，利用蚀刻将金属基板除去而形成导体部时，能够一并调节主面的表面粗糙度。
17.上述陶瓷基板的主面中的第1区域的面积比率可以为30～90％，该主面中的第2区域的面积比率可以为10～70％。若为这样的陶瓷基板，则能够在各种用途中提高可靠性。
18.上述陶瓷基板可以含有氮化硅、和具有y及mg作为构成元素的金属氧化物，且第1区域和第2区域中的金属氧化物相对于氮化硅而言的比例彼此不同。这样的陶瓷基板能够使第1区域和第2区域的表面粗糙度充分地不同。
19.本公开文本一个方面涉及的电路基板具备上述中的任一陶瓷基板、和与上述第1区域的至少一部分接合的导体部，第1区域具有比第2区域小的表面粗糙度ra1。由于第1区域具有比第2区域的表面粗糙度ra2小的表面粗糙度ra1，因此，可通过使用例如钎料等而与导体部充分牢固地接合。因此，该电路基板作为部件具有优异的可靠性。
20.上述电路基板中的第2区域的至少一部分与树脂粘接，第2区域可以具有比第1区域大的表面粗糙度ra2。由于第2区域具有比第1区域的表面粗糙度ra1大的表面粗糙度ra2，因此，能够利用锚固效应提高与树脂的密合性。
21.本公开文本一个方面涉及的功率模块具备上述中的任一电路基板、和将电路基板密封的树脂，第2区域的至少一部分与树脂粘接。就这样的功率模块而言，树脂与陶瓷基板的密合性优异，因此可靠性优异。
22.上述功率模块具备电路基板的导体部、和与导体部电连接的半导体元件，并且，半导体元件可以与电路基板一起被树脂密封。就这样的功率模块而言，即使例如半导体元件发热，也能够维持树脂与陶瓷基板的密合性。因此，能够维持高的可靠性。
23.本公开文本的一个方面涉及的电路基板的制造方法具有：在具有表面粗糙度ra1的陶瓷基板的主面接合金属基板而得到复合基板的工序；和，利用蚀刻将复合基板中的金属基板的一部分除去而形成导体部的工序，在陶瓷基板的主面形成具有比表面粗糙度ra1大的表面粗糙度ra2的区域。根据该制造方法，能够在进行金属基板的蚀刻的同时在陶瓷基板的主面形成具有表面粗糙度ra2的区域。因此，能够在不增加工序数的情况下制造作为部件具有优异的可靠性的电路基板。
24.发明的效果
25.根据本公开文本，能够提供作为部件具有优异的可靠性的陶瓷基板。另外，能够提供作为部件具有优异的可靠性的电路基板及其制造方法。另外，能够提供通过具备这样的电路基板而可靠性优异的功率模块。
附图说明
26.[图1]图1为一个实施方式涉及的陶瓷基板的立体图。
[0027]
[图2]图2为一个实施方式涉及的电路基板的截面图。
[0028]
[图3]图3为一个实施方式涉及的功率模块的截面图。
[0029]
[图4]图4为实施例1的陶瓷基板的主面的光学显微镜照片。
[0030]
[图5]图5为实施例1的陶瓷基板的截面的扫描电子显微镜照片。
[0031]
[图6]图6为实施例2的陶瓷基板的主面的光学显微镜照片。
[0032]
[图7]图7为实施例2的陶瓷基板的截面的扫描电子显微镜照片。
具体实施方式
[0033]
以下，根据情况，参照附图对本公开文本的一个实施方式进行说明。但是，以下的实施方式为用于说明本公开文本的示例，并非旨在将本发明限于以下的内容。说明中，相同要素或具有相同功能的要素使用相同标记，根据情况，省略重复的说明。各要素的尺寸比率不限于图示的比率。
[0034]
图1为一个实施方式涉及的陶瓷基板的立体图。图1的陶瓷基板100具有平板状。陶瓷基板100中，一个主面100a被划分为具有彼此不同的表面粗糙度的第1区域10和第2区域20。第1区域10被第2区域20包围。将第1区域10与第2区域20划分的划分线vl为表示两者的边界的边界线，可以为虚拟线。一个的第1区域10及第2区域20各自具有100mm2以上的面积。
[0035]
第2区域20的表面粗糙度ra2可以比第1区域10的表面粗糙度ra1大。第2区域20的表面粗糙度ra2与第1区域10的表面粗糙度ra1之比可以为1.5以上，可以为1.8以上，可以为2.0以上。通过使该比增大，能够根据与主面100a接触的部件的种类而充分地调节与部件的密合性或接合性。这样的陶瓷基板100作为部件具有更优异的可靠性。从同样的观点考虑，第2区域20的表面粗糙度ra2与第1区域10的表面粗糙度ra1之差可以为0.1μm以上，可以为0.2μm以上。
[0036]
第2区域20的表面粗糙度ra2与第1区域10的表面粗糙度ra1之比可以为5.0以下，可以为4.0以下，可以为3.0以下。通过使该比减小，可抑制表面粗糙度ra2变得过大，能够将陶瓷基板100的强度维持为充分高的水平。从同样的观点考虑，第2区域20的表面粗糙度ra2与第1区域10的表面粗糙度ra1之差可以为1.5μm以下，可以为0.5μm以下。
[0037]
在第1区域10的至少一部分，例如介由钎料而接合有导体部。第1区域10具有比表面粗糙度ra2小的表面粗糙度ra1，因此，能够利用钎料而与导体部充分牢固地接合。第2区域20的至少一部分与例如树脂粘接。第2区域20具有比表面粗糙度ra1大的表面粗糙度ra2，因此，能够利用锚固效应提高与树脂的密合性。
[0038]
从能够简便地制造并且使得与导体的接合性良好的观点考虑，第1区域10的表面粗糙度ra1例如可以为0.05～1.0μm，可以为0.1～0.8μm，可以为0.15～0.4μm。从维持陶瓷基板100的强度并且提高与树脂的密合性的观点考虑，第2区域20的表面粗糙度ra2例如可以为0.2～3.0μm，可以为0.3～2.0μm，可以为0.45～1.0μm。本公开文本的表面粗糙度ra1及表面粗糙度ra2为中心线平均粗糙度，为按照jis b 0601-2001测得的值。
[0039]
第1区域10内的各位置的表面粗糙度可以多少有些不均，但该不均为0.1μm以下。即，最大值与最小值的差异为0.1μm以下时，可以视为是第1区域10。第2区域20内的各位置的表面粗糙度也可以多少有些不均，但该不均为0.1μm以下。即，最大值与最小值的差异为0.1μm以下时，可以视为是第2区域20。
[0040]
如本实施方式这样具有多个第1区域10的情况下，各第1区域10的表面粗糙度ra1处于3个第1区域10的表面粗糙度ra1的平均值
±
0.05μm的范围内。具有多个第2区域20的情
况下，各第2区域20的表面粗糙度ra2也处于多个第2区域20的表面粗糙度ra2的平均值
±
0.05μm的范围内。
[0041]
陶瓷基板100的主面100a由第1区域10和第2区域20构成。第1区域10的面积比率可以为30～90％，可以为40～80％。主面100a中的第2区域20的面积比率可以为10～70％，可以为20～60％。就本实施方式而言，在主面100a中，第1区域10与第2区域20彼此相邻。在变形例中，主面100a可以分别具有一个第1区域10和一个第2区域20。另一变形例中，第1区域10与第2区域20可以交替地并排设置。另外，陶瓷基板100的主面100a还可以具有表面粗糙度与第1区域10及第2区域20不同的其他区域。
[0042]
作为陶瓷基板100的主成分的陶瓷成分的种类没有特别限制，例如，可举出碳化物、氧化物及氮化物等。具体而言，可举出碳化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝及氮化硼等。陶瓷基板100除了含有陶瓷外，还可以含有与陶瓷成分不同的金属氧化物。
[0043]
作为金属氧化物，可举出具有y及mg作为构成元素的金属氧化物。就金属氧化物中的y与mg的质量比而言，按分别换算为y2o3及mgo时计，可以为0.3～3，可以为0.5～2。若为这样的陶瓷基板，则能够利用蚀刻以高的自由度调节主面100a的表面粗糙度。因此，例如在陶瓷基板100与金属基板的复合基板中，利用蚀刻将金属基板除去而形成导体部时，能够一并调节主面100a的表面粗糙度。因此，能够在主面100a平滑地形成第1区域10和第2区域20。需要说明的是，在相同的蚀刻条件下进行比较时，有下述倾向：随着y与mg的质量比接近1，表面粗糙度变大。另一方面，有下述倾向：随着y与mg的质量比远离1，表面粗糙度变小。认为其原因在于，金属氧化物或来自金属氧化物的成分通过蚀刻而从陶瓷基板100的主面100a被除去。
[0044]
第1区域10与第2区域20中的金属氧化物相对于氮化硅而言的比例可以彼此不同。例如，可以是第1区域10的该比例高于第2区域20。就这样的陶瓷基板100而言，可以将第2区域20的表面粗糙度ra2设为比第1区域10的表面粗糙度ra1充分地大。
[0045]
图2为一个实施方式涉及的电路基板200的立体图。电路基板200具备：陶瓷基板100；配置于主面100a的导体部11；和，配置于主面100b的导体部12。导体部11与主面100a的第1区域10接合。导体部11可以介由未图示的钎料而与主面100a接合。另一方面，主面100a的第2区域20未被导体部11覆盖而露出。因此，利用树脂将电路基板200密封时，树脂可以与第2区域20粘接。需要说明的是，第1区域10的一部分可以未被导体部11覆盖而露出。
[0046]
例如，第1区域10整体中，被导体部11覆盖的区域的面积比率可以为50％以上、60％以上、70％以上、80％以上、或90％以上。第2区域20的一部分可以被导体部11覆盖。例如，第2区域20整体中，未被导体部11覆盖而露出的区域的面积比率可以为50％以上、60％以上、70％以上、80％以上、或90％以上。
[0047]
在陶瓷基板100的主面100b接合有形状与导体部11不同的导体部12。与导体部11同样地，导体部12与主面100b中的第1区域10接合。导体部12也可以介由未图示的钎料而与主面100b接合。另一方面，主面100b中的第2区域20未被导体部12覆盖而露出。
[0048]
变形例中，电路基板200可以具有与第2区域20粘接的树脂。另外，主面100a与主面100b中的导体部的形状可以相同，主面100a和主面100b中的一者可以不具有导体部。
[0049]
电路基板200的陶瓷基板100中的第1区域10具有比表面粗糙度ra2小的表面粗糙度ra1，因此，能够利用钎料而与导体部11、12充分牢固地接合。另外，第2区域20利用锚固效
应与树脂的密合性良好。因此，电路基板200作为部件具有优异的可靠性。
[0050]
图3为一个实施方式涉及的功率模块300的示意截面图。功率模块300具备基底板70、和介由焊锡32而与基底板70的一个面接合的电路基板200。电路基板200的导体部12与焊锡32接合。
[0051]
在电路基板200的导体部11上，介由焊锡31而安装有半导体元件60。半导体元件60通过铝引线(铝线)等金属引线34而连接于导体部11的规定部位。为了使得壳体36的外部与导体部11电连接，导体部11的规定部分介由焊锡35而与贯穿壳体36所设置的电极33连接。
[0052]
在基底板70的一个面，以容纳电路基板200的方式配置有壳体36。由基底板70的一个面和壳体36形成的容纳空间内填充有硅胶等树脂30。树脂30与陶瓷基板100的主面100a、100b中的第2区域20粘接。由于第2区域20具有大的表面粗糙度ra1，因此与树脂30的密合性优异。因此，功率模块300的可靠性优异。
[0053]
在基底板70的另一面，介由润滑脂74而接合有作为散热部件的冷却片72。在基底板70的端部安装有将冷却片72固定于基底板70的螺钉73。基底板70及冷却片72可以由铝构成。基底板70及冷却片72因具有高的导热率而作为散热部良好地发挥功能。
[0054]
通过陶瓷基板100，导体部11与导体部12电绝缘。导体部11可以形成电路，也可以不形成电路。导体部11及导体部12的材质可以相同也可以不同。导体部11及导体部12可以由铜构成。但是，其材质不限于铜。
[0055]
功率模块300具备：电路基板200的导体部11、12；和与导体部11电连接的半导体元件60。半导体元件60与电路基板200一起被树脂30密封。就这样的功率模块300而言，即使半导体元件60发热，也能够维持树脂30与陶瓷基板100的密合性。
[0056]
与陶瓷基板100的第2区域20粘接的树脂不限于密封树脂。例如，陶瓷基板被用于压接结构用的陶瓷散热片(heat sink)材料的情况下，与第2区域20粘接的树脂可以为热固型树脂，也可以为光固型树脂。
[0057]
接着，对陶瓷基板的制造方法的一例进行说明。首先，准备由陶瓷成分构成的陶瓷粉末和作为烧结助剂发挥功能的氧化物系烧结助剂。作为氧化物系烧结助剂，可举出含有y2o3、mgo、sio2及al2o3等的物质。从得到能够以高的水准同时实现高导热率和优异的绝缘性的陶瓷基板(烧结体)的观点考虑，原料粉末中的氧化物系烧结助剂的含量例如可以为4.0～8.0质量％，可以为4.0～5.0质量％。
[0058]
以例如3.0～10.0mpa的成型压力对上述的原料粉末进行加压，得到成型体。成型体可以进行单轴加压而制作，也可以利用cip制作。另外，可以一边利用热压机进行成型一边进行烧成。成型体的烧成可以在氮气或氩气等非活性气体气氛中进行。烧成时的压力可以为0.7～0.9mpa。陶瓷成分为氮化硅的情况下，烧成温度例如可以为1600～2100℃，可以为1800～2000℃。该烧成温度下的烧成时间可以为6～20小时，可以为8～16小时。
[0059]
根据需要对以这样的方式得到的烧结体进行加工而得到陶瓷基板。此时的两个主面具有表面粗糙度ra1。用胶带等将以这样的方式得到的陶瓷基板的主面的一部分掩蔽后，进行基于喷砂等的物理研磨、或基于蚀刻等的化学处理。由此，陶瓷基板的主面的一部分成为具有表面粗糙度ra2的第2区域，剩余部分成为具有表面粗糙度ra1的第1区域。可以在以这样的方式得到的陶瓷基板的主面中将导体胶带等粘贴于第1区域，制成导体部。由于第1区域的表面粗糙度ra1小于表面粗糙度ra2，因此，导体胶带与导体部的第1区域以高的粘接力
结合。
[0060]
第2区域的形成方法不限于上述的方法，可以利用例如珩磨(honing)进行，也可以通过使用激光等使主面变粗糙而进行。另外，可以利用蚀刻形成。蚀刻可以重复进行2次以上。
[0061]
对电路基板的制造方法的一例进行说明。准备具有表面粗糙度ra1的陶瓷基板。在该陶瓷基板的主面，介由钎料而将金属基板叠合，利用加热炉进行加热，得到复合基板。钎料利用辊涂法、丝网印刷法、或转印法等方法涂布于陶瓷基板的主面。钎料可以含有例如ag、cu、sn及ti等金属及金属化合物成分、有机溶剂、及粘结剂等。钎料的粘度例如可以为5～20pa
·
s。钎料中的有机溶剂的含量例如可以为5～25质量％，粘结剂量的含量例如可以为2～15质量％。
[0062]
加热炉中的加热温度例如可以为700～900℃。炉内的气氛可以为氮气等非活性气体，也可以在小于大气压的减压下进行，也可以在真空下进行。加热炉可以为连续地制造多个接合体的连续式加热炉，也可以为以间歇式制造一个或多个接合体的连续式加热炉。可以一边将陶瓷基板与金属基板的接合体沿层叠方向按压一边进行加热。
[0063]
接着，利用蚀刻将复合基板中的金属基板的一部分除去而形成导体部。金属基板的一部分被除去后，因该一部分被除去而露出的陶瓷基板的主面的一部分也发生蚀刻。由此，该主面的一部分也被粗面化，形成具有表面粗糙度ra1的第1区域、和具有比表面粗糙度ra1大的表面粗糙度ra2的第2区域。
[0064]
如此，根据本例的制造方法，由复合基板得到电路基板，并且，能够得到具备具有表面粗糙度彼此不同的多个区域的主面的陶瓷基板。因此，能够在不增加工序数的情况下制造作为部件具有优异的可靠性的陶瓷基板及电路基板。
[0065]
使用以这样的方式得到的电路基板，能够制造功率模块。功率模块可通过下述方式制造：在电路基板上，使用焊锡和引线接合(wire bonding)等搭载半导体元件，将电路基板及半导体元件容纳于壳体的容纳空间内，然后进行树脂密封。
[0066]
以上，对几个实施方式进行了说明，但本公开文本不受上述的实施方式任何限定。例如，电路基板可以具备与导体部电连接的半导体元件。另外，无需在两个主面均具有第1区域及第2区域，在任一主面具有第1区域及第2区域即可。
[0067]
实施例
[0068]
参照实施例及参考例对本公开文本的内容更详细地进行说明，但本公开文本不限于下述的具体例。
[0069]
(实施例1)
[0070]
＜氮化硅烧结体的制作＞
[0071]
准备氮化硅粉末、和作为烧结助剂的氧化镁粉末及氧化钇粉末。将它们以si3n4：y2o3：mgo＝94.0：3.0：3.0(质量比)配合而得到原料粉末。对该原料粉末进行单轴加压成型，制作成型体。将该成型体配置于具备碳加热器的电气炉中，在氮气的气氛下，于1800℃烧成12小时，得到平板状的氮化硅烧结体。
[0072]
＜蚀刻＞
[0073]
用胶带将氮化硅烧结体的一部分掩蔽后，浸渍于市售的蚀刻液(氯化铜水溶液)60分钟。从蚀刻液中取出氮化硅烧结体后，再次将氮化硅烧结体在相同的蚀刻液中浸渍60分
钟。如此进行2次蚀刻处理而得到陶瓷基板。将胶带取下，利用光学显微镜对得到的陶瓷基板的外观进行观察。
[0074]
＜外观评价＞
[0075]
图4为陶瓷基板的光学显微镜照片。如图4所示，在陶瓷基板的主面，形成有浓淡彼此不同的第1区域10和第2区域20。使用小型表面粗糙度测定机(株式会社mitutoyo制，商品名：surftest sj-310)对各区域的表面粗糙度进行测定。结果，第1区域10的表面粗糙度ra1为0.25μm，第2区域20的表面粗糙度ra2为0.50μm。
[0076]
＜截面评价＞
[0077]
将陶瓷基板沿着厚度方向切断，使用扫描电子显微镜(sen)对主面附近的截面进行观察。图5为示出实施例1的陶瓷基板的第2区域中的主面附近的截面的sem照片。如图5所示，确认了在第2区域中表面被粗面化。
[0078]
(实施例2)
[0079]
＜氮化硅烧结体的制作＞
[0080]
准备氮化硅粉末、和作为烧结助剂的氧化镁粉末、氧化钇粉末及二氧化硅粉末。将它们以si3n4：y2o3：mgo：sio2＝91.35：6.0：1.58：1.07(质量比)进行配合而得到原料粉末。除了使用该原料粉末以外，利用与实施例1相同的步骤，得到平板状的氮化硅烧结体。然后，利用与实施例1相同的步骤进行蚀刻，得到陶瓷基板。将胶带取下，利用光学显微镜对得到的陶瓷基板的外观进行观察。
[0081]
＜外观评价＞
[0082]
图6为陶瓷基板的光学显微镜照片。如图6所示，在陶瓷基板的主面，形成有浓淡彼此不同的第1区域10和第2区域20。但是，与实施例1相比，浓淡的差别小。图6中，在第1区域10与第2区域20的边界描绘有虚拟线vl1。第1区域10的表面粗糙度ra1为0.30μm，第2区域20的表面粗糙度ra2为0.31μm。
[0083]
＜截面评价＞
[0084]
与实施例1同样地，使用扫描电子显微镜(sen)对主面附近的截面进行观察。图7为示出实施例2的陶瓷基板的第2区域中的主面附近的截面的sem照片。如图7所示，确认了在第2区域中，表面被粗面化。但是，没有粗面化至图5所示的程度。
[0085]
对实施例1、2的陶瓷基板的抗弯强度进行测定。抗弯强度为3点弯曲抗弯强度，按照jis r 1601：2008，使用市售的抗弯强度计(岛津制作所制，装置名：ag-2000)而测定。结果，实施例1的陶瓷基板的抗弯强度为802mpa。另外，实施例2的陶瓷基板的抗弯强度为769mpa。
[0086]
(参考例1)
[0087]
作为烧结助剂，准备y与mg的质量比按分别换算为y2o3及mgo计为0.1的金属氧化物粉末。将其与氮化硅粉末配合而得到原料粉末。除了使用该原料粉末以外，利用与实施例1相同的步骤，得到平板状的氮化硅烧结体。虽然与实施例1同样地进行了蚀刻处理，但主面的粗糙化未充分地进行，无法调节主面的表面粗糙度。但是，若利用蚀刻以外的方法(例如，喷砂)，则能够将主面的一部分粗糙化，形成与实施例1、2同样的第1区域及第2区域。
[0088]
(参考例2)
[0089]
作为烧结助剂，准备y与mg的质量比按分别换算为y2o3及mgo计为5.0的金属氧化物
粉末。将其与氮化硅粉末配合而得到原料粉末。除了使用该原料粉末以外，利用与实施例1相同的步骤，得到平板状的氮化硅烧结体。虽然与实施例1同样地进行了蚀刻处理，但主面的粗糙化未充分地进行，无法调节主面的表面粗糙度。但是，若与参考例1同样地利用蚀刻以外的方法(例如，喷砂)，则能够将主面的一部分粗糙化，形成与实施例1、2同样的第1区域及第2区域。
[0090]
产业上的可利用性
[0091]
根据本公开文本，能够提供作为部件具有优异的可靠性的陶瓷基板。另外，能够提供作为部件具有优异的可靠性的电路基板及其制造方法。另外，通过具备这样的电路基板，能够提供可靠性优异的功率模块。
[0092]
附图标记说明
[0093]
10
…
第1区域，11、12
…
导体部，20
…
第2区域，30
…
树脂，31、32、35
…
焊锡，33
…
电极，34
…
金属引线，36
…
壳体，60
…
半导体元件，70
…
基底板，72
…
冷却片，73
…
螺钉，74
…
润滑脂，100
…
陶瓷基板，100a、100b
…
主面，200
…
电路基板，300
…
功率模块。