载物台、以及基板的温度控制方法与流程

1.本发明的实施方式涉及用于支撑基板的载物台、具有载物台的成膜装置或膜加工装置，以及用于控制基板的温度的方法。


背景技术：

2.半导体器件搭载于几乎所有的电子设备，对电子设备的功能起到重要的作用。半导体器件是利用硅等所具有的半导体特性的器件，并通过在基板上层叠各种图案化的半导体膜、绝缘膜、导电膜而构成。这些膜利用蒸镀法、溅射法、化学气相沉积(cvd)法或者基板的化学反应等而形成，并通过光刻工艺进行加工(图案化)。
3.上述膜的特性很大程度上取决于形成膜时或者图案化时的条件。其中之一是基板的温度。在许多情况下，为了在整个基板保持均匀的温度，将用于设置基板的载置台(以下，记为载物台(stage))的温度控制为尽可能均匀。载物台的温度控制是通过加热设置在载物台内的加热器的同时使制冷剂流动于设置在载物台内的制冷剂用的流路而进行(参见专利文献1、2)。
4.(现有技术文献)
5.(专利文献)
6.专利文献1：日本特开2018-056333号公报
7.专利文献2：日本特开2014-175491号公报


技术实现要素：

8.(发明所要解决的课题)
9.本发明的实施方式的课题之一为提供一种用于精确控制基板的温度的载物台。或者，本发明的实施方式的课题之一为提供具有该载物台的成膜装置或膜加工装置。或者，本发明的实施方式的课题之一为提供一种用于精确控制基板的温度的方法。
10.(解决问题所采用的措施)
11.本发明的实施方式之一为一种载物台。该载物台包括：轴；在轴上的第一支撑板；加热器，其配置于第一支撑板内所形成的槽内；以及气体供应管，其构成为配置在轴内且向第一支撑板吹送气体。
12.本发明的实施方式之一为一种控制基板温度的方法。该方法包括：将基板配置于具备第一支撑板和第一支撑板下的轴的载物台的步骤；使用形成于第一支撑板的槽内所配置的加热器来对第一载物台进行加热；以及从配置于轴内的气体供应管向所述第一支撑板吹送气体的步骤。
附图说明
13.图1示意性示出本发明的实施方式的膜加工装置的剖视图。
14.图2a示意性示出本发明的实施方式的载物台的立体图。
15.图2b示意性示出本发明的实施方式的载物台的俯视图。
16.图3a示意性示出本发明的实施方式的载物台的剖视图。
17.图3b示意性示出本发明的实施方式的载物台的剖视图。
18.图4a示意性示出本发明的实施方式的载物台的剖视图。
19.图4b示意性示出本发明的实施方式的载物台的剖视图。
20.图5a示意性示出本发明的实施方式的载物台的气体供应管的立体图。
21.图5b示意性示出本发明的实施方式的载物台的气体供应管的剖视图。
22.图6为表示本发明的实施方式的载物台的温度分布的概念图。
23.图7a示意性示出本发明的实施方式的载物台的剖视图。
24.图7b示意性示出本发明的实施方式的载物台的剖视图。
25.图7c示意性示出本发明的实施方式的载物台的剖视图。
26.图8示意性示出本发明的实施方式的成膜装置的剖视图。
27.图9示意性示出本发明的实施方式的成膜装置的剖视图。
28.图10示意性示出本发明的实施方式的成膜装置的剖视图。
29.图11示意性示出本发明的实施方式的载物台的俯视图。
30.图12a示出实施例中的第一支撑板的温度分布。
31.图12b示出比较例中的第一支撑板的温度分布。
具体实施方式
32.以下，参照附图对本技术公开的发明的各实施方式进行说明。但是，本发明可以在不脱离其要旨的范围内以各种方式实施，不应解释为限定于下面所示的实施方式的描述内容。
33.为了更清楚地进行描述，附图与实际实施方式相比，存在示意性地表示出各个部件的宽度、厚度、形状等的情况，但是附图仅是一个示例，不限定本发明的解释。此外，在本说明书和各个附图中，对具有与现有附图描述的功能相同的功能的元件可以用相同的附图标记来表示，并且可以省略重复的描述。
34.在说明书和附图中，在总地表示多个相同或相似的结构时，使用相同的附图标记，在单独表示多个结构中的每一个结构时，使用相同的附图标记，并更进一步使用连字符和自然数。
35.(第一实施方式)
36.在本实施方式中，对本发明的实施方式之一的载物台100、以及作为设置有载物台100的膜加工装置的蚀刻装置200进行说明。
37.1.蚀刻装置
38.在图1中，作为膜加工装置的一个示例，示意性示出用于对各种膜进行干式蚀刻(dry etching)的蚀刻装置200的剖视图。蚀刻装置200具有腔室202，腔室202提供对形成在基板上的导电体、绝缘体、半导体等的膜进行蚀刻的空间。
39.腔室202连接有排气装置204，由此能够将腔室202内设定为减压环境。在腔室202中还设置有用于导入反应气体的导入管206，蚀刻用的反应气体经由阀208导入到腔室内。作为反应气体，可以举出四氟化碳(cf4)、八氟环丁烷(c-c4f8)、全氟环戊烷(c-c5f
10
)、六氟
丁二烯(c4f6)等的含氟有机化合物。
40.在腔室202的上部可以经由波导管210设置微波源212。微波源212具有用于提供微波的天线等，输出例如2.45ghz的微波、13.56mhz的射频波(rf)等的高频微波。微波源212所产生的微波由波导管210传播到腔室202的上部，并经由包括石英、陶瓷等的窗口214导入到腔室202内部。在微波作用下反应气体被等离子体化，通过等离子体中所包含的电子、离子、自由基(radical)来进行膜的蚀刻。
41.为了安放基板，在腔室202的下部设置本发明的一实施方式的载物台100。未示出的基板被安放于载物台100上。载物台100连接有给载物台100施加高频功率的电源220，在与载物台100的表面、基板的表面垂直的方向上形成由微波产生的电场。在腔室202的上部、侧面上还可以设置磁铁216。作为磁铁216，可以是永久磁铁，也可以是具有电磁线圈的电磁铁。在磁铁216的作用下产生平行于载物台100和基板表面的磁场分量，并且因与由微波产生的电场协作，等离子体中的电子受到洛伦兹力而共振，被束缚在载物台100和基板表面。其结果，能够在基板表面产生高密度的等离子体。
42.在蚀刻装置200中控制基板的温度时，如后文所述，使用设置在载物台100的护套加热器(后述)124的同时，为了冷却载物台100的中心部而供应气体(也称为冷却用气体)。所以，蚀刻装置200设置有用于控制护套加热器124的加热器电源222、气体供应装置150。虽未图示，但在气体供应装置150可以连接用于冷却从气体供应装置150供应的冷却用气体的冷却装置。作为任意的结构，在载物台100还可以连接用于将基板固定在载物台100的静电卡盘用电源224、对在载物台100内部回流的液体的温度进行控制的温度控制器226、用于使载物台100旋转的旋转控制装置(未图示)。在腔室202内可以配置用于搬送基板的机构。对该机构并不限制，例如，如图1所示，可以配置具备有机械臂的搬送机器人230。
43.1-2.载物台
44.图2a示意性示出实施方式之一的载物台100的立体图。如图2a所示，载物台100作为基本结构来具备：轴140、在轴140上由轴140所支承的第一支撑板120、以及第一支撑板上的第二支撑板110。在图1a中，第一支撑板120和第二支撑板110分别具有上部面为圆的圆盘形状，但对这些形状没有限定，其形状也可以是适合于所用的基板的形状。例如，第一支撑板120和第二支撑板110可以具有上部面为四角形的长方体形状。
45.图2b示意性示出载物台100的俯视图。在图2b中，未图示有第二支撑板110。在第一支撑板120沿其上部面设置有一个或多个槽(参照图3b)122，在各槽122中配置有护套加热器124。护套加热器124的内部设置有与加热器电源222(参照图1)电连接的电热丝(加热器线)，在来自加热器电源222的电力作用下护套加热器124被加热。槽122形成为使第一支撑板120的整体被护套加热器124均匀地加热。第一支撑板120的热传导至第二支撑板110，在该热的作用下配置在第二支撑板110上的基板被加热。虽未图示，但在第二支撑板110也设置槽，并将护套加热器124收容在第一支撑板120的槽122和第二支撑板110的槽内也可。或者，在第一支撑板120不设置槽122，而在第二支撑板110设置槽，并在其中配置护套加热器124也可。
46.第一支撑板120和第二支撑板110包括金属，金属选自具有10w/mk以上且430w/mk以下的热导率的金属。使用具有高热导率的金属而能够有效地接收护套加热器124所产生的热能。此外，金属具有3
×
10-6
/k以上且25
×
10-6
/k以下的热膨胀率为好。作为满足这种特
性的具体金属，可以举出钛、铝、不锈钢等的金属。包含于第二支撑板110中的金属和包含于第一支撑板120中的金属可以相同，也可以不同。在不同的情况下，可以分别选择各自的金属，使得包含于第一支撑板120和第二支撑板110中的金属的热膨胀率的差成为250
×
10-6
/k以下。由此，能够抑制因热膨胀而引起的变形，能够提供可靠性高的载物台100。
47.第二支撑板110和第一支撑板120彼此接合。第一支撑板120和第二支撑板110的接合可以通过焊接、螺钉固定或钎焊来进行。作为钎焊中所使用的钎料，可以举出含有银、铜及锌的合金、含有铜及锌的合金、含有微量磷的铜、铝及其合金、含有钛、铜及镍的合金、含有钛、锆及铜的合金、含有钛、锆、铜及镍的合金等。
48.在图3a、图3b中分别示出沿图2b的划线a-a’、b-b’的截面的示意图。如图3a所示，在轴140内具备有与气体供应装置150连接的气体供应管142。气体供应管142具有中空结构，其构成为从气体供应装置150供应的冷却用气体在气体供应管142内部流动，之后向第一支撑板120的方向供应。气体供应管142所包含的材料并不受限，将诸如铁、铝、铜等的金属、不锈钢、黄铜等的合金、或者氯乙烯、聚乙烯等的乙烯基聚合物作为材料来使用即可。作为乙烯基聚合物，可以采用聚四氟乙烯等的含氟聚合物。
49.通过气体供应管142供应的冷却用气体使用于对第一支撑板120的中心部分进行冷却而使其温度比外周部分低。气体供应管142最好设置成其中心轴穿过第一支撑板120的中心。所以，在第一支撑板120的平面形状为圆的情况下(即，在第一支撑板120为圆盘形状的情况下)，气体供应管142以气体供应管142的中心轴通过圆的中心的方式设置为好。但是，气体供应管142的配置无需如此严密地限制，只要将气体供应管142配置成第一支撑板120的中心和其附近能够被冷却即可。所以，例如，也可以将气体供应管142配置成与第一支撑板120的上部面平行的气体供应管142的截面与第一支撑板120的中心重叠。
50.气体供应管142的前端和第一支撑板120之间的距离d(参照图3a)可以考虑第一支撑板120的大小、冷却用气体的供给量、冷却用气体的温度等而适当地设定，例如可从1mm以上且30mm以下、5mm以上且20mm以下、或者5mm以上且15mm以下的范围选择。通过将距离d设定在上述范围内来在冷却用气体的气流与第一支撑板120接触之前不会广泛扩散的前提下可选择性地冷却第一支撑板120的中心部分。同时，能够防止在中心部分产生大的温度梯度。
51.冷却用气体不被释放到腔室202内为好。这是因为腔室202内的气体的组成、压力因冷却用气体而改变。因此，轴140、第一支撑板120被构成为不使冷却用气体泄漏到腔室202内为好。例如，第一支撑板120构成为至少在与轴140重叠的区域中不设置通孔，而隔断冷却用气体。此外，如图3a所示，蚀刻装置200可构成为在腔室202的与轴140重叠的区域设置一个或多个通孔202a而排出冷却用气体。通过这样的结构，如图3a的虚线所示，向第一支撑板120的方向供应的冷却用气体能够与第一支撑板120的中心接触，然后在轴140内改变方向而向腔室202的外部排出。
52.作为冷却用气体，可以利用空气、氮气、氩气或它们的混合气体等，其温度也可以是室温，或者从-20℃以上且30℃以下、0℃以上且25℃以下、或者10℃以上且25℃以下的范围内适当地选择即可。当选择室温以外的温度时，使用冷却装置而控制冷却用气体的温度即可。冷却用气体的流量也可适当地调节，并且例如从10l/min以上且1000l/min、30l/min以上且500l/min或者30l/min以上且300l/min的范围内选择即可。
53.如上所述，在第一支撑板120的上部面形成槽122，沿着槽122配置护套加热器124(图3b)。护套加热器124的结构也并不受限，可以使用在两端具有端子的双端子型的护套加热器、仅在一侧具有两个端子的单端子型护套加热器中的任一种。护套加热器124的电热丝与配线126连接，配线126在轴140内延伸，并经由设置于腔室202的通孔202a向外部取出而与加热器电源222连接。
54.在轴140内设置用于控制冷却用气体的排放的气体排放管144也可。例如，如图4a所示，一个或多个气体排放管144通过腔室202的通孔202a插入于轴140内。气体排放管144的端部的位置可任意设定，到第一支撑板120的距离可以与距离d相同(参照图3a)，也可以比距离d小或大。如图4b所示，气体排放管144可以沿着轴140的内壁配置，或者可以与气体供应管142接触。尽管未图示，但是气体排出装置可以连接到气体排放管144以吸入冷却用气体。通过采用这样的结构，能够更加精确地控制冷却用气体的气流。
55.或者，使用兼备冷却用气体的供应能力和排出能力的气体供应/排放管也可。例如，如图5a、图5b所示，可以代替气体供应管142和气体排放管144而使用气体供应/排放管146，该气体供应/排放管146具备与气体供应装置150连接的气体供应部142a、以及以包围气体供应部142a的方式配置且与气体供应部142a一体化的气体排放部144a。在气体供应/排放管146中，气体供应部142a和气体排放部144a由单个分隔壁隔开。通过使用气体供应/排放管146能够有效地利用轴140内的空间，其结果，可增加被独立控制的护套加热器124的数量，这会在更加精确地控制载物台100的温度的方面作出贡献。
56.关于配置于传统的膜加工装置或成膜装置中的载物台，为了均匀地加热配置于载物台的整个基板而设计成整个支撑板成为均匀的温度。即，如图6的概念图中的直线(c)所示，确定护套加热器的数量、配置等而使从支撑板的中心部分到外周部分的温度相同。然而，在膜加工装置、成膜装置中，不能忽视来自载物台的外周部分的热释放，热会向例如图1所示的腔室202、，搬送机器人230等的用于搬送基板的机构、用于垂直移动基板的销、配置于载物台附近的保护夹具(未图示)等逸散。其结果，即使将载物台设计成在没有热的逸散的情况下给出由直线(c)表示的理想温度分布，载物台周边部分的温度也会降低(虚线(a))而在基板中产生温度分布。
57.与此相对，在本发明的一实施方式的载物台100中，在护套加热器124的作用下经由第一支撑板120加热第二支撑板110，同时向第一支撑板120的中心部分供应冷却用气体。其结果，如虚线(b)所示，能够控制第一支撑板120和第二支撑板110的温度，以使中心部分温度变得低于外周部分的温度。通过制作这样的温度分布而达成与从第一支撑板120、第二支撑板110的外周部分热的逸散的平衡，能够实现用直线(c)表示的理想的温度分布特性、或者与其相近的温度分布。其结果，能够在将整个基板保持在均匀温度下加工基板上的膜、或者在基板上制作膜。
58.1-3变形例
59.载物台100的结构不限于上述结构，可以采用各种结构。例如，如图7a所示，可以在第一支撑板120的下部面设置用于使流体回流的槽(流路)128。在这种情况下，在载物台100设置用于覆盖流路128的第三支撑板130，冷却用气体通过第三支撑板130而向第一支撑板120吹送。第三支撑板130也可包含在第一支撑板120和第二支撑板110中所使用的金属。第三支撑板130通过焊接、螺钉固定、钎焊固定于第一支撑板120。虽然没有图示，但是将流路
128不设置于第一支撑板120，而设置于第三支撑板130也可。使温度由温度控制器226(参见图1)所控制的流体流过通道128而能够更加精确地控制基板的温度。介质可使用于冷却载物台100的情况、加热的情况中的任意一种情况。作为介质，可使用水、醇(例如，异丙醇、乙二醇)、硅油、氟基流体(例如，氟碳化合物)等的液体介质。
60.另外，也可以在第一支撑板120和第三支撑板130设置一个或多个用于设置温度传感器的开口132。作为温度传感器，可以使用热电偶等。
61.或者，如图7b所示，也可以设置一个或多个贯通第一支撑板120、第二支撑板110以及第三支撑板130的通孔134。氦气等的热导率高的气体的供应源通过气体导入管136连接到通孔134。由此，能够使具有高热传导率的气体流动于第二支撑板110和基板的间隙，从而能够将护套加热器124的热能有效地传递到基板。此外，通孔134可以设置成与轴140重叠，或者，如图7b所示那样通孔134可以设置于与轴140不重叠的区域。通过设置成不与轴140重叠来能够防止冷却用气体从通孔134泄漏并扩散到腔室202内，并且，能够确保用于在轴140内配置配线126、气体供应管142的宽敞的空间。
62.或者，如图7c所示，作为用于将基板固定于载物台100上的机构，可以将静电卡盘160设置于第一支撑板120上。静电卡盘160可以具有例如用绝缘膜162覆盖静电卡盘电源线164的结构。从静电卡盘电源224(参照图1)向静电卡盘电源线164施加高电压(从几百v到几千v)，从而可以在静电卡盘电源线164中所产生的电荷和基板背面中所产生且极性与在静电卡盘电源线164中所产生的电荷相反的电荷的库仑力的作用下将基板固定。作为绝缘体，可以使用氧化铝、氮化铝、氮化硼等的陶瓷。绝缘膜162无需完全绝缘，也可以具有某种程度的导电性(例如，从109ω
·
cm至10
12
ω
·
cm数量级的电阻率)。在这种情况下，关于膜162，在上述的陶瓷中掺杂氧化钛、氧化锆、氧化铪等的金属氧化物。在静电卡盘160的周边也可以设置用于决定基板的位置的肋166。
63.如上所述，在本实施方式的载物台100中，冷却用气体从配置于轴140内的气体供应管142向第一支撑板120的中心部分供应，以使第一支撑板120、第二支撑板110的中心部分温度变得低于外周部分的温度。其结果，能够形成来自护套加热器124的热的输入和从外周部分的热的逸散的良好的平衡，第一支撑板120、第二支撑板110的整体成为均匀的温度，均匀地控制基板整体的温度。
64.(第二实施方式)
65.在本实施方式中，涉及具有第一实施方式中所述的载物台100的各种成膜装置，使用图8至图10进行说明。关于与第一实施方式相同的结构，省略其说明。
66.1.cvd装置
67.图8是作为成膜装置之一的cvd装置300的示意图。cvd装置300具有腔室302，提供使反应气体发生化学反应的场所。
68.腔室302连接有排气装置304，从而降低腔室302中的压力。腔室302还设置有用于导入反应气体的导入管306，从而通过阀308向腔室内导入成膜用的反应气体。作为反应气体，可以根据要形成的膜而使用各种气体。气体在常温下可以为液体。例如，使用硅烷(silane)、二氯甲硅烷(dichlorosilane)、四乙氧基硅烷(tetraethoxysilane)等而可以形成硅(silicon)、氧化硅、氮化硅等的薄膜。或者，使用氟化钨、三甲基铝等而可以形成钨、铝等的金属薄膜。
69.与蚀刻装置200同样地，也可以在腔室302上部经由波导管310设置将微波源312。微波源312所产生的微波经由波导管310而被导入至腔室302内部。反应气体在微波的作用下被等离子体化，利用等离子体所包含的各种活性种来促进气体的化学反应，由化学反应所获得的产物沉积在基板上而形成薄膜。作为任意的结构，在腔室202内可以设置用于使等离子体的密度增大的磁体344。在腔室302下部可以设置第一实施方式所述的载物台100，在基板设置在载物台100上的状态下进行薄膜的堆积。与蚀刻装置200同样地，在腔室302的侧面还可以设置磁铁316、318。
70.载物台100还可以连接用于对载物台100供应高频电力的电源320、用于控制护套加热器124的加热器电源322、静电卡盘用电源324、对载物台100的内部回流的流体进行温度控制的温度控制器326。作为任意结构，cvd装置300还可以设置用于使载物台100旋转的旋转控制装置(未图示)。
71.2.溅射装置
72.图9是成膜装置之一的溅射装置400的示意图。溅射装置400具有腔室402，提供用于高速的离子与靶的碰撞和在此时产生的靶原子的沉积的场所。
73.腔室402连接有用于降低腔室402内的压力的排气装置404。腔室402设置有用于将氩气等的溅射气体导入于腔室402的导入管406和阀408。
74.在腔室402的下部设置有保持含有用于成膜的材料的靶且作为阴极而发挥功能的靶台410，并在所述靶台410设置有靶412。靶台410连接有高频电源414，在高频电源414的作用下能够在腔室402内产生等离子体。
75.在腔室402的上部可以设置第一实施方式所述的载物台100。在这种情况下，在将基板设置在载物台100下的状态下进行薄膜的形成。与蚀刻装置200和cvd装置300同样地，载物台100还可连接用于向载物台100提供高频电力的电源420、加热器电源422、静电卡盘用的电源424、温度控制器426。作为任意的结构，溅射装置400还可以设置用于使载物台100旋转的旋转控制装置(未示出)。
76.在腔室402内所产生的等离子体的作用下被加速的氩离子碰撞于靶412而靶412的原子被弹出。被弹出的原子在挡板416被打开的期间飞向设置在载物台100下的基板而沉积。
77.在本实施方式中，示出了载物台100安装在腔室402的上部，靶台410安装在腔室402的下部的结构，但是本实施方式不限于这种结构，也可以将溅射装置400构成为使靶位于载物台100之上。或者，也可以将载物台100设置为使基板的主面相对于水平面垂直而配置，并将靶台410设置为与所述载物台100对置。
78.3.蒸镀装置
79.图10是成膜装置之一的蒸镀装置500的示意图。蒸镀装置500具有腔室502，提供用于将蒸镀源510的材料蒸发和所蒸发的材料沉积于基板上的空间。
80.腔室502连接有用于使腔室502内成为高真空的排气装置504。腔室502可以设置用于使腔室502恢复至大气压的导入管506，并经由阀508而将氮气、氩气等的惰性气体向腔室502内导入。
81.在腔室502的上部可以设置第一实施方式所述的载物台100。在将基板设置在载物台100下方的状态下进行材料的沉积。与蚀刻装置200、cvd装置300和溅射装置400同样地，
载物台100还可以连接加热器电源522、静电卡盘用的电源524、温度控制器526。作为任意的结构，蒸镀装置500还可以连接用于使载物台100旋转的旋转控制装置530。虽然未图示，载物台100还可以具有用于将金属掩模固定于基板和蒸镀源510之间的掩模保持器。由此，能够将金属掩模配置于基板附近，以使金属掩模的开口部与材料所沉积的区域重叠。
82.蒸镀源510设置于腔室的下侧，所要蒸镀的材料填充于蒸镀源510。蒸镀源510设置有用于加热材料的加热器，加热器由控制装置512控制。使用排气装置504而使腔室502内成为高真空，加热蒸镀源510而使材料气化，由此开始蒸镀。当蒸镀的速度变得恒定时打开挡板514，由此在基板上开始沉积材料。
83.如上所述，本实施方式的cvd装置300、溅射装置400、蒸镀装置500等的成膜装置可以具有实施方式1中说明的载物台100。因此，能够精确地控制基板的温度且能够以良好的响应性调节基板的温度，从而便于控制所形成的薄膜的物理特性。
84.(实施例)
85.在本实施例中，对测定第一实施方式中所述的载物台100的温度特性的结果进行描述。
86.在本实施例中，使用了具有铝制第一支撑板120和第二支撑板110的载物台100(参照图2a)。如图11所示，在第一支撑板120配置有3个护套加热器(第一护套加热器124a、第二护套加热器124b、第三护套加热器124c(分别为外径310mm、容量1200w))。第一护套加热器124a设置成与轴140重叠且将与气体供应管142重叠的区域环绕多圈。以包围第一护套加热器124a的方式配置大致三层卷绕的第二护套加热器124b。第三护套加热器124c配置成最接近于第一支撑板120的外周部分。第一支撑板120和第二支撑板110的总厚度为33mm，直径分别为322mm。在第一支撑板120和第二支撑板110配置有3个热电偶，给3个护套加热器124通电而进行加热。以使用200v、10a的电源并在pid控制下升温至设定温度的方式向每个护套加热器124施加电流而进行加热。作为冷却用气体而使用室温的空气，并通过气体供应管142以100l/min的流速向第一支撑板120的中心部分供应。
87.在第二支撑板110的表面设置测试片(dummy wafer)而进行加热，在温度达到了稳定状态时测定了17处的温度。在图12a中示出基于该结果的温度分布的示意图。从图12a可知，第二支撑板110的中心部分温度比外周部分低。具体来说，中心部分a的温度为145.2℃，外周部分b的温度为155℃，其差为9.8℃。
88.在图12b中示出在不供应冷却用气体的情况下进行同样的实验而得到的温度分布的示意图。由该图可知，在不供给冷却用气体的情况下，第二支撑板110的温度在整体上均匀，中心部分a的温度为152.4℃，外周部分b的温度为155℃，其差为2.6℃。
89.如上所述，在本实施方式之一的载物台100中，通过供应冷却用气体，能够将载物台100的第一支撑板120、第二支撑板110的中心部分温度设定得比外周部分的温度低。在将载物台100使用于成膜装置或膜加工装置时，热从外周部分逸散，因此能够确认使用本实施方式之一的载物台100而实现理想的温度分布，并且能够将整个基板控制为均匀的温度。
90.作为本发明的实施方式，只要在上述各种实施方式相互不矛盾，就能够适当组合而实施。另外，只要具备本发明的主旨，则本领域技术人员根据各种实施方式进行了适当结构元件的添加、删除或设计变更的内容也包含在本发明的范围内。
91.此外，即使是与上述各种实施方式所带来的作用效果不同的其它作用效果，但对
于从本说明书的描述中显而易见的，或者本领域技术人员可以容易地预测而得到的作用效果，应当然地理解为是由本发明而带来的作用效果。
92.(附图标记的说明)
93.100：载物台、110：第二支撑板、120：第一支撑板、122：槽、124：护套加热器、124a：第一护套加热器、124b：第二护套加热器、124c：第三护套加热器、126：布线、128：流路、130：第三支撑板、132：开口、134：通孔、136：气体导入管、140：轴、142：气体供应管、142a：气体供应部、144a：气体排放部、146：气体供应/排放管、150：气体供应装置、160：静电卡盘、162：膜、164：静电卡盘电源线、166：肋、200：蚀刻装置、202a：通孔、204：排气装置、206：导入管、208：阀、210：波导管、212：微波源、214：窗、216：磁铁、220：电源、222：加热器电源、224：静电卡盘用电源、226：温度控制器、230：输送机器人、300：cvd装置、302：腔室、304：排气装置、306：导入管、308：阀、310：波导管、316：磁铁、318：磁铁、320：电源、322：加热器电源324：静电卡盘用电源、326：温度控制器、344：磁铁、400：溅射装置、402：腔室、404：排气装置、406：导入管、408：阀、410：靶台、412：靶、414：高频电源、416：挡板、420：电源、422：加热器电源、424：静电卡盘用电源、426：温度控制器、500：蒸镀装置、502：腔室、504：排气装置、506：导入管、508：阀、510：沉积源、512：腔室、514：挡板、522：加热器电源、524：静电卡盘用电源、526：温度控制器、528：旋转控制装置