技术特征：
1.一种半导体装置，至少具备半导体层和肖特基电极，所述半导体层包含具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，所述肖特基电极包含第一电极层和导电率高于第一电极层的第二电极层，其特征在于，所述第二电极层的外端部经由所述第一电极层与所述半导体层电连接，所述第一电极层的外端部位于比电连接的所述第二电极层的电连接区域的外端部更外侧的位置。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体包含选自铝、铟和镓中的至少一种金属。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体至少包含镓。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一电极层包含选自元素周期表第4族～第10族中的至少一种金属。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一电极层包含选自元素周期表第4族和第9族中的至少一种金属。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一电极层由组成互不相同的两层以上构成。7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一电极层之中比所述第二电极层的外端部向更外侧伸出的部分的至少一部分具有向所述半导体装置的外侧而膜厚减少的锥形区域。8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其中，所述第二电极层包含选自银、铜、金和铝中的至少一种金属。9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一电极层的层厚比所述第二电极层的层厚更薄。10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其中，进一步具有场绝缘膜，所述第一电极层的外端部位于所述场绝缘膜上。11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其中，其为肖特基势垒二极管。12.根据权利要求1～11中任一项所述的半导体装置，其中，其为功率器件。13.一种半导体系统，具备半导体装置，其特征在于，所述半导体装置为权利要求1～12中任一项所述的半导体装置。
技术总结
提供一种特别对于功率器件有用的、抑制了漏电流的低损耗的半导体装置。一种半导体装置，至少具备半导体层和肖特基电极，所述半导体层包含具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，所述肖特基电极包含第一电极层和导电率高于第一电极层的第二电极层，其中，第二电极层的外端部经由第一电极层与所述半导体层电连接，第一电极层的外端部位于比电连接的第二电极层的电连接区域的外端部更外侧的位置。电极层的电连接区域的外端部更外侧的位置。电极层的电连接区域的外端部更外侧的位置。
技术研发人员：冲川满
受保护的技术使用者：株式会社FLOSFIA
技术研发日：2020.05.22
技术公布日：2022/3/4