超低剖面堆叠RDL半导体封装件的制作方法

超低剖面堆叠rdl半导体封装件
1.优先权要求
2.本专利申请要求2019年10月2日提交的名称为“超低剖面堆叠rdl半导体封装件(ultra-low profile stacked rdl semiconductor package)”的申请第16/591,374号的优先权，并且该申请被转让给本技术的受让人，并在此通过引用明确并入本文。
技术领域
3.本公开总体上涉及半导体封装件，并且更具体地但不排他性地涉及具有堆叠再分布层(rdl)的半导体封装件。


背景技术：

4.半导体和半导体封装件在电子设备中变得越来越普遍。随着半导体封装件使用的增加，整体封装高度和性能成为更重要的设计方面。当前的趋势是减少这些半导体封装件所占用的空间，同时增加不同类型的半导体管芯和表面安装器件的数量，这在不牺牲性能改进的情况下对封装的尺寸施加了更多的限制。例如，常规的半导体封装件具有由其上安装逻辑器件的衬底规定的封装高度的很大一部分。使用用于封装的逻辑器件之间的安装和信号分布的衬底导致包括增加封装件高度的缺陷。
5.因此，需要克服包括在此提供的方法、系统和装置的常规方案的不足的系统、装置和方法。


技术实现要素：

6.下面呈现与本文公开的装置和方法相关联的一个或多个方面和/或示例有关的简化概述。因此，以下概述不应被视为与所有预期的方面和/或示例有关的广泛概述，也不应将以下概要视为识别与所有预期的方面和/或示例有关的关键或重要元素或描绘与任何特定方面和/或示例相关联的范围。因此，以下概述的唯一目的是以简化的形式呈现与本文公开的装置和方法有关的一个或多个方面和/或示例的某些概念，以先于下面呈现的详细描述。
7.在一个方面，半导体封装件包括：第一再分布层(rdl)，其中，第一rdl包括n个层；第二rdl，其中，第二rdl包括m个层；连接层，耦接到第一rdl的第一侧和第二rdl的第一侧；第一表面安装器件(smd)，耦接到第一rdl的与第一rdl的第一侧相对的第二侧；以及第二smd，耦接到第二rdl的与第二rdl的第一侧相对的第二侧。
8.在另一方面，半导体封装件包括：用于路由信号的第一再分布装置，其中，第一再分布装置包括n个层；用于路由信号的第二再分布装置，其中，第二再分布装置包括m个层；连接装置，用于连接耦接到第一再分布装置的第一侧和第二再分布装置的第一侧的层；第一表面安装器件(smd)，耦接到第一再分布装置的与第一再分布装置的第一侧相对的第二侧；以及第二smd，耦接到第二再分布装置的与第二再分布装置的第一侧相对的第二侧。
9.在又一方面，用于组装半导体封装件的方法包括：将第一表面安装器件(smd)附接
在第一再分布层(rdl)的第二侧，其中，第一rdl包括n个层；将第二smd附接在第二rdl的第二侧，其中，第二rdl包括m个层；以及将连接层耦接到第一rdl的与第一rdl的第二侧相对的第一侧和第二rdl的与第二rdl的第二侧相对的第一侧。
10.基于所附附图和详细描述，与本文公开的装置和方法相关联的其他特征和优点对于本领域技术人员将是显而易见的。
附图说明
11.当结合仅用于说明而不是限制本公开而呈现的所附附图考虑时，通过参考以下详细描述，将容易获得本公开的各个方面的更完整的理解及其许多伴随的优点，因为本公开的各个方面的更完整的理解及其许多伴随的优点变得更好地理解，并且在附图中：
12.图1示出了根据本公开的一些示例的具有铜柱和焊料的示例性半导体封装件；
13.图2示出了根据本公开的一些示例的具有铜柱和acf的示例性半导体封装件；
14.图3示出了根据本公开的一些示例的具有smd、铜柱和焊料的示例性半导体封装件；
15.图4示出了根据本公开的一些示例的具有smd、铜柱和acf的示例性半导体封装件；
16.图5a至图5e示出了根据本公开的一些示例的用于组装半导体封装件的第一部分的示例性方法；
17.图6a至图6f示出了根据本公开的一些示例的用于组装半导体封装件的第二部分的示例性方法；
18.图7a至图7f示出了根据本公开的一些示例的用于将第一部分和第二部分组装成半导体封装件的示例性方法；
19.图8示出了根据本公开的一些示例的用于组装半导体封装件的示例性部分方法；
20.图9示出了根据本公开的一些示例的示例性移动设备；以及
21.图10示出了根据本公开的一些示例的可与前述集成设备、半导体设备、集成电路、管芯、插入器、封装件或层迭封装(package-on-package，pop)中的任一个集成的各种电子设备。
22.根据通常的实践，附图所描绘的特征可以不按比例绘制。因此，为了清楚起见，所描绘的特征的尺寸可以任意扩展或减小。根据通常的实践，为了清楚起见，一些附图被简化。因此，附图可以不描绘特定装置或方法的所有组件。此外，类似的参考数字在整个说明书和附图中表示类似的特征。
具体实施例
23.本文公开的示例性方法、装置和系统减轻了常规方法、装置和系统的缺点以及其他先前未识别的需求。本文的示例可以使用rdl代替衬底以实现更小的设计特征尺寸(x、y尺寸减小)、更薄的铜层和更少的金属使用(z尺寸减小)、在封装件的任一侧附接半导体管芯和表面安装器件(smd)的灵活性以及更少数量的构建rdl层(即，更可靠的结构)。在一些示例中，包括多个rdl层的第一rdl使用铜柱和底部填充剂(诸如毛细管底部填充剂(cuf)、非导电膏(ncp)、非导电膜(ncf)、模制底部填充剂(muf)或各向异性导电膜(acf))代替基底，耦接到包括多个rdl层的第二rdl。逻辑器件，诸如smd和半导体管芯，可以安装在第一
241、耦接到第二rdl 220的与第二rdl 220的第一侧222相对的第二侧224的第二smd 242、在第二rdl 220的第二侧224上的第三smd 244、以及在第二rdl 220的第二侧224上的第四smd 246。虽然在第一rdl 210上示出了一个smd，但应当理解，在第一rdl 210上可以安装不止一个smd。虽然在第二rdl 220上示出了三个smd，但应该理解，在第二rdl 220上可以安装少于或多于三个smd。smd可以是任何逻辑器件，诸如半导体管芯。如图所示，smd耦接到它们相应的rdl，其中，有源侧(具有有源电路的侧)面对rdl，而背面侧远离rdl。
29.如图所示，连接层230可以包括铜柱232和底部填充剂234的交替区域。底部填充剂234可以是各向异性导电膜，并且铜柱232的区域可以包括耦接到第一rdl 210的铜柱232，并且底部填充剂234可以在铜柱232与第二rdl 220之间耦接到第二rdl 220。
30.此外，半导体封装件200可以包括在第一rdl 210的第二侧214上的第一模具封装剂250和在第二rdl 220的第二侧224上的第二模具封装剂260。第一rdl 210和第二rdl 220可以包括多个层，使得n大于1，并且m大于1。半导体封装件200可以包括通过铜球254和焊料球或凸块256耦接到第一rdl 210的第二侧214的球栅阵列252。例如，这可以允许紧凑或减小封装件高度(z轴，视图中从上到下)小于1.25mm。如图所示，封装件高度可以包括大约0.155mm的球栅阵列252的第一距离272、第一rdl 210的nl的第二距离274(取决于n层的数量)、大约0.025mm的连接层230的第三距离276、第二rdl 220的ml的第四距离278(取决于m层的数量)以及大约0.75mm的第二模具密封剂260的第五距离279。
31.图3示出了根据本公开的一些示例的具有smd、铜柱和焊料的示例性半导体封装件。如图3所示，半导体封装件300(例如，半导体封装件100、半导体封装件200、半导体封装件400和半导体封装件500)可以包括包括n个层的第一rdl 310、包括m个层的第二rdl 320、以及耦接到第一rdl 310的第一侧312和第二rdl 320的第一侧322的连接层330。半导体封装件300还可以包括耦接到第一rdl 310的与第一rdl 310的第一侧312相对的第二侧314的第一smd341、耦接到第二rdl 320的与第二rdl 320的第一侧322相对的第二侧324的第二smd 342，以及在第二rdl 320的第二侧324上的第三smd 344。虽然在第一rdl 310上示出了一个smd，但应当理解，在第一rdl 310上可以安装不止一个smd。虽然在第二rdl 320上示出了两个smd，但应该理解，在第二rdl 320上可以安装少于或多于两个smd。smd可以是任何逻辑器件，诸如半导体管芯。如图所示，smd耦接到它们相应的rdl，其中，有源侧(具有有源电路的侧)面对rdl，而背面侧远离rdl。
32.如图所示，连接层330可以包括铜柱332和底部填充剂334的交替区域。底部填充剂334可以是非导电膜和非导电膏中的一种，并且铜柱332的区域包括耦接到第一rdl 310的铜柱332和耦接到第二rdl 320的焊料层336。
33.此外，半导体封装件300可以包括在第一rdl 310的第二侧314上的第一模具封装剂350和在第二rdl 320的第二侧324上的第二模具封装剂360。第一rdl 310和第二rdl 320可以包括多个层，使得n大于1，并且m大于1。半导体封装件300可以包括通过铜球354和焊料球或凸块356耦接到第一rdl 310的第二侧314的球栅阵列352。例如，这可以允许紧凑或减小封装件高度(z轴，视图中从上到下)小于1.25mm。如图所示，封装高度可以包括大约0.155mm的球栅阵列352的第一距离372、第一rdl 310的nl的第二距离374(取决于n层的数量)、大约0.025mm的连接层330的第三距离376、第二rdl 320的ml的第四距离378(取决于m层的数量)以及大约0.75mm的第二模具密封剂360的第五距离379。
34.此外，半导体封装件300可以包括嵌入在连接层330中的第四smd 380，诸如多层陶瓷电容器或集成无源设备，以及外部连接390，诸如除了由球栅阵列352提供的那些之外的用于外部连接的导电通孔、铜柱、铜球或焊球。
35.图4示出了根据本公开的一些示例的具有smd、铜柱和acf的示例性半导体封装件。如图4所示，半导体封装件400(例如，半导体封装件100、半导体封装件200、半导体封装件300和半导体封装件500)可以包括包括n个层的第一rdl 410、包括m个层的第二rdl 420、以及耦接到第一rdl 410的第一侧412和第二rdl 420的第一侧422的连接层430。半导体封装件400还可以包括耦接到第一rdl 410的与第一rdl 410的第一侧412相对的第二侧414的第一smd 441、耦接到第二rdl 420的与第二rdl 420的第一侧422相对的第二侧424的第二smd 442、以及在第二rdl 420的第二侧424上的第三smd 444。虽然在第一rdl 410上示出了一个smd，但应当理解，在第一rdl 410上可以安装不止一个smd。虽然在第二rdl 420上示出了两个smd，但应该理解，在第二rdl 420上可以安装少于或多于两个smd。smd可以是任何逻辑器件，诸如半导体管芯。如图所示，smd耦接到它们相应的rdl，其中，有源侧(具有有源电路的侧)面对rdl，而背面侧远离rdl。
36.如图所示，连接层430可以包括铜柱432和底部填充剂434的交替区域。底部填充剂件434可以是各向异性导电膜，并且铜柱432的区域可以包括耦接到第一rdl 410的铜柱432，并且底部填充剂434可以在铜柱432与第二rdl 420之间耦接到第二rdl 420。
37.此外，半导体封装件400可以包括在第一rdl 410的第二侧414上的第一模具封装剂450和在第二rdl 420的第二侧424上的第二模具封装剂460。第一rdl 410和第二rdl 420可以包括多个层，使得n大于1，并且m大于1。半导体封装件400可以包括通过铜球454和焊料球或凸块456耦接到第一rdl 410的第二侧414的球栅阵列452。例如，这可能允许紧凑或减小封装高度(z轴，视图中从上到下)小于1.25mm。如图所示，封装件高度可以包括大约0.155mm的球栅阵列452的第一距离472、第一rdl 410的nl的第二距离474(取决于n个层的数量)、大约0.025mm的连接层430的第三距离476、第二rdl 420的ml的第四距离478(取决于m个层的数量)以及大约0.75mm的第二模具密封剂460的第五距离479。
38.此外，半导体封装件400可以包括嵌入在连接层430中的第四smd 480，诸如多层陶瓷电容器或集成无源器件，以及外部连接490，诸如除了由球栅阵列452提供的那些之外的用于外部连接的导电过孔、铜柱、铜球或焊球。
39.图5a至图5e示出了根据本公开的一些示例的用于组装半导体封装件的第一部分的示例性方法。如图5a所示，用于组装半导体封装件500的方法可以包括通过将第二smd 542和第三smd 544放置在虚拟载体501上来组装第一部分。如图5b所示，该方法继续用第二模具封装剂560封装第二smd 542和第三smd 544。如图5c所示，该方法继续将第二模具密封剂560背面研磨(back grinding)到所需高度，并将虚拟载体501拆下。如图5d所示，该方法继续将第二虚拟载体502附连到第二模具密封剂560的背面，并在第二smd 542和第三smd 544的有源侧构建包括m个层的第二rdl 520。如图5e所示，该方法继续在第二rdl 520的第一侧522上形成铜柱532(以及如果要使用非导电膏或膜，则在与第一侧522相对的铜柱532上形成焊料凸块)。
40.图6a至图6f示出了根据本公开的一些示例的用于组装半导体封装件的第二部分的示例性方法。如图6a所示，该方法继续通过将第一smd 541、第四smd 540和铜球554放置
在第三虚拟载体503上来组装第二部分。如图6b所示，该方法继续用第一模具封装剂550封装第一smd 541、第四smd 540和铜球554。如图6c所示，该方法继续对第一模具密封剂550进行背面研磨，以露出铜球554。如图6d所示，该方法继续分离第三虚拟载体503。如图6e所示，该方法继续在第一模具密封剂550的背面附接第四虚拟载体504。如图6f所示，该方法继续进行包括在第一smd 541和第四smd 540的有源侧上的n个层的第一rdl 510的构建，以及对应于半导体封装件500的第一部分上的铜柱532的位置的焊盘开口的形成。
41.图7a至图7f示出了根据本公开的一些示例的用于将第一部分和第二部分组装成半导体封装件的示例性方法。如图7a所示，该方法继续通过在第一部分与第二部分之间施加底部填充剂534，诸如非导电膏、非导电膜或各向异性导电膜来组装第一部分和第二部分。如图7b所示，该方法继续将第一部分连接到第二部分，以形成连接层530，该连接层530包括铜柱532(以及如果使用非导电底部填充剂，则为焊料凸点)和底部填充剂534的交替区域。如图7c所示，该方法继续从第二部分分离第四虚拟载体504。如图7d所示，该方法继续蚀刻工艺以暴露铜球554。如图7e所示，该方法继续在所暴露的铜球554上形成焊料球556并使焊料球556回流。如图7f所示，该方法以从第一部分分离第二虚拟载体502结束。应当理解，通过在两个部分的组装期间将附加smd嵌入连接层530中，可以将附加smd添加到半导体封装件500。此外，在将smd放置在第二部分上期间，通过添加导电柱或过孔，诸如390和490，可以包括用于第二部分的附加外部连接。
42.图8示出了根据本公开的一些示例的用于组装半导体封装件的示例性部分方法。如图8所示，用于组装半导体封装件的方法800可以在块802中，将第一表面安装器件(smd)附接在第一再分布层(rdl)的第二侧，其中，第一rdl包括n个层。部分方法800可以在框804中继续将第二smd附接在第二rdl的第二侧，其中，第二rdl包括m个层。部分方法800可以在框806中，通过将连接层耦接到第一rdl的与第一rdl的第二侧相对的第一侧和第二rdl的与第二rdl的第二侧相对的第一侧来结束。框806的连接层可以包括铜柱和底部填充剂的交替区域。此外，底部填充剂可以是非导电膜和非导电膏中的一种，并且铜柱的区域可以包括耦接到第一rdl的铜柱和耦接到第二rdl的焊料层。可选地，底部填充剂可以是各向异性导电膜，并且铜柱的区域可以包括耦接到第一rdl的铜柱，并且各向异性导电膜可以在铜柱和第二rdl之间耦接到第二rdl。
43.图9示出了根据本公开的一些示例的示例性移动设备。现在参考图9，描述了根据示例性方面配置的移动设备的框图，并总体指定为900。在一些方面，移动设备900可以被配置为无线通信设备。如图所示，移动设备900包括处理器901，处理器901可被配置为在一些方面实现本文所述的方法。如本领域所公知的，处理器901被示为包括指令流水线912、缓冲器处理单元(bpu)908、分支指令队列(biq)911和节流器910。为了清楚起见，从处理器901的视图中省略了这些框的其他公知细节(例如，计数器、条目、置信域、加权和、比较器等)。
44.处理器901可以通过链路通信地耦接到存储器932，该链路可以是管芯到管芯或芯片到芯片链路。移动设备900还包括显示器928和显示器控制器926，其中，显示器控制器926耦接到处理器901和显示器928。
45.在一些方面，图9可以包括耦接到处理器901的编码器/解码器(codec)934(例如，音频和/或语音codec)；耦接到codec 934的扬声器936和麦克风938；以及耦接到无线天线942和处理器901的无线控制器940(其可以包括调制解调器)。
46.在特定方面，在存在上述框中的一个或多个的情况下，处理器901、显示器控制器926、存储器932、codec 934和无线控制器940可以包括在封装内系统或片上系统设备922中。输入设备930(例如，物理或虚拟键盘)、电源944(例如，电池)、显示器928、输入设备930、扬声器936、麦克风938、无线天线942和电源944可以在片上系统设备922的外部，并且可以耦接到片上系统设备922的组件，诸如接口或控制器。
47.应当注意，尽管图9描绘了移动设备，但处理器901和存储器932也可以集成到机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、个人数字助理(pda)、固定位置数据单元、计算机、膝上型计算机、平板电脑、通信设备、移动电话或其他类似设备中。
48.图10示出了根据本公开的一些示例的可与前述集成设备、半导体设备、集成电路、管芯、插入器、封装或层迭封装(package-on-package，pop)中的任一个集成的各种电子设备。例如，移动电话设备1002、膝上型计算机设备1004和固定位置终端设备1006可以包括如本文所述的集成设备1000。集成设备1000可以例如是本文描述的集成电路、管芯、集成设备、集成设备封装、集成电路设备、设备封装、集成电路(ic)封装、层迭封装设备中的任一个。图10所示的设备1002、1004、1006仅是示例性的。其他电子设备也可以以集成设备1000为特征，包括但不限于一组设备(例如，电子设备)，其包括移动设备、手持个人通信系统(pcs)单元、诸如个人数字助理的便携式数据单元、启用全球定位系统(gps)的设备、导航设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、诸如抄表设备的固定位置数据单元、通信设备、智能电话、平板计算机、计算机、可穿戴设备、服务器、路由器、在汽车(例如，自动车辆)中实现的电子设备、或存储或检索数据或计算机指令的任何其他设备，或其任何组合。
49.将理解，本文公开的各个方面可描述为本领域技术人员描述和/或认识的结构、材料和/或设备的功能等同物。例如，在一个方面，半导体封装件(例如，半导体封装件100、半导体封装件200、半导体封装件300、半导体封装件400和半导体封装件500)可以包括：用于路由信号的第一再分布装置(例如，第一rdl 110、第一rdl 210、第一rdl 310、第一rdl 410和第一rdl 510)，其中，第一再分布装置包括n个层；用于路由信号的第二再分布装置(例如，第二rdl120、第二rdl 220、第二rdl 320、第二rdl 420和第二rdl520)，其中，第二再分布装置包括m个层；连接装置，用于连接耦接到第一再分布装置的第一侧和第二再分布装置的第一侧的层(例如，连接层130、连接层230、连接层330、连接层430和连接层530)；第一表面安装器件(例如，第一smd 141、第一smd 241、第一smd 341、第一smd 441和第一smd 541)，耦接到第一再分布装置的与第一再分布装置的第一侧相对的第二侧；以及第二表面安装器件(例如，第二smd 142、第二smd 242、第二smd 342、第二smd 442和第二smd 542)，耦接到第二再分布装置的与第二再分布装置的第一侧相对的第二侧。将理解，前述方面仅作为示例提供，并且所要求保护的各个方面不限于作为示例引用的特定参考和/或图示。
50.图1至图10所示的组件、过程、特征和/或功能中的一个或多个可以被重新排列和/或组合成单个组件、过程、特征或功能，或者被合并到几个组件、过程或功能中。在不脱离本公开的情况下，还可以添加附加的元件、组件、过程和/或功能。还应注意，图1至图10及其在本公开中的相应描述不限于管芯和/或ic。在一些实现中，图1至图10及其相应描述可用于制造、创建、提供和/或生产集成设备。在一些实现中，设备可包括管芯、集成设备、管芯封装、集成电路(ic)、设备封装、集成电路(ic)封装、晶片、半导体设备、层迭封装(pop)设备和/或内插器。
51.如本文所使用的，术语“用户设备”(或“ue”)、“用户设备”、“用户终端”、“客户端设备”、“通信设备”、“无线设备”、“无线通信设备”、“手持设备”、“移动设备”、“移动终端”、“移动台”、“手机”、“接入终端”、“订户设备”、“订户终端”、“订户台”、“终端”及其变体可互换地指代能够接收无线通信和/或导航信号的任何合适的移动或固定设备。这些术语包括但不限于音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、汽车中的自动设备和/或通常由人携带和/或具有通信能力(例如，无线、蜂窝、红外、短程无线电等)的其他类型的便携式电子设备。这些术语还旨在包括与可接收无线通信和/或导航信号的另一设备通信的设备，诸如通过短程无线、红外、有线连接或其他连接，而不管卫星信号接收、辅助数据接收和/或位置相关处理是否发生在该设备或另一设备。此外，这些术语旨在包括能够经由无线电接入网络(ran)与核心网络通信的所有设备，包括无线和有线通信设备，并且通过核心网络，ue可以与诸如因特网的外部网络以及与其他ue连接。当然，对于ue来说，连接到核心网络和/或因特网的其他机制也是可能的，诸如通过有线接入网络、无线局域网(wlan)(例如，基于ieee 802.11等)等等。ue可以由包括但不限于印刷电路(pc)卡、紧凑型闪存设备、外部或内部调制解调器、无线或有线电话、智能电话、平板电脑、跟踪设备、资产标签等多种类型设备中的任一种来实现。ue可以通过其向ran发送信号的通信链路被称为上行链路信道(例如，反向业务信道、反向控制信道、接入信道等)。ran可以通过其向ue发送信号的通信链路被称为下行链路或前向链路信道(例如，寻呼信道、控制信道、广播信道、前向业务信道等)。如本文所使用的，术语业务信道(tch)可以指上行链路/反向或下行链路/前向业务信道。
52.电子设备之间的无线通信可以基于不同的技术，诸如码分多址(cdma)、w-cdma、时分多址(tdma)、频分多址(fdma)、正交频分复用(ofdm)、全球移动通信系统(gsm)、3gpp长期演进(lte)、蓝牙(bt)、蓝牙低能量(ble)、ieee 802.11(wifi)和ieee 802.15.4(zigbee/thread)或者可以在无线通信网络或数据通信网络中使用的其他协议。蓝牙低能量(也称为蓝牙le、ble和蓝牙智能)是由蓝牙特别兴趣小组设计和销售的无线个人区域网络技术，旨在提供相当低的功耗和成本，同时保持类似的通信范围。ble在2010年被合并到主要蓝牙标准中，其采用了蓝牙核心规范版本4.0并在蓝牙5中进行了更新(两者都明确地整体并入本文)。
[0053]“示例性”一词在本文中用于表示“用作示例、实例或说明”。本文描述为“示例性”的任何细节都不应被解释为优于其他示例。同样，术语“示例”并不意味着所有示例都包括所讨论的特征、优点或操作模式。此外，特定特征和/或结构可以与一个或多个其他特征和/或结构组合。此外，在此描述的装置的至少一部分可以被配置为执行在此描述的方法的至少一部分。
[0054]
本文所使用的术语是为了描述特定示例的目的，而不旨在限制本公开的示例。如本文所使用的，单数形式“一)”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文明确另有指示。将进一步理解，当在本文使用时，术语“包括”和/或“包含”指定所述特征、整数、动作、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、动作、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。
[0055]
应当注意，术语“连接的”、“耦接的”或其任何变体意味着元件之间的任何直接或
间接的连接或耦接，并且可以包括经由中间元件“连接”或“耦接”在一起的两个元件之间的中间元件的存在。
[0056]
本文使用诸如“第一”、“第二”等名称对元件的任何引用并不限制这些元件的数量和/或顺序。相反，这些名称被用作区分两个或多个元件和/或元件实例的方便方法。此外，除非另有说明，否则一组元件可以包括一个或多个元件。
[0057]
本技术中所描述或所示出的任何内容都不旨在使任何组件、动作、特征、益处、优势或等价物专用于公众，而不管该组件、动作、特征、益处、优势或等价物是否在权利要求中被叙述。
[0058]
在上面的详细描述中，可以看到不同的特征在示例中被分组在一起。这种公开方式不应被理解为这样的意图，即，所要求保护的示例具有比在相应的权利要求中明确提及的特征更多的特征。相反，本公开可以包括比所公开的单个示例的所有特征更少的特征。因此，下面的权利要求应被认为包含在说明书中，其中，每个权利要求本身可以作为单独的示例。尽管每个权利要求本身可以作为单独的示例，但应当注意，尽管从属权利要求在权利要求中可以指代与一个或多个权利要求的特定组合，但是其他示例也可以包含或包括所述从属权利要求与任何其他从属权利要求的主题的组合或与其他从属和独立权利要求的任何特征的组合。本文提出这样的组合，除非明确表示不旨在进行特定的组合。此外，本公开还旨在将一项权利要求的特征包括在任何其他独立权利要求中，即使所述权利要求并不直接依赖于该独立权利要求。
[0059]
还应注意，在说明书或权利要求书中公开的方法、系统和装置可以由包括用于执行该方法的相应动作的装置的设备来实现。
[0060]
此外，在一些示例中，单个动作可以细分为多个子动作或包含多个子动作。这些子动作可以包含在单个动作的公开中，并且是单个动作的公开的一部分。
[0061]
尽管前述公开示出了本公开的说明性示例，但应当注意，在不脱离由所附权利要求限定的本公开的范围的情况下，可以在本文中进行各种改变和修改。不需要以任何特定顺序执行根据本文描述的本公开的示例的方法权利要求的功能和/或动作。另外，将不详细描述公知元件，或者可以省略公知元件，以便不模糊本文公开的方面和示例的相关细节。此外，尽管可以以单数形式来描述或要求保护本公开的元件，但除非明确说明限于单数形式，否则可以预期复数形式。