超声波振动式不良检测装置及线材不良检测系统的制作方法

1.本发明涉及一种超声波振动式不良检测装置的结构，使检查对象物进行超声波振动来检测检查对象物的不良。


背景技术：

2.以线材将基板的电极与半导体芯片的电极之间连接的打线接合(wirebonding)装置正被大量使用。打线接合装置中，可使用下述方法，即：通过在线材与半导体芯片之间流动电流等电性手段，来进行半导体芯片的电极与线材之间的连接不良的检测(例如参照专利文献1)。
3.另外，打线接合装置中，可使用下述方法，即：通过检测瓷嘴落地至接合结束为止的、z方向的移位等机械手段，来进行半导体芯片的电极与线材之间的连接不良的检测(例如参照专利文献2)。
4.现有技术文献
5.专利文献
6.专利文献1：日本专利特开平9-213752号公报
7.专利文献2：日本专利特开2010-56106号公报


技术实现要素：

8.发明所要解决的问题
9.此外，近年来要求线材等检查对象物的不良检测的高精度化。然而，专利文献1、专利文献2所记载的利用电性手段或机械手段的不良检测有时会发生误检测。
10.另外，要求进行将半导体芯片的电极与基板的电极连接的、所有线材的不良检测。然而，专利文献1、专利文献2所记载的不良检测方法针对每个线材进行不良检测，故而例如对于将一个半导体芯片与基板连接的线材达到百根以上的半导体芯片而言，有检查耗费长时间等问题。
11.因此，本发明的目的在于高精度且短时间地进行检查对象物的不良检测。
12.解决问题的技术手段
13.本发明的超声波振动式不良检测装置检测检查对象物的不良，其特征在于包括：超声波振动器，使检查对象物进行超声波振动；电源，对超声波振动器供给高频电力；摄像装置，拍摄受超声波振动的检查对象物；以及控制部，调整自电源对超声波振动器供给的高频电力的频率，并且进行检查对象物的不良检测，且控制部一方面使自电源对超声波振动器供给的高频电力的频率变化，一方面利用摄像装置来拍摄检查对象物的图像，并基于所拍摄的图像来进行检查对象物的不良检测。
14.如此，使自电源对超声波振动器供给的高频电力的频率变化，故而能以各种频率使检查对象物进行超声波振动，可高精度地检测检查对象物的不良。
15.在本发明的超声波振动式不良检测装置中，检查对象物也可包含成为不良检测的
对象的对象部、及并未成为不良检测的对象的非对象部，控制部在使自电源对超声波振动器供给的高频电力的频率变化时，以根据摄像装置所拍摄的图像检测的对象部的振幅相对于根据摄像装置所拍摄的图像检测的非对象部的振幅的比率成为既定值以上的方式，调整自电源对超声波振动器供给的高频电力的电压。
16.由此，在使检查对象物进行超声波振动时，对象部的振幅相对于非对象部的振幅变大，可高精度地检测检查对象物的对象部的不良。
17.在本发明的超声波振动式不良检测装置中，也可包括：电流传感器，检测自电源对超声波振动器供给的高频电力的电流，控制部在使自电源对超声波振动器供给的高频电力的频率变化时，以电流传感器所检测的电流成为既定的范围内的方式，调整自电源对超声波振动器供给的高频电力的电压。
18.超声波振动器具有其自身发生共振的频率。因此，若在超声波振动时向超声波振动器输入共振频率的高频电力，则由共振导致超声波振动器的阻抗(impedance)降低，超声波振动器的振幅变大，检查对象物总体大幅度地振动。由此，有时对象部的振幅被非对象部的振幅遮蔽而无法检测。超声波振动器的振幅与对超声波振动器输入的高频电力的电流成比例，故而通过利用电流传感器来检测对超声波振动器输入的高频电力的电流，并以所检测的电流成为既定的范围内的方式来调整高频电力的电压，从而可将高频电力的电流设为既定的范围内而将超声波振动器的振幅设为既定的范围内。由此，可抑制使检查对象物进行超声波振动时检查对象物总体大幅度地振动，对象部的振幅被非对象部的振幅遮蔽而无法检测的情况，可高精度地检测检查对象物的对象部的不良。
19.在本发明的超声波振动式不良检测装置中，控制部也可包含映射(map)，所述映射以自电源对超声波振动器供给的高频电力的电流成为既定的范围内的方式，预先规定自电源对超声波振动器供给的高频电力的电压相对于自电源对超声波振动器供给的高频电力的频率的变化，在使自电源对超声波振动器供给的高频电力的频率变化时，基于映射来调整自电源供给于超声波振动器的高频电力的电压。
20.由此，无需根据电流传感器所检测的电流的反馈来调整高频电力的电压，能以简便的结构来抑制在使检查对象物进行超声波振动时检查对象物总体大幅度地振动，对象部的振幅被非对象部的振幅遮蔽而无法检测的情况，可高精度地检测检查对象物的对象部的不良。
21.在本发明的超声波振动式不良检测装置中，检查对象物也可为半导体装置，所述半导体装置包括：基板；半导体元件，安装于基板；以及线材，将半导体元件的电极与基板的电极连接，或者将半导体元件的一个电极与半导体元件的另一电极连接，控制部在使自电源对超声波振动器供给的高频电力的频率变化时，以根据摄像装置所拍摄的图像检测的线材的振幅相对于根据摄像装置所拍摄的图像检测的基板及半导体元件的振幅的比率成为既定值以上的方式，调整自电源对超声波振动器供给的高频电力的电压。
22.由此，在使基板及半导体元件进行超声波振动时，线材的振幅相对于基板或半导体元件的振幅变大，可高精度地检测检查对象物的对象部的不良。
23.在本发明的超声波振动式不良检测装置中，控制部也可以所检测的线材的振幅部超过既定的上限振幅的方式，调整自电源对超声波振动器供给的高频电力的电压。
24.由此，可抑制使半导体装置进行超声波振动时的、线材的过度振动。
25.在本发明的超声波振动式不良检测装置中，控制部也可一方面使自电源对超声波振动器供给的高频电力的频率变化，一方面利用摄像装置来拍摄半导体装置的动画，算出所拍摄的动画的一个讯框与此前的前讯框的线材的图像的差量，在差量超过既定的阈值的情形时，输出线材的不良检测信号。
26.由此，可根据线材的振幅来进行线材的不良的检测。
27.在本发明的超声波振动式不良检测装置中，控制部也可使算出差量的一个讯框与前讯框之间的讯框数、或动画的框率变化而算出差量。
28.由此，即便在线材的频率变化的情形时，也可检测线材的图像的差量，可提高不良的检测精度。
29.在本发明的超声波振动式不良检测装置中，超声波振动器也可为连接于检查对象物并使检查对象物进行超声波振动的超声波振子、或配置于检查对象物的周围的超声波喇叭。
30.由此，可利用简便的结构来进行检查对象物的不良的检测。
31.本发明的线材不良检测系统检测半导体装置的线材的不良，所述半导体装置包括：基板；半导体元件，安装于基板；以及线材，将半导体元件的电极与基板的电极连接，或者将半导体元件的一个电极与半导体元件的另一电极连接，且所述线材不良检测系统的特征在于包括：超声波振动器，使半导体装置进行超声波振动；电源，对超声波振动器供给高频电力；摄像装置，拍摄受超声波振动的半导体装置；显示器，显示由摄像装置所拍摄的图像；以及控制部，一方面调整从电源对超声波振动器供给的高频电力的频率，一方面进行线材的不良的检测，且控制部一方面使自电源对超声波振动器供给的高频电力的频率变化，一方面利用摄像装置来拍摄半导体装置的动画，算出所拍摄的动画的一个讯框与此前的前讯框的图像的差量，在差量超过既定的阈值的情形时，使线材的显示图像与其他线材的显示图像不同而显示于显示器。
32.如此，在差量超过既定的阈值时，使线材的显示图像与其他线材的显示图像不同，因而可通过显示器的显示来容易地检测线材的不良。
33.发明的效果
34.本发明可高精度且短时间地进行检查对象物的不良检测。
附图说明
35.图1为表示实施方式的超声波振动式不良检测装置的结构的系统图。
36.图2为表示图1所示的超声波振动式不良检测装置的照相机从上方拍摄半导体装置的图像的图。
37.图3为表示现有技术的将对超声波振子供给的高频电力的电压设为一定的情形时的、相对于高频电力的频率的、超声波振子的阻抗变化及高频电力的电流的变化的图。
38.图4为表示在实施方式的超声波振动式不良检测装置中，以电流传感器所检测的电流成为一定的方式使对超声波振子供给的高频电力的电压变化的情形时的、高频电力的电压的变化及电流的变化的图。
39.图5为表示图1所示的超声波振动式不良检测装置的动作的流程图。
40.图6为使基板进行超声波振动时的图2的a部的放大平面图及图6中所示的b部的放
大俯视图。
41.图7为表示在实施方式的超声波振动式不良检测装置中，以对超声波振子供给的高频电力的电流成为一定的方式，预先规定高频电力的电压相对于高频电力的频率的变化的映射的图。
42.图8为表示在实施方式的超声波振动式不良检测装置中，以对超声波振子供给的高频电力的电流成为既定的范围内的方式，预先规定高频电力的电压相对于高频电力的频率的变化的另一映射的图。
43.图9为表示实施方式的线材不良检测系统的结构的系统图。
44.图10为表示图9所示的线材不良检测系统的动作的流程图。
45.图11为表示使基板进行超声波振动时的超过区域的俯视图。
具体实施方式
46.以下，一方面参照附图一方面对实施方式的超声波振动式不良检测装置100进行说明。以下的说明中，设超声波振动式不良检测装置100进行作为检查对象物的半导体装置10的线材30的不良检测来进行说明，但也可用于其他检查对象物的不良检测。
47.如图1所示，超声波振动式不良检测装置100包括作为超声波振动器的超声波振子42、高频电源40、作为摄像装置的照相机45及控制部50。
48.如图1所示，成为超声波振动式不良检测装置100的检查对象的半导体装置10在基板11上四阶地层叠安装有半导体芯片21～半导体芯片24，以一根线材30将各半导体芯片21～24的各电极25～28及基板11的电极12之间连续地连接。此处，半导体芯片21～半导体芯片24构成半导体元件20。一根线材30包含：第一阶线材31，将第一阶的半导体芯片21的电极25与基板11的电极12连接；以及第二阶线材32～第四阶线材34，将第二阶至第四阶的各半导体芯片22～24的各电极26～28、与第一阶至第三阶的各半导体芯片21～23的各电极25～27分别连接。半导体装置10的基板11及半导体芯片21～半导体芯片24构成并未成为不良检测的对象的、非对象部，线材30构成进行不良检测的对象部。
49.高频电源40输出超声波区域的频率的交流电力，使超声波振子42进行超声波振动。超声波振子42为由自高频电源40输入的超声波的频率区域的高频电力所驱动而进行超声波振动的构件。例如，也可包含压电元件等。超声波振子42连接于半导体装置10的基板11，使基板11进行超声波振动。
50.在高频电源40与超声波振子42之间，安装有检测从高频电源40对超声波振子42供给的高频电力的电压的电压传感器53、及检测高频电力的电流的电流传感器54。
51.照相机45配置于半导体装置10的上侧，如图2所示，拍摄基板11及安装于基板11的半导体芯片21～半导体芯片24、配置于半导体芯片21～半导体芯片24的外周部的各电极25～28、配置于第一阶的半导体芯片21的周围的基板11的电极12、以及将各电极12、25～28连续地连接的各线材30。
52.控制部50为内部包含中央处理器(central processing unit，cpu)51及存储器52的组件(component)。高频电源40连接于控制部50，根据控制部50的指令而动作。照相机45连接于控制部50，根据控制部50的指令而动作。由照相机45所拍摄的动画输入至控制部50。电压传感器53、电流传感器54连接于控制部50，由电压传感器53、电流传感器54所检测的高
频电力的电压及电流的数据输入至控制部50。控制部50一方面使自高频电源40对超声波振子42供给的高频电力的频率变化，一方面拍摄利用照相机45所拍摄的、半导体装置10的图像，并基于所拍摄的图像来进行半导体装置10的不良的检查。
53.继而，一方面参照图3，一方面对如现有技术那样将自高频电源40对超声波振子42供给的高频电力的电压v0设为一定的情况下的、相对于频率f的阻抗及电流a0的变化进行说明。
54.如图3所示的一点划线c0那样，若将自高频电源40对超声波振子42供给的高频电力的电压v0设为一定，使高频电力的频率f变化，则超声波振子42自身以频率f1共振。由此，超声波振子42的阻抗如图3中的虚线a所示，在频率f1时大幅度地降低。另一方面，在频率f1与最大频率f3之间的频率f2时，超声波振子42的阻抗大幅度地上升。
55.若如图3中的虚线a所示那样超声波振子42的阻抗在频率f1的附近大幅度地降低，则如图3中的实线b0所示，对超声波振子42供给的高频电力的电流a0大幅度地上升。反之，若超声波振子42的阻抗在频率f2的附近大幅度地上升，则对超声波振子42供给的高频电力的电流a0大幅度地降低。对超声波振子42供给的电流a0的大小与超声波振子42的振幅成比例。因此，在超声波振子42共振的频率f1附近，超声波振子42的振幅大幅度地上升而基板11的振幅大幅度地增加，在频率f2附近，超声波振子42的振幅大幅度地降低而基板11的振幅大幅度地减小。
56.因此，在超声波振子42共振的频率f1时，基板11、半导体芯片21～半导体芯片24及线材30均大幅度地振动，因而有时线材30的振幅被基板11及半导体芯片21～半导体芯片24的振幅遮蔽而难以检测。
57.反之，在频率f2时，基板11、半导体芯片21～半导体芯片24及线材30的振幅变得非常小，有时无法检测线材30的振幅。
58.如以上所说明，在如现有技术那样将自高频电源40对超声波振子42供给的电压v0设为一定而使频率变化的情形时，有时在超声波振子42共振的频率f1附近，难以检测线材30的振幅。
59.因此，实施方式的超声波振动式不良检测装置100中，着眼于超声波振子42的振幅与对超声波振动器输入的高频电力的电流成比例，利用电流传感器54来检测输入至超声波振子42的高频电力的电流a1，以所检测的电流a1成为既定的范围内的方式来调整高频电力的电压v1。由此，可将高频电力的电流a1设为既定的范围内而将超声波振子42的振幅设为既定的范围内。而且，在使高频电力的频率变化而使半导体装置10进行超声波振动时，可抑制下述情况，即：作为检测的非对象部的基板11或半导体元件20的振幅在特定的频率大幅度地振动，作为检测的对象部的线材30的振幅被基板11或半导体元件20的振幅遮蔽而无法检测。
60.以下，一方面参照图4，一方面对实施方式的超声波振动式不良检测装置100中，以电流传感器54所检测的电流a1成为一定的方式使对超声波振子42供给的高频电力的电压v1变化的情形时的、高频电力的电压v1的变化及电流a1的变化动作进行说明。
61.实施方式的超声波振动式不良检测装置100中，将由电流传感器54所检测的电流a1反馈给控制部50，在高频电力的电流a1增加的频率f1附近，如图4的一点划线c1所示那样使对超声波振子42供给的高频电力的电压v1降低。另一方面，在由电流传感器54所检测的
电流a1减小的频率f2附近，如图4的一点划线c1所示那样使对超声波振子42供给的高频电力的电压v1上升。由此，可如图4中的实线d1所示，使电流传感器54所检测的电流a1的大小与频率f无关而大致一定。
62.如此，通过以自高频电源40对超声波振子42供给的高频电力的电流a1成为大致一定的方式进行反馈控制，从而即便在使高频电力的频率f变化的情形时，也可使超声波振子42的振幅大致一定，且使基板11及半导体元件20的振幅大致一定。
63.而且，此时能以根据照相机45所拍摄的图像检测的线材30的振幅相对于根据照相机45所拍摄的图像检测的基板11及半导体元件20的振幅的比率成为既定值以上的方式，来调整电压。由此，可在各频率f抑制线材30的振幅受基板11或半导体元件20的振幅干扰而检测精度降低，可靠地检测线材30的振幅，可高精度地进行线材30的不良的检测。另外，此时通过一方面确认照相机45所拍摄的线材30的图像，一方面以线材30的振幅不超过上限振幅的方式来调整高频电力的电压，从而可抑制在不良检测中线材30因过度振动而损伤。
64.继而，一方面参照图5、图6，一方面对实施方式的超声波振动式不良检测装置100的、线材30的不良的检测动作进行说明。
65.如图5的步骤s101所示，控制部50的cpu51一方面以电流传感器54所检测的电流a1成为大致一定的方式调整高频电力的电压v1，一方面使高频电力的频率f变化并且使半导体装置10进行超声波振动。
66.控制部50如图5的步骤s102所示，拍摄正振动的半导体装置10的动画，如图5的步骤s103所示那样将所拍摄的图像数据保存于存储器52。
67.控制部50的cpu51使高频电力的频率在既定的超声波频率的范围变化，拍摄半导体装置10的动画并保存于存储器52后，进入图5的步骤s104，将一个讯框与前讯框的线材30的图像进行比较，算出位置的差量δd。
68.图6的a部详细所示的线材30a正常连接于各电极12、25～28。线材30a若进行超声波振动，则第一阶线材31a～第四阶线材34a以第一阶线材31a～第四阶线材34a的下端各自所连接的各电极12、25～27与上端所连接的各电极25～28各自之间的自然频率g0在横向振动。自然频率90视线材30的直径与电极25、26及电极26、27的间隔l而不同，但通常的半导体装置10中，大多为几十赫兹(hz)级。
69.另一方面，关于不良线材30b，与第二阶的半导体芯片22的电极26之间成为未连接状态。因此，若使不良线材30b进行超声波振动，则第二阶线材32b及第三阶线材33b以第一阶的半导体芯片21的电极25与第三阶的半导体芯片23的电极27之间的自然频率g1在横向振动。本例中，如图6的b部详细所示，电极25与电极27的间隔l成为电极25、26与电极26、27的间隔l的2倍即2l，因而不良线材30b的第二阶线材32b及第三阶线材33b的自然频率g1为g0的1/2左右，通常的半导体装置10中，大多成为20hz～30hz级。
70.正常连接的线材30a的第一阶线材31a～第四阶线材34a以几十hz的自然频率g0在横向振动。动画的框率为在一秒钟24讯框～60讯框。因此，例如一个讯框的第一阶线材31a～第四阶线材34a的图像在图6的a部详细中成为线材30a的中心线39a的左侧的一点划线那样，前一个的前讯框的图像在图6的a部详细中成为线材30a的中心线39a的右侧的一点划线那样。
71.控制部50的pcu51在图5的步骤s104中，将图6的a部详细所示的一个讯框的第一阶
线材31a～第四阶线材34a的图像、与前一个的前讯框的第一阶线材31a～第四阶线材34a的图像进行比对，算出其间的差量δda。如图6的a部详细所示，正常的线材30a的情况下所述差量δda小。再者，所述差量δda成为与第一阶线材31a～第四阶线材34a的振幅成比例的量。
72.另一方面，与第二阶的半导体芯片22的电极26之间成为未连接状态的不良线材30b的第二阶线材32b及第三阶线材33b以20hz～30hz在横向大幅度地振动。如上文所述，动画的框率为一秒钟24讯框～60讯框，例如一个讯框的第二阶线材32b及第三阶线材33b的图像在图6的a部详细、b部详细中，成为不良线材30b的中心线39b的左侧的一点划线那样，前一个的前讯框的图像在图6的a部详细、b部详细中，成为不良线材30b的中心线39b的右侧的一点划线那样。
73.控制部50的cpu51与线材30a的情形同样地，如图6的b部详细所示，算出一个讯框的第二阶线材32b及第三阶线材33b的图像、与前一个的前讯框的第二阶线材32b及第三阶线材33b的图像的差量δdb。如图6的b部详细所示，对于不良线材30b的第二阶线材32b及第三阶线材33b而言，所述差量δdb非常大，超过既定的阈值δs。再者，所述差量δdb成为与第二阶线材32b及第三阶线材33b的振幅成比例的量。
74.控制部50的cpu51如图6的b部详细所示，在一个讯框的第二阶线材32b及第三阶线材33b的图像、与前一个的前讯框的第二阶线材32b及第三阶线材33b的图像的差量δdb超过既定的阈值δs的情形时，在图5的步骤s105中判断为是(yes)，进入图5的步骤s106，将表示半导体装置10的线材30有不良的线材不良检测信号输出至外部。
75.另一方面，控制部50的cpu51在任一线材30的差量δd均未超过既定的阈值δs的情形时，在图5的步骤s105中判断为否(no)，进入图5的步骤s107，将表示半导体装置10的线材30为良好的线材良好信号输出至外部。
76.如以上所说明，实施方式的超声波振动式不良检测装置100以使自高频电源40对超声波振子42供给的高频电力的电流a1大致一定的方式进行反馈控制，由此即便在使高频电力的频率f变化的情形时，也可使超声波振子42的振幅大致一定，使基板11及半导体元件20的振幅大致一定。另外，通过以根据照相机45所拍摄的图像检测的线材30的振幅相对于根据照相机45所拍摄的图像检测的基板11及半导体元件20的振幅的比率成为既定值以上的方式调整电压，从而可抑制线材30的振幅被埋没于基板11及半导体元件20的振幅。由此，可在各种频率抑制线材30的振幅被埋没于基板11及半导体元件20的振幅，可在各种频率可靠地检测线材30的振幅。
77.另外，因线材30的未连接而线材30大幅度地振动的频率视未连接的位置、电极12及电极25～电极28的间隔l、线材30的直径等而有各种变化。实施方式的超声波振动式不良检测装置100可在各种频率可靠地检测线材30的振幅，故而可在因未连接而线材30的振幅大的各频率检测线材30的振幅，可高精度且短时间地进行线材30的不良检测。
78.以上的说明中，设为下述情况进行了说明，即：以自高频电源40对超声波振子42供给的高频电力的电流a1成为大致一定的方式进行反馈控制，由此即便在使高频电力的频率f变化的情形时，也使超声波振子42的振幅大致一定，但不限于此。
79.例如，如参照图3所说明，预先通过试验等而获取使高频电力的电压v0一定并使频率变化时的、高频电力的电流a0的变化，生成如图7中一点划线c2所示使电流a0的增加及减
小相反的电压波形，将所述电压波形作为表示相对于频率f的电压v2的变化的映射55而预先保存于存储器52。如图7中一点划线c2所示，映射55成为在频率f1附近电压降低且在频率f2时电压变高的波形。而且，在进行超声波振动时，也可参照保持于存储器52的映射55来调整相对于频率f的电压。此时，也如图7的实线d2所示，即便频率变化，对超声波振子42供给的电流a2也成为大致一定。
80.由此，可利用简便的结构来抑制下述情况，即：在使半导体装置10以各种频带进行超声波振动时，半导体装置10总体大幅度地振动，作为对象部的线材30的振幅被基板11或半导体元件20的振幅遮蔽而无法检测，可高精度地检测检查对象物的对象部的不良。
81.另外，也可使试验简便，如例如图8中一点划线c3所示，将使电压v3相对于频率f阶梯状地变化那样的电压波形作为映射56保存于存储器52。在所述情形时，如图8的实线d3所示，虽然对超声波振子42供给的电流a3并未成为大致一定，但在既定的范围δa中。由此，可利用更简便的方法来高精度且短时间地进行线材30的不良检测。
82.另外，控制部50的cpu51也可在使半导体装置10进行超声波振动时，使算出线材30的图像的差量δd的一个讯框与前讯框之间的讯框数、或动画的框率变化，算出线材30的图像的差量δd。由此，即便在线材30的频率变化的情形时，也可检测线材30的图像的差量δd，可提高不良的检测精度。
83.继而，参照图9对实施方式的线材不良检测系统200进行说明。图9所示的线材不良检测系统200检测半导体装置10的线材30的不良，所述半导体装置10包括：基板11；半导体芯片21～半导体芯片24，安装于基板11；以及线材31～线材34，将半导体芯片21～半导体芯片24的电极25～电极28与基板11的电极12连接，或者将半导体芯片21～半导体芯片24的一个电极25～28与半导体芯片21～半导体芯片24的另一电极25～28连接。线材不良检测系统200也可将作为上文所说明的超声波振动式不良检测装置100的超声波振动器的超声波振子42设为超声波喇叭43，并对控制部50追加显示照相机45所拍摄的图像的显示器48。另外，线材不良检测系统200不包括安装于超声波振动式不良检测装置100的电压传感器53、电流传感器54，在控制部50的存储器52中保存有参照图7、图8所说明的映射55或映射56。而且，控制部50的cpu51在使自高频电源40对超声波喇叭43供给的高频电力的频率f变化时，基于映射55或映射56来调整自高频电源40对超声波喇叭43供给的高频电力的电压。所述以外的结构与上文所说明的超声波振动式不良检测装置100相同。
84.超声波喇叭43配置于半导体装置10的周围，使半导体装置10进行超声波振动。
85.一方面参照图10、11一方面对线材不良检测系统200的动作进行说明。针对与上文中一方面参照图5、6一方面说明的超声波振动式不良检测装置100的动作相同的动作，标注相同的步骤编号而省略说明。
86.如图10的步骤s201、步骤s102～步骤s104所示，控制部50的cpu51一方面以电流传感器54所检测的电流a1成为大致一定的方式调整高频电力的电压v1，一方面使高频电力的频率f变化并且使半导体装置10进行超声波振动。继而，控制部50的cpu51拍摄正振动的半导体装置10的线材30的动画，将所拍摄的图像数据保存于存储器52。继而，控制部50使高频电力的频率在既定的超声波频率的范围变化，拍摄半导体装置10的动画并保存于存储器52后，与上文所说明同样地，将一个讯框与前讯框的图像进行比较，算出线材30的图像的差量δd。
87.控制部50的cpu51如图6的b部详细所示，在一个讯框的第二阶线材32b及第三阶线材33b的图像、与前一个的前讯框的第二阶线材32b及第三阶线材33b的图像的差量δdb超过既定的阈值δs的情形时，在图10的步骤s105中判断为是(yes)，进入图10的步骤s202，使第二阶线材32b及第三阶线材33b的图像的显示器48上的显示图像与正常连接的线材30a的第一阶线材31a～第四阶线材34a的显示图像不同。
88.关于不同显示，有各种显示，例如也可将不良线材30b的第二阶线材32b及第三阶线材33b的图像显示为红色。另外，也可以亮度高的白色显示，以可与基板11及各半导体芯片21～24的图像、或正常连接的线材30a的第一阶线材31a～第四阶线材34a的图像区分的方式显示。
89.检查员若观看显示器48的图像，则例如由于不良线材30b显示为红色，故而可一眼检测不良线材30b的有无及其位置。
90.控制部50的cpu51在图10的步骤s105中判断为否(no)的情形时，不使图像不同而结束处理。
91.另外，控制部50的cpu51也可如图11所示，在一个讯框的第二阶线材32b及第三阶线材33b的图像、与前一个的前讯框的第二阶线材32b及第三阶线材33b的图像的差量δdb超过既定的阈值δs的情形时，使图11中影线所示的第二阶线材32b及第三阶线材33b的振动区域内的差量δdb超过既定的阈值δs的超过区域35、超过区域36的图像显示，与其他区域的图像显示不同地显示于显示器48。例如在将超过区域35、超过区域36显示为红色的情形时，将比不良线材30b的第二阶线材32b及第三阶线材33b的图像更广的区域进行红色显示，故而检查员可更容易地检测不良线材30b。
92.如以上所说明，实施方式的线材不良检测系统200除了与上文所说明的超声波振动式不良检测装置100同样的效果以外，还可使不良线材30b的显示图像与其他显示图像区分而显示于显示器48上。由此，检查员可通过显示器48的图像来进行不良线材30b的检测。不良线材30b的振幅与正常连接的线材30a的振幅的差显著，故而可高精度地进行不良线材30b的不良检测。另外，可利用照相机45来获取半导体装置10所含的所有线材30的图像，同时进行分析并显示于显示器48，故而即便线材30的条数变多，也可在短时间进行所有线材30的不良检查。
93.符号的说明
94.10：半导体装置
95.11：基板
96.12、25～28：电极
97.20：半导体元件
98.21～24：半导体芯片
99.30、31～34：线材
100.35、36：超过区域
101.39a、39b：中心线
102.40：高频电源
103.42：超声波振子
104.43：超声波喇叭
105.45：照相机
106.48：显示器
107.50：控制部
108.51：cpu
109.52：存储器
110.53：电压传感器
111.54：电流传感器
112.55、56：映射
113.100：超声波振动式不良检测装置
114.200：线材不良检测系统