1.一种基板处理方法，包括以下工序：
将表面形成有含硅膜的基板保存在处理容器内；
第一工序，在使所述处理容器内为第一压力的状态下，向所述基板供给包含含卤素气体和碱性气体的处理气体，以使所述含硅膜改性并生成反应生成物；
第二工序，使所述处理容器内为低于所述第一压力的第二压力，以使所述反应生成物气化；以及
重复工序，交替重复进行所述第一工序和所述第二工序，
其中，所述重复工序中的第2次以后的所述第一工序为向残留有所述反应生成物的基板供给所述处理气体的工序。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述含硅膜为氧化硅膜或者氮化硅膜。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，
所述含硅膜为氧化硅膜。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述含卤素气体为氟化氢气体，所述碱性气体为氨气。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述第二压力为所述第一压力的15％以上。
6.一种基板处理装置，具备：
处理容器，其保存表面形成有含硅膜的基板；
压力变更机构，其变更所述处理容器内的压力；以及
处理气体供给机构，其向所述处理容器内供给包含含卤素气体和碱性气体的处理气体，
所述基板处理装置输出控制信号以进行以下步骤：
第一步骤，在使所述处理容器内为第一压力的状态下，向所述基板供给所述处理气体，以使所述含硅膜改性并生成反应生成物；
第二步骤，使所述处理容器内为低于所述第一压力的第二压力，以使所述反应生成物气化；以及
重复步骤，交替重复进行所述第一步骤和第二步骤，
其中，所述重复步骤中的第2次以后的所述第一步骤为向残留有所述反应生成物的基板供给所述处理气体的步骤。