校正半导体制造机台中晶圆位置的工具和方法与流程

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种校正半导体制造机台中晶圆位置的工具和方法。

背景技术：

目前，在半导体技术领域中，通常采用盲调(即：根据经验凭借感觉判断进行调整)的方式来调整晶圆在晶圆承载装置上的位置。但是采用盲调的方式并不能够准确的对晶圆位置进行调整，而需要花费大量时间对晶圆位置进行多次优化，从而耗费大量的时间。并且，由于盲调后的晶圆位置并不是很准确，从而对晶圆在制造后膜层的厚度、均匀度和颗粒物数量均会产生影响，因此使得晶圆制造后的产品良率较低。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现要素：

本公开目的在于提供一种校正半导体制造机台中晶圆位置的工具和方法，该工具和方法能够准确的调整晶圆在晶圆承载装置上的位置，从而显著提高晶圆制造后的产品良率。

本公开首先提供了一种校正半导体制造机台中晶圆位置的工具，所述半导体制造机台具有腔室，所述腔室的一侧设置有晶圆承载装置，所述晶圆能够放置在所述晶圆承载装置靠近所述腔室的表面上，且所述晶圆与所述晶圆承载装置边缘之间具有间隙，所述校正半导体制造机台中晶圆位置的工具包括：

盖板，设置在所述腔室远离晶圆承载装置的一侧，且所述盖板具有安装孔；

透明板，安装于所述安装孔内，且所述晶圆承载装置在所述透明板上的投影位于所述透明板内，所述盖板和所述透明板覆盖所述腔室；

第一标尺和第二标尺，设置在所述透明板上，所述第一标尺沿第一方向和背离第一方向的方向延伸至所述透明板边缘，所述第二标尺沿第二方向和背离第二方向的方向延伸至所述透明板边缘，且所述第一标尺和第二标尺上设置有多个均匀分布的刻度线；

其中，所述第二方向与所述第一方向相交。

在本公开的一种示例性实施例中，所述校正半导体制造机台中晶圆位置的工具还包括：

放大镜组件，安装于所述透明板上，且所述第一标尺和所述第二标尺位于所述放大镜组件靠近所述腔室的一侧，所述间隙在所述透明板上的投影与所述放大镜组件在所述透明板上的投影交叠。

在本公开的一种示例性实施例中，所述半导体制造机台具有机盖和机体，所述腔室位于所述机体内，且所述机盖可以与所述机体远离所述晶圆承载装置的一侧连接，所述第二方向为远离所述机盖的方向，所述放大镜组件包括：

两个第一放大镜和一个第二放大镜，

其中，两个所述第一放大镜在所述透明板上的投影分别位于所述第一标尺在所述透明板上的投影的两端，并且两个所述第一放大镜在所述透明板上的投影分别与所述间隙在所述透明板上的投影交叠，

所述第二放大镜在所述透明板上的投影位于所述第二标尺在远离所述机盖的一端，并与所述间隙在所述透明板上的投影交叠。

在本公开的一种示例性实施例中，所述半导体制造机台具有至少一个放气孔，所述盖板包括：

至少一个进气孔，位于所述盖板靠近所述腔室的一侧，且所述进气孔的数量与所述放气孔的数量相同，所述进气孔能够与所述放气孔对接，以接收从所述放气孔放出的气体；

至少一个出气孔，位于所述盖板靠近所述腔室的一侧，且所述出气孔相对于所述进气孔靠近所述透明板，所述出气孔与所述进气孔连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述盖板包括：

连接通道，所述连接通道位于所述盖板内，

所述至少一个进气孔和所述至少一个出气孔分别向远离所述腔室的方向延伸并与所述连接通道连接，以通过所述连接通道将所述进气孔与所述出气孔连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述校正半导体制造机台中晶圆位置的工具还包括：

至少一个第一定位块和至少一个第二定位块，所述至少一个第一定位块和至少一个第二定位块位于所述盖板靠近所述腔室的一侧，并与所述盖板连接，

其中，所述至少一个第一定位块位于所述盖板的一边缘，所述至少一个第二定位块位于所述盖板的另一边缘。

在本公开的一种示例性实施例中，所述校正半导体制造机台中晶圆位置的工具还包括：

至少一个提手，所述提手位于所述盖板远离所述腔室的一侧，并与所述盖板连接。

本公开另一方面提供了一种校正半导体制造机台中晶圆位置的方法，所述校正半导体制造机台中晶圆位置的方法应用上述任一项所述的校正半导体制造机台中晶圆位置的工具，所述校正半导体制造机台中晶圆位置的方法，包括：

将所述校正半导体制造机台中晶圆位置的工具放置在半导体制造机台上，并使所述晶圆承载装置在所述透明板上的投影位于所述透明板内；

将所述晶圆放置在所述晶圆承载装置上；

通过第一标尺和第二标尺观测所述晶圆与所述晶圆承载装置边缘之间的最大间隙，并将所述最大间隙与预设阈值进行比较；

当所述最大间隙大于所述预设阈值时，根据所述最大间隙与所述预设阈值调整所述晶圆位置，以使所述最大间隙小于或等于所述预设阈值；当所述最大间隙小于或等于所述预设阈值时，对所述晶圆位置不做调整。

在本公开的一种示例性实施例中，在所述使所述晶圆承载装置在所述透明板上的投影位于所述透明板内之后，在所述将所述晶圆放置在所述晶圆承载装置上之前，所述校正半导体制造机台中晶圆位置的方法还包括：

将所述腔室内的空气抽出，以使所述腔室处于真空状态。

在本公开的一种示例性实施例中，所述当所述最大间隙大于所述预设阈值时，根据所述最大间隙与所述预设阈值调整所述晶圆位置，以使所述最大间隙小于或等于所述预设阈值，包括：

当所述最大间隙大于所述预设阈值时，记录所述最大间隙与所述预设阈值的差值；

根据所述最大间隙与所述预设阈值的差值计算所述晶圆新的位置坐标；

根据所述新的位置坐标重新放置所述晶圆，比较重新放置的所述晶圆与所述晶圆承载装置边缘的最大间隙与所述预设阈值的大小；

当所述重新放置的所述晶圆和所述晶圆承载装置边缘的最大间隙小于或等于所述预设阈值时，完成所述晶圆位置的校正；当所述重新放置的所述晶圆和所述晶圆承载装置边缘的最大间隙大于所述预设阈值时，根据所述重新放置的所述晶圆和所述晶圆承载装置边缘的最大间隙与所述预设阈值再次调整所述晶圆位置，以使所述晶圆和所述晶圆承载装置边缘的最大间隙小于或等于所述预设阈值；

向所述腔室内输送气体，以使所述腔室内的气压与外界大气压相同，并将所述校正半导体制造机台中晶圆位置的工具从所述半导体制造机台上取出，以完成所述晶圆位置的校正。

本公开提供的技术方案可以达到以下有益效果：

本公开所提供的校正半导体制造机台中晶圆位置的工具，由于设置有透明板，从而可以通过透明板清晰地观测位于腔室内晶圆的位置情况。同时，由于第一标尺沿第一方向和背离第一方向的方向延伸至透明板边缘，第二标尺沿第二方向和背离第二方向的方向延伸至透明板边缘，且第一标尺和第二标尺上设置有多个均匀分布的刻度线。从而，通过第一标尺和第二标尺上的刻度线能够准确直观地观测晶圆与晶圆承载装置边缘的间隙值，进而能够通过该间隙值准确的对晶圆位置进行调整和校正，因此能够使得晶圆制造后的各项指标均满足预设要求，从而提高产品良率。

进一步的，由于第一方向和第二方向相交，从而能够通过第一标尺和第二标尺同时观测多个参考点，也就能够更加准确的观测晶圆的具体位置，进而增加了晶圆位置校正的准确度。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了根据本公开一示例性实施例的校正半导体制造机台中晶圆位置的工具的装配示意图；

图2示出了根据本公开一示例性实施例的图1的主视图的示意图；

图3示出了根据本公开一示例性实施例的图1的a-a截面的示意图；

图4示出了根据本公开一示例性实施例的图1的左视图的示意图；

图5示出了根据本公开一示例性实施例的校正半导体制造机台中晶圆位置的工具的仰视的结构示意图；

图6示出了根据本公开一示例性实施例的图2的b-b截面的示意图；

图7示出了根据本公开一示例性实施例的校正半导体制造机台中晶圆位置的方法的流程示意图。

附图标记说明：

1、半导体制造机台；2、腔室；3、晶圆承载装置；4、晶圆；5、间隙；6、盖板；7、透明板；8、第一标尺；9、第二标尺；10、第一放大镜；11、第二放大镜；12、第一定位块；13、第二定位块；14、提手；61、进气孔；62、出气孔；63、连接通道。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

本公开首先提供了一种校正半导体制造机台中晶圆位置的工具，如图1～6所示，该校正半导体制造机台中晶圆4位置的工具能够准确的对晶圆4位置进行调整和校正，从而能够使得晶圆4制造后各项指标均满足预设要求，从而提高晶圆制造后的产品良率。该半导体制造机台可以为半导体镀膜机台或者半导体蚀刻机台，但不限于此，也可以为奇特半导体制造机台，这均在本公开的保护范围之内。

上述半导体制造机台1可以具有腔室2，该腔室2可以具有上下两个开口。其中，该腔室2的一侧可以设置有晶圆承载装置3，即：晶圆承载装置3可以位于腔室2的一个开口处。进一步的，半导体制造机台1还可以具有机盖和机体，腔室2可以位于机体内，且该机盖可以位于机体远离晶圆承载装置3的一侧，并且可以与机体连接，该机盖能够相对机体发生旋转。当半导体制造机台1对晶圆4镀膜的时候，晶圆4可以放置在晶圆承载装置3靠近腔室2的表面上，旋转机盖从而使得腔室2密封后对晶圆4镀膜。

上述晶圆承载装置3可以具有承载台和至少一个升降柱。其中承载台可以位于晶圆承载装置3靠近腔室2的一侧，且晶圆4能够放置在该承载台上。上述升降柱可以穿过所述承载台，并且能够向远离和靠近所述承载台的方向运动。当晶圆4需要被放置在承载台上时，升降柱可以向远离承载台的方向运动，晶圆4可以放置在该升降柱上。当晶圆4放置在升降柱上后，升降柱可以向靠近承载台的方向运动，从而将晶圆4平稳的放置在承载台上。从而，通过在晶圆承载装置3上设置升降柱，能够更加平稳的防止晶圆4，防止晶圆4在放置的过程中发生损坏。

在本公开的一个实施例中，为了使得晶圆4被更加平稳的放置，晶圆承载装置3可以具有三个升降柱，但不限于此，本公开对升降柱的数量不做限制，均在本公开的保护范围之内。

进一步的，当晶圆4放置在承载台上时，晶圆4与晶圆承载装置3的边缘之间具有间隙5，可以理解的是，晶圆4与承载台的边缘之间可以具有间隙5。在本公开的一个实施例中，承载台的边缘可以与承载台的中间位置处于同一平面内，即：承载台的边缘的厚度与承载台的中间位置的厚度相同。或者承载台的边缘可以高于承载台的中间位置，即：承载台的边缘的厚度大于承载台的中间位置的厚度。需要说明的是，承载台的边缘可以环绕承载台的中间位置设置。

在本公开的一个实施例中，晶圆承载装置3可以为加热器，该加热器可以在半导体制造的过程中对放置在其上的晶圆4进行加热，但不限于此，晶圆承载装置3也可以不为加热器，这也在本公开的保护范围之内。

如图1所示，上述校正半导体制造机台中晶圆位置的工具可以包括：盖板6、透明板7、第一标尺8和第二标尺9。

具体地，盖板6可以设置在腔室2远离晶圆承载装置3的一侧，且该盖板6可以具有安装孔。

在本公开的一个实施例中，盖板6的形状可以和机体远离晶圆承载装置3的一侧的形状相同。例如：机体远离晶圆承载装置3的一侧的形状可以为六边形，其中和机盖连接的一边的长度可以大于与其相对的一边的长度。则该盖板6的形状可以为六边形，且盖板6靠近机盖的一边的长度大于与其相对的一边的长度。但是本公开对盖板6的形状不做限制，也可以不与机体远离晶圆承载装置3的一侧的形状相同，这均在本公开的保护范围之内。

该盖板6的材料可以为金属材料，以承载半导体制造机台1的高温。但不限于此，盖板6也可以为其他材料，只要耐热即可。

在本公开的一个实施例中，半导体制造机台1可以具有至少一个放气孔，该放气孔可以向腔室2提供气体，以使腔室2的气压与外界大气压相同。当半导体制造机台1具有至少一个放气孔时，如图5所示，盖板6可以包括至少一个进气孔61和至少一个出气孔62。

需要说明的是，图5为校正半导体制造机台中晶圆位置的工具的仰视的结构示意图，此处所说的仰视的方向可以为从半导体制造机台1指向校正半导体制造机台中晶圆位置的工具的方向。从而，可以理解的是，图5示出的是校正半导体制造机台中晶圆位置的工具靠近半导体制造机台1一侧的结构示意图。

至少一个进气孔61可以位于盖板6靠近腔室2的一侧，并且进气孔61的数量可以与放气孔的数量相同，同时进气孔61能够与放气孔对接，以用于接收从放气孔放出的气体。具体而言，当半导体制造机台1具有两个放气孔时，盖板6也可以具有两个进气孔61。并且两个放气孔和两个进气孔61一一对应，可以理解的是每一个放气孔可以和与其相对应的进气孔61对接。

进一步的，放气孔可以具有引导段，该引导段可以向远离半导体制造机台1的方向延伸。进气孔61的直径可以大于或等于引导段的外径，以使引导段可以伸入至进气孔61内，以使进气孔61和放气孔更好地对接。优选地，进气孔61的直径等于引导段的外径，从而使得引导段和进气孔61可以间隙5配合，从而防止放气孔放出的气体发生泄漏。

在本公开的一个实施例中，上述进气孔61和出气孔62的直径可以为0.3cm，但不限于此。

上述至少一个出气孔62位于盖板6靠近腔室2的一侧，并且出气孔62相对于进气孔61来说靠近透明板7，并且出气孔62可以和进气孔61连接。

在本公开的一个实施例中，如图6所示，盖板6可以包括连接通道63，该连接通道63可以设置在盖板6内。至少一个进气口和至少一个出气孔62分别向远离腔室2的方向延伸并与连接通道63连接，以通过连接通道63将进气孔61与出气孔62连接。通过设置连接通道63，能够更好的传输气体，防止气体发生泄漏。

在本公开的另一个实施例中，盖板6可以包括凹槽通道，该凹槽通道可以设置在盖板6靠近腔室2的一侧，出气孔62和进气孔61之间可以通过凹槽通道连接。通过凹槽通道能够将气体从进气口传向出气口。本公开对凹槽的深度不做限定，可以根据实际需要设置。

进一步的，当半导体制造机台1具有多个放气孔时，盖板6可以包括多个进气孔61，多个进气孔61之间可以相互连接。举例而言，多个进气孔61之间可以设置连接通道63，通过连接通道63将多个进气孔61连接起来；或者多个进气孔61之间可以设置凹槽通道，通过凹槽通道将多个进气孔61连接起来。

在本公开的一个实施例中，半导体制造机台1的腔室2周围可以设置两个放气孔，通过设置两个放气孔能够防止其中一个放气孔出现故障时，半导体制造机台1无法向腔室2提供大气。同时盖板6可以设置两个进气孔61，分别与放气孔对接，但是本公开对腔室2周围的放气孔的数量和盖板6上的进气孔61数量不做限制，例如：放气孔和进气孔61的数量均可以为3个或者4个等。

另外，盖板6上还可具有多个出气孔62，多个出气孔62可以相互独立，也可以相互连接。即：多个出气孔62之间也可以设置连接通道63，通过连接通道63将多个出气孔62相互连接；或者也可以设置凹槽通道，通过凹槽通道将多个出气孔62连接起来。

在本公开的一个实施例上，如图1所示，透明板7可以安装于安装孔内，且晶圆承载装置3在透明板7上的投影可以位于透明板7内，并且盖板6和透明板7可以覆盖腔室2。通过设置透明板7，能够更方便、更清晰地观测位于腔室2内晶圆4的位置情况。同时，由于晶圆承载装置3在透明板7上的投影位于透明板7内，从而透明板7能够将晶圆承载装置3完全盖住，进而能够更加方便的通过第一标尺8和第二标尺9观察晶圆4与晶圆承载装置3边缘的间隙5值。

该透明板7的材料可以为石英，从而该透明板7能够在具有较高透明度的同时具有较高的耐热性。从而防止透明板7由于腔室2内的高温而损坏。但不限于此，透明板7还可以为其他材料，只要制造透明板7的材料能够满足高透明度、具有较高耐热性的要求即可。需要说明的是，腔室2内的温度一般在100℃以上。

进一步的，透明板7的形状可以和晶圆承载装置3的形状相同。例如：当晶圆承载装置3为圆形时，透明板7也可以为圆形；当晶圆承载装置3为方形时，透明板7也可以为方形，本公开对此不做限制。同时，透明板7的形状也可以不与晶圆承载装置3形状相同，例如：当晶圆承载装置3形状为圆形时，透明板7可以为方形，只要保证晶圆承载装置3在透明板7上的投影位于透明板7内即可。

另外，由于透明板7安装于安装孔内，从而盖板6还可以包括支撑板，该支撑板可以位于盖板6靠近腔室2的一侧，并且可以向靠近安装孔中心延伸，以支撑透明板7防止透明板7掉落。但是，盖板6也可以不具有支撑板，可以通过其他方式将透明板7安装于安装孔内，例如：可以通过过盈配合的方式，将透明板7安装于安装孔内；也可以通过一体制造的方式，将透明板7和盖板6一体制造，从而将透明板7安装于安装孔内等。

在本公开的一个实施例中，当透明板7为圆形时，透明板7的直径可以为44cm，厚度可以为2cm，但不限于此。

如图1所示，上述第一标尺8和第二标尺9可以设置在透明板7上。需要说明的是，此处所述的第一标尺8和第二标尺9可以设置在透明板7内部，也可以设置在透明板7远离腔室2的一侧，也可以设置在透明板7靠近腔室2的一侧。优选地，为了防止高温对第一标尺8和第二标尺9的精度产生影响，可以将第一标尺8和第二标尺9设置在透明板7内部。

进一步的，第一标尺8可以沿第一方向x和背离第一方向x的方向延伸至透明板7的边缘，第二标尺9可以沿第二方向y和背离第二方向y的方向延伸至透明板7的边缘。需要说明的是，背离第一方向x的方向为与第一方向x相反的方向，背离第二方向y的方向为与第二方向y相反的方向。通过将第一标尺8和第二标尺9延伸至透明板7的边缘，能够使得第一标尺8和第二标尺9能够延伸至晶圆4与晶圆承载装置3边缘之间的间隙5上，从而能够保证通过第一标尺8和第二标尺9观测间隙5的具体大小。

同时，由于第一方向x和第二方向y相交，从而第一标尺8和第二标尺9相交。因此，本公开的第一标尺8和第二标尺9在间隙5上可以具有四段投影，因而，本公开能够以这四段投影为参考点，通过观测这些参考点来更加准确观测晶圆4的具体位置，进而增加晶圆4位置校正的准确度。

在本公开的一个实施例中，第一方向x和第二方向y可以垂直，即第一标尺8和第二标尺9可以相互垂直，从而使得定位更加准确。

在本公开的一个实施例中，第一标尺8和第二标尺9的交点在透明板7上的投影可以位于透明板7的中心，即：第一标尺8可以将第二标尺9分割成距离相等的两部分，且第二标尺9可以将第一标尺8分割成距离相等的两部分。

进一步的，第一标尺8和第二标尺9上可以设置有多个均匀分布的刻度线，相邻两个刻度线之间间距可以为0.01mm，可以理解的是，第一标尺8和第二标尺9的分度值可以为0.01mm。通过第一标尺8和第二标尺9上的刻度线能够准确直观地观测晶圆4与晶圆承载装置3边缘的间隙值，进而能够通过该间隙值准确的对晶圆4位置进行调整和校正，因此能够使得晶圆4镀膜后膜层的厚度、均匀度和颗粒物数量均满足预设要求。同时，由于第一标尺8和第二标尺9的分度值为0.01，从而可以使晶圆4位置校正的精度达到0.01mm。但是，采用现有技术对晶圆4位置进行盲调的话，盲调的误差至少会达到0.5～1mm。

因此，通过本公开所提供的校正半导体制造机台中晶圆位置的工具对晶圆4位置进行调整，相较于现有技术来说由于能够通过刻度线直观看到间隙值，从而能够利用较少的此时将晶圆4位置校正完成。并且，相较于现有技术来说，本公开所提供的校正半导体制造机台中晶圆位置的工具能够大幅度提高晶圆4位置的校正精度。

如图1所示，在本公开的一个实施例中校正半导体制造机台中晶圆位置的工具还可以包括：放大镜组件。该放大镜组件可以安装于透明板7上。并且第一标尺8和第二标尺9可以位于放大镜组件靠近腔室2的一侧。有一第一标尺8和第二标尺9上相邻两个刻度之间的距离仅有0.01mm，从而通过放大镜组件能够更清晰、准确的观测第一标尺8和第二标尺9上的刻度。

进一步的，间隙5在透明板7上的投影可以与放大镜组件在透明板7上的投影交叠。需要说明的是，此处所说的交叠即为间隙5在透明板7上的投影和放大镜组件在透明板7上的投影存在交叉以及重合的地方。同时，由于第一标尺8和第二标尺9位于放大镜组件靠近腔室2的一侧，从而可以理解的是，放大镜组件、第一标尺8和第二标尺9以及间隙5在透明板7上的投影具有交叠。因此，通过放大镜组件能够更加清晰、准确的观测间隙5的具体大小。

本公开所提供的放大镜组件可以直接形成在透明板7上，即制造透明板7时同时在透明板7上形成放大镜组件。同时，也可以将放大镜组件放置在透明板7上，这均在本公开的保护范围之内。

另外，该放大镜组件也可以位于透明板7内，即在透明板7相对应的位置设置放置孔，将放大镜直接放置在放置孔内即可。

在本公开的一个实施例中，第二方向y可以为远离机盖的方向，放大镜组件可以包括两个第一放大镜10和一个第二放大镜11。其中，两个第一放大镜10在透明板7上的投影分别位于第一标尺8在透明板7上的投影的两端，并且两个第一放大镜10在透明板7上的投影与间隙5在透明板7上的投影交叠。因此，可以通过两个第一放大镜10来观察间隙5的大小。

第二放大镜11在透明板7上的投影可以位于第二标尺9远离机盖的一端，并与间隙5在透明板7上的投影交叠。将第二放大镜11放置第二标尺9远离机盖的一端，能够防止度数的时候被机盖干扰，而造成度数精度的误差。

但是，在第二标尺9靠近机盖的一端也可以设置一个第二放大镜11，这也在本公开的保护范围之内。

在本公开的一个实施例中，第一放大镜10和第二放大镜11可以为圆形，其直径可以为6cm，最厚点的厚度可以为5cm。但不限于此，本公开对第一放大镜10和第二放大镜11的形状、直径和厚度不做限制。

除此之外，如图2～5所示，校正半导体制造机台中晶圆位置的工具还可以包括：至少一个第一定位块12和至少一个第二定位块13，其中至少一个第一定位块12和至少一个第二定位块13位于盖板6靠近腔室2的一侧，并与盖板6连接。其中，至少一个第一定位块12可以位于盖板6的一个边缘，至少一个第二定位块13可以位于盖板6的另一个边缘。该第一定位块12和第二定位块13靠近透明板7的一侧可以贴合机台远离腔室2一侧的边缘，通过第一定位块12和第二定位块13能够对盖板6的位置进行定位，从而使得盖板6能够快速并且准确的放置在机台上。

在本公开的一个实施例中，该第一定位块12和第二定位块13可以为凸台，但不限于此，第一定位块12和第二定位块13的形状可以根据机台边缘的形状确定。例如：当机台边缘具有凸台时，该第一定位块12和第二定位块13可以为与该机台边缘凸台配合的凹槽等。

本公开所提供的第一定位块12和第二定位块13的宽度可以为3cm，高度可以为2cm，但不限于此，本公开对第一定位块12和第二定位块13的宽度和高度不做限制。

进一步的，如图1所示，校正半导体制造机台中晶圆位置的工具还可以包括：至少一个提手14，该提手14可以位于盖板6远离腔室2的一侧，并且可以与盖板6连接。通过设置提手14，能够更方面的放置和移除校正半导体制造机台中晶圆位置的工具。

在本公开的一个实施例中，为了更方便、更平稳的放置该校正工具，可以沿第一方向x设置两个提手14，并且两个提手14可以分别位于透明板7的两侧。

该提手14可以为门形，其沿第一方向x上的宽度可以为2cm，沿与第一方向x垂直的方向的长度可以为10cm，高可以为8cm，但不限于此。

在本公开的一个实施例中，半导体制造机台1可以具有多个腔室2且每个腔室2的一侧均设置有一个晶圆承载装置3，此时校正半导体制造机台中晶圆位置的工具可以具有多个透明板7，且多个晶圆承载装置3可以分别和多个透明板7一一对应，即每一个晶圆承载装置3在于其相对应的透明板7上的投影均位于该透明板7内，且盖板6和该透明板7可以覆盖该晶圆承载装置3所在的腔室2。

进一步的，当校正半导体制造机台中晶圆位置的工具可以具有多个透明板7时，每一个透明板7上均可以设置一个第一标尺8和一个第二标尺9，且第一标尺8均沿第一方向x和背离第一方向x的方向延伸至透明板7边缘，第二标尺9均沿第二方向y和背离第二方向y的方向延伸至所述透明板7边缘。同时，每一个第一标尺8和第二标尺9上均可以设置多个均匀分布的刻度线。

本公开另一方面提供了一种校正半导体制造机台中晶圆位置的方法，该方法可以应用上述校正半导体制造机台中晶圆位置的工具。该校正半导体制造机台中晶圆位置的方法能够准确的对晶圆4位置进行调整和校正，从而能够使得晶圆4制造后的各项指标均满足预设要求，进而提高晶圆制造后的产品良率。

具体地，如图7所示，该校正半导体制造机台中晶圆位置的方法可以包括：

步骤s10、将校正半导体制造机台中晶圆位置的工具放置在半导体制造机台1上，并使晶圆承载装置3在透明板7上的投影位于透明板7内；

步骤s20、将晶圆4放置在所述晶圆承载装置3上；

步骤s30、通过第一标尺8和第二标尺9观测晶圆4与晶圆承载装置3边缘之间的最大间隙5，并将最大间隙5与预设阈值进行比较；

步骤s40、当最大间隙5大于预设阈值时，根据最大间隙5与预设阈值调整晶圆4位置，以使最大间隙5小于或等于预设阈值；当最大间隙5小于或等于预设阈值时，对晶圆4位置不做调整。

下面对上述步骤进行详细说明。

在步骤s10中，可以在机台降温后，向腔室2充气，以使腔室2的气压与外界大气压相同，从而打开半导体制造机台1的机盖。随后提起提手14将上述校正半导体制造机台中晶圆位置的工具放置在半导体制造机台1上，并且可以通过第一定位块12和第二定位块13对其进行定位，以使晶圆承载装置3在透明板7上的投影位于透明板7内。最后将腔室2内的气体抽出，以使腔室2内为低气压或者真空状态。通过使腔室2内为低气压或者真空状态，能够保证在校正晶圆4位置的过程中，晶圆4所处环境与晶圆4制造过程中所处环境相同，从而保证晶圆4位置校正的准确性。

在步骤s20中，可以利用向机械手臂下达放置晶圆4的指令，并通过机械手臂的控制模组向机械手臂的执行模组传递位置坐标，最后通过执行模组将晶圆4通过半导体制造机台1上的穿片孔放置在晶圆承载装置3上。但不限于此，也可以通过人工将晶圆4放置在晶圆承载装置3上。

进一步的，当放置晶圆4的时候，晶圆承载装置3上的升降柱可以升起，可以利用机械手臂将晶圆4放置在升降柱上，通过升降柱下降使得晶圆4平稳的放置在晶圆承载装置3的承载台上，从而能够防止晶圆4放置在晶圆承载装置3上的时候发生损坏。

在步骤s30中，可以预先设定晶圆4与晶圆承载装置3边缘的间隙5的阈值。举例而言，该预设阈值可以为0.03mm，但不限于此，也可以为其他数值。可以通过第一放大镜10和第二放大镜11直观看到第一标尺8和第二标尺9上的刻度，以看出晶圆4与晶圆承载装置3边缘的最大间隙5，并且可以将该最大间隙5数值记进行记录。随后可以将该最大间隙5和预设阈值进行比较。

在步骤s40中，当最大间隙5大于预设阈值时，可以判定晶圆4位置不正确，需要进行调整。从而，需要根据最大间隙5与预设阈值调整晶圆4位置，以使最大间隙5小于或等于预设阈值。当最大间隙5小于或等于预设阈值时，可以判定此时晶圆4位置正确，则此时不需要对所述晶圆4位置进行调整。

在本公开的一个实施例中，当最大间隙5大于预设阈值时，根据最大间隙5与预设阈值调整晶圆4位置，以使最大间隙5小于或等于预设阈值可以包括：

步骤s401、当最大间隙5大于预设阈值时，记录最大间隙5与预设阈值的差值；

步骤s402、根据最大间隙5与预设阈值的差值计算晶圆4新的位置坐标；

步骤s403、根据新的位置坐标重新放置晶圆4，比较重新放置的晶圆4与晶圆承载装置3边缘的最大间隙5与预设阈值的大小；

步骤s404、当重新放置的晶圆4和晶圆承载装置3边缘的最大间隙5小于或等于预设阈值时，完成晶圆4位置的校正；当重新放置的晶圆4和晶圆承载装置3边缘的最大间隙5大于预设阈值时，根据重新放置的晶圆4和晶圆承载装置3边缘的最大间隙5与预设阈值再次调整晶圆4位置，以使晶圆4和晶圆承载装置3边缘的最大间隙5小于或等于预设阈值，以完成晶圆4位置的校正；

步骤s405、可以向腔室内输送气体，以使所述内的气压与外界大气压相同，并将校正半导体制造机台中晶圆位置的工具从半导体制造机台上取出。

具体地，在步骤s403中，可以将新的坐标发送给机械手臂的控制模组，机械手臂的控制模组向机械手臂的执行模组发送新的坐标，并且机械手臂的执行模组可以根据新的坐标重新放置晶圆4。放置好晶圆4后，可以根据第一标尺8和第二标尺9重新观测重新放置的晶圆4与晶圆承载装置3边缘的最大间隙5与阈值的大小，并记录。

在步骤s404中，当重新放置的晶圆4和晶圆承载装置3边缘的最大间隙5小于或等于预设阈值时，可以判定晶圆4重新放置的位置正确，从而完成所述晶圆4位置的校正。当重新放置的晶圆4和晶圆承载装置3边缘的最大间隙5大于预设阈值时，可以判断重新放置的位置仍然不正确。从而，可以重新执行步骤s401至步骤s404，即：可以根据重新放置的晶圆4和晶圆承载装置3边缘的最大间隙5与阈值再次调整晶圆4位置。直到晶圆4和晶圆承载装置3边缘的最大间隙5小于或等于预设阈值，完成晶圆4位置的校正。

在步骤s405中，可以通过半导体制造机台1上的放气孔向盖板6上的进气孔61排放气体，并通过盖板6上的出气孔62进入腔室2内，以使腔室2内的大气压与外界的大气压相同。从而，当腔室2内的大气压与外界的大气压相同时，校正半导体制造机台中晶圆位置的工具才能从半导体制造机台上取出。

由于校正半导体制造机台中晶圆位置的工具的精度为0.01mm，从而相对于现有技术中的盲调的方法来说，本公开提供的校正半导体制造机台中晶圆位置的方法在校正晶圆4位置的过程中能够更加精确。同时，由于盲调时需要经过很多次的调整和确认，所以往往校正一次晶圆4位置需要至少八个小时以上。而本公开提供的校正半导体制造机台中晶圆位置的方法，绝大部分情况下只需要对晶圆4位置进行一次调整即可，从而大幅度减少了校正一次晶圆4位置所花费的时间。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。