降温推结扩散工艺的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及太阳能生产利用领域，具体涉及一种降温推结扩散工艺。
【背景技术】
[0002] 目前，单、多晶硅太阳电池的主要制造工艺已经标准化，其主要步骤如下：化学 清洗及表面织构化处理一一扩散形成PN结一一周边刻蚀一一沉积减反射膜一一印刷电 极一一烧结。在太阳能电池的主要制造工艺中，扩散的浓度、深度以及均匀性直接影响太阳 电池的电性能，其作用是在已经干净有绒面的P型硅片掺杂磷原子，形成PN结，PN结是太 阳能电池发电的核心，对整个电池片的生产和其最终转换效率有着至关重要的影响。现有 工艺主要存在如下问题1、随着扩散方块电阻不断提高，扩散均匀性的要求越来越高，现有 工艺在高方阻时均匀性较差；2、表面死层问题，表面复合较大、电流电压损失。
【发明内容】
[0003] 为解决上述技术问题，本发明提出了降温推结扩散工艺，以达到优化生产工艺和 保证产品质量的目的。
[0004] 为达到上述目的，本发明的技术方案如下：
[0005] 一种降温推结扩散工艺，其具体步骤如下：
[0006] (1).进行低温扩散：利用小流量的氮气携带磷源进入炉管进行扩散，并在整个过 程中保持干氧和大流量的氮气通入，其中所使用的小流量氮气流量为：400-2000sccm，大流 量氮气流量为：4_15slm，氧气通过流量为400-3000sccm ;
[0007] (2).进行高温扩散：利用小流量的氮气携带磷源进入炉管进行扩散，并在整个过 程中保持干氧和大流量的氮气通入，其中所使用的小流量氮气流量为：600-3000sccm，大流 量氮气流量为：4-15slm，氧气通过流量为800-3000sccm ;
[0008] (3).在降温的过程中进行推结，并且以流量800-3000sCCm通入氧气，并且保持 4_15slm的氮气通入。
[0009] 作为优选的，所述步骤（1)中所使用的时间为5-20分钟，所示采用的工艺温度为： 795-840 °C。
[0010] 作为优选的，所述步骤（2)中所使用的时间为5-20分钟，所采用的工艺温度为： 850-890 0C .
[0011] 作为优选的，所述步骤（3)中所使用的时间为：5-20分钟，所采用的工艺温度为 790-835 °C。
[0012] 通过上述技术方案，本发明通过第二步更高温度的扩散工艺来减少少数载流子复 合，使表面杂质浓度提高，有利于形成欧姆接触，然后再在较低温度下进行推结，来实现保 证产品均匀性和降低表面浓度，从而达到节省降温所需时间、优化生产工艺和保证产品质 量的目的。
【具体实施方式】
[0013] 下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0014] 本发明提供了降温推结扩散工艺，其工作原理是通过第二步更高温度的扩散工艺 来减少少数载流子复合，使表面杂质浓度提高，有利于形成欧姆接触，然后再在较低温度下 进行推结，来实现保证产品均匀性和降低表面浓度，从而达到节省降温所需时间，优化生产 工艺和保证产品质量的目的。
[0015] 下面结合实施例和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明。
[0016] 一种降温推结扩散工艺，其具体步骤如下：
[0017] (1).进行低温扩散：利用小流量的氮气携带磷源进入炉管进行扩散，并在整个过 程中保持干氧和大流量的氮气通入，其中所使用的小流量氮气流量为：400-2000sccm，大流 量氮气流量为：4_15slm，氧气通过流量为400-3000sccm ;
[0018] (2).进行高温扩散：利用小流量的氮气携带磷源进入炉管进行扩散，并在整个过 程中保持干氧和大流量的氮气通入，其中所使用的小流量氮气流量为：600-3000sccm，大流 量氮气流量为：4-15slm，氧气通过流量为800-3000sccm ;
[0019] (3).在降温的过程中进行推结，并且以流量800-3000sCCm通入氧气，并且保持 4_15slm的氮气通入。
[0020] 作为优选的，所述步骤（1)中所使用的时间为5-20分钟，所示采用的工艺温度为： 795-840 °C。
[0021] 值得注意的是，所述步骤（2)中所使用的时间为5-20分钟，所采用的工艺温度为： 850-890 0C .
[0022] 值得注意的是，所述步骤（3)中所使用的时间为：5-20分钟，所采用的工艺温度为 790-835 °C。
[0023] 采用相同的硅片原材料：P型多晶硅片，电阻率0. 5~3Ω · cm，各3600片分别进 行常规的清洗制绒，后续工艺均采用常规工艺进行生产，对比最终的电性能参数
[0024]
【主权项】
1. 一种降温推结扩散工艺，其特征在于，其具体步骤如下： (1) .进行低温扩散：利用小流量的氮气携带磷源进入炉管进行扩散，并在整个过程中 保持干氧和大流量的氮气通入，其中所使用的小流量氮气流量为：400-2000sccm，大流量氮 气流量为：4_15slm，氧气通过流量为400_3000sccm ; (2) .进行高温扩散：利用小流量的氮气携带磷源进入炉管进行扩散，并在整个过程中 保持干氧和大流量的氮气通入，其中所使用的小流量氮气流量为：600-3000sccm，大流量氮 气流量为：4_15slm，氧气通过流量为800_3000sccm ; (3) .在降温的过程中进行推结，并且以流量800-3000sCCm通入氧气，并且保持 4_15slm的氮气通入。
2. 根据权利要求1所述的降温推结扩散工艺，其特征在于，所述步骤（1)中所使用的时 间为5-20分钟，所示采用的工艺温度为：795-840°C。
3. 根据权利要求1所述的降温推结扩散工艺，其特征在于，所述步骤（2)中所使用的时 间为5-20分钟，所采用的工艺温度为：850-890°C。
4. 根据权利要求1所述的降温推结扩散工艺，其特征在于，所述步骤（3)中所使用的时 间为：5-20分钟，所采用的工艺温度为790-835°C。
【专利摘要】本发明公开了一种降温推结扩散工艺，其具体步骤如下：(1).进行低温扩散；(2).进行高温扩散；(3).在降温的过程中进行推结；通过第二步更高温度的扩散工艺来减少少数载流子复合，使表面杂质浓度提高，有利于形成欧姆接触，然后再在较低温度下进行推结，来实现保证产品均匀性和降低表面浓度、从而达到节省降温所需时间，优化生产工艺和保证产品质量的目的。
【IPC分类】H01L21-223, H01L31-18
【公开号】CN104752567
【申请号】CN201510202491
【发明人】郭建东, 樊选东, 钱明星, 关统州
【申请人】中建材浚鑫科技股份有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2015年4月24日